電気光学装置、電子機器
【課題】層間を電気的に接続するために形成されるコンタクトホールを、コンタクトホールの下層に形成された端部上に形成するに際し、コンタクトホールの形成に起因する層間の電気的な接続の切断を確実に防止できる構造を有する電気光学装置を提供する。
【解決手段】ＴＦＴ基板１０に成膜されるとともに、スペースｈ１を有する段部１５０が少なくとも一部に形成された走査線１１と、走査線１１上に積層された下地絶縁膜１２と、下地絶縁膜１２上に積層された半導体膜１と、半導体膜１上に積層された層間絶縁膜４１と、層間絶縁膜４１の段部１５０の上方に、層間絶縁膜４１を貫通するよう形成されたコンタクトホール８１と、を具備し、コンタクトホール８１は、段部１５０の端部１１ｔから、平面的に下地絶縁膜１２の膜厚以上離間した段部１５０のスペースｈ１の位置上に形成されていることを特徴とする。
【解決手段】ＴＦＴ基板１０に成膜されるとともに、スペースｈ１を有する段部１５０が少なくとも一部に形成された走査線１１と、走査線１１上に積層された下地絶縁膜１２と、下地絶縁膜１２上に積層された半導体膜１と、半導体膜１上に積層された層間絶縁膜４１と、層間絶縁膜４１の段部１５０の上方に、層間絶縁膜４１を貫通するよう形成されたコンタクトホール８１と、を具備し、コンタクトホール８１は、段部１５０の端部１１ｔから、平面的に下地絶縁膜１２の膜厚以上離間した段部１５０のスペースｈ１の位置上に形成されていることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、下層に形成された端部の上方に、複数の上層の各膜間を電気的に接続するためのコンタクトホールが形成された基板を有する電気光学装置、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、電気光学装置、例えば液晶装置は、ガラス基板、石英基板等からなる２枚の基板間に液晶が挟持されて構成されており、一方の基板に、例えば複数の薄膜トランジスタ(Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下、ＴＦＴと称す)等のスイッチング素子及び画素電極をマトリクス状に配置し、他方の基板に対向電極を配置して、両基板間に挟持した液晶層の光学特性を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能としている。
【０００３】
即ち、ＴＦＴ等のスイッチング素子によってマトリクス状に配列された複数の画素電極（ＩＴＯ；Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）に画像信号を供給し、画素電極と対向電極相互間の液晶層に画像信号に基づく電圧を印加して、液晶分子の配列を変化させる。これにより、画素の透過率を変化させ、画素電極及び液晶層を通過する光を画像信号に応じて変化させて画像表示を行う。
【０００４】
ＴＦＴは、走査線を介してゲート電極に走査信号を供給することによりオン状態となる。その後、半導体膜のソース領域にデータ線を介して供給された画像信号は、オン状態となったＴＦＴを介して画素電極に供給され、画像表示が行われるようになっている。
【０００５】
ところで、半導体膜のソース領域とデータ線とは、コンタクトホールを介して接続される。具体的には、半導体膜上に層間絶縁膜が積層され、該層間絶縁膜のソース領域の上方に、該層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールが形成された後、コンタクトホールを埋めながら層間絶縁膜上にデータ線が積層されることにより、コンタクトホールにより露出された半導体膜のソース領域とデータ線とが接続されている。
【０００６】
この半導体膜のソース領域とデータ線とを接続するためのコンタクトホールは、複数の画素電極及びＴＦＴ毎に形成されることが周知であるが、例えば特許文献１に記載された液晶装置に用いる基板においては、画素電極の微細化を図る目的で、隣接するＴＦＴの各半導体膜を、各々の半導体膜のソース領域において接続する、即ち共通化する技術の提案がなされている。この場合、共通化された半導体膜のソース領域とデータ線とは、共通の、即ち１つのコンタクトホールで接続される。
【特許文献１】特開平１０−１７７１９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ここで、特許文献１に開示された技術では、共通のコンタクトホールは、隣り合う画素電極毎に形成された、走査線の隣り合う２つの端部間の上方に形成されている。
【０００８】
具体的には、石英等の基板上に走査線が積層され、該走査線がＴＦＴ毎にパターンニングされた後、該走査線上に、第１の層間絶縁膜が形成され、さらに第１の層間絶縁膜上に半導体膜が積層される。その後、半導体膜の走査線の端部間の上方に、例えば不純物がドープされることにより、ソース領域が形成される。
【０００９】
尚、この際、第１の層間絶縁膜及びソース領域の走査線の端部間の上方は、走査線の端部間の形状に沿った形状に形成される。よって、第１の層間絶縁膜及びソース領域にも２つの端部が形成され、その結果、第１の層間絶縁膜及びソース領域の２つの端部近傍に、脆弱部となる傾斜面が形成される。
【００１０】
