半導体装置の製造方法及び半導体装置
【課題】半導体装置の配線層の信頼性を高める。
【解決手段】層間絶縁膜３に形成した配線溝４内に、バリアメタル膜５を介して、ＣｕＭｎシード膜６及びＣｕ膜７を有する配線部１を形成した後、ＳｉＨ4とＮＨ3のガスに曝し、その配線部１の表面にＯを含有しないＳｉＮの保護層８を形成する。この上にキャップ膜９を形成する。キャップ膜９の形成時には、配線部１のバリアメタル膜５との界面領域にはＭｎＯ層１０が形成される一方、配線部１の上面には保護層８があることでＭｎの析出が抑制される。配線部１のＭｎ含有量を高めても、配線部１とキャップ膜９との間にＭｎを含有するバリア性の低い層が形成されることがなく、エレクトロマイグレーション耐性及びストレスマイグレーション耐性の向上を図ることができる。
【解決手段】層間絶縁膜３に形成した配線溝４内に、バリアメタル膜５を介して、ＣｕＭｎシード膜６及びＣｕ膜７を有する配線部１を形成した後、ＳｉＨ4とＮＨ3のガスに曝し、その配線部１の表面にＯを含有しないＳｉＮの保護層８を形成する。この上にキャップ膜９を形成する。キャップ膜９の形成時には、配線部１のバリアメタル膜５との界面領域にはＭｎＯ層１０が形成される一方、配線部１の上面には保護層８があることでＭｎの析出が抑制される。配線部１のＭｎ含有量を高めても、配線部１とキャップ膜９との間にＭｎを含有するバリア性の低い層が形成されることがなく、エレクトロマイグレーション耐性及びストレスマイグレーション耐性の向上を図ることができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法及び半導体装置に関し、特に、銅（Ｃｕ）配線を備えた半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置の配線材料としては、アルミニウム（Ａｌ）のほか、抵抗値等の観点からＣｕが用いられている。一般に、Ｃｕを用いた配線形成には、配線溝を形成した絶縁膜の全面にタンタル（Ｔａ）やチタン（Ｔｉ）等を用いたバリアメタル膜及びＣｕ膜を順に堆積してからそれらを絶縁膜まで研磨することによってその絶縁膜内に配線を形成する、いわゆるダマシンプロセスが用いられている。このような配線形成後の表面には、通常、絶縁性のキャップ膜が形成される。
【０００３】
また、近年では、Ｃｕ膜の堆積に電解メッキ法を用いる場合におけるそのシード膜として、マンガン（Ｍｎ）を含有する薄いＣｕ膜（ＣｕＭｎシード膜）を形成し、そこに厚くＣｕ膜を堆積していく方法が提案されている。配線溝形成後の絶縁膜に、バリアメタル膜を形成することなくＣｕＭｎシード膜を形成し、電解メッキ法によりＣｕ膜を堆積して、所定のアニール処理を行うことで、配線の絶縁膜との界面領域に、Ｃｕの拡散バリアとしてＭｎシリケート（自己形成バリア膜）を形成する試み等がなされている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００７−１４９８１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、ＣｕＭｎシード膜を用いた配線形成には、次のような問題点があった。すなわち、Ｍｎシリケートを拡散バリアとして形成する方法の場合、上記のように、配線溝形成後の絶縁膜にＣｕＭｎシード膜及びＣｕ膜を堆積した後、所定のアニール処理を行う。酸素（Ｏ）を含有する雰囲気でのアニール処理により、配線の絶縁膜との界面領域にＭｎシリケートが形成され、さらに、配線の抵抗に影響する余剰Ｍｎを堆積したＣｕ膜表面に酸化マンガン（ＭｎＯ）として析出させる。そして、表面のＭｎＯ（余剰Ｍｎ）を含むＣｕ膜が研磨され、拡散バリアであるＭｎシリケート及び配線が形成される。
【０００５】
上記手法におけるＣｕ膜堆積後のアニール処理は、Ｃｕ膜表面にＭｎＯを十分に析出させるため、高温で長時間行われる。そのようなアニール処理は、Ｃｕ等のエレクトロマイグレーションを引き起こして配線の信頼性を劣化させる可能性がある。さらに、拡散バリアとして形成されるＭｎシリケートは、Ｔａ等のバリアメタル膜に比べると絶縁膜との密着力に課題が残っているのが現状である。また、Ｍｎは、配線に含有されることでその抵抗に影響を及ぼす一方、配線のエレクトロマイグレーション耐性及びストレスマイグレーション耐性を向上させる性質も有している。
【０００６】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、信頼性の高い配線を備えた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。また、そのような信頼性の高い配線を備えた半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、次のような半導体装置の製造方法が提供される。この半導体装置の製造方法は、第１の絶縁膜に配線溝を形成する工程、前記配線溝形成後の前記第１の絶縁膜上にバリアメタル膜を形成する工程、前記バリアメタル膜上にＭｎを含有する第１のＣｕ膜を介して第２のＣｕ膜を形成し前記配線溝を埋め込む工程、前記第２のＣｕ膜の形成に続いて、形成された前記第２のＣｕ膜、前記第１のＣｕ膜及び前記バリアメタル膜の研磨を行い前記配線溝内に前記バリアメタル膜で側面及び底面を覆われた配線部を形成する工程、及び前記研磨後の前記配線部の表面にＯを含有しない第２の絶縁膜を形成する工程を有する。
【０００８】
このような半導体装置の製造方法によれば、第１の絶縁膜の配線溝にバリアメタル膜を介してＭｎを含有する配線部が形成され、その配線部の表面にＯを含有しない第２の絶縁膜が形成される。
【発明の効果】
【０００９】
開示する半導体装置の製造方法により、エレクトロマイグレーション耐性及びストレスマイグレーション耐性の高い高信頼性の配線が形成でき、そのような配線を備えた高信頼性の半導体装置が実現可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照して詳細に説明する。なお、ここでは、半導体装置の配線層部分を中心に説明する。
まず、第１の実施の形態について説明する。
【００１１】
図２は配線層形成工程の説明図であって、（Ａ）は層間絶縁膜形成工程の要部断面模式図、（Ｂ）は配線溝形成工程の要部断面模式図、（Ｃ）はバリアメタル膜及び配線材料形成工程の要部断面模式図である。
【００１２】
まず、図２（Ａ）に示すように、下地２上に層間絶縁膜３を形成する。下地２は、トランジスタ等の回路素子が形成された半導体基板上の絶縁膜等である。続いて、図２（Ｂ）に示すように、リソグラフィ技術を用い、その層間絶縁膜３に配線溝４を形成する。
【００１３】
配線溝４の形成後は、図２（Ｃ）に示すように、まず層間絶縁膜３の全面にＴａ等の薄いバリアメタル膜５を形成する。そして、そのバリアメタル膜５上にＭｎを含有する薄いＣｕ膜（ＣｕＭｎシード膜）６を形成し、次いで、電解メッキ法により、そのＣｕＭｎシード膜６上に厚いＣｕ膜７を形成して配線溝４を埋め込む。
【００１４】
配線溝４の埋め込み後は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法を用いて層間絶縁膜３まで研磨を行い、層間絶縁膜３上に形成されている不要なＣｕ膜７、ＣｕＭｎシード膜６及びバリアメタル膜５を除去する。この研磨は、配線溝４の埋め込み後、Ｍｎシリケート形成及び余剰Ｍｎ除去を目的とするようなアニール処理を行うことなく、実施される。
【００１５】
図１は第１の実施の形態の配線層形成工程の説明図であって、（Ａ）は研磨工程後の要部断面模式図、（Ｂ）は絶縁膜形成工程の要部断面模式図、（Ｃ）はキャップ膜形成工程の要部断面模式図である。
【００１６】
配線溝４をバリアメタル膜５、ＣｕＭｎシード膜６及びＣｕ膜７によって埋め込んだ後の研磨により、図１（Ａ）に示すように、まず配線溝４内には、側面と底面をバリアメタル膜５で覆われた、ＣｕＭｎシード膜６及びＣｕ膜７を有する配線部１が形成される。
【００１７】
続いて、図１（Ａ）に示した研磨後の表面を、図１（Ｂ）に示すように、シラン（ＳｉＨ4）とアンモニア（ＮＨ3）のガスに曝す。このようなガスに曝すことで、配線部１の上面に選択的に、特にそのＣｕ膜７の上面に、Ｏを含有しない窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる保護層８が形成される。保護層８は、その厚さが数ｎｍと非常に薄く形成される。なお、図１には、Ｃｕ膜７の上面にのみ保護層８が形成されている場合を図示している。
【００１８】
そして、このようにして保護層８を形成した後、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、図１（Ｃ）に示すように、全面にＳｉＣ等の絶縁性のキャップ膜９を形成する。このキャップ膜９は、配線部１のＣｕが層間絶縁膜３或いはより上層に形成される他の配線層内に拡散するのを防止する機能のほか、上層の配線層にこの配線部１に達するビアホールをエッチングにより形成する際のエッチングストッパとして機能する。
【００１９】
この第１の実施の形態において、キャップ膜９は、Ｏを含有していても、含有していなくても、いずれであっても構わない。例えば、ＳｉＣは、一般的な形成方法によれば、３原子％〜１８原子％程度のＯが含有される。Ｏを含有しないＳｉＣは、その誘電率が７以上であるのに対し、Ｏを含有するＳｉＣは、その誘電率を４以下に低減することができ、半導体装置の低誘電率化の点で有利である。
【００２０】
