【課題】 近年の微細化・低温化された半導体装置は、配線間の寸法が極めて細く、アスペクト比が極めて大きくなっている。また微細化にともない熱処理温度を高くできなくなり、微細配線間を埋設する最適な絶縁膜が形成できない。本発明は微細配線間を埋設する最適なＢＰＳＧ膜等の絶縁膜を成膜できる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【解決手段】 成膜手順として、オゾンＯ３を含む酸化ガスで成膜装置のチャンバーを充満させた後に、ソースガスを導入することで成膜する。オゾン／ＴＥＯＳの重量比を３．７以上、成膜速度を４５ｎｍ／ｍｉｎ以下とすることステップカバレッジの良い、膜収縮率が低い良質の絶縁膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の配線構造体およびその形成方法を提供する。
【解決手段】 この半導体装置は半導体基板100上に配置された層間絶縁膜、前記層間絶縁膜を貫通する第１コンタクト構造体181および第２コンタクト構造体182、前記層間絶縁膜上に配置されて前記第１コンタクト構造体と前記第２コンタクト構造体に連結される金属配線220を具備する。この際、前記第１コンタクト構造体は順次に積層された第１プラグおよび第２プラグ200を含み、前記第２コンタクト構造体は前記第２プラグを含む。 （もっと読む）

【課題】 導電膜が正常にパターニングされて配線が形成されていることを、少ない労力で確認することができるようにする。
【解決手段】 層間絶縁膜８上に導電膜を形成する工程と、前記導電膜をパターニングすることにより、チップ領域１ａに配線１０ａ〜１０ｃを形成すると共に、スクライブライン１ｂ上に、複数のダミー配線３１〜３３を互いに平行に形成する工程と、複数のダミー配線３１〜３３相互間の抵抗値を測定する工程とを具備する。最外側に位置するダミー配線３１，３３それぞれに接続するパッド３４，３５を形成し、このパッド３４，３５に抵抗計の端子を接触させてもよい。 （もっと読む）

【課題】 ダマシン配線構造体を有する半導体装置において、シールリングと配線あるいは電極パッドとの短絡発生を無くする。
【解決手段】 半導体装置の層間絶縁膜の溝側壁に形成され導電性のバリア材料膜から成る上層バリア層４、溝内に埋め込まれ配線材料膜から成るたとえば１０μｍ幅の上層シールリング配線５が設けられ、上層シールリング配線５内に混在して複数の島状の絶縁体６が形成されている。この島状の絶縁体６は、上記ダマシン配線が形成される層間絶縁膜により形成される。そして、素子形成領域に第１上層溝配線７、第２上層溝配線８等が配設され、上層バリア層４がその周囲に設けてある。ここで、上層シールリング配線５および両上層配線は共に（デュアル）ダマシン配線構造になる。 （もっと読む）

【課題】 多孔質絶縁膜を含む層間絶縁膜の誘電率を実効的に低減させ、微細で高信頼性のダマシン配線を有する半導体装置の実用化を容易にする。
【解決手段】 下層配線１上に多孔質の第１低誘電率膜２ｂを含む第１層間絶縁膜２が形成され、第１層間絶縁膜２に設けられたビアホール３内にその側壁に設けられた第１側壁保護膜４を介して第１バリア層５およびビアプラグ６が形成される。同様に、多孔質の第２低誘電率膜７ｂを含む第２層間絶縁膜７のトレンチ８内にその側壁に設けられた第２側壁保護膜９を介して第２バリア層１０および上層配線１１が形成される。ここで、第１側壁保護膜４および第２側壁保護膜９は多孔質の低誘電率膜で成り、その空孔の含有率は３０％以下であり、空孔の寸法は２ｎｍ以下である。 （もっと読む）

半導体ウェハの製造プロセスが開示されている。メタル配線の表面に発生するデンドライトや電気分解反応を抑止するため、半導体ウェハに対して溶液が適用される。その溶液は、ＣＭＰ処理の際又はＣＭＰ洗浄後処理の際に適用される。その溶液は、界面活性剤及び防食剤を含む。一実施形態では、その溶液中に含まれる界面活性剤の濃度が約１重量パーセント未満に設定され、防食剤の濃度が約１重量パーセント未満に設定される。また、その溶液は、溶媒及び共溶媒を含むこともできる。別の実施形態では、その溶液が、界面活性剤及び防食剤を含まず、溶媒及び共溶媒を含む。一実施形態では、ＣＭＰ処理及びＣＭＰ洗浄後処理を、約１μｍ未満の波長を持つ光の存在下で実施できる。
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【課題】 高い周波数が印加され、数ｃｍ〜数１０ｃｍの長さを有する配線の抵抗を低減し、伝送される信号波形のなまりを低減する。
【解決手段】 高周波が印加される配線１１１は、層間絶縁膜１０７を介して、配線１１１の線方向にそって複数設けられたコンタクトホールにより配線１０６と電気的に並列接続している配線構造を採用する。その配線構造を周辺回路一体型アクティブマトリクス型液晶表示装置の周辺回路に用いることで、高周波信号が印加される配線において信号波形のなまりを低減できる。 （もっと読む）