その後、半導体膜上に第２の層間絶縁膜が形成される。この際も、第２の層間絶縁膜の走査線の端部間の上方は、走査線の端部間の形状に沿った形状に形成される。最後に、第２の層間絶縁膜の走査線の端部間の上方、即ち、ソース領域の２つの端部間上に、第２の層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールが形成されるのである。
【００１１】
しかしながら、コンタクトホールは、ソース領域の２つの端部間上に形成されるため、コンタクトホールを形成した後、ソース領域の２つの端部近傍の脆弱部となる傾斜面を破断してしまう場合がある。
【００１２】
その結果、第２の層間絶縁膜上にデータ線を積層した後、ソース領域とデータ線との電気的な接続が切断されてしまい、データ線から供給された画像信号が、画素電極に供給することができなくなってしまう場合があった。
【００１３】
本発明は上記問題点に着目してなされたものであり、その目的は、層間を電気的に接続するために形成されるコンタクトホールを、コンタクトホールの下層に形成された端部上に形成するに際し、コンタクトホールの形成に起因する層間の電気的な接続の切断を確実に防止できる構造を有する電気光学装置、電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置は、基板に成膜されるとともに、端部が少なくとも一部に形成された第１の膜と、前記第１の膜上に積層された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に積層された第２の膜と、前記第２の膜上に積層された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の前記端部の上方に、該第２の絶縁膜を貫通するよう形成されたコンタクトホールと、を具備し、前記コンタクトホールは、前記端部から、平面的に前記第１の絶縁膜の膜厚以上離間した位置に形成されていることを特徴とする。
【００１５】
本発明の電気光学装置によれば、第２の絶縁膜の、第１の膜に形成された端部の上方に、第２の絶縁膜を貫通するようコンタクトホールを形成した際、該コンタクトホールは、該コンタクトホールの下層となる第１の膜の端部から、平面的に第１の絶縁膜の膜厚以上離間した位置に形成される。このことから、コンタクトホールは、第２の膜において第１の膜の端部に起因して形成された脆弱部となる傾斜面を除く平坦面上に形成されるため、即ち第２の膜の脆弱部上に形成されることがないため、コンタクトホールの形成により、第２の膜を破断してしまうことがない。よって、第２の膜と、形成されたコンタクトホールを介して第２の膜上に積層された第３の膜との電気的な接続が、コンタクトホールの形成により切断されてしまうことを確実に防止することができるという効果を有する。
【００１６】
また、本発明に係る電気光学装置は、基板に成膜されるとともに、隣接する２つの端部が少なくとも一部に形成された第１の膜と、前記第１の膜上に積層された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に積層された第２の膜と、前記第２の膜上に積層された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の２つの前記端部の上方に、該第２の絶縁膜を貫通するよう形成されたコンタクトホールと、を具備し、前記コンタクトホールは、２つの前記端部から、平面的に前記第１の絶縁膜の膜厚以上それぞれ離間した位置に形成されていることを特徴とする。
【００１７】
本発明の電気光学装置によれば、コンタクトホールは、第２の膜において第１の膜の２つの端部に起因して形成された脆弱部となる傾斜面を除く平坦面上に形成されるため、即ち第２の膜の脆弱部上に形成されることがないため、コンタクトホールの形成により、第２の膜を破断してしまうことがない。よって、第２の膜と、形成されたコンタクトホールを介して第２の膜上に積層された第３の膜との電気的な接続が、コンタクトホールの形成により切断されてしまうことを確実に防止することができるという効果を有する。
【００１８】
また、本発明に係る電気光学装置は、基板に成膜されるとともに、隣接する２つの端部が少なくとも一部に形成された第１の膜と、前記第１の膜上に積層された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に積層された第２の膜と、前記第２の膜上に積層された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の２つの前記端部の上方に、該第２の絶縁膜を貫通するよう形成されたコンタクトホールと、を具備し、前記コンタクトホールは、隣接する２つの前記端部間に平面的にまたがって配置されていることを特徴とする。
【００１９】
本発明の電気光学装置によれば、第２の絶縁膜の、第１の膜に形成された２つの端部の上方に、第２の絶縁膜を貫通するようコンタクトホールを形成した際、該コンタクトホールは、２つの端部間に平面的にまたがって配置されることにより、仮にコンタクトホールを形成した後、第２の膜において２つの端部に起因して形成された脆弱部となる傾斜面が破断してしまったとしても、第２の膜上に積層された第３の膜により、第２の膜は、第３の膜を介して破断部位が電気的に接続される。よって、第２の膜と第３の膜との電気的な接続が、コンタクトホールの形成により切断されてしまうことを確実に防止することができるという効果を有する。
