【課題】複数層の埋め込み配線を有する半導体集積回路装置において、埋め込み配線と底部にて接続するプラグとその埋め込み配線との界面でのストレスマイグレーションによる導通不良を防ぐ。
【解決手段】たとえば、Ｃｕ配線３３Ｗの幅が約０．９μｍ以上かつ約１．４４μｍ未満であり、Ｃｕ配線４３の幅およびプラグ４３Ｐの径が約０．１８μｍである場合において、Ｃｕ配線３３Ｗ上にてＣｕ配線３３ＷとＣｕ配線４３とを電気的に接続するプラグ４３Ｐを２個以上配置する。 （もっと読む）

【課題】低比誘電率の熱ビアを提供し、もって層間絶縁の低誘電率化と高熱伝導率化を同時に実現することができる多層配線基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】多層配線構造の第１の配線層１０１と第２の配線層１０２との間に比誘電率が平均して２．５以下の気体または絶縁物を介在させるとともに、第１の配線層１０１における配線と第２の配線層１０２における配線との間に所望の導電接続体を設け、さらに第１の配線層１０１における所定の配線と第２の配線層１０２における所定の配線との間に比誘電率が５以下の絶縁物熱伝導体を設ける。 （もっと読む）

【課題】多孔質シリカ膜の下層の膜が劣化するのを抑制しながら、多孔質シリカ膜の機械的強度を向上させることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、シリコン基板１上に形成されたＳｉＯＣ膜２と、ＳｉＯＣ膜２の表面上に形成され、紫外光を透過しにくい材料（ＳｉＣＮ膜）からなる紫外光透過抑制膜３と、紫外光透過抑制膜３の表面上に形成された多孔質シリカ膜５とを備える。 （もっと読む）

【課題】凹部が形成された半導体基板上に脱水縮合を行なうことによりシリコン酸化膜を形成する場合であっても、絶縁耐圧の低下によって半導体装置の特性の劣化を招くことが少ないシリコン酸化膜の形成方法を提供することである。
【解決手段】少なくともＳｉ含有ガスを原料ガスとして、凹部３０が表面に形成された半導体基板２２上に１次反応物を形成した後に脱水縮合を行なうことによりシリコン酸化膜３４、３６を半導体基板上に形成するシリコン酸化膜の形成方法であって、前記シリコン酸化膜３４、３６を半導体基板上に形成した後、前記凹部３０内に形成されたシリコン酸化膜のうち、表面に形成されたシリコン酸化膜３４よりも低密度に形成された部分３６の少なくとも一部が露出するまで、表面に形成されたシリコン酸化膜３４を除去し、次いで前記Ｓｉ含有ガスを前記低密度のシリコン酸化膜３６に供給することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低誘電率の多孔質物質含有膜を提供すること。
【解決手段】Si、C、O、H及びSi-CH₃種を含み、かつ少なくとも1つの含Si構造形成物質と少なくとも1つの含C細孔形成物質とを含む複合膜を基板表面の少なくとも一部分に形成する工程; 該複合膜及び該複合膜を活性化学種に暴露して前記含C細孔形成物質を少なくとも部分的に改質し、その際、形成されたままの状態の皮膜中のSi-CH₃種の少なくとも90%(FTIRにより測定)を暴露工程後も皮膜中に残す工程を含む多孔質絶縁膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】複雑・長時間の工程を追加することなく、配線疎密に依存しないエアーギャップ構造を有する配線を容易に形成することを可能とする。
【解決手段】基板上に形成した第１絶縁膜を除去して形成された空洞２０と、第１絶縁膜上に形成されたもので空洞２０上の第２絶縁膜１３と、第２絶縁膜１３に形成された配線溝１４より基板に達するようにバリア膜１５を介して形成された配線１７とを備えた半導体装置１であって、配線１７の側壁に空洞２０につながるスリット１８を備えたことを特徴とするもので、第２絶縁膜１３上の余剰な材料を除去する工程で配線１７側壁に第１絶縁膜に達するスリット１８を形成し、スリット１８から第１絶縁膜を除去して該除去領域に空洞２０を形成したものである。 （もっと読む）

