【課題】配線溝底部の面粗れを防止するエッチングストッパーを配線溝の底部となる領域に導入することで、デバイス速度の向上、デバイス信頼性の向上を可能とする。
【解決手段】多孔質絶縁膜を含む層間絶縁膜を備えた半導体装置の製造方法において、前記層間絶縁膜に配線溝２０を形成する前に、前記配線溝２０底部となる領域、すなわち接続孔が形成される絶縁膜１５上の配線溝が形成される領域に、前記層間絶縁膜の配線層が形成される絶縁膜１８とは異なる材質の絶縁膜パターン１７を形成する工程を備えている。 （もっと読む）

下にある層上に段階的な誘電体層を形成する方法であって、シリコン-炭素含有ガスと酸素含有ガスとキャリヤガスの混合物を阻止板と面板を備えたシャワーヘッドに流して、段階的な誘電体層の酸化物を多く含む部分を形成するステップであって、シリコン-炭素含有ガスが初期流量を持つ前記ステップと、シリコン-炭素含有ガスを第１中間流量で約０.５秒以上流すステップであって、第１中間流量が初期流量より大きい前記ステップと、シリコン-炭素含有ガスを第１中間流量より大きい最大流量で流して、段階的な誘電体層の炭素を多く含む部分を形成するステップと、を含む前記方法。 （もっと読む）

【課題】配線上にＳｉＣＮ膜を有する半導体装置において、ＳｉＣＮ膜から流出する不安定なＮによるレジストポイゾニングの発生を低減する。
【解決手段】ＳｉＣＮ膜を有する半導体装置の製造方法において、ＳｉＣＮ膜成膜時に一部に有機基を有する原料ガスとＨｅの流量比を１：４．２以上にする。または原料ガスの流量×原料ガスの有機基との結合数とＨｅの流量比を１：１．４以上にする。その結果、ＳｉＣＮ膜中のＳｉＮＨ基の増加を抑制し、膜ストレス変化とポイゾニング不良の発生を合わせて抑制することが半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 シリコン窒化膜の成膜処理後に、この表面にパーティクルが発生乃至付着することを防止することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】 真空引き可能になされた処理容器内に、シラン系ガスと窒化ガスとを供給して加熱された被処理体Ｗの表面にシリコン窒化膜の薄膜を堆積させるようにした成膜方法において、前記処理容器内に前記シラン系ガスと前記窒化ガスとを供給してＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により前記シリコン窒化膜の薄膜を堆積する薄膜形成工程と、前記薄膜形成工程の後に前記処理容器内に窒化ガスを流して前記薄膜の表面を窒化する表面窒化工程と、を備える。これにより、被処理体の表面にパーティクルが発生乃至付着することを防止する。 （もっと読む）

【課題】 金属表面の酸化を抑制しつつシリコン酸化膜を堆積させることが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】 真空引き可能になされた処理容器２２内で金属の表面が露出している被処理体Ｗにシリコン酸化膜を形成する成膜方法において、前記処理容器２２内へＳｉ含有ガスを供給するＳｉ含有ガス供給工程と、前記処理容器２２内へ酸化性ガスと還元性ガスとを同時に供給する酸化還元ガス供給工程とを、間欠的に交互に繰り返し行うようにする。これにより、金属表面の酸化を抑制しつつシリコン酸化膜を堆積させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、信頼性のあるトレンチのプロファイルを確保することができるデュアルダマシン配線の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のデュアルダマシン配線の製造方法は、（ａ）基板上に下部配線を形成する段階と、（ｂ）下部配線上に絶縁膜を形成する段階と、（ｃ）絶縁膜上にハードマスクを形成する段階と、（ｄ）ハードマスクをエッチングマスクで用いて絶縁膜内にビアを形成する段階と、（ｅ）ハードマスクをビアと連結されるとともに配線が形成されるトレンチを規定するトレンチ用ハードマスクに再パターニングする段階と、（ｆ）トレンチ用ハードマスクをエッチングマスクとして用いて絶縁膜を一部エッチングしてビアと連結されるとともに配線が形成されるトレンチを形成する段階と、（ｇ）トレンチ用ハードマスクを湿式エッチングで除去する段階と、（ｈ）トレンチ及びビアを配線物質で充填して配線を形成する段階を含む。 （もっと読む）