【００２０】
さらに、表示領域に画素電極と該画素電極に対応して設けられたスイッチング素子とが形成された第１の基板と、前記第１の基板に対向配置される第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された電気光学物質とを具備し、前記基板は、前記第１の基板であることを特徴とする。
【００２１】
本発明の電気光学装置によれば、電気光学装置が、表示領域に画素電極と該画素電極に対応して設けられたスイッチング素子とが形成された第１の基板と、前記第１の基板に対向配置される第２の基板との間に電気光学物質が挟持されて構成されていたとしても、第１の基板上に成膜された、導電性を有する第２の膜と、第２の膜上に形成されたコンタクトホールにより積層された導電性を有する第３の膜との電気的な接続が、コンタクトホールの形成により切断されてしまうことを確実に防止することができるという効果を有する。
【００２２】
また、前記画素電極及び前記スイッチング素子は、前記第１の基板に複数設けられており、前記第１の膜は、前記スイッチング素子をオンまたはオフする、前記画素電極毎に設けられた走査線であることを特徴とする。
【００２３】
さらに、２つの前記端部は、前記画素電極毎に設けられた隣接する前記走査線の各前記端部から構成されていることを特徴とする。
【００２４】
また、前記第２の膜は、前記スイッチング素子を構成する半導体膜であることを特徴とする。
【００２５】
さらに、前記半導体膜のソース領域と、前記第２の絶縁膜上に成膜された前記画素電極に画像信号を供給するデータ線とは、前記コンタクトホールを介して電気的に接続されていることを特徴とする。
【００２６】
本発明の電気光学装置によれば、コンタクトホールは、走査線の２つの端部に起因して形成された半導体膜の脆弱部となる傾斜面を除く平坦面上に形成されるため、即ち半導体膜の脆弱部に形成されることがないため、コンタクトホールの形成により半導体膜を破断してしまうことがない。よって、半導体膜のソース領域と、形成されたコンタクトホールにより半導体膜のソース領域上に積層されたデータ線との電気的な接続が切断されてしまうことを確実に防止することができる。また、コンタクトホールを形成した後、半導体膜の脆弱部となる傾斜面が、破断してしまったとしても、半導体膜上に形成されたコンタクトホールにより積層されたデータ線により、半導体膜のソース領域は、データ線を介して破断部位が電気的に接続される。よって、半導体膜のソース領域とデータ線との電気的な接続が切断されてしまうことがない。以上から、データ線及び半導体膜のソース領域を介して、隣接する各画素電極に対し、画像信号を確実に供給することができるといった効果を有する。
【００２７】
また、隣接する前記画素電極の各々に設けられた２つの前記スイッチング素子の前記半導体膜は、ソース領域側で繋がっており、前記ソース領域と前記データ線とが、１つの前記コンタクトホールを介して電気的に接続されていることを特徴とする。
【００２８】
本発明によれば、隣接する画素電極を微細化することができる。よって、画素電極の微細化を図る目的で、隣接する各半導体膜のソース領域の共通の１つのコンタクトホールを形成した際、各半導体膜のソース領域とデータ線との電気的な接続が切断されてしまうのを防止することができるとともに、データ線及び各半導体膜のソース領域を介して、各画素電極に対し、それぞれ画像信号を確実に供給することができるといった効果を有する。
【００２９】
本発明に係る電子機器は、基板に成膜されるとともに、端部が少なくとも一部に形成された第１の膜と、前記第１の膜上に積層された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に積層された第２の膜と、前記第２の膜上に積層された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の前記端部の上方に、該第２の絶縁膜を貫通するよう形成されたコンタクトホールと、を具備し、前記コンタクトホールは、前記端部から、平面的に前記第１の絶縁膜の膜厚以上離間した位置に形成されていることを特徴とする電気光学装置を有する。
【００３０】
また、本発明に関わる電子機器は、基板に成膜されるとともに、隣接する２つの端部が少なくとも一部に形成された第１の膜と、前記第１の膜上に積層された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に積層された第２の膜と、前記第２の膜上に積層された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の２つの前記端部の上方に、該第２の絶縁膜を貫通するよう形成されたコンタクトホールと、を具備し、前記コンタクトホールは、２つの前記端部から、平面的に前記第１の絶縁膜の膜厚以上それぞれ離間した位置に形成されていることを特徴とする電気光学装置を有する。
【００３１】
