【課題】信頼性の高いコンタクト構造を提供する。
【解決手段】電子装置は第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の表面に形成された配線溝と、Ｃｕよりなり前記配線溝を充填する配線パタ―ンと、前記配線パタ―ンの表面に形成され、Ｃｕよりも大きな弾性率を有する金属膜と、前記第１の絶縁膜上に形成された第２の絶縁膜と、Ｃｕよりなり、前記第２の絶縁膜中に形成され、前記金属膜とコンタクトするビアプラグと、を備える。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線内における空孔の集中を抑制することでＣｕ配線内でのボイドの形成を抑え、例えば２層間配線系におけるビア接続部等における、いわゆるストレスマイグレーションと呼ばれる断線等の配線不良の発生が抑制される半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ダマシン配線構造を有する半導体装置の製造方法において、配線形成後に被処理基板を加熱および除熱する熱サイクル工程を行う、半導体装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】Ｌｏｗ−ｋ膜を層間絶縁膜として用いた半導体装置であっても、ダイシング時に発生するクラックがシールリング部へ伝播するのを抑制し、半導体装置の信頼性を向上する技術を提供する。
【解決手段】ダイシング領域側の各層にダミービア１２５，１３５，１４５，１５５，１６５を形成する。ダミービア１２５，１３５，１４５，１５５，１６５は上面からみて、縦横に等間隔に配置、あるいは千鳥配置されるように形成する。ダイシング時にクラックが発生しても、ダミービア１２５，１３５，１４５，１５５，１６５によって、クラックがシールリング部１９０にまで伝播するのを抑制することができる。その結果、回路形成領域の吸湿耐性を向上させ、信頼性の劣化を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 実施形態は、製造工程が簡便な手法によって製造した半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 実施形態の半導体装置は、実施形態にかかる半導体装置は、基板と、基板上に触媒金属膜と、触媒金属膜上にグラフェンと、前記グラフェン上に層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールと前記コンタクトホールにカーボンナノチューブを水素、窒素、アンモニアと希ガスの中から選ばれる１種以上のガスのプラズマで処理した前記触媒金属膜上に又は前記層間絶縁膜を貫通するカーボンナノチューブを水素、窒素、アンモニアと希ガスの中から選ばれる１種以上のガスのプラズマで処理した前記触媒金属膜上に備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】インダクタの下方の層間絶縁膜への水の浸入を抑制し、かつ、インダクタ性能の低下を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の上部に設けられたインダクタと、前記半導体基板上に設けられ、前記インダクタの下方の前記層間絶縁膜を前記半導体基板の平面方向で囲む第一の金属壁と、前記半導体基板上に設けられ、前記第一の金属壁で囲まれた領域の外側の前記層間絶縁膜を前記半導体基板の平面方向で挟む一対の第二の金属壁と、を備え、前記第一の金属壁は、前記第一の金属壁の両端部を非接触の状態とする開口を有し、前記第二の金属壁は、前記第一の金属壁の両端部にそれぞれの一端を連結するとともに、前記第一の金属壁で囲まれた領域の外側の位置に開口を有する。 （もっと読む）

【課題】信頼性を低下することなく、高集積化が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、薄膜抵抗体と配線層とが、接続層とビアホールに埋設されたタングステンプラグとを介して電気的に接続されてなる半導体装置の製造方法である。従来、接続層は、バリアメタル層を介して薄膜抵抗体と接続された構成である。この接続層としてアルミニウムを用いたものでは、接続層とタングステンプラグとの線膨張係数の差異に起因してストレスマイグレーションにより、接続層にボイドが発生する懸念があった。本発明では、接続層を除去する工程を実施し、タングステンプラグをバリアメタル層と直接接続する。これにより、タングステンプラグは、アルミニウムよりなる接続層を介することなく、薄膜抵抗体と電気的に接続される。したがって、接続層におけるボイドの発生を抑制し、半導体装置の接続信頼性を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】高温化下でも安定な高信頼性を有する配線を容易に精度良く形成する方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態にかかる半導体装置の製造方法は、半導体基板上方に窒化チタンからなる第１の絶縁層を形成し、第１の絶縁層に複数の溝を形成し、溝の底面及び側壁下部を覆う部分が溝の側壁上部を覆う部分よりも厚くなるように、溝の底面及び側壁を覆うバリアメタルを形成し、溝のバリアメタル上に金属膜を埋め込み、複数の配線を形成し、第１の絶縁層を除去して、隣り合う複数の配線の間に配線に接するような空隙を形成し、複数の配線の上面に、金属又は酸化物からなるキャップ膜を形成し、複数の配線の上面及び側壁を覆うようにシリコンナイトライドカーバイド膜又は窒化ボロン膜からなる拡散防止膜を形成し、複数の配線の上面を覆い、且つ、複数の配線間に空隙が形成されるように、第２の絶縁層を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の長寿命化、および設計期間の短縮を同時に実現すること。
【解決手段】設計支援装置７００は、検出部７０１により、レイアウト情報によって表現された設計対象回路から配線間を接続するビアを検出する。つぎに、決定部７０２により、配線間を接続しないダミービアの接続位置を、検出部７０１によって検出されたビアに接続された配線のうち、少なくとも一つの配線上の位置に決定する。そして、挿入部７０４により、決定部７０２によって決定された接続位置にダミービアを挿入する。 （もっと読む）