このキャップ膜９の形成時には、その材質にもよるが、３５０℃〜４５０℃程度の熱が配線層にかかり、配線部１の構造は、そのときの熱によって変化する。
すなわち、その熱によって層間絶縁膜３に存在するＯが拡散し、バリアメタル膜５を通過すると、配線部１の側面及び底面のバリアメタル膜５との界面領域には、そのＯと図１（Ａ），（Ｂ）に示したＣｕＭｎシード膜６のＭｎが反応してＭｎＯが析出し、薄いＭｎＯ層１０が形成される。また、ＭｎＯ層１０の形成に消費されないＣｕＭｎシード膜６のＭｎの一部は、その熱によってＣｕ膜７内に拡散し、Ｃｕ膜７内においてＣｕとの合金を形成する。
【００２１】
一方、配線部１の上面には、Ｏを含有しないＳｉＮの保護層８が形成されているため、キャップ膜９にＯが含有されていない場合は勿論、たとえキャップ膜９にＯが含有されている場合でも、配線部１の上面へのＭｎの析出が効果的に抑制されるようになる。
【００２２】
ここで、配線部１のＭｎの析出について説明する。
図３はＭｎを析出させた配線層の一例の要部断面模式図である。
上記の図１（Ａ）に示したような状態から、図１（Ｂ）に示したようにＳｉＨ4とＮＨ3のガスに曝してＳｉＮの保護層８を形成することなく、図１（Ｃ）に示したようにキャップ膜９を形成する。ここではそのキャップ膜９としてＯを含有する低誘電率のＳｉＣを形成する場合を想定する。
【００２３】
その場合、そのキャップ膜９の形成時には、そのときの熱によって、配線部１のバリアメタル膜５との界面領域にＭｎＯ層１０が形成される。さらに、ＳｉＣのキャップ膜９がＯを含有していることで、配線部１のＭｎ（ＣｕＭｎシード膜６のＭｎ、或いはＣｕＭｎシード膜６からＣｕ膜７に拡散したＭｎ。）がキャップ膜９との界面領域に拡散し、キャップ膜９に含有されているＯとの反応が起こる。その結果、配線部１のキャップ膜９との界面領域には、Ｍｎがキャップ膜９のＯ、及びシリコン（Ｓｉ）並びに炭素（Ｃ）と反応し、Ｃを含有するＭｎシリケートの層（ＭｎＳｉＯXＣY層）１１が形成されるようになる。
【００２４】
このようにして形成されるＭｎＯ層１０及びＭｎＳｉＯXＣY層１１は、それらに一定量のＭｎが含有されている場合には、配線部１のエレクトロマイグレーション耐性及びストレスマイグレーション耐性を向上させる役割を果たす。ただし、配線部１のキャップ膜９との界面領域に形成されるＭｎＳｉＯXＣY層１１は、それに一定量以上のＭｎが含有されると、配線層の寿命低下を引き起こしてしまう。
【００２５】
図４はエレクトロマイグレーションを説明する配線層の要部断面模式図である。
一定量以上のＭｎを含有するＭｎＳｉＯXＣY層１１が形成された場合には、異なる配線部１間に生じる電界により、配線部１のＣｕ，Ｍｎ或いはＭｎＳｉＯXＣY層１１のＭｎが層間絶縁膜３の方へ拡散してしまう場合がある。上面をキャップ膜９で、側面及び底面をバリアメタル膜５で、それぞれ覆われた配線部１及びＭｎＳｉＯXＣY層１１からＣｕ，Ｍｎが外部へ拡散する場合、そのＣｕ，Ｍｎは層間絶縁膜３とキャップ膜９との界面を拡散していきやすい。
【００２６】
ＭｎＳｉＯXＣY層１１のＭｎ含有量は、配線部１の形成時に用いるＣｕＭｎシード膜６に予め含有されているＭｎの量に依存してくる。ＣｕＭｎシード膜６のＭｎ含有量が配線層の寿命に与える影響をＴＤＤＢ（Time-Dependent Dielectric Breakdown）試験により検討した結果を次の図５に示す。
【００２７】
図５はＴＤＤＢ試験の結果を示す図である。
図５には、ＣｕＭｎシード膜６のＭｎ含有率を０原子％（Ｃｕシード膜を用いた場合。）、１原子％、２原子％とした場合についてそれぞれＴＤＤＢ試験を行った結果を示している。なお、ＴＤＤＢ試験は、ＣｕＭｎシード膜６のＭｎ含有率を変える以外は同条件で形成した配線層について試験を行っており、また、温度、印加電圧等の試験条件はＣｕＭｎシード膜６のＭｎ含有率によらず同じにしている。
【００２８】
ＴＤＤＢ試験の結果、ＣｕＭｎシード膜６のＭｎ含有率が１原子％の場合には、０原子％の場合に比べて長寿命化する傾向が認められ、２原子％の場合には、短寿命化が認められた。同様の検討から、ＣｕＭｎシード膜６のＭｎ含有率が２原子％を上回ると、短寿命化が著しくなることが確認された。
【００２９】
このように、配線部１の上面に直接Ｏを含有するＳｉＣのキャップ膜９を形成すると、配線部１内のＭｎが一定量以上の場合、却ってエレクトロマイグレーション耐性が劣化してしまうようになる。
【００３０】
これに対し、図１（Ｂ）に示したように、配線部１の上面にＯを含有しない薄いＳｉＮの保護層８を形成しておくと、その上に形成されるキャップ膜９がたとえＯを含有していても、配線部１の上面へのＭｎの析出が抑えられ、ＭｎＳｉＯXＣYの生成が抑えられるようになる。したがって、Ｍｎ含有量の高いＭｎＳｉＯXＣYが形成されることによるエレクトロマイグレーション耐性の劣化を回避することが可能になる。その結果、配線部１形成時のＣｕＭｎシード膜６のＭｎ含有率を高め、例えばそのＭｎ含有率を２原子％以上にしても、高いエレクトロマイグレーション耐性を確保し、かつ、高いストレスマイグレーション耐性を得ることが可能になる。
【００３１】
ＣｕＭｎシード膜６のＭｎ含有率は、形成する半導体装置の要求特性等に応じて設定すればよい。ただし、ＣｕＭｎシード膜６のＭｎ含有率を高くするほど、最終的に得られる配線部１の抵抗が高くなることに留意する必要がある。エレクトロマイグレーション耐性及びストレスマイグレーション耐性のほか、さらに配線部１の抵抗を考慮すると、ＣｕＭｎシード膜６のＭｎ含有率は、１原子％〜５原子％とすることが好ましく、２原子％〜５原子％とすることがより好ましい。
【００３２】
なお、保護層８は、その厚さが薄く、かつ、配線部１の上面に選択的に形成されるため、保護層８の形成による容量の増加は無視し得る程度である。
また、配線部１は、層間絶縁膜３の配線溝４に、層間絶縁膜３及び配線部１との密着性が良好なバリアメタル膜５を介して形成するようにしている。バリアメタル膜５を形成することなくＭｎを用いて自己形成バリア膜を形成するようにした場合に比べ、特に幅広の配線を形成するような場合の研磨時に発生するバリアメタル膜５及び配線部１の層間絶縁膜３からの剥離等を効果的に抑制することが可能になっている。
【００３３】
さらに、上記のようにＣｕＭｎシード膜６を用いて配線部１を形成する場合、その周りのバリアメタル膜５は、Ｍｎを含有しないＣｕシード膜を用いて配線を形成する場合に比べ、より薄い膜厚で形成することができる。一般に、バリアメタル膜の膜厚を厚くするほどＣｕの拡散を確実に防止することが可能になる。ただし、バリアメタル膜を厚くすると、配線内のＣｕ占有率が減少する、Ｃｕ占有率を確保すると配線の微細化に対応できない、といった問題が生じてくる。これに対し、ＣｕＭｎシード膜６を用いると、バリアメタル膜５を薄く形成した場合でも、配線部１に薄いＭｎＯ層１０が形成されるため、このＭｎＯ層１０とバリアメタル膜５により、配線部１からのＣｕの拡散を効果的に抑制することが可能になる。
【００３４】
以上、第１の実施の形態の配線層について説明したが、その形成にあたっては、半導体装置の低誘電率化の観点から、層間絶縁膜３としてＭＳＱ（methyl silsesquioxane）等のＬｏｗ−ｋ膜が好適に用いられる。なお、ＭＳＱの場合、その誘電率は２．６であり、スピンコート法によって塗布した後、３５０℃〜４００℃程度の温度でキュアが行われる。層間絶縁膜３として、同様にスピンコート法で形成可能な炭化水素系ポリマー、例えばＳｉＬＫやポーラスＳｉＬＫ（Dow Chemical社製）、或いはプラズマＣＶＤ法によって形成可能なＳｉＯＣ等を用いてもよい。
【００３５】
バリアメタル膜５としては、Ｔａのほか、窒化タンタル（ＴａＮ）、Ｔｉ、窒化チタン（ＴｉＮ）等を用いることができる。このバリアメタル膜５と、その上に形成されるＣｕＭｎシード膜６は、例えばスパッタリング法により形成することができる。そして、そのＣｕＭｎシード膜６上に電解メッキ法によりＣｕ膜７が形成される。
【００３６】
保護層８は、上記のように、バリアメタル膜５、ＣｕＭｎシード膜６及びＣｕ膜７を順次形成して層間絶縁膜３上の不要な部分を研磨した後に、それをＳｉＨ4とＮＨ3のガスに曝すことによって形成される。例えば、１０〜２００ｓｃｃｍのＳｉＨ4に希釈ガスとして例えば窒素（Ｎ2）を用いて、１〜６０秒の範囲でその雰囲気に曝す。その後、ＮＨ3等のＮとＨを含むガス、又はＮ2と水素（Ｈ2）の混合ガス雰囲気でプラズマを発生させてＳｉＮの保護層８を形成する。基板温度は３５０℃〜４００℃が好ましい。
【００３７】
保護層８形成後の表面に形成するキャップ膜９としては、ＳｉＣのほか、窒化炭化シリコン（ＳｉＣＮ）、ＳｉＮ、窒化ホウ素（ＢＮ）等を用いることもできる。半導体装置の低誘電率化の観点から、キャップ膜９には低誘電率のものが好適に用いられる。なお、上記のように保護層８を形成することによって配線部１の上面にＭｎが析出するのを抑制することができるため、この第１の実施の形態ではキャップ膜９がＯを含有するか否かは問われない。
【００３８】
上記の配線層を第１層目とした場合、その上に形成される第２層目の配線層は、例えば、次のような流れで形成することができる。
図６は第１の実施の形態のビアホール及び配線溝の形成工程の要部断面模式図である。
【００３９】
まず、第２層目の配線層形成用の層間絶縁膜２１を形成する。例えば、ＭＳＱを形成し、３５０℃〜４００℃程度のキュアを行って、層間絶縁膜２１を形成する。そして、その層間絶縁膜２１に、デュアルダマシンプロセスに従い、第１層目の配線部１に達するビアホール２２及び配線溝２３を形成する。