【課題】 浅い不純物拡散領域におけるドーパント不純物の拡散を抑制し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１０上にゲート絶縁膜１８を介してゲート電極２０を形成する工程と、ゲート電極をマスクとして半導体基板内にドーパント不純物を導入することにより、ゲート電極の両側の半導体基板内に不純物拡散領域２８、３６を形成する工程と、半導体基板上に、ゲート電極を覆うようにシリコン酸化膜３８を形成する工程と、シリコン酸化膜を異方性エッチングすることにより、ゲート電極の側壁部分にシリコン酸化膜を有するサイドウォールスペーサ４２を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、シリコン酸化膜を形成する工程では、ビスターシャルブチルアミノシランと酸素とを原料として用い、熱ＣＶＤ法により、５００〜５８０℃の成膜温度で、シリコン酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】導電体材料配線材料が、バリアメタル膜、多孔質層間絶縁膜および非多孔質層間絶縁膜内を拡散することを防ぐことのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に形成される半導体素子４と、半導体素子４上に積層される複数の絶縁膜と、複数の絶縁膜内に埋め込まれた状態で形成され半導体素子４を電気的に接続する埋込配線とを備えており、さらに、複数の絶縁膜には多孔質層間絶縁膜１０が含まれるとともに、埋込配線には、少なくとも多孔質層間絶縁膜１０に形成される配線溝に配線材料を埋め込んで形成される導電体材料配線１５が含まれている半導体装置の製造方法において、配線溝の内壁となる多孔質層間絶縁膜１０表面の多孔を誘電体材料で埋め込む誘電体埋込工程と、誘電体埋込工程の後に、無酸素雰囲気下で配線溝の内壁にバリアメタル膜１４を形成するバリアメタル形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯＣ系材料を用いた層間絶縁膜に埋込配線を設ける際、層間絶縁膜の誘電率をより低く抑えながらも、層間絶縁膜表面のウォーターマークの発生を防止することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、少なくとも最上層がＳｉＯＣ系材料からなる層間絶縁膜３を成膜し、層間絶縁膜３に溝パターン３ａを形成する。溝パターン３ａ内が埋め込まれるように層間絶縁膜３上に導電性材料膜７を成膜し、導電性材料膜７を表面側から研磨除去することにより溝パターン３ａ内のみに導電性材料膜７を残した埋込配線７ａを形成する。埋込配線７ａを形成した後、層間絶縁膜３にアルキル基を導入するための熱処理を行うことにより層間絶縁膜３を構成するＳｉＯＣ系材料を低誘電率化する。 （もっと読む）

【課題】
ワード線間に位置するコンタクトホールをＳＡＣ法を用いてドライエッチングで形成してさえも、ワード線カバー膜の肩がエッチングされコンタクトプラグとワード線とがショートする問題を回避する方法を提供する。
【解決手段】
コンタクトホールの側面、底面およびその他の露出する表面を全て窒化シリコン膜で覆った状態で酸化シリコン膜からなるコンタクトホール部分の絶縁膜をフッ酸含有溶液を用いて除去する。ドライエッチングを用いないので肩がエッチングされるのを回避できる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の層間絶縁膜などに有用な誘電率が低く、かつ機械的強度が高い絶縁膜を得る。
【解決手段】絶縁膜材料として、テトラビニルシランを用い、プラズマＣＶＤ法によって成膜する。ヘリウム、アルゴン、キセノンなどの希ガス、エタン、プロパンなどの炭素数２〜３の鎖状炭化水素、エチレン、アセチレン、プロピレンなどの炭素数２〜３の炭化水素基を有する鎖状不飽和炭化水素を成膜時に同伴させてもよい。 （もっと読む）

【課題】新規なＳｉ含有膜形成材料、殊にＰＥＣＶＤ装置に適したアルケニル基含有有機シラン化合物から成るＳｉ含有膜形成材料を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表される有機シラン化合物を含有するＳｉ含有膜形成材料を用い、化学気相成長法、特にプラズマ励起化学気相成長法によりＳｉ含有膜を形成させ、絶縁膜として使用する。
【化１】


（式中、Ｒ^１，Ｒ^２は、炭素数１〜２０の炭化水素基または水素原子を表し、ｎは０〜３の整数を表す。） （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤ法により、原料となるガスとして有機材料ガスを用いて絶縁膜を形成する際、温度の上昇を抑制しつつ、有機材料ガスの乖離を十分に行い、絶縁膜を良好なものとする。
【解決手段】 基板にプラズマＣＶＤ法を用いて絶縁膜を成膜する方法であって、前記プラズマＣＶＤ法において、絶縁膜の原料となるガスとして有機材料ガスを用い、且つプラズマを発生させるために印加する高周波電力を、一定の時間間隔を設けて印加することを特徴とする絶縁膜の成膜方法である。 （もっと読む）

