【課題】 低い内部応力および．８以下の誘電率を有する熱的に安定な低誘電率材料を提供する。
【解決手段】 低誘電体材料は、Ｓｉ、Ｃ、ＯおよびＨからなるマトリックスと、複数のナノメートル・サイズの孔と、２．８以下の誘電率とを有し、ＦＴＩＲスペクトルが、１０００ｃｍ^−１から１１００ｃｍ^−１の間でＳｉ−Ｏの吸収帯が２つのピークに分かれており、２１５０ｃｍ^−１から２２５０ｃｍ^−１の間でＳｉ−Ｈの吸収ピークを持たない。 （もっと読む）

【課題】犠牲有機膜とハードマスクとに形成される接続孔パターンを先に形成し、それに配線溝パターンをアライメントすることで、いわゆるデュアルダマシン技術におけるアライメント精度の向上を可能とする。
【解決手段】層間絶縁膜１２上に犠牲有機膜２２と第１、第２ハードマスク２３、２４を積層した積層ハードマスクとを形成し、犠牲有機膜２２と積層ハードマスクとをエッチングマスクに用いて層間絶縁膜１２に配線溝２９と接続孔３０とを形成する半導体装置の製造方法において、犠牲有機膜２２と積層ハードマスクとをエッチングマスクに形成する工程は、積層ハードマスクに接続孔パターン２６を形成し、第２ハードマスク２４に接続孔パターン２６にアライメントした配線溝パターン２８を形成し、積層ハードマスクをエッチングマスクに用いて犠牲有機膜２２に接続孔パターン２６を延長形成する。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜をドライエッチングして下層のＣｕ配線の上部に配線溝を形成する際、配線溝の底部に露出した下層のＣｕ配線の表面に絶縁性の反応物が付着したり、配線溝の側壁に露出した炭化シリコン膜や有機絶縁膜がサイドエッチングされるという不具合を抑制する。
【解決手段】炭化窒化シリコン膜を含む積層膜をドライエッチングしてＣｕ配線２１の上部に配線溝３０を形成する際、ＣＨＦ_３とＮ_２とからなる混合ガスを使用することにより、配線溝３０の側壁を垂直に加工すると共に、配線溝３０の底部に露出したＣｕ配線２１の表面に堆積物や反応物が付着する不具合を抑制する。 （もっと読む）

本発明は、誘電定数の低い誘電体層に関するものであり、前記層は、特に（回路のＢＥＯＬ部分における）集積回路ボードの製造の間に金属相互接続を分離するために使用される。本発明において、誘電体層はＳｉＣおよび／またはＳｉＯＣを含有し、少なくとも１つの−Ｓｉ−Ｃｎ−Ｓｉ鎖（式中、ｎ≧１）を含む少なくとも１種の前駆体から得られる。 （もっと読む）

【課題】 銅イオンの拡散防止機能、熱安定性、及び機械的強度に優れた層間絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 層間絶縁膜の形成方法は、酸素原子を含有しない有機シリコン化合物、及び酸素原子を含有する有機シリコン化合物を原料として用いて、プラズマＣＶＤ法により、基板上に層間絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】第１絶縁膜のスクライブラインにプラズマを照射することで、第１絶縁膜上に積層される第２絶縁膜の密着性を改善し、第２絶縁膜を研磨したときの剥がれを防止することを可能とする。
【解決手段】基板１１上に形成される多層配線構造の配線間を電気的に絶縁する絶縁膜を第１絶縁膜２１と第２絶縁膜２２との積層構造で形成する半導体装置の製造方法において、前記第１絶縁膜２１を形成した後で前記第２絶縁膜２２を形成する前に、前記基板１１に形成されたスクライブライン１３上における前記第１絶縁膜２１表面にプラズマ処理を施す工程を備えている。 （もっと読む）

【課題】 ２．７より低い比誘電率を有する低誘電率絶縁膜及び４より低い比誘電率を有するバリア絶縁膜を化学気相成長法により成膜する方法を提供するものである。
【解決手段】 シリコン原子による５員環以上の環状構造を有し、かつ該シリコン原子によるシロキサン結合を有する第１のシリコン含有有機化合物と、シリコン原子による４員環以下の環状構造又は４以下のシリコン原子の鎖状構造を有し、かつ該シリコン原子によるシロキサン結合を有する第２のシリコン含有有機化合物とを含む成膜ガスのプラズマを生成し、反応させて基板３１上に絶縁膜３２を形成する。 （もっと読む）

【課題】デュアルダマシン構造を形成する際、合わせずれが生じた場合の下層の配線間絶縁膜への接続孔の掘り込みを抑制し、接続孔を加工制御性よく形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板1上にエッチング阻止膜7、第１絶縁膜8、第２絶縁膜9、第１、第２、第３マスク形成層を順次成膜し、第３マスク形成層をパターンニングして、配線溝パターンを有する第３マスク12'を形成し、第３マスク12'から第２絶縁膜9までをエッチングし、接続孔13を開口する。第3マスク12’上から第２マスク形成層をエッチングして配線溝パターンを有する第2マスク21’を形成し、第１絶縁膜8の途中まで接続孔13を掘り下げる。第３マスク12’上から第１マスク形成層をエッチングして配線溝パターンを有する第１マスク10'を形成し、エッチング阻止膜7の途中まで接続孔13を掘り下げる。第２マスク21'上から第２絶縁膜9をエッチングして第２配線溝14を形成し、エッチング阻止膜7を除去した後、第２マスク21'を除去する。 （もっと読む）