【００４０】
その際は、例えば、キャップ膜９を開口するエッチング時に、キャップ膜９と同時に、配線部１の上面に形成されている保護層８を除去する。このエッチングは、キャップ膜９の開口に適した条件で行えばよい。或いは、保護層８は、次工程のバリアメタル膜２４の形成前に、アルゴン（Ａｒ）ガスによるスパッタリングによって除去するようにしてもよい。保護層８は、配線部１の上面にごく薄く形成されているため、エッチング及びスパッタリングのいずれの方法によっても容易に除去することができる。
【００４１】
図７は第１の実施の形態のビアホール及び配線溝の埋め込み工程の要部断面模式図である。
ビアホール２２及び配線溝２３の形成後は、第１層目の配線層と同様に、例えば、スパッタリング法によるＴａ等のバリアメタル膜２４並びにＣｕＭｎシード膜２５の形成、及び電解メッキ法によるＣｕ膜２６の形成を行う。これにより、ビアホール２２及び配線溝２３を同時に埋め込む。なお、ＣｕＭｎシード膜２５のＭｎ含有率は、第１層目の配線層について述べたのと同様に、エレクトロマイグレーション耐性並びにストレスマイグレーション耐性及び抵抗の観点から、例えば、１原子％〜５原子％とすればよい。
【００４２】
図８は第１の実施の形態のＣｕ膜等の研磨工程の要部断面模式図である。
バリアメタル膜２４、ＣｕＭｎシード膜２５及びＣｕ膜２６の形成後、ＣＭＰ法により、層間絶縁膜２１上のそれらの不要な部分を除去する。これにより、ビアホール２２及び配線溝２３内に、側面及び底面をバリアメタル膜２４で覆われた、ＣｕＭｎシード膜２５及びＣｕ膜２６を有する配線部２０が形成される。なお、層間絶縁膜２１と配線部２０との間にいずれとも密着性が良いバリアメタル膜２４が形成されていることにより、この研磨の際に加わる力でバリアメタル膜２４及び配線部２０が層間絶縁膜２１から剥離してしまうといった不具合の発生が回避される。
【００４３】
図９は第１の実施の形態の保護層の形成工程の要部断面模式図である。
バリアメタル膜２４、ＣｕＭｎシード膜２５及びＣｕ膜２６の研磨後、その表面をＳｉＨ4とＮＨ3のガスに曝し、配線部２０の上面に選択的に、Ｏを含有しない、厚さ数ｎｍ程度の薄いＳｉＮの保護層２７を形成する。この保護層２７は、第１層目の保護層８と同様の条件で形成することができる。
【００４４】
図１０は第１の実施の形態のキャップ膜の形成工程の要部断面模式図である。
保護層２７の形成後、プラズマＣＶＤ法により、Ｏを含有するＳｉＣからなるキャップ膜２８を形成する。このキャップ膜２８の形成時には、層間絶縁膜２１から拡散してバリアメタル膜２４を通過したＯと、ＣｕＭｎシード膜２５のＭｎが反応し、配線部２０のバリアメタル膜２４との界面領域にＭｎＯ層２９が形成される。一方、配線部２０の上面にはＯを含有しないＳｉＮの保護層２７が形成されているため、配線部２０の上面へのＭｎの析出は抑えられる。
【００４５】
この図６〜図１０に示した工程により、第２層目の配線層が形成される。第３層目以降の配線層を形成する場合は、例えば、それぞれの配線層を、この第２層目の配線層と同様にして形成していくようにすればよい。
【００４６】
以上説明したように、この第１の実施の形態によれば、ＣｕＭｎシード膜のＭｎ含有率を一定以上にした場合でも、配線部上面に保護層を選択的に形成することにより、キャップ膜との間にＭｎを含有するバリア性の低い層が形成されない。配線部の側面及び底面にはＭｎＯ層が形成され、その外側にはバリアメタル膜が形成される。このような配線を構成することにより、配線部内の一定のＭｎ量、及び配線部並びにバリアメタル膜の層間絶縁膜との密着力を確保しつつ、エレクトロマイグレーション耐性及びストレスマイグレーション耐性の向上を図ることができる。
【００４７】
さらに、配線形成にあたっては、Ｍｎシリケート形成及び余剰Ｍｎ除去を目的としたアニール処理が不要であり、キャップ膜形成時の熱によってエレクトロマイグレーション耐性及びストレスマイグレーション耐性の高い構造の配線を形成することができる。
【００４８】
したがって、高信頼性の配線層を形成することができ、そのような配線層を備えた高信頼性の半導体装置が実現可能になる。
次に、第２の実施の形態について説明する。
【００４９】
図１１は第２の実施の形態の配線層形成工程の説明図であって、（Ａ）は研磨工程後の要部断面模式図、（Ｂ）はキャップ膜形成工程の要部断面模式図である。
まず、上記図２に示したように、下地２上の層間絶縁膜３に配線溝４を形成し、バリアメタル膜５、ＣｕＭｎシード膜６及びＣｕ膜７を順次形成して配線溝４を埋め込む。そして、ＣＭＰ法により層間絶縁膜３上の不要な部分を除去する。これにより、図１１（Ａ）に示すように、まず配線溝４内には、側面及び底面をバリアメタル膜５で覆われた、ＣｕＭｎシード膜６及びＣｕ膜７を有する配線部１が形成される。
【００５０】
この第２の実施の形態においては、この図１１（Ａ）に示した研磨後の状態から、ＣＶＤ法により、図１１（Ｂ）に示すように、全面にＯを含有しないキャップ膜４１を形成する。このようなＯを含有しないキャップ膜４１としては、例えば、ＳｉＣＮ，ＳｉＮ，ＢＮ，ＳｉＣ等の絶縁膜を形成することができる。特にＳｉＣＮは、誘電率が低く、半導体装置の低誘電率化の観点から好ましい。
【００５１】
このようにＯを含有しないキャップ膜４１の形成時には、そのときの熱により、層間絶縁膜３に存在するＯが拡散してバリアメタル膜５を通過し、配線部１のバリアメタル膜５との界面領域にＭｎＯ層１０が形成される。ＣｕＭｎシード膜６のＭｎの一部はＣｕ膜７内に拡散する。配線部１とキャップ膜４１との界面領域においては、キャップ膜４１にＯが含有されていないことで、Ｍｎの析出が効果的に抑制される。
【００５２】
このようにＯを含有しないキャップ膜４１を形成することによっても、ＣｕＭｎシード膜６のＭｎ含有率を一定以上にした場合でも、配線部１とキャップ膜４１との界面領域にはバリア性の低い層が形成されない。さらに、ＭｎＯ層１０及びバリアメタル膜５はそれぞれ、配線部１から層間絶縁膜３へのＣｕの拡散防止に寄与し、バリアメタル膜５は、層間絶縁膜３との密着力確保にも寄与する。
【００５３】
Ｏを含有しないキャップ膜４１は、次のような条件で形成することができる。例えば、ＳｉＣＮの場合は、トリメチルシラン（ＳｉＨ（ＣＨ3）3）等のＳｉ，Ｃを含む原料と、ＮＨ3等のＮを含む原料ガスを用い、プラズマＣＶＤによって成膜される。ＳｉＮの場合は、ＳｉＨ4とＮＨ3によるプラズマＣＶＤによって成膜される。この場合、Ｎ2など希釈ガスを加えてもよい。ＢＮの場合は、ＢＣｌ3又はＢＨ3にＮＨ3やＮ2等のＮを含有するガスとのプラズマＣＶＤによって成膜される。ＳｉＣの場合は、ＳｉＨ（ＣＨ3）3等のＳｉ，Ｃを含む原料に、Ａｒ等の希釈ガスを加えてプラズマＣＶＤによって成膜される。いずれの場合も、３５０℃〜４００℃の範囲で成膜される。
【００５４】
上記の配線層を第１層目とした場合、その上に形成される第２層目の配線層は、例えば、次のような流れで形成することができる。
図１２は第２の実施の形態のビアホール及び配線溝の形成工程の要部断面模式図である。
【００５５】
まず、第２層目の配線層形成用のＭＳＱ等の層間絶縁膜２１を形成し、デュアルダマシンプロセスに従い、第１層目の配線部１に達するビアホール２２及び配線溝２３を形成する。
【００５６】
図１３は第２の実施の形態のビアホール及び配線溝の埋め込み工程の要部断面模式図である。
ビアホール２２及び配線溝２３の形成後、スパッタリング法によるＴａ等のバリアメタル膜２４並びにＣｕＭｎシード膜２５の形成、及び電解メッキ法によるＣｕ膜２６の形成を行う。ＣｕＭｎシード膜２５のＭｎ含有率は、１原子％〜５原子％とすればよい。
【００５７】
図１４は第２の実施の形態のＣｕ膜等の研磨工程の要部断面模式図である。
バリアメタル膜２４、ＣｕＭｎシード膜２５及びＣｕ膜２６の形成後、ＣＭＰ法により、層間絶縁膜２１上のそれらの不要な部分を除去する。これにより、バリアメタル膜２４で覆われた、ＣｕＭｎシード膜２５及びＣｕ膜２６を有する配線部２０が形成される。
【００５８】
図１５は第２の実施の形態のキャップ膜の形成工程の要部断面模式図である。
バリアメタル膜２４、ＣｕＭｎシード膜２５及びＣｕ膜２６の研磨後、プラズマＣＶＤ法により、Ｏを含有しないＳｉＣＮからなるキャップ膜４２を形成する。このキャップ膜４２は、第１層目のキャップ膜４１と同様の条件で形成することができる。このキャップ膜４２の形成時に、配線部２０のバリアメタル膜２４との界面領域にＭｎＯ層２９が形成される。配線部２０とキャップ膜４２との界面領域には、キャップ膜４２にＯが含有されていないため、Ｍｎの析出が抑制される。
【００５９】
この図１２〜図１５に示した工程により、第２層目の配線層が形成される。第３層目以降の配線層を形成する場合は、例えば、それぞれの配線層を、この第２層目の配線層と同様にして形成していくようにすればよい。
【００６０】
以上説明したように、この第２の実施の形態によっても、配線部内の一定のＭｎ量、及び配線部並びにバリアメタル膜の層間絶縁膜との密着力を確保しつつ、エレクトロマイグレーション耐性及びストレスマイグレーション耐性の向上を図ることができる。したがって、高信頼性の配線層を形成することができ、そのような配線層を備えた高信頼性の半導体装置が実現可能になる。
【００６１】
図１６はＴＤＤＢ試験の結果を比較する図である。
