【課題】 遮光膜を有する半導体装置において、製造工程数を少なくする。
【解決手段】絶縁膜１０上に形成された金属パッド１１と、絶縁膜１０上及び金属パッド１１上に形成された第１の保護膜１２と、第１の保護膜１２上に形成された遮光膜１３と、遮光膜１３上に形成された第２の保護膜１４と、第２の保護膜１４、遮光膜１３、及び第１の保護膜１２それぞれに形成され、金属パッド１１上に位置する開口部１４ａとを具備する。第１の保護膜１２は例えば酸化シリコン膜であり、遮光膜１３は例えば窒化チタン膜であり、第２の保護膜１４は例えば窒化シリコン膜である。 （もっと読む）

【課題】遮光膜の電位の変動に起因してトランジスタの動作が不安定になるのを抑制し、かつ、動作不良が発生するのを抑制することが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】この表示装置は、ｎチャネルトランジスタ８を含む画素部６に設けられるとともに、ｎチャネルトランジスタ８の下方に配置され、１／２（Ｖｄｄ＋Ｖｂｂ）の電位が与えられる表示部遮光膜１３の画素部遮光領域１３ａと、ｎチャネルトランジスタを含むシフトレジスタ回路２５および３５、サンプリングトランジスタ２６、バッファ２７、ＤＡコンバータ２８およびクロック発生回路２９にそれぞれ設けられ、１／２（Ｖｄｄ＋Ｖｓｓ）の電位が与えられるシフトレジスタ回路遮光膜３０および３７、サンプリングトランジスタ遮光膜３１、バッファ遮光膜３２、ＤＡコンバータ遮光膜３３およびクロック発生回路遮光膜３４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、光の進入を低減でき、特性の変動が抑制された半導体装置を提供することにある。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、
半導体素子を含む被遮光領域１０Ａと、
被遮光領域を囲む遮光領域１０Ｂと、
遮光領域１０Ａの上方に設けられた第１遮光膜２４と、
前記第１遮光膜２４に設けられた開孔２６と、
前記半導体素子と電気的に接続された配線１２４、１３４と、を含み、
前記配線１２４，１３４は、前記開孔２６から外側に引き出されている。 （もっと読む）

【課題】 銅配線を用いるＭＯＳ型等の固体撮像装置及びその製造方法において、暗電流及び白キズ数の低減と、感度の向上を実現する。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、基板１０１と、基板１０１上に形成され、光電変換部１０３を有する光電変換セルがアレイ状に配置された撮像領域と、基板１０１上に形成され、撮像領域の制御及び撮像領域からの信号の出力を行なう周辺回路領域と、基板１０１上に形成され且つ銅を含む材料よりなる銅含有配線層１３２、１３４及び１３８とを備え、銅の拡散を防止するための拡散防止層として、光電変換部１０３上に第１の拡散防止層１２１が形成されていると共に、銅含有配線層１３２、１３４及び１３８上に第２の拡散防止層１２２、１２３及び１２４が順に形成されている （もっと読む）

【課題】信号歪曲を最小化することができる薄膜トランジスタ表示板を提供する。
【解決手段】ゲート線と、前記ゲート線と交差するデータ線と、各々の前記ゲート線及び前記データ線に連結されている薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに連結されている画素電極と、前記データ線上に形成される保護膜と、前記データ線と少なくとも一部分が重なり、前記データ線を露出する切開部を有する遮蔽電極とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プロジェクタ等に用いられるアクティブマトリクス型の表示装置において、補助容量と、遮光膜またはシールドパターンを備えた構成について提案する。
【解決手段】本発明に係る表示装置は、薄膜トランジスタを有する画素マトリクス回路を用いた表示装置であって、当該薄膜トランジスタ上に順次形成された第１の絶縁膜、第１および第２の電極、窒化珪素膜、電極パターンと、窒化珪素膜および電極パターン上に形成された第２の絶縁膜と、当該第２の絶縁膜上に順次形成された遮光膜、第３の絶縁膜と、当該第３の絶縁膜上に形成され、第１の電極に接続された画素電極と、を有し、第１の電極、窒化珪素膜、電極パターンによって、容量が形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、層間絶縁膜を貫通する窓に埋め込まれて化学機械研磨により平坦化されたプラグ層と、前記層間絶縁膜上から前記プラグ層上に延在するように堆積されたＴｉ（チタン）膜と、前記Ｔｉ膜上に堆積されたＡｌ（アルミニウム）乃至Ｃｕ（銅）を含む配線層と、前記層間絶縁膜と前記Ｔｉ膜との間に形成され、水素を透過しない下敷膜とを備えることを特徴とする半導体装置に関する。
（もっと読む）

【課題】 横方向および斜め上方向からの光の進入を低減でき、特性の変動が抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、被遮光領域１０Ａを有する半導体層１０と、
前記被遮光領域１０Ａの前記半導体層１０に設けられた半導体素子と、
前記半導体素子の上方に設けられた第１層間絶縁層３０と、
前記第１層間絶縁層３０の上方に設けられた複数の第１遮光層３４と、
少なくとも第１遮光層３４の上方に設けられた第２層間絶縁層４０と、
前記第２層間絶縁層４０の上方に設けられ少なくとも隣り合う前記第１遮光層３４同士の間に設けられるよう所定のパターンを有する、第２遮光層４４と、
前記第１遮光層３４と前記第２遮光層４４との重なり部分に設けられたビア層４２と、を含み、
前記ビア層４２は、前記第２層間絶縁層４０のうち、前記第１遮光層３４と前記第２遮光層４４とが重なる領域に連続した溝状の開口４２ａを設け、該開口４２ａに導電材が埋め込まれてなる。 （もっと読む）