さらに、本発明に関わる電子機器は、基板に成膜されるとともに、隣接する２つの端部が少なくとも一部に形成された第１の膜と、前記第１の膜上に積層された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に積層された第２の膜と、前記第２の膜上に積層された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の２つの前記端部の上方に、該第２の絶縁膜を貫通するよう形成されたコンタクトホールと、を具備し、前記コンタクトホールは、隣接する２つの前記端部間に平面的にまたがって配置されていることを特徴とする電気光学装置を有する。
【００３２】
本発明の電子機器によれば、導電性を有する第２の膜と、形成されたコンタクトホールにより第２の膜上に積層された導電性を有する第３の膜との電気的な接続が、コンタクトホールの形成により切断されてしまうことを防止することができる基板を有する電気光学装置により電子機器が構成されていることから、信頼性の高い電子機器を提供することができるという効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、図面を参照にして本発明の実施の形態を説明する。尚、本実施では、電気光学装置は、例えばＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のスイッチング素子（以下、ＴＦＴと称す）が形成された第１の基板である素子基板及び該素子基板に対向配置される第２の基板である対向基板を用いた液晶装置を例に挙げて説明する。
【００３４】
（第１実施の形態）
先ず、本実施の液晶装置の構成について説明する。図１は、本発明の第１実施を示す液晶装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図、図２は、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図、図３は、図１の液晶装置を構成するＴＦＴ基板上に形成された隣接した複数の画素について各層の成膜パターンを部分的かつ概略的に示す平面図、図４は、図３中のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図、図５は、図４の半導体膜のソース領域とデータ線とを電気的に接続するコンタクトホール近傍の構成を示す部分拡大断面図である。
【００３５】
図１，図２に示すように、液晶装置１００は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板を用いた素子基板（以下、ＴＦＴ基板と称す）１０と、該ＴＦＴ基板１０に対向配置される、例えばガラス基板や石英基板を用いた対向基板２０との間の内部空間に、電気光学物質である液晶５０が介在されて構成される。対向配置されたＴＦＴ基板１０と対向基板２０とは、シール材５２によって貼り合わされている。
【００３６】
ＴＦＴ基板１０の基板上の液晶５０と接する面側に、液晶装置１００の表示領域４０を構成するＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈが構成されている。また、表示領域１０ｈに、画素を構成する画素電極（ＩＴＯ）９と該画素電極９に対応して設けられたスイッチング素子（以下、ＴＦＴ３０と称す）等がマトリクス状に配置されている。
【００３７】
詳しくは、図３に示すように、表示領域１０ｈにおいては、複数本の走査線（ゲート線）１１と複数本のデータ線（ソース線）６とが交差するように配線され、走査線１１とデータ線６とで区画された領域に、画素電極９がマトリクス状に複数配置される。
【００３８】
データ線６は、アルミニウム膜等を含む積層構造からなり、走査線１１は、例えばタングステンシリサイド（ｗ−ｓｉ）膜等からなる。また、走査線１１は、半導体膜１のチャネル領域１ａ（いずれも図４参照）に対向するＴＦＴ３０のゲート電極３ａに、図示しない手段により電気的に接続されている。
【００３９】
即ち、走査線１１とデータ線６との交差する箇所には、走査線１１に接続されたゲート電極３ａとチャネル領域１ａとが対向配置されて画素スイッチング用のＴＦＴ３０がそれぞれ構成されている。
【００４０】
ＴＦＴ３０は、走査線１１のＯＮ信号によってオンとなり、これにより、データ線６に供給された画像信号が画素電極９に供給される。この際、表示画像の焼き付き等を防止するため、各画素電極９に印加される駆動電圧の極性を、例えば画像信号におけるフィールド毎に反転させる反転駆動が行われている。この画素電極９と対向基板２０に設けられた後述する共通電極２１との間の電圧が、液晶５０に印加される。
【００４１】
また、画素電極９と並列に、蓄積容量７０（図４参照）が設けられており、蓄積容量７０によって、画素電極９の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも、例えば３桁も長い時間の保持が可能となる。蓄積容量７０によって、電圧保持特性が改善され、コントラスト比の高い画像表示が可能となる。
【００４２】
また、対向基板２０の基板上の全面に、共通電極（ＩＴＯ）２１が設けられており、共通電極２１のＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈに対向する位置の液晶５０と接する面側に、液晶装置１００の表示領域４０を構成する対向基板２０の表示領域２０ｈが構成されている。
【００４３】