図１６には、ＣｕＭｎシード膜のＭｎ含有率を０原子％、上記第１の実施の形態及び第２の実施の形態によらないでＣｕＭｎシード膜のＭｎ含有率を２原子％とした場合のほか、上記第１の実施の形態及び第２の実施の形態においてＣｕＭｎシード膜のＭｎ含有率を２原子％とした場合について、それぞれ行ったＴＤＤＢ試験の結果を示している。
【００６２】
単にＣｕＭｎシード膜のＭｎ含有率を０原子％から２原子％に増加させると、短寿命化が著しい一方、上記第１の実施の形態及び第２の実施の形態の手法を用いた場合には、ＣｕＭｎシード膜のＭｎ含有率を２原子％とした場合にも０原子％のときと同様の長い寿命が得られることが確認された。
【００６３】
以上、第１の実施の形態及び第２の実施の形態について説明したが、半導体装置の多層配線を形成する場合には、全配線層を第１の実施の形態の方法で形成したり全配線層を第２の実施の形態の方法で形成したりしてもよく、或いは層ごとに第１の実施の形態の方法又は第２の実施の形態の方法を適宜選択して用いるようにしてもよい。
【００６４】
また、以上述べた配線層の構成及びその形成方法は、様々な形態のトランジスタ等の回路素子を備える半導体装置の配線層部分に適用可能である。
以上説明した実施の形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
【００６５】
（付記１） 配線を備えた半導体装置の製造方法において、
第１の絶縁膜に配線溝を形成する工程と、
前記配線溝形成後の前記第１の絶縁膜上にバリアメタル膜を形成する工程と、
前記バリアメタル膜上にＭｎを含有する第１のＣｕ膜を介して第２のＣｕ膜を形成し前記配線溝を埋め込む工程と、
前記第２のＣｕ膜の形成に続いて、形成された前記第２のＣｕ膜、前記第１のＣｕ膜及び前記バリアメタル膜の研磨を行い前記配線溝内に前記バリアメタル膜で側面及び底面を覆われた配線部を形成する工程と、
前記研磨後の前記配線部の表面にＯを含有しない第２の絶縁膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００６６】
（付記２） 前記第１のＣｕ膜は、１原子％〜５原子％のＭｎを含有していることを特徴とする付記１記載の半導体装置の製造方法。
（付記３） 前記研磨後の前記配線部の表面に選択的に、前記第２の絶縁膜を形成することを特徴とする付記１又は２記載の半導体装置の製造方法。
【００６７】
（付記４） 前記研磨後の表面をＳｉＨ4とＮＨ3のガスに曝して前記配線部の表面に選択的にＳｉＮからなる前記第２の絶縁膜を形成することを特徴とする付記３記載の半導体装置の製造方法。
【００６８】
（付記５） 前記第２の絶縁膜の形成後に、前記第１の絶縁膜上及び前記第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とする付記３又は４記載の半導体装置の製造方法。
【００６９】
（付記６） 前記研磨後の前記配線部上、前記バリアメタル膜上及び前記第１の絶縁膜上に、前記第２の絶縁膜を形成することを特徴とする付記１又は２記載の半導体装置の製造方法。
【００７０】
（付記７） 前記第２の絶縁膜は、ＳｉＣＮ、ＳｉＮ又はＢＮからなることを特徴とする付記６記載の半導体装置の製造方法。
（付記８） 配線を備えた半導体装置において、
配線溝が形成された第１の絶縁膜と、
前記配線溝の表面に形成されたバリアメタル膜と、
前記配線溝内に形成され前記バリアメタル膜で側面及び底面を覆われたＭｎ及びＣｕを含有する配線部と、
前記配線部の表面に形成されたＯを含有しない第２の絶縁膜と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【００７１】
（付記９） 前記配線部は、前記バリアメタル膜との界面領域にＭｎＯ層を有していることを特徴とする付記８記載の半導体装置。
（付記１０） 前記第２の絶縁膜は、前記配線部の表面に選択的に形成されていることを特徴とする付記８又は９記載の半導体装置。
【００７２】
（付記１１） 前記第２の絶縁膜は、ＳｉＮからなることを特徴とする付記１０記載の半導体装置。
（付記１２） 前記第１の絶縁膜上及び前記第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜が形成されていることを特徴とする付記１０又は１１記載の半導体装置。
【００７３】
（付記１３） 前記第２の絶縁膜は、前記配線部上、前記バリアメタル膜上及び前記第１の絶縁膜上に形成されていることを特徴とする付記８又は９記載の半導体装置。
（付記１４） 前記第２の絶縁膜は、ＳｉＣＮ、ＳｉＮ又はＢＮからなることを特徴とする付記１３記載の半導体装置。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】第１の実施の形態の配線層形成工程の説明図であって、（Ａ）は研磨工程後の要部断面模式図、（Ｂ）は絶縁膜形成工程の要部断面模式図、（Ｃ）はキャップ膜形成工程の要部断面模式図である。
【図２】配線層形成工程の説明図であって、（Ａ）は層間絶縁膜形成工程の要部断面模式図、（Ｂ）は配線溝形成工程の要部断面模式図、（Ｃ）はバリアメタル膜及び配線材料形成工程の要部断面模式図である。
【図３】Ｍｎを析出させた配線層の一例の要部断面模式図である。
【図４】エレクトロマイグレーションを説明する配線層の要部断面模式図である。
【図５】ＴＤＤＢ試験の結果を示す図である。
【図６】第１の実施の形態のビアホール及び配線溝の形成工程の要部断面模式図である。
【図７】第１の実施の形態のビアホール及び配線溝の埋め込み工程の要部断面模式図である。
【図８】第１の実施の形態のＣｕ膜等の研磨工程の要部断面模式図である。
【図９】第１の実施の形態の保護層の形成工程の要部断面模式図である。
【図１０】第１の実施の形態のキャップ膜の形成工程の要部断面模式図である。
【図１１】第２の実施の形態の配線層形成工程の説明図であって、（Ａ）は研磨工程後の要部断面模式図、（Ｂ）はキャップ膜形成工程の要部断面模式図である。
【図１２】第２の実施の形態のビアホール及び配線溝の形成工程の要部断面模式図である。
【図１３】第２の実施の形態のビアホール及び配線溝の埋め込み工程の要部断面模式図である。
【図１４】第２の実施の形態のＣｕ膜等の研磨工程の要部断面模式図である。
【図１５】第２の実施の形態のキャップ膜の形成工程の要部断面模式図である。
【図１６】ＴＤＤＢ試験の結果を比較する図である。
【符号の説明】
【００７５】
１，２０ 配線部
２ 下地
３，２１ 層間絶縁膜
４，２３ 配線溝
５，２４ バリアメタル膜
６，２５ ＣｕＭｎシード膜
７，２６ Ｃｕ膜
８，２７ 保護層
９，２８，４１，４２ キャップ膜
１０，２９ ＭｎＯ層
１１ ＭｎＳｉＯXＣY層
２２ ビアホール
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法及び半導体装置に関し、特に、銅（Ｃｕ）配線を備えた半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置の配線材料としては、アルミニウム（Ａｌ）のほか、抵抗値等の観点からＣｕが用いられている。一般に、Ｃｕを用いた配線形成には、配線溝を形成した絶縁膜の全面にタンタル（Ｔａ）やチタン（Ｔｉ）等を用いたバリアメタル膜及びＣｕ膜を順に堆積してからそれらを絶縁膜まで研磨することによってその絶縁膜内に配線を形成する、いわゆるダマシンプロセスが用いられている。このような配線形成後の表面には、通常、絶縁性のキャップ膜が形成される。
【０００３】
また、近年では、Ｃｕ膜の堆積に電解メッキ法を用いる場合におけるそのシード膜として、マンガン（Ｍｎ）を含有する薄いＣｕ膜（ＣｕＭｎシード膜）を形成し、そこに厚くＣｕ膜を堆積していく方法が提案されている。配線溝形成後の絶縁膜に、バリアメタル膜を形成することなくＣｕＭｎシード膜を形成し、電解メッキ法によりＣｕ膜を堆積して、所定のアニール処理を行うことで、配線の絶縁膜との界面領域に、Ｃｕの拡散バリアとしてＭｎシリケート（自己形成バリア膜）を形成する試み等がなされている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００７−１４９８１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、ＣｕＭｎシード膜を用いた配線形成には、次のような問題点があった。すなわち、Ｍｎシリケートを拡散バリアとして形成する方法の場合、上記のように、配線溝形成後の絶縁膜にＣｕＭｎシード膜及びＣｕ膜を堆積した後、所定のアニール処理を行う。酸素（Ｏ）を含有する雰囲気でのアニール処理により、配線の絶縁膜との界面領域にＭｎシリケートが形成され、さらに、配線の抵抗に影響する余剰Ｍｎを堆積したＣｕ膜表面に酸化マンガン（ＭｎＯ）として析出させる。そして、表面のＭｎＯ（余剰Ｍｎ）を含むＣｕ膜が研磨され、拡散バリアであるＭｎシリケート及び配線が形成される。
【０００５】
上記手法におけるＣｕ膜堆積後のアニール処理は、Ｃｕ膜表面にＭｎＯを十分に析出させるため、高温で長時間行われる。そのようなアニール処理は、Ｃｕ等のエレクトロマイグレーションを引き起こして配線の信頼性を劣化させる可能性がある。さらに、拡散バリアとして形成されるＭｎシリケートは、Ｔａ等のバリアメタル膜に比べると絶縁膜との密着力に課題が残っているのが現状である。また、Ｍｎは、配線に含有されることでその抵抗に影響を及ぼす一方、配線のエレクトロマイグレーション耐性及びストレスマイグレーション耐性を向上させる性質も有している。