【課題】デュアルダマシン法を用いて層間絶縁膜内にＣｕ配線を形成する際、硬度が低い層間絶縁膜および硬度が高い層間絶縁膜のそれぞれに形成されたビアホール内に配線材料を良好に埋め込むことができるようにする。
【解決手段】第２層間絶縁膜１７には、配線溝３０ａとビアホール２８ａとが形成されている。また、ビアホール２８ａの開口部には、第２層間絶縁膜１７を斜め下方に後退（リセス）させることによって、テーパ状の断面形状を有するリセス部３１が形成されている。これにより、ビアホール２８ａの開口部の直径は、開口部よりも下方の領域の直径に比べて大きくなり、ビアホール２８ａの直径が微細な場合であっても、ビアホール２８ａの内部に配線材料を良好に埋め込むことができる。 （もっと読む）

【課題】単膜でＣｕ拡散のバリア膜及びめっきシード層として機能するとともに、Ｃｕとの密着性にも優れた金属薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】金属薄膜の成膜方法は、Ｔｉ膜を成膜する工程（ＳＴＥＰ１）、Ｔｉ膜上にＣｏ膜を形成する工程（ＳＴＥＰ２）、Ｔｉ膜及びＣｏ膜を熱処理してＣｏ_３Ｔｉ合金を含む金属薄膜を形成する工程（ＳＴＥＰ３）を備えている。Ｃｏ_３Ｔｉ合金を含む金属薄膜は、優れた導電性とＣｕ拡散バリア性を有し、Ｃｕとの格子不整合が０．１５％と非常に小さいため、Ｃｕ配線と優れた密着性が得られる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置におけるＳＭ不良による信頼性や歩留りの低下を抑えることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置においては、第１の配線と、第１の配線と接続され、第１の配線より細幅の第２の配線と、一方の端部が、第１の配線と第２の配線の接続部の近傍で、第１の配線と接続され、他方の端部より局所的に細幅となる中間部を有する犠牲的配線と、を備える。 （もっと読む）

【課題】配線中に残留した不純物金属の濃度が少ない半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に絶縁膜を形成し、絶縁膜に凹部を形成し、凹部の形成された絶縁膜の表面に所定の金属元素を含む前駆体膜を形成し、前駆体膜上に配線形成膜を堆積させ、酸化雰囲気下で熱処理を施すことにより、前駆体膜と絶縁膜を反応させ、その境界面に所定の金属元素と絶縁膜の構成元素を含む化合物を主成分とする自己形成バリア膜を形成し、未反応の所定の金属元素を配線形成膜内に拡散移動させて配線形成膜表面で雰囲気中の酸素と反応させ、未反応金属酸化膜として析出させ、未反応金属酸化膜を除去し、未反応金属酸化膜を除去する工程の後、配線形成膜上に、配線形成膜と同一の材料を堆積させて、配線形成膜を積み増した後、凹部外の絶縁膜が露出するまで配線形成膜を平坦化して配線構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】作製工程を大幅に削減し、低コストで生産性の良い液晶表示装置を提供する。消費電力が少なく、信頼性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ゲート配線上の一部を含む半導体層のエッチングと、画素電極とドレイン電極を接続するためのコンタクトホールの形成を、同一のフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程で行うことで、フォトリソグラフィ工程を削減する。これにより露出したゲート配線の一部を絶縁層で覆い、これに液晶層の間隔を維持するスペーサを兼ねさせる。フォトリソグラフィ工程を削減することにより、低コストで生産性の良い液晶表示装置を提供することができる。また、半導体層に酸化物半導体を用いることで、消費電力が低減され、信頼性の高い液晶表示装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】ボイドが存在しても高い信頼性を確保可能な配線構造を提案する。
【解決手段】実施形態に係わる装置は、第１の溝１０を有する絶縁層１３と、第１の溝１０内に形成され、上部に凹部１６を有する銅を含む第１の配線層１５と、第１の配線層１５の凹部１６の内面上に形成され、少なくとも１つのグラフェンシートから構成されるグラフェン層１７とを備える。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル層の金属配線に対する密着性を向上させつつ、金属配線の低抵抗化を図った半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜１５に形成された凹部１６、１７内にバリアメタル層２０を形成した後、凹部１６、１７内にＣｕ配線層２３を形成する。バリアメタル層２０の形成工程は、凹部１６、１７内にＴｉ含有量が５０原子％を超える第１のＴｉＮ_x膜１８を形成した後、側壁部上と比較して底部上に相対的に多く形成されるように、Ｔｉ含有量が第１のＴｉＮ_x膜１８より多い第２のＴｉＮ_x膜（またはＴｉ膜）１９を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＭＲＡＭにおいては、書き込み電流の低減やディスターブ回避を目的に、書き込みに使用する配線を強磁性体膜で覆うクラッド配線構造がよく用いられている。また、高信頼性製品の信頼性確保のためＣｕ配線中に微量のＡｌを添加するＣｕＡｌ配線が広く使用されている。ＭＲＡＭも高信頼性製品に搭載される可能性が高く、信頼性は重要である。しかし、クラッド配線は、もともと配線抵抗が高いＣｕＡｌ配線の配線抵抗を更に上昇させるというデメリットがあるため、両方の技術を同時に使用すると配線抵抗のスペックを満たさなくなる可能性が高い。
【解決手段】本願発明は、多層銅埋め込み配線を有する半導体装置において、ＭＲＡＭメモリセルマトリクス領域を構成する複数の銅埋め込みクラッド配線の銅配線膜を比較的純粋な銅で構成し、これらの配線層よりも下層の銅埋め込み非クラッド配線の銅配線膜を、Ａｌを添加したＣｕＡｌ配線膜とするものである。 （もっと読む）