ＴＦＴ基板１０の画素電極９上に、ラビング処理が施された第１の配向膜１６が設けられており、また、対向基板２０上の全面に渡って形成された共通電極２１上にも、ラビング処理が施された第２の配向膜２６が設けられている。各配向膜１６，２６は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。
【００４４】
対向基板２０に、ＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈ及び対向基板２０の表示領域２０ｈの外周を、画素領域において規定し区画することにより、表示領域を規定する額縁としての遮光膜５３が設けられている。
【００４５】
即ち、表示領域１０ｈ，２０ｈは、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０の画素領域において遮光膜５３により遮光されていない領域となる。シール材５２は、塗布後、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０とを相互に固着する。
【００４６】
液晶５０がＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間の空間に、既知の液晶注入方式で注入される場合、シール材５２は、シール材５２の１辺の一部において欠落して塗布されている。シール材５２の欠落した箇所は、該欠落した箇所から貼り合わされたＴＦＴ基板１０及び対向基板２０との間に液晶５０を注入するための液晶注入口１０８を構成している。
【００４７】
液晶注入口１０８は、液晶注入後、封止材１０９で封止される。尚、液晶滴下方式で液晶５０が介在される場合は、シール材５２には液晶注入口１０８が形成されず、シール材５２は、連続的な周状に塗布されている。
【００４８】
シール材５２の外側の領域に、ＴＦＴ基板１０の図示しないデータ線に画像信号を所定のタイミングで供給して該データ線を駆動するデータ線駆動回路１０１及び外部回路との接続のための外部接続端子１０２が、ＴＦＴ基板１０の一辺に沿って設けられている。
【００４９】
この一辺に隣接する二辺に沿って、ＴＦＴ基板１０の走査線１１及びゲート電極３ａに走査信号を所定のタイミングで供給することにより、ゲート電極３ａを駆動する走査線駆動回路１０３，１０４が設けられている。走査線駆動回路１０３，１０４は、シール材５２の内側の遮光膜５３に対向する位置において、ＴＦＴ基板１０上に形成される。
【００５０】
また、ＴＦＴ基板１０上に、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０３，１０４、外部接続端子１０２及び上下導通端子１０７を接続する配線１０５が、遮光膜５３の３辺に対向して設けられている。
【００５１】
上下導通端子１０７は、シール材５２のコーナー部の４箇所のＴＦＴ基板１０上に形成されている。そして、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０相互間に、下端が上下導通端子１０７に接触し上端が共通電極２１に接触する上下導通材１０６が設けられており、該上下導通材１０６によって、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通がとられている。
【００５２】
また、図４に示すように、ＴＦＴ基板１０上に、ＴＦＴ３０や画素電極９の他、これらを含む各種の構成が積層構造をなして備えられている。尚、この積層構造は周知であるため、概略的に説明する。
【００５３】
ＴＦＴ基板１０上に、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、或いは導電性ポリシリコン等からなる第１の膜である走査線１１が成膜されている。
【００５４】
走査線１１は、図３中、縦方向に隣り合う画素電極９毎に、パターンニングにより、１本１本分断されて形成されていることから、走査線１１の分断箇所における、各走査線１１の２つの端部１１ｔ間となる境目に、図４に示すように、スペースｈ１を有する下層段差となる段部１５０が形成されている。段部１５０は、図５に示すように、画素電極９毎に設けられた隣接する走査線１１における各端部１１ｔから高低差を有して構成されている。
【００５５】
走査線１１は、同一行に存在するＴＦＴ３０のＯＮ（オン）・ＯＦＦ（オフ）を一斉に制御する機能を有する。また、走査線１１は、図３に示すように、画素電極９が形成されない領域を略埋めるように形成されていることから、ＴＦＴ３０に下側から入射しようとする光を遮る機能をも有している。即ち、走査線１１は、遮光機能も有している。これにより、ＴＦＴ３０の半導体膜１における光リーク電流の発生を抑制し、フリッカ等のない高品質な画像表示が可能となる。
【００５６】
走査線１１上に、後述する下地絶縁膜１２を介して、第２の膜である半導体膜１を含むＴＦＴ３０が積層されている。即ち、後述する下地絶縁膜１２上に、半導体膜１が積層されている。尚、半導体膜１は、約３０〜１５０ｎｍの膜厚、好ましくは約３５〜５０ｎｍの膜厚を有している。
【００５７】
ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）構造を有しており、例えばポリシリコン膜からなりゲート電極３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体膜１と、半導体ゲート電極３ａと、ゲート電極３ａと半導体膜１とを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２とから主要部が構成されている。
