【課題】特に、横方向および斜め方向からの光の進入を低減でき、特性の変動が抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体層１０に設けられた半導体素子と、
前記半導体素子の周囲に設けられた遮光壁５０と、
前記半導体素子に電気的に接続された配線層２６であって、前記遮光壁５０の設けられていない開孔５２から該遮光壁５０の外側に延伸された配線層２６と、を含み、
前記配線層２６は、前記開孔５２に位置している第１部分２６Ａと、該開孔の外側に位置し該第１部分２６Ａと比して大きい幅を有する第２部２６Ｂ分と、を含むパターンを有し、
前記第２部分２６Ｂの幅は、前記開孔５２の幅と同一以上の幅である。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、走査線内を伝播する迷光を遮光する構造により遮光性を高め、明るく高品位な画像表示を実現する。
【解決手段】基板上に、画素電極（９ａ）と、該画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジスタ（３０）と、該薄膜トランジスタのゲート電極（３ｇ）に走査信号を供給する走査線（３ａ）と、薄膜トランジスタのソース領域に画像信号を供給するデータ線（６ａ）とを備える。ゲート電極を構成する第１導電層と走査線を構成する第２導電層とは、別層である。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの配線を絶縁する絶縁膜をトランジスタの遮光性を確保する最小限の薄さに形成する際、トランジスタ特性を劣化させることなく、形成された絶縁膜の側壁部におけるショートマージンを十分確保することができる構成を有する電気光学装置を提供する。
【解決手段】第１層間絶縁膜４１は、高密度プラズマＣＶＤによって、ゲート電極３ａを平面視した状態で覆うよう形成された第１の絶縁膜４１ｈと、ゲート電極３ａの形状に起因して形成された第１の絶縁膜４１ｈの少なくとも側壁部４１ｐを平面視した状態で覆う位置に、第１の絶縁膜４１ｈに設定厚さ積層されて形成された第２の絶縁膜４１ｔと、により構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、コンタクトホールを形成する工程を低減でき、製造プロセスの単純化を可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、複数の画素電極（９ａ）と、画素電極（９ａ）を駆動するための一の配線、電極又は電子素子の少なくとも一部を夫々構成すると共に、互いに同一の導電膜から形成された複数の第１導電部（６ａ、９３）と、画素電極を駆動するための他の配線、電極又は電子素子の少なくとも一部を夫々構成すると共に、複数の第１導電部と絶縁膜を介して異なる層に夫々配置された複数の導電膜から夫々形成された複数の第２導電部（１１ａ、１ａ、３ｂ、７１、７５）とを備える。複数の第２導電部は夫々、複数の第１導電部の少なくともいずれかと絶縁膜に形成されたコンタクトホール（８４、８１、８１０、８１３、８１４）を介して電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高いＴＦＴ構造を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１０１上に形成されたＣＭＯＳ回路において、Ｎチャネル型ＴＦＴにサブゲート配線（第１配線）１０２aとメインゲート配線（第２ゲート配線）１０７aを設ける。ＬＤＤ領域１１３は第１配線１０２aとは重なり、第２配線１０７aとは重ならない。このため、第１配線にゲート電圧を印加すればＧＯＬＤ構造となり、印加しなければＬＤＤ構造となる。回路仕様に応じてＧＯＬＤ構造とＬＤＤ構造とを使い分けることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子において、互いにシリコン酸化膜の異なる深さに位置するポリシリコン電極及びシリコン基板に対するコンタクトの形成工程を簡単にする。
【解決手段】第３層のポリシリコン電極１００の表面にシリサイド膜１０２を形成する。その上に積層されるシリコン酸化膜９２をエッチングして、ポリシリコン電極１００及びシリコン基板８０の拡散層（ＦＤ５２）に対するコンタクト開口を同時に形成する。エッチング工程において、コンタクト溝９６がシリサイド膜１０２に到達した以降、コンタクトホール１１０がＦＤ５２に到達するまで、コンタクト溝９６のエッチングはシリサイド膜１０２で停止される。これら深さの異なる開口部にタングステンを堆積し、ポリシリコン電極１００及びＦＤ５２をそれぞれＡl電極９８，１１４に接続する。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィー工程数を低減することで製造コストの低減および歩留まりの向上を実現し得るカラー表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板７１０上にソース線７０５、ドレイン電極７０８となる線状遮光体７０１、７０１ｋを形成した後、開口部７１１に色素材７０２を定着させてカラーフィルターとする。次に、色素材を覆う透明保護膜７２３を成膜し、その上に多結晶シリコン薄膜７１７を形成する。そして、画素マトリックス外のソース線端子を覆うポリイミド膜を形成した後、ゲート絶縁膜７１９を成膜し、ポリイミド膜を除去する。次に、ゲート絶縁膜上にゲート線７０７を形成する。本方法におけるフォトリソグラフィー工程は、線状遮光体形成、多結晶シリコン薄膜形成、ゲート電極形成、の３工程のみとなる。 （もっと読む）