【０００６】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、信頼性の高い配線を備えた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。また、そのような信頼性の高い配線を備えた半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、次のような半導体装置の製造方法が提供される。この半導体装置の製造方法は、第１の絶縁膜に配線溝を形成する工程、前記配線溝形成後の前記第１の絶縁膜上にバリアメタル膜を形成する工程、前記バリアメタル膜上にＭｎを含有する第１のＣｕ膜を介して第２のＣｕ膜を形成し前記配線溝を埋め込む工程、前記第２のＣｕ膜の形成に続いて、形成された前記第２のＣｕ膜、前記第１のＣｕ膜及び前記バリアメタル膜の研磨を行い前記配線溝内に前記バリアメタル膜で側面及び底面を覆われた配線部を形成する工程、及び前記研磨後の前記配線部の表面にＯを含有しない第２の絶縁膜を形成する工程を有する。
【０００８】
このような半導体装置の製造方法によれば、第１の絶縁膜の配線溝にバリアメタル膜を介してＭｎを含有する配線部が形成され、その配線部の表面にＯを含有しない第２の絶縁膜が形成される。
【発明の効果】
【０００９】
開示する半導体装置の製造方法により、エレクトロマイグレーション耐性及びストレスマイグレーション耐性の高い高信頼性の配線が形成でき、そのような配線を備えた高信頼性の半導体装置が実現可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照して詳細に説明する。なお、ここでは、半導体装置の配線層部分を中心に説明する。
まず、第１の実施の形態について説明する。
【００１１】
図２は配線層形成工程の説明図であって、（Ａ）は層間絶縁膜形成工程の要部断面模式図、（Ｂ）は配線溝形成工程の要部断面模式図、（Ｃ）はバリアメタル膜及び配線材料形成工程の要部断面模式図である。
【００１２】
まず、図２（Ａ）に示すように、下地２上に層間絶縁膜３を形成する。下地２は、トランジスタ等の回路素子が形成された半導体基板上の絶縁膜等である。続いて、図２（Ｂ）に示すように、リソグラフィ技術を用い、その層間絶縁膜３に配線溝４を形成する。
【００１３】
配線溝４の形成後は、図２（Ｃ）に示すように、まず層間絶縁膜３の全面にＴａ等の薄いバリアメタル膜５を形成する。そして、そのバリアメタル膜５上にＭｎを含有する薄いＣｕ膜（ＣｕＭｎシード膜）６を形成し、次いで、電解メッキ法により、そのＣｕＭｎシード膜６上に厚いＣｕ膜７を形成して配線溝４を埋め込む。
【００１４】
配線溝４の埋め込み後は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法を用いて層間絶縁膜３まで研磨を行い、層間絶縁膜３上に形成されている不要なＣｕ膜７、ＣｕＭｎシード膜６及びバリアメタル膜５を除去する。この研磨は、配線溝４の埋め込み後、Ｍｎシリケート形成及び余剰Ｍｎ除去を目的とするようなアニール処理を行うことなく、実施される。
【００１５】
図１は第１の実施の形態の配線層形成工程の説明図であって、（Ａ）は研磨工程後の要部断面模式図、（Ｂ）は絶縁膜形成工程の要部断面模式図、（Ｃ）はキャップ膜形成工程の要部断面模式図である。
【００１６】
配線溝４をバリアメタル膜５、ＣｕＭｎシード膜６及びＣｕ膜７によって埋め込んだ後の研磨により、図１（Ａ）に示すように、まず配線溝４内には、側面と底面をバリアメタル膜５で覆われた、ＣｕＭｎシード膜６及びＣｕ膜７を有する配線部１が形成される。
【００１７】
続いて、図１（Ａ）に示した研磨後の表面を、図１（Ｂ）に示すように、シラン（ＳｉＨ4）とアンモニア（ＮＨ3）のガスに曝す。このようなガスに曝すことで、配線部１の上面に選択的に、特にそのＣｕ膜７の上面に、Ｏを含有しない窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる保護層８が形成される。保護層８は、その厚さが数ｎｍと非常に薄く形成される。なお、図１には、Ｃｕ膜７の上面にのみ保護層８が形成されている場合を図示している。
【００１８】
そして、このようにして保護層８を形成した後、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、図１（Ｃ）に示すように、全面にＳｉＣ等の絶縁性のキャップ膜９を形成する。このキャップ膜９は、配線部１のＣｕが層間絶縁膜３或いはより上層に形成される他の配線層内に拡散するのを防止する機能のほか、上層の配線層にこの配線部１に達するビアホールをエッチングにより形成する際のエッチングストッパとして機能する。
【００１９】
この第１の実施の形態において、キャップ膜９は、Ｏを含有していても、含有していなくても、いずれであっても構わない。例えば、ＳｉＣは、一般的な形成方法によれば、３原子％〜１８原子％程度のＯが含有される。Ｏを含有しないＳｉＣは、その誘電率が７以上であるのに対し、Ｏを含有するＳｉＣは、その誘電率を４以下に低減することができ、半導体装置の低誘電率化の点で有利である。
【００２０】
このキャップ膜９の形成時には、その材質にもよるが、３５０℃〜４５０℃程度の熱が配線層にかかり、配線部１の構造は、そのときの熱によって変化する。
すなわち、その熱によって層間絶縁膜３に存在するＯが拡散し、バリアメタル膜５を通過すると、配線部１の側面及び底面のバリアメタル膜５との界面領域には、そのＯと図１（Ａ），（Ｂ）に示したＣｕＭｎシード膜６のＭｎが反応してＭｎＯが析出し、薄いＭｎＯ層１０が形成される。また、ＭｎＯ層１０の形成に消費されないＣｕＭｎシード膜６のＭｎの一部は、その熱によってＣｕ膜７内に拡散し、Ｃｕ膜７内においてＣｕとの合金を形成する。
【００２１】
一方、配線部１の上面には、Ｏを含有しないＳｉＮの保護層８が形成されているため、キャップ膜９にＯが含有されていない場合は勿論、たとえキャップ膜９にＯが含有されている場合でも、配線部１の上面へのＭｎの析出が効果的に抑制されるようになる。
【００２２】
ここで、配線部１のＭｎの析出について説明する。
図３はＭｎを析出させた配線層の一例の要部断面模式図である。
上記の図１（Ａ）に示したような状態から、図１（Ｂ）に示したようにＳｉＨ4とＮＨ3のガスに曝してＳｉＮの保護層８を形成することなく、図１（Ｃ）に示したようにキャップ膜９を形成する。ここではそのキャップ膜９としてＯを含有する低誘電率のＳｉＣを形成する場合を想定する。
【００２３】
その場合、そのキャップ膜９の形成時には、そのときの熱によって、配線部１のバリアメタル膜５との界面領域にＭｎＯ層１０が形成される。さらに、ＳｉＣのキャップ膜９がＯを含有していることで、配線部１のＭｎ（ＣｕＭｎシード膜６のＭｎ、或いはＣｕＭｎシード膜６からＣｕ膜７に拡散したＭｎ。）がキャップ膜９との界面領域に拡散し、キャップ膜９に含有されているＯとの反応が起こる。その結果、配線部１のキャップ膜９との界面領域には、Ｍｎがキャップ膜９のＯ、及びシリコン（Ｓｉ）並びに炭素（Ｃ）と反応し、Ｃを含有するＭｎシリケートの層（ＭｎＳｉＯXＣY層）１１が形成されるようになる。
【００２４】
このようにして形成されるＭｎＯ層１０及びＭｎＳｉＯXＣY層１１は、それらに一定量のＭｎが含有されている場合には、配線部１のエレクトロマイグレーション耐性及びストレスマイグレーション耐性を向上させる役割を果たす。ただし、配線部１のキャップ膜９との界面領域に形成されるＭｎＳｉＯXＣY層１１は、それに一定量以上のＭｎが含有されると、配線層の寿命低下を引き起こしてしまう。
【００２５】
図４はエレクトロマイグレーションを説明する配線層の要部断面模式図である。
一定量以上のＭｎを含有するＭｎＳｉＯXＣY層１１が形成された場合には、異なる配線部１間に生じる電界により、配線部１のＣｕ，Ｍｎ或いはＭｎＳｉＯXＣY層１１のＭｎが層間絶縁膜３の方へ拡散してしまう場合がある。上面をキャップ膜９で、側面及び底面をバリアメタル膜５で、それぞれ覆われた配線部１及びＭｎＳｉＯXＣY層１１からＣｕ，Ｍｎが外部へ拡散する場合、そのＣｕ，Ｍｎは層間絶縁膜３とキャップ膜９との界面を拡散していきやすい。
【００２６】
ＭｎＳｉＯXＣY層１１のＭｎ含有量は、配線部１の形成時に用いるＣｕＭｎシード膜６に予め含有されているＭｎの量に依存してくる。ＣｕＭｎシード膜６のＭｎ含有量が配線層の寿命に与える影響をＴＤＤＢ（Time-Dependent Dielectric Breakdown）試験により検討した結果を次の図５に示す。
【００２７】
図５はＴＤＤＢ試験の結果を示す図である。
図５には、ＣｕＭｎシード膜６のＭｎ含有率を０原子％（Ｃｕシード膜を用いた場合。）、１原子％、２原子％とした場合についてそれぞれＴＤＤＢ試験を行った結果を示している。なお、ＴＤＤＢ試験は、ＣｕＭｎシード膜６のＭｎ含有率を変える以外は同条件で形成した配線層について試験を行っており、また、温度、印加電圧等の試験条件はＣｕＭｎシード膜６のＭｎ含有率によらず同じにしている。
【００２８】
ＴＤＤＢ試験の結果、ＣｕＭｎシード膜６のＭｎ含有率が１原子％の場合には、０原子％の場合に比べて長寿命化する傾向が認められ、２原子％の場合には、短寿命化が認められた。同様の検討から、ＣｕＭｎシード膜６のＭｎ含有率が２原子％を上回ると、短寿命化が著しくなることが確認された。
【００２９】
このように、配線部１の上面に直接Ｏを含有するＳｉＣのキャップ膜９を形成すると、配線部１内のＭｎが一定量以上の場合、却ってエレクトロマイグレーション耐性が劣化してしまうようになる。