【課題】 絶縁膜及びその上のＡＲＬ膜に埋め込まれた配線同士の間における短絡を防止する。
【解決手段】 基板１００上に形成されたＦＳＧ膜１０９及びＡＲＬ膜１１０に複数の配線用溝１１１を形成した後、各配線用溝１１１が完全に埋まるようにＡＲＬ膜１１０上にバリアメタル膜（窒化タンタル膜１１２）及び配線用導電膜（銅膜１１３及び１１４）を順次堆積する。その後、各配線用溝１１１の外側の銅膜１１３及び１１４を研磨により除去した後、各配線用溝１１１の外側の窒化タンタル膜１１２を研磨により除去する。その後、研磨時に研磨パッド及び基板１００に付着した異物を同時に除去した後、ＡＲＬ膜１１０の表面を研磨する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁膜に埋め込まれた配線同士の間における短絡を防止する。
【解決手段】 基板１００上に形成されたＦＳＧ膜１０９に複数の配線用溝１１０を形成した後、各配線用溝１１０が完全に埋まるようにＦＳＧ膜１０９の上にバリアメタル膜（窒化タンタル膜１１１）及び配線用導電膜（銅膜１１２及び１１３）を順次堆積する。その後、各配線用溝１１０の外側の銅膜１１２及び１１３を研磨により除去した後、各配線用溝１１０の外側の窒化タンタル膜１１１を研磨により除去する。その後、研磨時に基板１００に付着した異物を除去した後、ＦＳＧ膜１０９の表面を研磨する。 （もっと読む）

【課題】 配線構造と他の電極間のショートを防ぐ。
【解決手段】 ＳｉＯ_２により構成されたゲート絶縁膜１２およびその上に積層され、ＳｉＮにより構成された層間絶縁膜１３に、緩衝フッ酸を用いたエッチングによりコンタクトホールを形成する。このコンタクトホールに、高融点金属により構成された第１の保護金属層１７０と、高融点金属よりも抵抗の低い金属により構成された配線層１７２と、および高融点金属により構成され、ゲート絶縁膜１２よりも厚く形成された第２の保護金属層１７４とがこの順で積層された電極５３を形成する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁膜及びその上のＡＲＬ膜に埋め込まれた配線同士の間における短絡を防止する。
【解決手段】 基板１００上に形成されたＦＳＧ膜１０９及びＡＲＬ膜１１０に複数の配線用溝１１１を形成した後、各配線用溝１１１が完全に埋まるようにＡＲＬ膜１１０の上にバリアメタル膜（窒化タンタル膜１１２）及び配線用導電膜（銅膜１１３及び１１４）を順次堆積する。その後、各配線用溝１１１の外側の銅膜１１３及び１１４を研磨により除去した後、各配線用溝１１１の外側の窒化タンタル膜１１２を研磨により除去する。その後、研磨時に基板１００に付着した異物を除去した後、ＡＲＬ膜１１０の表面を研磨する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁膜及びその上のＡＲＬ膜に埋め込まれた配線同士の間における短絡を防止する。
【解決手段】 基板１００上に形成されたＦＳＧ膜１０９及びＡＲＬ膜１１０に複数の配線用溝１１１を形成した後、各配線用溝１１１が完全に埋まるようにＡＲＬ膜１１０の上にバリアメタル膜（窒化タンタル膜１１２）及び配線用導電膜（銅膜１１３及び１１４）を順次堆積する。その後、各配線用溝１１１の外側の銅膜１１３及び１１４を研磨により除去した後、各配線用溝１１１の外側の窒化タンタル膜１１２を研磨により除去する。その後、研磨時に基板１００に付着した異物を除去した後、銅膜１１３及び１１４の研磨工程と同じ種類の研磨剤を用いてＡＲＬ膜１１０の表面を研磨する。 （もっと読む）

【課題】 電気的特性のみならず耐環境性にも優れた配線を実現し、ひいては当該配線を内装した半導体装置や配線基板等の信頼性の向上に寄与することを目的とする。
【解決手段】 絶縁層１１，１３に形成されたビア・ホールを介して下層の導体層１２に電気的に導通するように絶縁層１３と下層の導体層１２とを覆って形成された金属薄膜１４上に形成された配線層１７の表面を、耐環境性に優れた材料からなる被覆層１８で覆うように構成する。この被覆層１８を構成する耐環境性に優れた材料としては、好適には、ニッケル／金、ニッケル／パラジウム、又はニッケル／パラジウム／金が用いられる。 （もっと読む）