【課題】メモリ素子にかかるストレスを小さくし、リテンション特性の低下を抑制する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、半導体基板１のセル９内に形成された複数の半導体素子（例えばＥＥＰＲＯＭ）１０と、前記セル９の外周を囲む第１の遮光壁１５ｂと、前記第１の遮光壁１５ｂの上面と繋がっている外枠部、及び前記外枠部の中に形成された格子部を有し、前記格子部に形成された開口部２１が前記セル９の上方に位置する第１の遮光膜１５ａと、前記第１の遮光膜１５ａ上に形成され、前記複数の開口部２１それぞれの外周を囲む複数の第２の遮光壁１６ｂと、それぞれが互いに異なる前記第２の遮光壁１６ｂの上面と繋がっており、前記複数の開口部それぞれの上方及びその周囲に位置する複数の第２の遮光膜１６ａとを具備する。 （もっと読む）

【課題】微細化に伴うＶｏｉｄの発生を抑制することが可能なシリコン系絶縁膜の加工方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１上に形成された、孔部ｋを有するシリコン系絶縁膜２の加工方法であって、不活性ガスにＣｘＨｙＦｚ系の反応性ガス（ｘ＞０，ｙ≧０，ｚ＞０）を添加したガスを用いたスパッタエッチングにより孔部ｋを変形させて、シリコン系絶縁膜２内に空間部（Ｖｏｉｄ）が発生するのを抑制する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】光検出器の受光部上の配線構造層等をエッチングして開口部を形成する際の工程を簡素化する。
【解決手段】半導体基板６０上に、シリコン窒化膜８６をＣＶＤ法等により形成した後、配線構造層を含む積層構造８８を形成する。積層構造８８の上に、受光部上に開口を有したフォトレジスト膜１２２を形成し、これをエッチングマスクとして、積層構造８８に対するエッチング処理を行う。このエッチングは、シリコン窒化膜に対する層間絶縁膜の選択比が確保されるような種類・条件として、当該エッチング処理においてシリコン窒化膜８６をエッチングストッパとして機能させる。開口部１１６の底部に露出したシリコン窒化膜８６は反射防止膜を構成する。 （もっと読む）

【課題】画素の開口率を高める。
【解決手段】液晶装置１は、ＴＦＴアレイ基板１０上の互いに異なる層に夫々形成されており、第２層間絶縁膜４２を介して互いに電気的に絶縁された上部容量電極３００及び下部容量電極７１、サイドウォール９１、接続用導電膜９３、誘電体膜７５及びコンタクトホール８５を備えている。接続用導電膜９３によれば、コンタクトホールを形成する際のマージンを確保するために広げざるを得なかった下部容量電極７１及び上部容量電極３００の面積を低減でき、画素毎の開口領域の間隙に位置する非開口領域を低減することが可能である。これにより、画素における非開口領域の幅Ｗ１をサイドウォール９１の幅Ｗ２に応じて低減でき、非開口領域を狭めることによって画素における開口率を高めることが可能である。 （もっと読む）

【課題】良好な半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の作製方法であって、基板上に半導体層を形成し、半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にソース配線を形成し、ソース配線は、誘導結合型プラズマを用いて導電膜をエッチングすることにより形成し、ソース配線は、テーパー形状を有する。半導体層は結晶質半導体膜からなる。エッチングは、ＣＦ_４とＣｌ_２の混合ガスを用いて行う。ソース配線上に層間絶縁膜を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】ＣＳＰ型の半導体装置の接続信頼性を確保すると共に紫外線の影響を防止する手段を提供する。
【解決手段】半導体基板２と、半導体基板２に形成された回路素子に電気的に接続する電極パッド５と、電極パッド５に電気的に接続し、半導体基板２上に延在する配線１０と、配線１０上に形成されたポスト電極１１とを備えた半導体装置において、ポスト電極１１の側面に形成した密着性被膜１３と、この密着性被膜１３の表面および配線１０を封止し、遮光性を有する封止層１５とを設ける。 （もっと読む）

【課題】 ゲート電極の膜厚を厚く形成することなく、ゲート電極の十分な遮光性と低抵抗化とを両立することができる電気光学装置を提供する。
【解決手段】 多結晶シリコン層５ａと、多結晶シリコン層５ａに積層する高融点金属の硅化物層５ｂと、硅化物層５ｂに積層する高融点金属層５ｃとを具備する多層構造の薄膜でＴＦＴ３０のゲート電極３ａを形成することにより、ゲート電極３ａの膜厚を厚く形成することなく、十分な遮光性と低抵抗化とを両立する。すなわち、多結晶シリコン層５ａの上層に積層された高融点金属の硅化物層５ｂ及び高融点金属層５ｃを積層によって、ゲート電極３ａの低抵抗化が実現され、同時に、硅化物層５ｂの上層に積層されたシリコン成分を含まない高融点金属層５ｃによって、ＴＦＴ基板１０にアニール処理が行われた場合等にも、薄い膜厚でゲート電極３ａの遮光性が十分に確保される。
（もっと読む）