【課題】 膜質及び生産性において、酸化珪素系薄膜製造に適する薄膜製造プロセスを提供すること。
【解決手段】 トリス（エチルメチルアミノ）シランを含有してなる薄膜形成用原料を気化させて得たトリス（エチルメチルアミノ）シランを含有する蒸気を系内の基体上に導入し、該基体上に珪素含有薄膜層を形成した後、系内のガスを排気してから該系内に酸化性ガスを導入し、該珪素含有薄膜層に該酸化性ガス及び熱を作用させて、先に形成した珪素含有薄膜から酸化珪素系薄膜を製造する薄膜製造方法。 （もっと読む）

【課題】第１絶縁膜の周辺部にプラズマを照射することで、第１絶縁膜上に積層される第２絶縁膜の密着性を改善し、第２絶縁膜を研磨したときの剥がれを防止することを可能とする。
【解決手段】基板１１上に多層配線構造を有する半導体装置１において、前記多層配線構造の配線間を電気的に絶縁する絶縁膜は第１絶縁膜２１と第２絶縁膜２２とを積層したものからなり、前記基板１１周辺部上で前記第１絶縁膜２１と前記第２絶縁膜２２との間の第１絶縁膜２１上にプラズマ照射領域３１が形成されているものである。 （もっと読む）

【解決課題】 プラズマＣＶＤ法により、従来よりも低誘電率の炭化珪素膜を製造すること。
【解決手段】 少なくとも１組の電極を備えたチャンバー内に一般式（１）の有機シランを含むガスを導入し、該電極に電力密度が０．０１Ｗ／ｃｍ^２以上０．２５Ｗ／ｃｍ^２以下である高周波を印加して、該チャンバー内の基材表面に炭化珪素膜を形成することを特徴とする誘電率が３．３未満の炭化珪素膜の製造方法。
ＳｉＣｘＨｙ ・・・（１）
（式中、ｘは８以上の整数、ｙは１以上の整数である。） （もっと読む）

【課題】ＳｉＣＮ膜を用いた配線構造において、ポイゾニングの発生を抑制すると共に、ＳｉＣＮ膜ストレスの影響を低減する方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、Ｃｕを配線用金属とする下層配線と下層配線上に形成されたＳｉＣＮ膜を備える。また、ＳｉＣＮ膜上に形成された絶縁膜内に上層配線と上層配線と同一材料から構成されるプラグを備える。さらにプラグの下部はＳｉＣＮ膜を部分的に貫通して、下層配線に接し、プラグの上部は上層配線と接している。特に、ＳｉＣＮ膜の屈折率が１．８９以上であることを特徴とする。
これにより、膜の密度が高い安定したＳｉＣＮ膜を提供出来る。よって、ＳｉＣＮ膜が空気中成分（ＮやＨ₂Ｏ等）を取り込みにくくなる。また、ストレスの経時変化を抑制し、ポイゾニング不良の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜の誘電率を低く保ちつつ、層間絶縁膜と他の絶縁膜との密着性を改善する。
【解決手段】 半導体チップ１００は、半導体基板（不図示）と、半導体基板上に形成された第一の層間絶縁膜１０６等の炭素含有絶縁膜と、下地層１０２や上地カバー膜１２４等の炭素非含有絶縁膜とを含む積層膜１５０とを含む。ここで、炭素非含有絶縁膜の端面が、炭素含有絶縁膜の端面より外側に位置している。また、炭素含有絶縁膜は、端部における炭素の組成が、内部における炭素の組成よりも低く形成される。また、炭素含有絶縁膜は、端部における膜密度が、内部における膜密度よりも高く形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置及びその製造方法に関し、銅配線上の酸化銅を十分に除去しつつ、水分及びＣｕ拡散防止用の絶縁膜を低誘電率絶縁材料により形成しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表面に酸化銅膜が形成された銅配線上に、銅に対して拡散バリア性を有するシリコン化合物と、酸化銅を還元する有機化合物とを含む絶縁膜形成用組成物を塗布する工程と、熱処理により、有機化合物によって酸化銅膜を還元して除去するとともに、シリコン化合物を硬化してシリコン化合物よりなる絶縁膜を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】配線層の金属の層間絶縁膜中への拡散を防止するバリア膜等として優れた特性を有する低誘電率のＳｉＣ膜を成膜することができるＳｉＣ系膜の成膜方法、及びその成膜方法により成膜されるＳｉＣ膜をバリア膜として用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバー内において基板２０表面にＮＨ_３プラズマを発生させ、基板２０に対してＮＨ_３プラズマ処理を行う工程と、チャンバー内に残留する窒素を含む反応生成物を除去する工程と、チャンバー内において、基板２０上に、ＰＥＣＶＤ法によりＳｉＣ膜３４を成膜する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 誘電率が２．７以下であり、弾性計数および硬度の改善等、機械的特性を向上させた超低誘電率（ｋ）膜、および、かかる膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明は、弾性係数および硬度が改善した多相超低ｋ膜、ならびにこれを形成するための様々な方法を提供する。多相超低ｋ誘電膜は、Ｓｉ、Ｃ、Ｏ、およびＨの原子を含み、誘電率が約２．４以下であり、ナノサイズの孔または空隙を有し、弾性係数が約５以上であり、硬度が約０．７以上である。好適な多相超低ｋ誘電膜は、Ｓｉ、Ｃ、Ｏ、およびＨの原子を含み、誘電率が約２．２以下であり、ナノサイズの孔または空隙を有し、弾性係数が約３以上であり、硬度が約０．３以上である。
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【課題】 機械的特性を改善するために内部に埋め込まれたナノ層を有する低ｋ誘電体ＣＶＤ膜の形成方法を提供すること
【解決手段】 約１×１０^−１０ｍ／秒又はそれ以上の亀裂速度を有する１つ又は複数の膜（１４）と、この１つ又は複数の膜（１４）内にあるか又はそれに直接接触した少なくとも１つのナノ層（１６）を含む材料スタック（１２）が提供され、ここで少なくとも１つのナノ層（１６）は、材料スタック（１２）の亀裂速度を１×１０^−１０ｍ／秒より小さな値に減少させる。１つ又は複数の膜（１４）は、低ｋ誘電体に限定されず、金属のような材料を含むことができる。好ましい実施形態においては、約３．０又はそれ以下の有効誘電率ｋを有する低ｋ誘電体スタック（１２）が提供されるが、そのスタック（１２）の機械的特性は、少なくとも１つのナノ層（１６）を誘電体スタック（１２）内に導入することによって改善される。機械的特性の改善は、スタック（１２）内の膜の誘電率を著しく増大させることなく、また本発明の誘電体スタック（１２）に何らかの後処理ステップを施すことを必要とせずに、達成される。 （もっと読む）