【００５８】
半導体膜１は、チャネル領域１ａ、ソース領域１ｄ、ドレイン領域１ｅを備えている。尚、本実施においては、ソース領域１ｄは、画素電極９を微細化するため、図３中、縦方向に隣接する画素電極９及びＴＦＴ３０間において接続されている。即ち共通化されている。よって、以下、ソース領域１ｄを共通ソース領域１ｄとして示す。
【００５９】
また、半導体膜１の共通ソース領域１ｄの走査線１１の段部１５０の上方に、図５に示すように、段部１５０に起因して２つの端部から構成された段部１４３が形成されている。段部１４３は、隣接する走査線１１の各端部１１ｔの膜厚（３０〜１５０ｎｍ）に起因して形成された各傾斜面４３と、走査線１１間のスペースｈ１に起因して形成された平坦面４４とから構成されている。尚、傾斜面４３は、共通ソース領域１ｄにおける脆弱部となっている。
【００６０】
走査線１１の上かつＴＦＴ３０の下に、例えばシリコン酸化膜等からなる第１の絶縁膜である下地絶縁膜１２が、例えばｈ２の膜厚に積層されている。尚、ｈ２の膜厚は、例えば約５００〜２０００ｎｍ程度とする。
【００６１】
下地絶縁膜１２は、走査線１１とＴＦＴ３０とを絶縁する機能のほか、ＴＦＴ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴ基板１０の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等による画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。
【００６２】
尚、下地絶縁膜１２に、図示しないコンタクトホールが形成されており、該コンタクトホールを介して、走査線１１は、ＴＦＴ３０のゲート電極３ａに電気的に接続されている。また、下地絶縁膜１２の走査線１１の段部１５０の上方位置も、図５に示すように、段部１５０に起因する２つの端部からなる段部が形成されている。
【００６３】
半導体膜１を含むＴＦＴ３０上に、後述する層間絶縁膜４１を介して、既知の蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０は、上述したように、画素電極９における電位保持特性を顕著に高める。
【００６４】
蓄積容量７０は、図４に示すように、ＴＦＴ３０のドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての下部電極７１と、固定電位側容量電極としての容量電極３００とが、図示しない誘電体膜を介して対向配置されることにより形成されている。
【００６５】
半導体膜１を含むＴＦＴ３０上に、例えば、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第２の絶縁膜である層間絶縁膜４１が積層されている。層間絶縁膜４１は、ＴＦＴ３０と、蓄積容量７０とを絶縁する。また、層間絶縁膜４１の走査線１１の段部１５０の上方位置も、図５に示すように、段部１５０に起因する２つの端部からなる段部が形成されている。
【００６６】
層間絶縁膜４１に、半導体膜１のドレイン領域１ｅと後述するデータ線６とを電気的に接続するためのコンタクトホール８３が、層間絶縁膜４１を貫通するよう開孔されている。尚、半導体膜１のドレイン領域１ｅは、コンタクトホール８３の他、複数のコンタクトホールにより、蓄積容量７０及び画素電極９と接続されている。
【００６７】
また、層間絶縁膜４１であって、走査線１１の段部１５０の上方位置に、隣接する画素電極９及びＴＦＴ３０の共通の半導体膜１の共通ソース領域１ｄとデータ線６とを電気的に接続するためのコンタクトホール８１が開孔されている。即ち、隣接する画素電極９間でコンタクトホール８１が共通化されて形成されている。
【００６８】
コンタクトホール８１の孔径ｒは、図５に示すように、段部１５０のスペースｈ１内における、隣接する走査線１１の各端部１１ｔから、下地絶縁膜１２の膜厚ｈ２以上平面的にそれぞれ離間するスペースｈ３以下の径となっている（ｈ３≧ｒ）。即ち、コンタクトホール８１は、半導体膜１の共通ソース領域１ｄの平坦面４４上に形成されている。
【００６９】
層間絶縁膜４１上に、データ線６が積層されている。このデータ線６は、下層から順に、例えばアルミニウムからなる層と、窒化チタンからなる層と、窒化シリコン膜からなる層との三層構造を有する膜として形成されている。尚、データ線６は、コンタクトホール８１により、半導体膜１の共通ソース領域１ｄと電気的に接続される。
【００７０】
データ線６上に、複数の層を介して、上述したように画素電極９がマトリクス状に形成され、該画素電極９上に配向膜１６が形成されている。また、データ線６の走査線１１の段部１５０上方も、図５に示すように、段部１５０に起因する段部が形成されている。
【００７１】
尚、上述した液晶装置１００の構成は、上記実施形態のような形態に限定されるものではなく、別の種々の形態が考えられ得る。
【００７２】
次に、本実施の作用について、上述した図３〜図５、及び図６を用いて説明する。図６は、半導体膜のソース領域とデータ線とを電気的に接続する従来のコンタクトホール近傍の構成を示す部分断面図である。
【００７３】