【００３０】
これに対し、図１（Ｂ）に示したように、配線部１の上面にＯを含有しない薄いＳｉＮの保護層８を形成しておくと、その上に形成されるキャップ膜９がたとえＯを含有していても、配線部１の上面へのＭｎの析出が抑えられ、ＭｎＳｉＯXＣYの生成が抑えられるようになる。したがって、Ｍｎ含有量の高いＭｎＳｉＯXＣYが形成されることによるエレクトロマイグレーション耐性の劣化を回避することが可能になる。その結果、配線部１形成時のＣｕＭｎシード膜６のＭｎ含有率を高め、例えばそのＭｎ含有率を２原子％以上にしても、高いエレクトロマイグレーション耐性を確保し、かつ、高いストレスマイグレーション耐性を得ることが可能になる。
【００３１】
ＣｕＭｎシード膜６のＭｎ含有率は、形成する半導体装置の要求特性等に応じて設定すればよい。ただし、ＣｕＭｎシード膜６のＭｎ含有率を高くするほど、最終的に得られる配線部１の抵抗が高くなることに留意する必要がある。エレクトロマイグレーション耐性及びストレスマイグレーション耐性のほか、さらに配線部１の抵抗を考慮すると、ＣｕＭｎシード膜６のＭｎ含有率は、１原子％〜５原子％とすることが好ましく、２原子％〜５原子％とすることがより好ましい。
【００３２】
なお、保護層８は、その厚さが薄く、かつ、配線部１の上面に選択的に形成されるため、保護層８の形成による容量の増加は無視し得る程度である。
また、配線部１は、層間絶縁膜３の配線溝４に、層間絶縁膜３及び配線部１との密着性が良好なバリアメタル膜５を介して形成するようにしている。バリアメタル膜５を形成することなくＭｎを用いて自己形成バリア膜を形成するようにした場合に比べ、特に幅広の配線を形成するような場合の研磨時に発生するバリアメタル膜５及び配線部１の層間絶縁膜３からの剥離等を効果的に抑制することが可能になっている。
【００３３】
さらに、上記のようにＣｕＭｎシード膜６を用いて配線部１を形成する場合、その周りのバリアメタル膜５は、Ｍｎを含有しないＣｕシード膜を用いて配線を形成する場合に比べ、より薄い膜厚で形成することができる。一般に、バリアメタル膜の膜厚を厚くするほどＣｕの拡散を確実に防止することが可能になる。ただし、バリアメタル膜を厚くすると、配線内のＣｕ占有率が減少する、Ｃｕ占有率を確保すると配線の微細化に対応できない、といった問題が生じてくる。これに対し、ＣｕＭｎシード膜６を用いると、バリアメタル膜５を薄く形成した場合でも、配線部１に薄いＭｎＯ層１０が形成されるため、このＭｎＯ層１０とバリアメタル膜５により、配線部１からのＣｕの拡散を効果的に抑制することが可能になる。
【００３４】
以上、第１の実施の形態の配線層について説明したが、その形成にあたっては、半導体装置の低誘電率化の観点から、層間絶縁膜３としてＭＳＱ（methyl silsesquioxane）等のＬｏｗ−ｋ膜が好適に用いられる。なお、ＭＳＱの場合、その誘電率は２．６であり、スピンコート法によって塗布した後、３５０℃〜４００℃程度の温度でキュアが行われる。層間絶縁膜３として、同様にスピンコート法で形成可能な炭化水素系ポリマー、例えばＳｉＬＫやポーラスＳｉＬＫ（Dow Chemical社製）、或いはプラズマＣＶＤ法によって形成可能なＳｉＯＣ等を用いてもよい。
【００３５】
バリアメタル膜５としては、Ｔａのほか、窒化タンタル（ＴａＮ）、Ｔｉ、窒化チタン（ＴｉＮ）等を用いることができる。このバリアメタル膜５と、その上に形成されるＣｕＭｎシード膜６は、例えばスパッタリング法により形成することができる。そして、そのＣｕＭｎシード膜６上に電解メッキ法によりＣｕ膜７が形成される。
【００３６】
保護層８は、上記のように、バリアメタル膜５、ＣｕＭｎシード膜６及びＣｕ膜７を順次形成して層間絶縁膜３上の不要な部分を研磨した後に、それをＳｉＨ4とＮＨ3のガスに曝すことによって形成される。例えば、１０〜２００ｓｃｃｍのＳｉＨ4に希釈ガスとして例えば窒素（Ｎ2）を用いて、１〜６０秒の範囲でその雰囲気に曝す。その後、ＮＨ3等のＮとＨを含むガス、又はＮ2と水素（Ｈ2）の混合ガス雰囲気でプラズマを発生させてＳｉＮの保護層８を形成する。基板温度は３５０℃〜４００℃が好ましい。
【００３７】
保護層８形成後の表面に形成するキャップ膜９としては、ＳｉＣのほか、窒化炭化シリコン（ＳｉＣＮ）、ＳｉＮ、窒化ホウ素（ＢＮ）等を用いることもできる。半導体装置の低誘電率化の観点から、キャップ膜９には低誘電率のものが好適に用いられる。なお、上記のように保護層８を形成することによって配線部１の上面にＭｎが析出するのを抑制することができるため、この第１の実施の形態ではキャップ膜９がＯを含有するか否かは問われない。
【００３８】
上記の配線層を第１層目とした場合、その上に形成される第２層目の配線層は、例えば、次のような流れで形成することができる。
図６は第１の実施の形態のビアホール及び配線溝の形成工程の要部断面模式図である。
【００３９】
まず、第２層目の配線層形成用の層間絶縁膜２１を形成する。例えば、ＭＳＱを形成し、３５０℃〜４００℃程度のキュアを行って、層間絶縁膜２１を形成する。そして、その層間絶縁膜２１に、デュアルダマシンプロセスに従い、第１層目の配線部１に達するビアホール２２及び配線溝２３を形成する。
【００４０】
その際は、例えば、キャップ膜９を開口するエッチング時に、キャップ膜９と同時に、配線部１の上面に形成されている保護層８を除去する。このエッチングは、キャップ膜９の開口に適した条件で行えばよい。或いは、保護層８は、次工程のバリアメタル膜２４の形成前に、アルゴン（Ａｒ）ガスによるスパッタリングによって除去するようにしてもよい。保護層８は、配線部１の上面にごく薄く形成されているため、エッチング及びスパッタリングのいずれの方法によっても容易に除去することができる。
【００４１】
図７は第１の実施の形態のビアホール及び配線溝の埋め込み工程の要部断面模式図である。
ビアホール２２及び配線溝２３の形成後は、第１層目の配線層と同様に、例えば、スパッタリング法によるＴａ等のバリアメタル膜２４並びにＣｕＭｎシード膜２５の形成、及び電解メッキ法によるＣｕ膜２６の形成を行う。これにより、ビアホール２２及び配線溝２３を同時に埋め込む。なお、ＣｕＭｎシード膜２５のＭｎ含有率は、第１層目の配線層について述べたのと同様に、エレクトロマイグレーション耐性並びにストレスマイグレーション耐性及び抵抗の観点から、例えば、１原子％〜５原子％とすればよい。
【００４２】
図８は第１の実施の形態のＣｕ膜等の研磨工程の要部断面模式図である。
バリアメタル膜２４、ＣｕＭｎシード膜２５及びＣｕ膜２６の形成後、ＣＭＰ法により、層間絶縁膜２１上のそれらの不要な部分を除去する。これにより、ビアホール２２及び配線溝２３内に、側面及び底面をバリアメタル膜２４で覆われた、ＣｕＭｎシード膜２５及びＣｕ膜２６を有する配線部２０が形成される。なお、層間絶縁膜２１と配線部２０との間にいずれとも密着性が良いバリアメタル膜２４が形成されていることにより、この研磨の際に加わる力でバリアメタル膜２４及び配線部２０が層間絶縁膜２１から剥離してしまうといった不具合の発生が回避される。
【００４３】
図９は第１の実施の形態の保護層の形成工程の要部断面模式図である。
バリアメタル膜２４、ＣｕＭｎシード膜２５及びＣｕ膜２６の研磨後、その表面をＳｉＨ4とＮＨ3のガスに曝し、配線部２０の上面に選択的に、Ｏを含有しない、厚さ数ｎｍ程度の薄いＳｉＮの保護層２７を形成する。この保護層２７は、第１層目の保護層８と同様の条件で形成することができる。
【００４４】
図１０は第１の実施の形態のキャップ膜の形成工程の要部断面模式図である。
保護層２７の形成後、プラズマＣＶＤ法により、Ｏを含有するＳｉＣからなるキャップ膜２８を形成する。このキャップ膜２８の形成時には、層間絶縁膜２１から拡散してバリアメタル膜２４を通過したＯと、ＣｕＭｎシード膜２５のＭｎが反応し、配線部２０のバリアメタル膜２４との界面領域にＭｎＯ層２９が形成される。一方、配線部２０の上面にはＯを含有しないＳｉＮの保護層２７が形成されているため、配線部２０の上面へのＭｎの析出は抑えられる。
【００４５】
この図６〜図１０に示した工程により、第２層目の配線層が形成される。第３層目以降の配線層を形成する場合は、例えば、それぞれの配線層を、この第２層目の配線層と同様にして形成していくようにすればよい。
【００４６】
以上説明したように、この第１の実施の形態によれば、ＣｕＭｎシード膜のＭｎ含有率を一定以上にした場合でも、配線部上面に保護層を選択的に形成することにより、キャップ膜との間にＭｎを含有するバリア性の低い層が形成されない。配線部の側面及び底面にはＭｎＯ層が形成され、その外側にはバリアメタル膜が形成される。このような配線を構成することにより、配線部内の一定のＭｎ量、及び配線部並びにバリアメタル膜の層間絶縁膜との密着力を確保しつつ、エレクトロマイグレーション耐性及びストレスマイグレーション耐性の向上を図ることができる。
【００４７】
さらに、配線形成にあたっては、Ｍｎシリケート形成及び余剰Ｍｎ除去を目的としたアニール処理が不要であり、キャップ膜形成時の熱によってエレクトロマイグレーション耐性及びストレスマイグレーション耐性の高い構造の配線を形成することができる。
【００４８】
したがって、高信頼性の配線層を形成することができ、そのような配線層を備えた高信頼性の半導体装置が実現可能になる。
次に、第２の実施の形態について説明する。
【００４９】
図１１は第２の実施の形態の配線層形成工程の説明図であって、（Ａ）は研磨工程後の要部断面模式図、（Ｂ）はキャップ膜形成工程の要部断面模式図である。