【課題】レーザーで切断されるヒューズの下方に半導体素子を配置することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、半導体基板１に形成された放電用の不純物領域７ａと、半導体基板１上又は上方に形成された第１の絶縁膜８と、第１の絶縁膜８上に形成された遮光用導電膜１０ｃと、遮光用導電膜１０ｃを不純物領域７ａに接地させる接地用配線９と、第１の絶縁膜８及び遮光用導電膜１０ｃの上、又は上方に形成された第２の絶縁膜１１と、第２の絶縁膜１１上に形成され、遮光用導電膜１１の上方に位置するヒューズ１３とを具備する。 （もっと読む）

【課題】層間を電気的に接続するために形成されるコンタクトホールを、コンタクトホールの下層に形成された端部上に形成するに際し、コンタクトホールの形成に起因する層間の電気的な接続の切断を確実に防止できる構造を有する電気光学装置を提供する。
【解決手段】ＴＦＴ基板１０に成膜されるとともに、スペースｈ１を有する段部１５０が少なくとも一部に形成された走査線１１と、走査線１１上に積層された下地絶縁膜１２と、下地絶縁膜１２上に積層された半導体膜１と、半導体膜１上に積層された層間絶縁膜４１と、層間絶縁膜４１の段部１５０の上方に、層間絶縁膜４１を貫通するよう形成されたコンタクトホール８１と、を具備し、コンタクトホール８１は、段部１５０の端部１１ｔから、平面的に下地絶縁膜１２の膜厚以上離間した段部１５０のスペースｈ１の位置上に形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路装置及びそれの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板と、半導体基板上に形成された第１の導電膜パターンと、第１の導電膜パターン上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上に形成された第２の導電膜パターンと、第２の導電膜パターン及び絶縁膜全面に形成され、半導体基板に輻射される紫外線を遮断する第１の紫外線遮断膜と、を含む。これにより、半導体基板に紫外線が輻射されることを遮断して外部イオン及び水分が半導体基板に浸透することを遮断でき、半導体集積回路装置の動作特性を向上させうる。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスを煩雑化させずに、画素の狭ピッチ化や高開口率化を実現する。
【解決手段】液晶等の電気光学物質層を対向基板との間で挟持するアレイ基板上に、走査線５と、データ線６と、画素電極１１と、トランジスタと、蓄積容量と、蓄積容量電極にコモン電位を供給する遮光層を兼ねた固定電極層１７とを含む積層構造を有し、走査線５、データ線６、トランジスタ及び蓄積容量を、画素電極１１の周囲の遮光領域内に配置してなる電気光学装置の構成として、画素電極１１とトランジスタの半導体層とを、固定電極層１７と同層の第１中継電極層１８と、データ線６と同層の第２中継電極層とを介して電気的に接続するとともに、水平方向で隣り合うデータ線６の間で固定電極層１７を分断し、この分断部分に固定電極層１７と分離した状態で第１中継電極層１８を形成した。 （もっと読む）

【課題】 遮光効率の良い遮光構造を有する半導体装置。
【解決手段】 半導体装置１００は、半導体素子１２０と、前記半導体素子１２０に接続される第１の信号線ＳＬ１と、前記半導体素子１２０を囲む遮光領域１１０と、を含み、
前記遮光領域１１０には、前記第１の信号線ＳＬ１を前記遮光領域１１０の外側に引き出すための第１の信号線引き出し領域ＡＲ＿ＳＬ１が設けられ、前記第１の信号線引き出し領域ＡＲ＿ＳＬ１と前記半導体素子１２０との間には、前記第１の信号線ＳＬ１の一部として第１の遮光用信号線ＲＬＳＬ１が形成され、前記第１の遮光用信号線ＲＬＳＬ１は、前記第１の信号線ＳＬ１が前記半導体素子１２０に向かって伸びる方向と交差する方向に沿って延在形成されている。 （もっと読む）

【課題】 遮光効率の良い遮光構造を有する半導体装置。
【解決手段】 半導体装置１００は、半導体素子１２０と、前記半導体素子１２０を囲む遮光領域１１０と、前記遮光領域１１０の第１の領域ＡＲ１に千鳥状に配置された複数のコンタクトＣＮＴと、前記遮光領域１１０の前記第１の領域ＡＲ１とは異なる第２の領域ＡＲ２に少なくとも第１の方向ＤＲ１に沿って延在形成された溝状コンタクトＤＣＮＴと、を含む。 （もっと読む）