【課題】太い幅の配線溝と細い幅の配線溝をＣｕの電解メッキで充填する際に、アンダープレートの発生を抑制し、化学機械研磨後におけるディッシングの発生を抑制する。
【解決手段】表面の第１の領域に縦／横比小さい第１の配線溝２２Ａが形成され、表面の第２の領域に縦／横比が大きい第２の配線溝２２Ｂを形成された絶縁膜の表面上にレジスト膜Ｒ１を形成し、第１の領域を露出する第１のレジスト開口部Ｒ１Ａを形成する工程と、レジスト膜をマスクに電解メッキを行い、第１の配線溝を第１の配線パタ―ン２５Ａで充填する工程と、第２の領域を露出する第２のレジスト開口部を形成する工程と、レジスト膜をマスクに電解メッキを行い、第２の配線溝を第２の配線パタ―ンで充填する工程と、レジスト膜を除去し、第１の配線パタ―ンおよび第２の配線パタ―ンを、それぞれの表面が絶縁膜の表面に一致するように、化学機械研磨により平坦化する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】従来の、真空装置を用いた形成方法に比べて簡便かつ安価に形成され、しかもインクジェット印刷方法によって形成されるもの比べて、断線等を生じることなしに、より細線化された金属配線を提供する。
【解決手段】Ａｇ粒子、またはＡｇを５０原子％以上含む合金粒子を含む分散液を塗布して塗膜を形成し、乾燥後にパターン形成したのち焼成して形成され、その縁部２における、基材の表面方向の、想定される外形線４からの凹入量の最大値と突出量の最大値との和が５０ｎｍ以下、前記縁部２における、基材３の表面方向の、想定される外形線４と直交し、かつ金属配線１の厚み方向の断面のうち、前記厚み方向の外形線の、前記基材３の表面と接する部分の、前記基材３の表面との交差角度が７０°以下で、かつ抵抗率が１４μΩ・ｃｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】配線回路基板において、コンタクト抵抗の上昇を抑制し、熱応力による断線を防止することのできるコンタクト構造を提供する。
【解決手段】 配線回路基板は、第１配線層（５）、第２配線層（７）、及び前記第１配線層と前記第２配線層を電気的に接続するコンタクト配線（６）を有する。前記コンタクト配線は、前記第１配線層のコンタクト面を被覆する第１被覆部（６ａ）と、前記第２配線層のコンタクト面を被覆する第２被覆部（６ｃ）と、前記第１被覆部と前記第２被覆部の間に延びるプラグ部（６ｂ）を有する。前記第１被覆部、前記プラグ部、及び前記第２被覆部は、同一の導電性材料で一体的に形成された内部に界面のないコンタクト配線である。 （もっと読む）

【課題】 集積回路における酸化表面層の洗浄を行うための新しいドライクリーニングプロセスの提供。
【解決手段】 一の実施例によると、当該方法は、酸化表面層を有する金属含有バリア層を含む基板を供する工程、前記酸化表面層を活性化させるために、プラズマ励起されたアルゴン気体を含む第1処理気体流へ前記酸化表面層を曝露する工程、及び、前記の第1処理気体流へ酸化表面層を曝露する工程中に基板バイアス電力を印加する工程を有する。当該方法は、非プラズマ励起された水素気体を含む第2処理気体へ前記の活性化した酸化表面層を曝露する工程をさらに有する。前記の第1処理気体流へ酸化表面層を曝露する工程は、前記酸化表面層を活性化させるのに加えて、水素気体を含む前記第2処理気体による、前記活性化した酸化表面層の還元を助ける。前記金属含有バリア層の厚さは、ハイブリッドその場ドライクリーニングプロセスによって実質的には変化しない。 （もっと読む）