【課題】有機絶縁膜のようなシリコンを含有しない絶縁膜が露出する溝パターン内にも、自己整合的に形成された絶縁性のバリア層を介して埋め込み銅配線を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１Ｃｕ配線４が埋め込み形成された層間絶縁膜２を基板の表面層とし、当該基板上にＳｉＣＮ膜５、ＳｉＯＣ膜６、ＰＡＥ膜８、およびＳｉＯＣ膜８をこの順に成膜してなる層間絶縁膜を成膜する。この層間絶縁膜に溝パターンとして配線溝Ａと接続孔Ｂとを形成する。次に、少なくとも配線溝Ａと接続孔Ｂの側壁を覆う状態でシリコン含有膜１１を形成する。シリコン含有膜１１を介してＣｕＭｎ膜１２を成膜し、配線溝Ａおよび接続孔Ｂ内を埋め込む状態で、Ｃｕ膜１３を成膜する。その後、熱処理を行うことにより、層間絶縁膜中の酸素とシリコン含有膜１１中のシリコンとＣｕＭｎ膜１３中のマンガンとを結合させたマンガンシリケートからなるバリア層１４を、層間絶縁膜とＣｕ膜１３との界面に形成する。 （もっと読む）

【課題】 温度条件等を変えずに、炭素等の不純物が少なく、且つ欠陥が少ない良好な膜質の絶縁膜を得る。
【解決手段】 基板上にプラズマＣＶＤ法を用いて行う絶縁膜の成膜方法であって、前記プラズマＣＶＤ法において、絶縁膜の原料となる第一ガスと酸素を構成元素に含む第二ガスを用い、且つ該第一ガスを一定の時間間隔を設けて供給することを特徴とする絶縁膜の成膜方法である。 （もっと読む）

二つの有機シリコン化合物を含む混合物からチャンバ内で基板上に低誘電率膜を堆積させる方法が提供される。混合物には、更に、炭化水素化と酸化ガスが含まれてもよい。第一有機シリコン化合物は、Ｓｉ原子あたり平均一つ以上のＳｉ-Ｃ結合を有する。第二有機シリコン化合物のＳｉ原子あたりのＳｉ-Ｃ結合の平均数は、第一有機シリコン化合物におけるＳｉ原子あたりのＳｉ-Ｃ結合の平均数より大きい。低誘電率膜は、良好なプラズマ／ウェットエッチング損傷抵抗、良好な機械的性質、且つ望ましい誘電率を有する （もっと読む）

【課題】配線形成工程における下層配線Ｃｕの電気化学的な溶解を抑制できる、信頼性の高い多層配線形成技術を提供する。
【解決手段】基板１上に第１の絶縁膜３を形成する。次に、基板中に形成された活性領域２に接続するように、第１の絶縁膜中にコンタクトプラグ４ａを形成するとともに、基板中に形成された活性領域に接続するように、第１の絶縁膜中にダミーコンタクトプラグ４ｂを形成する。次に、コンタクトプラグ上に配線５ａを形成するとともに、ダミーコンタクトプラグ上にダミー配線５ｂを形成する。次に、配線およびダミー配線上を含むように、第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜６を形成する。次に、第２の絶縁膜中に、配線表面およびダミー配線表面を露出するようにコンタクトホール１１ａ、１１ｂを開口し、コンタクトホール中に配線金属を埋め込む。 （もっと読む）

【課題】配線用溝の深さ制御が容易で、誘電率が低く、かつリーク電流が増加しにくい多孔質の絶縁層を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層５は、半導体基板１上に形成され、かつビア用貫通孔５ａを有している。多孔質シリカ層６は、ビア用貫通孔５ａに連通する配線用溝６ａを有し、かつ絶縁層５上に接して形成されている。導電層８は、ビア用貫通孔５ａ内および配線用溝６ａ内に形成されている。絶縁層５は、炭素と水素と酸素とシリコンとを含み、かつＦＴ−ＩＲにより測定したときに１２７４ｎｍ付近にＳｉ−ＣＨ₃結合に起因する吸収ピークを有する材質よりなっている。 （もっと読む）

【課題】新規なＳｉ含有膜形成材料、殊にＰＥＣＶＤ装置に適したアルキルシラン化合物を含んでなるＳｉ含有膜形成材料を提供する。
【解決手段】少なくとも一つのシクロプロピル基がケイ素原子に直結した構造を有する有機シラン化合物（具体的例示：２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン）を含有するＳｉ含有膜形成材料を用いてＰＥＣＶＤ法によりＳｉ含有膜を製造し、それを半導体デバイスの絶縁膜として使用する。 （もっと読む）

【課題】 金属配線を構成する金属の拡散防止性能に優れ、絶縁性及び実効誘電率等に優れた半導体装置の多層配線構造を提供する。
【解決手段】 半導体基板上に設けられた絶縁層と、前記絶縁層中に前記半導体基板と反対の面を露出して金属配線が埋設された配線層と、前記金属配線が露出する面側に前記金属配線を構成する金属の拡散を防止するためのバリア絶縁層とを備えた半導体装置であって、前記バリア絶縁層はシラン化合物で構成される第１のバリア絶縁層と、前記第１のバリア絶縁層の上に形成された第２のバリア絶縁層とを含むことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）