アセンブリは、互いに重ねて形成された窒化物エッチストップ層を有する多層窒化物スタックを備え、これら窒化物エッチストップ層の各々は、膜形成プロセスを使用して形成される。多層窒化物スタックを形成する方法は、単一ウエハ堆積チャンバに基板を配置し、堆積の直前に基板に熱的ショックを与えることを含む。第１の窒化物エッチストップ層が基板上に堆積される。第２の窒化物エッチストップ層が第１の窒化物エッチストップ層上に堆積される。 （もっと読む）

【課題】 レジスト膜をマスクにした被加工材料のドライエッチングにおいて、レジスト膜の荒れを抑制しパターン側壁のストライエーションを低減させる。
【解決手段】 下層配線１上に第１エッチングストッパー層２、Ｌｏｗ−ｋ膜３、キャップ層４を積層して形成し、上記キャップ層４上にＡＲＣ膜５、および配線溝パターン７を有するレジストマスク６を形成する。そして、少なくとも炭素およびフッ素を含むガスであって上記炭素に対するフッ素の原子比率が４以上になるガスをプラズマ励起し、レジストマスク６をエッチングのマスクにして層間絶縁膜になるキャップ層４およびＬｏｗ−ｋ膜３をドライエッチングして、上記層間絶縁膜に配線溝８を形成する。 （もっと読む）

【課題】他の膜へのダメージや膜剥がれを防ぐとともに、配線特性を劣化させることなく、膜強度を維持した状態で、誘電率２．５以下の層間絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ−Ｏ結合の環状構造を有する成膜ガスを用いたプラズマ処理により、Ｓｉ−Ｏ結合の環状構造を維持するように、層間絶縁膜１２を基板１１上に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法である。また、シラン含有ガスと酸素ガスとを含む成膜ガスまたはＳｉ−Ｏ結合含有ガスを含む成膜ガスを用いたプラズマ処理により、Ｓｉ−Ｏ結合の環状構造を有するように、層間絶縁膜１２を基板１１上に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】基板周辺部における少なくとも第２絶縁膜に複数の凹部を形成するすることで、配線を形成する研磨時の絶縁膜剥がれを防止することを可能とする。
【解決手段】基板１１上に少なくとも２層以上の配線層を備えた多層配線を形成する工程を備え、配線層を形成する配線は、基板１１上に設けられた絶縁膜に配線用凹部（図示せず）を形成して配線用凹部内に導電膜４１を埋め込むように絶縁膜上に導電膜４１を形成する工程と、導電膜４１を研磨して配線用凹部内に導電膜４１を残すことで配線を形成する工程とにより形成される半導体装置の製造方法であって、絶縁膜は、第１絶縁膜２１と第２絶縁膜２２とを積層したものからなり、絶縁膜上に導電膜４１を形成する前に、基板周辺部における少なくとも第２絶縁膜２２に複数の凹部３１を形成する工程を備えている。 （もっと読む）

基板を処理する方法であって、フェニル基を含む有機シリコン化合物を含む処理ガスを処理チャンバに供給するステップと、処理ガスを反応させて低ｋ誘電物質によるダマシン又はデュアルダマシン適用においてバリヤ層として用いられる低ｋシリコンカーバイドバリヤ層を堆積させるステップとを含む、前記方法が提供される。低ｋシリコンカーバイドバリヤ層上に酸素を含まない有機シリコン化合物を含む処理ガスからのシリコン原子にフェニル基がほとんど結合されていないシリコンカーバイドキャップ層を堆積する方法が提供される。
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【課題】一般に、半導体デバイスの製造に使用される被膜、特に窒化被膜および酸化被膜を提供すること。
【解決手段】窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン、または炭化シリコン被膜の形成中、少なくとも１つの非シリコン前駆体（ゲルマニウム前駆体や炭素前駆体など）を添加することによって、堆積速度が改善され、または被膜の応力を調整するなどこの被膜の特性を調整することが可能になり、あるいはその両方が可能になる。また、ドープ型酸化シリコンまたはドープ型窒化シリコンまたはその他のドープ型構造では、ドーパントが存在することを利用して、このドーパントに関連する信号（目印）をエッチング・ストップとして測定することができ、またはその他の場合にはエッチング中の制御を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】 誘電率が低く、熱安定性を有する誘電材料を提供する。
【解決手段】 プラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）プロセスを利用して、平行板化学気相成長プロセスにおいて、Ｓｉ、Ｃ、Ｏ、およびＨ原子を含む熱的に安定した超低誘電率膜を製造するための方法を開示する。更に、この方法によって作成された熱的に安定した超低誘電率材料の絶縁層を含む電子デバイスを開示する。熱的に安定した超低誘電率膜の製造を可能とするため、例えばジエトキシメチルシラン（ＤＥＭＳ）のようなシラン誘導体、および、例えばビシクロヘプタジエンおよび酸化シクロペンテンのような有機分子等、特定の前駆物質材料を用いる。 （もっと読む）