【課題】低比誘電率膜を用いて形成される層間絶縁膜とこれに直接または間接的に積層して設けられる他の絶縁膜との界面付近における密着性や強度が向上された半導体装置を容易に製造することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも酸素を含むとともに比誘電率が３．３以下であり、かつ、Ｃｕ膜１４が埋め込まれるＳｉＣＯ：Ｈ膜６を半導体基板１上に設ける。続けて、実質的に酸素フリーの雰囲気下に設定された処理室２０内にＳｉＣＯ：Ｈ膜６が設けられた半導体基板１を収容した後、Ａｒガスの放電によるプラズマ処理をＳｉＣＯ：Ｈ膜６に施しつつ、酸素と反応する元素を含む材料からなるＳｉＣＮ：Ｈ膜７を設けるとともに、Ｃｕ膜１４が埋め込まれるＳｉＯ₂ 膜をプラズマＣＶＤ法によりＳｉＣＮ：Ｈ膜７上に設ける。 （もっと読む）

【課題】半導体基材に特徴を形成するための改善された方法を提供する。
【解決手段】本方法は、基材上に多孔質の誘電体層を形成する工程；当該多孔質の誘電体層の第１の部分を除去して第１のエッチング領域を形成する工程；当該第１のエッチング領域を、前記多孔質の誘電体層と類似のドライエッチ特性を有する多孔質の犠牲光吸収材料で満たす工程；当該多孔質の犠牲光吸収材料の一部と前記多孔質の誘電体層の第２の部分を除去して第２のエッチング領域を形成する工程；及び前記多孔質の犠牲光吸収材料のエッチ速度が前記多孔質の誘電体層のエッチ速度よりも高いプロセスを用いることにより、当該多孔質の犠牲光吸収材料の残りの部分を除去する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 良好な電子特性及び機械的特性を示す、多孔質の低ｋ又は超低ｋ誘電体膜を提供すること。
【解決手段】 約３．０未満の誘電率と、より度合いが大きい結晶結合相互作用と、従来技術のＳｉＣＯＨ誘電体と比べて、より多くのメチル末端基などの炭素と、より少ないメチレン、−ＣＨ_２−架橋基とを有する、共有結合三次元ネットワーク構造において、Ｓｉ、Ｃ、Ｏ及びＨの原子（以下、「ＳｉＣＯＨ」）を含む多孔質低ｋ又は超低ｋ誘電体膜が提供される。ＳｉＣＯＨ誘電体は、約１．４０未満のＣＨ_３＋ＣＨ_２伸縮についてのピーク面積と、約０．２０未満のＳｉＨ伸縮についてのピーク面積と、約２．０より大きいＳｉＣＨ_３結合についてのピーク面積と、約６０より大きいＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合についてのピーク面積とを含むＦＴＩＲスペクトルと、約２０％より大きい多孔度とを有するものとして特徴付けられる。 （もっと読む）