【課題】 特に、横方向および斜め上方向からの光の進入を低減でき、特性の変動が抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体層に設けられた半導体素子と、
前記半導体素子の周囲に設けられた遮光壁５０と、
前記半導体素子に電気的に接続された配線層２６であって、前記遮光壁５０の設けられていない開孔５２から該遮光壁５０の外側に延伸された配線層２６と、を含み、
前記配線層２６は、前記開孔５２に位置している第１部分２６Ａと、該開孔５２の外側に位置し、該配線層２６の延伸方向と交差する分岐部２８を有することで該開孔５２の幅と同一以上の幅を有する第２部分２６Ｂと、を含むパターンを有し、
前記分岐部２８において、前記遮光壁５０の外側を向いた面は、その表面に凸部を有する。 （もっと読む）

【課題】 遮光効果が高く信頼性の向上した半導体装置であり、さらには、半導体装置の微細化を図ることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、被遮光領域１０Ａを有する半導体層１０と、
前記被遮光領域１０Ａの前記半導体層１０に設けられた半導体素子１００、１２０と、
前記半導体素子１００、１２０の上方に設けられた第１層間絶縁層４０と、
前記第１層間絶縁層の上方に設けられ、複数の第１遮光層４４と、
少なくとも第１遮光層４４の上方に設けられた第２層間絶縁層５０と、
前記第２層間絶縁層５０の上方に設けられ、所定のパターンの第２遮光層５４と、を含み、
前記第２遮光層５４は、少なくとも隣り合う前記第１遮光層４４同士の間に位置するようなパターンを有する。 （もっと読む）

【解決手段】 チタニウム−アルミニウム−窒素（「Ｔｉ−Ａｌ−Ｎ」）が半導体基板上に積層されて反射防止コーティングとしての役割を果たす。配線ラインの実施の形態に対して、アルミニウム導電層（５４）及びアルミニウム−チタニウム下層（５２）は、反射防止キャップ層の下に形成される。
【効果】 配線ライン製造プロセスに対して、Ｔｉ−Ａｌ−Ｎ層は、製造中の不要なフォトリソグラフ光（即ち、光子）の反射を防止するキャップ層（５６）としての役割を有する。電界放射ディスプレイ装置（ＦＥＤ）（１５０）に対して、Ｔｉ−Ａｌ−Ｎ層は、ディスプレイスクリーン（１１８）のアノードに由来する光がトランジスタ接合部を通過して装置動作を妨害するのを防止する。Ｔｉ−Ａｌ下層は熱処理中にアルミニウム導電層に起きる収縮を低減する。 （もっと読む）

【課題】
酸化シリコン層、窒化シリコン層の積層ライナを備えたＳＴＩを有し、帯電を低減できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体装置は、シリコン基板と、前記シリコン基板の表面から下方に向かって形成され、前記シリコン基板の表面に活性領域を画定するトレンチと、前記トレンチの内壁を覆う酸化シリコン層の第１ライナ層と、前記第１ライナ層の上に形成された窒化シリコン層の第２ライナ層と、前記第２ライナ層の上に形成され、前記トレンチを埋める絶縁物の素子分離領域と、前記活性領域に形成されたｐチャネルＭＯＳトランジスタと、前記ｐチャネルＭＯＳトランジスタを覆って，前記シリコン基板上方に形成され，紫外光遮蔽能を有さない窒化シリコン層のコンタクトエッチストッパ層と、前記コンタクトエッチストッパ層の上方に形成され、紫外光遮蔽能を有する窒化シリコン層の遮光膜と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置において、セル面積の縮小化を図ることにある。
【解決手段】 半導体装置１００は、半導体基板１０と、半導体基板１０の内部に形成され、コントロールゲートとして機能する不純物領域２２と、半導体基板１０の上方に形成されたゲート絶縁層１６と、ゲート絶縁層１６の上方に、不純物領域２２とオーバーラップして形成されたフローティングゲート１８と、フローティングゲート１８の上方に形成された層間絶縁層５０と、層間絶縁層５０の上方に、フローティングゲート１８とオーバーラップして形成された遮光層５２と、を含む。遮光層５２は、不純物領域２２と電気的に接続している。 （もっと読む）

アクティブマトリクス型液晶表示装置の薄膜トランジスタにおける下地電極上の絶縁膜上にフォトエンボッシング材料を用いて凹凸を有する有機膜を形成し、この有機膜にドライエッチングを施して有機膜の膜厚を減少させてコンタクトホール形成領域の絶縁膜を露出させる。その後、露出した絶縁膜にドライエッチングを施してコンタクトホールを形成すると共に下地電極を露出させ、得られた構造上に反射電極を形成して、露出した下地電極と反射電極とを接続する。
（もっと読む）

機密性を要する半導体製品、特にスマートカード・チップを提供するため、チップ設計によって実現されうる電気的に活性な構造（２、３、４、５、６）が、例えばシリコンからなるウェーハ（１）内及びウェーハ（１）上に、回路機能の形態で製造されるだけでなく、残りの領域に、それらの下に置かれた機密性を要する回路構造を解析するリバース・エンジニアを大幅に妨げる、互いに絶縁された充てん構造のさらなる導電性部分（４２、６１、６２）（タイル）が設計プログラムによって形成される。形成された部分を説明された偶然の信号経路と連結するための形成された部分間のコンタクトは、「手で」、又は、当該設計プログラムと対応するルーティング・プログラムとの組合せによって配置されることができる。充てん導電性部分はさらに、さらなる回路機能（例えば解析回路）を提供するために、トランジスタ、ダイオード、抵抗器又はコンデンサなどの回路構成部品に接続されてもよい。
（もっと読む）