ＴＦＴ基板１０を製造するに際し、先ず、石英基板、ガラス、シリコン基板等のＴＦＴ基板１０が用意された後、ＴＦＴ基板１０の全面に、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ等の金属や金属シリサイド等の金属合金膜が、スパッタリングにより、１００〜５００ｎｍ程度の膜厚、好ましくは２００ｎｍの膜厚に積層される。
【００７４】
そして、金属合金膜がフォトリソグラフィ及びエッチング等によりパターニングされ、平面形状がストライプ状の走査線１１が形成される。尚、この際、図３中縦方向に隣接する画素電極９毎間に、走査線１１がパターンニングされることにより、走査線１１に、図３，図４に示すスペースｈ１を有する段部１５０が２つの端部１１ｔによりそれぞれ形成される。
【００７５】
次いで、走査線１１上に、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法等によりＴＥＯＳガス等を用いて、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）等の窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる下地絶縁膜１２が、ｈ２の膜厚に積層される。尚、この下地絶縁膜１２の膜厚ｈ２は、例えば約５００〜２０００ｎｍ程度とする。
【００７６】
次いで、半導体膜１が積層される。即ち、先ず、下地絶縁膜１２上に、約４５０〜５５０℃、好ましくは約５００℃の比較的低温環境中で、流量約４００〜６００ｃｃ／ｍｉｎのモノシランガス、ジシランガス等を用いた減圧ＣＶＤ（例えば、圧力約２０〜４０ＰａのＣＶＤ）によってアモルファスシリコン（ａ−ｓｉ）膜が形成される。その後、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、所定パターンを有する半導体膜１が形成される。
【００７７】
次いで、半導体膜１上に、１層又は多層の高温酸化シリコン膜（ＨＴＯ膜）や窒化シリコン膜からなる（ゲート絶縁膜を含む）絶縁膜２が積層された後、絶縁膜２に、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜が堆積され、更にリン（Ｐ）が熱拡散されて、ポリシリコン膜が導電化される。そして、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、ＴＦＴ３０のゲート電極部を含めて所定パターンのゲート電極３ａが形成される。
【００７８】
次いで、層間絶縁膜４１が積層される。この層間絶縁膜４１の膜厚は、例えば約５００〜２０００ｎｍ程度とするその後、層間絶縁膜４１に対する反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより、コンタクトホール８１及びコンタクトホール８３が、層間絶縁膜４１を貫通するよう開孔される。
【００７９】
この際、コンタクトホール８１は、半導体膜１の共通ソース領域１ｄに通ずるように、コンタクトホール８３は、ドレイン領域１ｅへ通ずるように、それぞれ形成される。また、コンタクトホール８１は、層間絶縁膜４１であって、走査線１１の段部１５０の上方に形成される。
【００８０】
さらに、コンタクトホール８１は、孔径ｒが、図５に示すように、段部１５０のスペースｈ１内における、隣接する走査線１１の各端部１１ｔから、下地絶縁膜１２の膜厚ｈ２以上それぞれ平面的に離間するスペースｈ３以下の径（ｈ３≧ｒ）となるよう形成される。即ち、コンタクトホール８１は、半導体膜１の共通ソース領域１ｄの脆弱部となる傾斜面４３を避けた、平坦面４４上に形成される。よって、コンタクトホール８１を形成する際の応力が、傾斜面４３に付加されてしまうことがない。
【００８１】
このことにより、図６に示すように、コンタクトホール８１の孔径ｒが、スペースｈ３よりも大きくなる（ｒ＞ｈ３）よう、コンタクトホール８１を層間絶縁膜４１に形成した従来の場合のように、コンタクトホール８１の形成応力が、共通ソース領域１ｄの各傾斜面４３に付加され、各傾斜面４３が破断してしまうことがない。
【００８２】
最後に、層間絶縁膜４１上に、所定パターンをもつデータ線６が形成される。この際、コンタクトホール８１を介して、データ線６と、半導体膜１の共通ソース領域１ｄとが、電気的に接続される。
【００８３】
尚、その他の各層の形成方法は、既存の方法と同じであるため、その詳しい説明は省略する。このようにして、ＴＦＴ基板１０は製造される。尚、上述した液晶装置の製造方法は、上記実施形態のような形態に限定されるものではなく、別の種々の形態が考えられ得る。
【００８４】
このように、本実施の形態においては、ＴＦＴ基板１０における、半導体膜１の共通ソース領域１ｄとデータ線６とを電気的に接続するための、層間絶縁膜４１に形成されたコンタクトホール８１は、走査線１１の段部１５０の上方に形成されていると示した。
【００８５】
また、コンタクトホール８１の孔径ｒが、図５に示すように、段部１５０のスペースｈ１内における、隣接する走査線１１の各端部１１ｔから、下地絶縁膜１２の膜厚ｈ２以上それぞれ平面的に離間するスペースｈ３以下の径（ｈ３≧ｒ）となるよう、コンタクトホール８１は、形成されていると示した。
【００８６】