まず、上記図２に示したように、下地２上の層間絶縁膜３に配線溝４を形成し、バリアメタル膜５、ＣｕＭｎシード膜６及びＣｕ膜７を順次形成して配線溝４を埋め込む。そして、ＣＭＰ法により層間絶縁膜３上の不要な部分を除去する。これにより、図１１（Ａ）に示すように、まず配線溝４内には、側面及び底面をバリアメタル膜５で覆われた、ＣｕＭｎシード膜６及びＣｕ膜７を有する配線部１が形成される。
【００５０】
この第２の実施の形態においては、この図１１（Ａ）に示した研磨後の状態から、ＣＶＤ法により、図１１（Ｂ）に示すように、全面にＯを含有しないキャップ膜４１を形成する。このようなＯを含有しないキャップ膜４１としては、例えば、ＳｉＣＮ，ＳｉＮ，ＢＮ，ＳｉＣ等の絶縁膜を形成することができる。特にＳｉＣＮは、誘電率が低く、半導体装置の低誘電率化の観点から好ましい。
【００５１】
このようにＯを含有しないキャップ膜４１の形成時には、そのときの熱により、層間絶縁膜３に存在するＯが拡散してバリアメタル膜５を通過し、配線部１のバリアメタル膜５との界面領域にＭｎＯ層１０が形成される。ＣｕＭｎシード膜６のＭｎの一部はＣｕ膜７内に拡散する。配線部１とキャップ膜４１との界面領域においては、キャップ膜４１にＯが含有されていないことで、Ｍｎの析出が効果的に抑制される。
【００５２】
このようにＯを含有しないキャップ膜４１を形成することによっても、ＣｕＭｎシード膜６のＭｎ含有率を一定以上にした場合でも、配線部１とキャップ膜４１との界面領域にはバリア性の低い層が形成されない。さらに、ＭｎＯ層１０及びバリアメタル膜５はそれぞれ、配線部１から層間絶縁膜３へのＣｕの拡散防止に寄与し、バリアメタル膜５は、層間絶縁膜３との密着力確保にも寄与する。
【００５３】
Ｏを含有しないキャップ膜４１は、次のような条件で形成することができる。例えば、ＳｉＣＮの場合は、トリメチルシラン（ＳｉＨ（ＣＨ3）3）等のＳｉ，Ｃを含む原料と、ＮＨ3等のＮを含む原料ガスを用い、プラズマＣＶＤによって成膜される。ＳｉＮの場合は、ＳｉＨ4とＮＨ3によるプラズマＣＶＤによって成膜される。この場合、Ｎ2など希釈ガスを加えてもよい。ＢＮの場合は、ＢＣｌ3又はＢＨ3にＮＨ3やＮ2等のＮを含有するガスとのプラズマＣＶＤによって成膜される。ＳｉＣの場合は、ＳｉＨ（ＣＨ3）3等のＳｉ，Ｃを含む原料に、Ａｒ等の希釈ガスを加えてプラズマＣＶＤによって成膜される。いずれの場合も、３５０℃〜４００℃の範囲で成膜される。
【００５４】
上記の配線層を第１層目とした場合、その上に形成される第２層目の配線層は、例えば、次のような流れで形成することができる。
図１２は第２の実施の形態のビアホール及び配線溝の形成工程の要部断面模式図である。
【００５５】
まず、第２層目の配線層形成用のＭＳＱ等の層間絶縁膜２１を形成し、デュアルダマシンプロセスに従い、第１層目の配線部１に達するビアホール２２及び配線溝２３を形成する。
【００５６】
図１３は第２の実施の形態のビアホール及び配線溝の埋め込み工程の要部断面模式図である。
ビアホール２２及び配線溝２３の形成後、スパッタリング法によるＴａ等のバリアメタル膜２４並びにＣｕＭｎシード膜２５の形成、及び電解メッキ法によるＣｕ膜２６の形成を行う。ＣｕＭｎシード膜２５のＭｎ含有率は、１原子％〜５原子％とすればよい。
【００５７】
図１４は第２の実施の形態のＣｕ膜等の研磨工程の要部断面模式図である。
バリアメタル膜２４、ＣｕＭｎシード膜２５及びＣｕ膜２６の形成後、ＣＭＰ法により、層間絶縁膜２１上のそれらの不要な部分を除去する。これにより、バリアメタル膜２４で覆われた、ＣｕＭｎシード膜２５及びＣｕ膜２６を有する配線部２０が形成される。
【００５８】
図１５は第２の実施の形態のキャップ膜の形成工程の要部断面模式図である。
バリアメタル膜２４、ＣｕＭｎシード膜２５及びＣｕ膜２６の研磨後、プラズマＣＶＤ法により、Ｏを含有しないＳｉＣＮからなるキャップ膜４２を形成する。このキャップ膜４２は、第１層目のキャップ膜４１と同様の条件で形成することができる。このキャップ膜４２の形成時に、配線部２０のバリアメタル膜２４との界面領域にＭｎＯ層２９が形成される。配線部２０とキャップ膜４２との界面領域には、キャップ膜４２にＯが含有されていないため、Ｍｎの析出が抑制される。
【００５９】
この図１２〜図１５に示した工程により、第２層目の配線層が形成される。第３層目以降の配線層を形成する場合は、例えば、それぞれの配線層を、この第２層目の配線層と同様にして形成していくようにすればよい。
【００６０】
以上説明したように、この第２の実施の形態によっても、配線部内の一定のＭｎ量、及び配線部並びにバリアメタル膜の層間絶縁膜との密着力を確保しつつ、エレクトロマイグレーション耐性及びストレスマイグレーション耐性の向上を図ることができる。したがって、高信頼性の配線層を形成することができ、そのような配線層を備えた高信頼性の半導体装置が実現可能になる。
【００６１】
図１６はＴＤＤＢ試験の結果を比較する図である。
図１６には、ＣｕＭｎシード膜のＭｎ含有率を０原子％、上記第１の実施の形態及び第２の実施の形態によらないでＣｕＭｎシード膜のＭｎ含有率を２原子％とした場合のほか、上記第１の実施の形態及び第２の実施の形態においてＣｕＭｎシード膜のＭｎ含有率を２原子％とした場合について、それぞれ行ったＴＤＤＢ試験の結果を示している。
【００６２】
単にＣｕＭｎシード膜のＭｎ含有率を０原子％から２原子％に増加させると、短寿命化が著しい一方、上記第１の実施の形態及び第２の実施の形態の手法を用いた場合には、ＣｕＭｎシード膜のＭｎ含有率を２原子％とした場合にも０原子％のときと同様の長い寿命が得られることが確認された。
【００６３】
以上、第１の実施の形態及び第２の実施の形態について説明したが、半導体装置の多層配線を形成する場合には、全配線層を第１の実施の形態の方法で形成したり全配線層を第２の実施の形態の方法で形成したりしてもよく、或いは層ごとに第１の実施の形態の方法又は第２の実施の形態の方法を適宜選択して用いるようにしてもよい。
【００６４】
また、以上述べた配線層の構成及びその形成方法は、様々な形態のトランジスタ等の回路素子を備える半導体装置の配線層部分に適用可能である。
以上説明した実施の形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
【００６５】
（付記１） 配線を備えた半導体装置の製造方法において、
第１の絶縁膜に配線溝を形成する工程と、
前記配線溝形成後の前記第１の絶縁膜上にバリアメタル膜を形成する工程と、
前記バリアメタル膜上にＭｎを含有する第１のＣｕ膜を介して第２のＣｕ膜を形成し前記配線溝を埋め込む工程と、
前記第２のＣｕ膜の形成に続いて、形成された前記第２のＣｕ膜、前記第１のＣｕ膜及び前記バリアメタル膜の研磨を行い前記配線溝内に前記バリアメタル膜で側面及び底面を覆われた配線部を形成する工程と、
前記研磨後の前記配線部の表面にＯを含有しない第２の絶縁膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００６６】
（付記２） 前記第１のＣｕ膜は、１原子％〜５原子％のＭｎを含有していることを特徴とする付記１記載の半導体装置の製造方法。
（付記３） 前記研磨後の前記配線部の表面に選択的に、前記第２の絶縁膜を形成することを特徴とする付記１又は２記載の半導体装置の製造方法。
【００６７】
（付記４） 前記研磨後の表面をＳｉＨ4とＮＨ3のガスに曝して前記配線部の表面に選択的にＳｉＮからなる前記第２の絶縁膜を形成することを特徴とする付記３記載の半導体装置の製造方法。
【００６８】
（付記５） 前記第２の絶縁膜の形成後に、前記第１の絶縁膜上及び前記第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とする付記３又は４記載の半導体装置の製造方法。
【００６９】
（付記６） 前記研磨後の前記配線部上、前記バリアメタル膜上及び前記第１の絶縁膜上に、前記第２の絶縁膜を形成することを特徴とする付記１又は２記載の半導体装置の製造方法。
【００７０】
（付記７） 前記第２の絶縁膜は、ＳｉＣＮ、ＳｉＮ又はＢＮからなることを特徴とする付記６記載の半導体装置の製造方法。
（付記８） 配線を備えた半導体装置において、
配線溝が形成された第１の絶縁膜と、
前記配線溝の表面に形成されたバリアメタル膜と、
前記配線溝内に形成され前記バリアメタル膜で側面及び底面を覆われたＭｎ及びＣｕを含有する配線部と、
前記配線部の表面に形成されたＯを含有しない第２の絶縁膜と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【００７１】
（付記９） 前記配線部は、前記バリアメタル膜との界面領域にＭｎＯ層を有していることを特徴とする付記８記載の半導体装置。
（付記１０） 前記第２の絶縁膜は、前記配線部の表面に選択的に形成されていることを特徴とする付記８又は９記載の半導体装置。
【００７２】
（付記１１） 前記第２の絶縁膜は、ＳｉＮからなることを特徴とする付記１０記載の半導体装置。
（付記１２） 前記第１の絶縁膜上及び前記第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜が形成されていることを特徴とする付記１０又は１１記載の半導体装置。
【００７３】
（付記１３） 前記第２の絶縁膜は、前記配線部上、前記バリアメタル膜上及び前記第１の絶縁膜上に形成されていることを特徴とする付記８又は９記載の半導体装置。