本発明に従った実施形態は、化学気相堆積された低誘電率材料の多段階硬化プロセスに関する。特定の実施形態では、電子ビーム放射および熱暴露ステップの組合せが、膜に組み込まれているポロゲンの選択的脱ガス化をコントロールするために採用されてもよく、ナノ細孔の形成をもたらす。一具体的な実施形態によると、シリコン含有成分と、不安定基を特徴付ける非シリコン含有成分との反応に起因する低誘電率層は、電子ビーム形態の放射印加が続く熱エネルギーの初期印加によって硬化されてもよい。 （もっと読む）

【課題】 全体として低いｋをもつＩＬＤを提供し、ＩＬＤに内在する接着性の欠陥に対する抵抗性だけでなく、ＩＬＤと基板との間の良好な接着性を提供する構造体と方法を提供すること。
【解決手段】 全般的に低い誘電率、半導体基板への良好な接着、及び熱循環によるクラッキングへの良好な抵抗性を有する、半導体デバイスのための誘電体層（１２）である。誘電体層（１２）は、誘電率の勾配をもつ誘電体層を提供するために、誘電体材料の堆積条件の連続的変化を含むプロセスによって生成される。 （もっと読む）

エッチング剤又はアッシング処理を受けた有機ケイ酸塩ガラス誘電体膜の表面に疎水性を回復するための方法。これらの膜は、これらの膜の低く安定な誘電特性を確保するために集積回路の製造で絶縁材料として使用されている。該方法は、これらの膜に応力誘起ボイドが形成されるのを防止する。有機ケイ酸塩ガラス誘電体膜は、ビア及びトレンチを形成するためにエッチング剤又はアッシング試薬による処理を受けてパターン化されるが、その処理が以前に存在していた炭素含有部分の少なくとも一部を除去するようなものであるため、前記有機ケイ酸塩ガラス誘電体膜の疎水性が削減される。ビア及びトレンチはその後金属で充填され、アニール処理を受ける。膜がエッチング剤又はアッシング試薬に当てられた後、アニール処理にかけられる前に、膜を強化剤組成物と接触させ、炭素含有部分の一部を回復し、有機ケイ酸塩ガラス誘電体膜の疎水性を増大させる。 （もっと読む）

【課題】低比誘電率及び優れた膜質を有する、改良された絶縁膜を形成するための方法を与える。
【解決手段】絶縁膜は、ソースガスを与えるようシリコン含有炭化水素化合物を気化し、ソースガス並びに不活性ガス及び酸化ガスのような添加ガスから成る反応ガスをプラズマCVD装置の反応空間へ導入し、−５０℃〜１００℃の温度でプラズマ重合反応によりシロキサン重合体膜を蒸着することによって、半導体基板上に形成される。反応空間内での反応ガスの滞留時間は、２.５のように低い比誘電率を有するシロキサン重合体膜を形成するような方法で反応ガスの総流量を減少させることにより延長される。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の層間絶縁膜などとして有用な低誘電率の膜を形成する方法と、この方法により形成される膜を提供すること。
【解決手段】 基材上に膜を成長させるのに十分な化学気相成長条件下で、シリルエーテル、シリルエーテルオリゴマー又は１以上の反応性基を有する有機ケイ素化合物を含む、有機ケイ素前駆物質を反応させて、約３．５以下の誘電率を有する層間絶縁膜を形成する。 （もっと読む）