（付記１４） 前記第２の絶縁膜は、ＳｉＣＮ、ＳｉＮ又はＢＮからなることを特徴とする付記１３記載の半導体装置。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】第１の実施の形態の配線層形成工程の説明図であって、（Ａ）は研磨工程後の要部断面模式図、（Ｂ）は絶縁膜形成工程の要部断面模式図、（Ｃ）はキャップ膜形成工程の要部断面模式図である。
【図２】配線層形成工程の説明図であって、（Ａ）は層間絶縁膜形成工程の要部断面模式図、（Ｂ）は配線溝形成工程の要部断面模式図、（Ｃ）はバリアメタル膜及び配線材料形成工程の要部断面模式図である。
【図３】Ｍｎを析出させた配線層の一例の要部断面模式図である。
【図４】エレクトロマイグレーションを説明する配線層の要部断面模式図である。
【図５】ＴＤＤＢ試験の結果を示す図である。
【図６】第１の実施の形態のビアホール及び配線溝の形成工程の要部断面模式図である。
【図７】第１の実施の形態のビアホール及び配線溝の埋め込み工程の要部断面模式図である。
【図８】第１の実施の形態のＣｕ膜等の研磨工程の要部断面模式図である。
【図９】第１の実施の形態の保護層の形成工程の要部断面模式図である。
【図１０】第１の実施の形態のキャップ膜の形成工程の要部断面模式図である。
【図１１】第２の実施の形態の配線層形成工程の説明図であって、（Ａ）は研磨工程後の要部断面模式図、（Ｂ）はキャップ膜形成工程の要部断面模式図である。
【図１２】第２の実施の形態のビアホール及び配線溝の形成工程の要部断面模式図である。
【図１３】第２の実施の形態のビアホール及び配線溝の埋め込み工程の要部断面模式図である。
【図１４】第２の実施の形態のＣｕ膜等の研磨工程の要部断面模式図である。
【図１５】第２の実施の形態のキャップ膜の形成工程の要部断面模式図である。
【図１６】ＴＤＤＢ試験の結果を比較する図である。
【符号の説明】
【００７５】
１，２０ 配線部
２ 下地
３，２１ 層間絶縁膜
４，２３ 配線溝
５，２４ バリアメタル膜
６，２５ ＣｕＭｎシード膜
７，２６ Ｃｕ膜
８，２７ 保護層
９，２８，４１，４２ キャップ膜
１０，２９ ＭｎＯ層
１１ ＭｎＳｉＯXＣY層
２２ ビアホール
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線を備えた半導体装置の製造方法において、
第１の絶縁膜に配線溝を形成する工程と、
前記配線溝形成後の前記第１の絶縁膜上にバリアメタル膜を形成する工程と、
前記バリアメタル膜上にマンガンを含有する第１の銅膜を介して第２の銅膜を形成し前記配線溝を埋め込む工程と、
前記第２の銅膜の形成に続いて、形成された前記第２の銅膜、前記第１の銅膜及び前記バリアメタル膜の研磨を行い前記配線溝内に前記バリアメタル膜で側面及び底面を覆われた配線部を形成する工程と、
前記研磨後の前記配線部の表面に酸素を含有しない第２の絶縁膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記研磨後の前記配線部の表面に選択的に、前記第２の絶縁膜を形成することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記研磨後の表面をシランとアンモニアのガスに曝して前記配線部の表面に選択的に窒化シリコンからなる前記第２の絶縁膜を形成することを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２の絶縁膜の形成後に、前記第１の絶縁膜上及び前記第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項２又は３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記研磨後の前記配線部上、前記バリアメタル膜上及び前記第１の絶縁膜上に、前記第２の絶縁膜を形成することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２の絶縁膜は、炭化窒化シリコン、窒化シリコン又は窒化ホウ素からなることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
配線を備えた半導体装置において、
配線溝が形成された第１の絶縁膜と、
前記配線溝の表面に形成されたバリアメタル膜と、
前記配線溝内に形成され前記バリアメタル膜で側面及び底面を覆われたマンガン及び銅を含有する配線部と、
前記配線部の表面に形成された酸素を含有しない第２の絶縁膜と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
前記配線部は、前記バリアメタル膜との界面領域に酸化マンガン層を有していることを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第２の絶縁膜は、前記配線部の表面に選択的に形成されていることを特徴とする請求項７又は８記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第２の絶縁膜は、前記配線部上、前記バリアメタル膜上及び前記第１の絶縁膜上に形成されていることを特徴とする請求項７又は８記載の半導体装置。
【請求項１】
配線を備えた半導体装置の製造方法において、
第１の絶縁膜に配線溝を形成する工程と、
前記配線溝形成後の前記第１の絶縁膜上にバリアメタル膜を形成する工程と、
前記バリアメタル膜上にマンガンを含有する第１の銅膜を介して第２の銅膜を形成し前記配線溝を埋め込む工程と、
前記第２の銅膜の形成に続いて、形成された前記第２の銅膜、前記第１の銅膜及び前記バリアメタル膜の研磨を行い前記配線溝内に前記バリアメタル膜で側面及び底面を覆われた配線部を形成する工程と、
前記研磨後の前記配線部の表面に酸素を含有しない第２の絶縁膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記研磨後の前記配線部の表面に選択的に、前記第２の絶縁膜を形成することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記研磨後の表面をシランとアンモニアのガスに曝して前記配線部の表面に選択的に窒化シリコンからなる前記第２の絶縁膜を形成することを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２の絶縁膜の形成後に、前記第１の絶縁膜上及び前記第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項２又は３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記研磨後の前記配線部上、前記バリアメタル膜上及び前記第１の絶縁膜上に、前記第２の絶縁膜を形成することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２の絶縁膜は、炭化窒化シリコン、窒化シリコン又は窒化ホウ素からなることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
配線を備えた半導体装置において、
配線溝が形成された第１の絶縁膜と、
前記配線溝の表面に形成されたバリアメタル膜と、
前記配線溝内に形成され前記バリアメタル膜で側面及び底面を覆われたマンガン及び銅を含有する配線部と、
前記配線部の表面に形成された酸素を含有しない第２の絶縁膜と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
前記配線部は、前記バリアメタル膜との界面領域に酸化マンガン層を有していることを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第２の絶縁膜は、前記配線部の表面に選択的に形成されていることを特徴とする請求項７又は８記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第２の絶縁膜は、前記配線部上、前記バリアメタル膜上及び前記第１の絶縁膜上に形成されていることを特徴とする請求項７又は８記載の半導体装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２００９−１６４３５４（Ｐ２００９−１６４３５４Ａ）
【公開日】平成２１年７月２３日（２００９．７．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−７８４（Ｐ２００８−７８４）
【出願日】平成２０年１月７日（２００８．１．７）
【出願人】（３０８０１４３４１）富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 (2,507)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年７月２３日（２００９．７．２３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１月７日（２００８．１．７）
【出願人】（３０８０１４３４１）富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 (2,507)
【Ｆターム（参考）】
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