このことによれば、コンタクトホール８１は、走査線１１の段部１５０、具体的には、隣接する走査線１１の各端部１１ｔの膜厚に起因して共通ソース領域１ｄに形成された段部１４３の脆弱部となる傾斜面４３を除く平坦面４４上に形成されるため、即ち傾斜面４３に形成されることがないことから、コンタクトホール８１の形成の際の形成応力により、共通ソース領域１ｄの傾斜面４３を、図６に示すように破断してしまうことがない。
【００８７】
このことから、コンタクトホール８１を、走査線１１の段部１５０上方に形成したとしても、半導体膜１の共通ソース領域１ｄと、共通ソース領域１ｄ上に積層されたデータ線６との電気的な接続が切断されてしまうことを確実に防止することができる。
【００８８】
以上から、データ線６及び半導体膜１の共通ソース領域１ｄを介して、隣接する各画素電極９に対し、画像信号を確実に供給することができるといった効果を有する。
【００８９】
（第２実施の形態）
図７は、本発明の第２実施を示す液晶装置におけるＴＦＴ基板の半導体膜の共通ソース領域とデータ線とを電気的に接続するコンタクトホール近傍の構成を示す部分拡大断面図である。
【００９０】
尚、本実施の構成は、上述した第１実施と比して、半導体膜１の共通ソース領域１ｄとデータ線６とを電気的に接続するための、層間絶縁膜４１に形成されたコンタクトホール８１の孔径ｒが、走査線１１の段部１５０の段部内のスペースｈ１よりも大きい点のみが異なる。よって、この相違点のみを説明し、第１実施の形態と同様の構成には同じ符号を付し、その説明は省略する。
【００９１】
図７に示すように、下地絶縁膜１２上に、半導体膜１の共通ソース領域１ｄが積層されている。この際、半導体膜１の共通ソース領域１ｄの走査線１１の段部１５０の上方は、段部１５０に起因して段部２４３が形成されている。
【００９２】
段部２４３は、隣接する走査線１１の各端部１１ｔの膜厚（３０〜１５０ｎｍ）に起因する傾斜面２４５を有している。尚、傾斜面２４５は、共通ソース領域１ｄにおける脆弱部となっている。
【００９３】
また、半導体膜１の共通ソース領域１ｄ上に、層間絶縁膜４１が積層されている。層間絶縁膜４１であって、走査線１１の段部１５０の上方に、隣接する画素電極９及びＴＦＴ３０の半導体膜１の共通ソース領域１ｄとデータ線６とを電気的に接続するためのコンタクトホール８１が開孔されている。
【００９４】
コンタクトホール８１の孔径ｒは、段部１５０の段部内のスペースｈ１よりも大きな径となっている（ｈ１＜ｒ）。即ち、コンタクトホール８１は、走査線１１の段部１５０における２つの端部１１ｔ間に平面的にまたがって形成されている。
【００９５】
次に、このように構成された本実施の作用について説明する。
層間絶縁膜４１であって、走査線１１の段部１５０の上方にコンタクトホール８１が形成されるに際し、コンタクトホール８１は、孔径ｒが、段部１５０の段部内のスペースｈ１よりも大きな径（ｈ１＜ｒ）となるよう形成される。
【００９６】
このことにより、コンタクトホール８１の形成応力が、共通ソース領域１ｄの段部２４３の各傾斜面２４５に付加された結果、各傾斜面２４５が破断してしまう場合があるが、コンタクトホール８１を介して、共通ソース領域１ｄ上に、データ線６が積層されると、該データ線６を介して、共通ソース領域１ｄの各傾斜面２４５における各破断部位は、電気的に接続される。
【００９７】
このように、本実施においては、ＴＦＴ基板１０における、半導体膜１の共通ソース領域１ｄとデータ線６とを電気的に接続するための、層間絶縁膜４１に形成されたコンタクトホール８１は、走査線１１の段部１５０の上方に形成されていると示した。また、コンタクトホール８１の孔径ｒが、段部１５０の段部内のスペースｈ１よりも大きな径（ｈ１＜ｒ）となるよう、コンタクトホール８１は、形成されていると示した。
【００９８】
このことによれば、コンタクトホール８１を形成した後、コンタクトホール８１の形成応力により、仮に、共通ソース領域１ｄの脆弱部となる傾斜面２４５が、破断してしまったとしても、形成されたコンタクトホール８１により共通ソース領域１ｄ上に積層されたデータ線６により、共通ソース領域１ｄは、データ線６を介して傾斜面２４５の破断部位が電気的に接続される。
【００９９】
このことから、コンタクトホール８１を、走査線１１の段部１５０上方に形成したとしても、半導体膜１の共通ソース領域１ｄとデータ線６との電気的な接続が切断されてしまうことがない。以上から、データ線６及び半導体膜の共通ソース領域１ｄを介して、隣接する各画素電極９に対し、画像信号を確実に供給することができるといった効果を有する。
【０１００】
尚、以下変形例を示す。
上述した第１実施及び第２実施においては、走査線１１の段部１５０上方の層間絶縁膜４１に、共通ソース領域１ｄとデータ線６とを電気的に接続するためのコンタクトホール８１を形成した後、コンタクトホール８１の形成に起因して、共通ソース領域１ｄとデータ線６との電気的な接続が切断されてしまうのを防ぐと示した。
【０１０１】
この箇所に限らず、下層に段部を有し、上層に、該上層における各層を電気的に接続するコンタクトホールを形成する場合であれば、どの層におけるコンタクトホールの形成に第１及び第２実施を適用したとしても、第１及び第２実施と同様に、コンタクトホールの形成により、各層の電気的な接続が切断されてしまうのを防止することができる。
【０１０２】
また、上述した第１及び第２実施においては、ソース領域１ｄは、図３中、縦方向に隣接する画素電極９及びＴＦＴ３０間において共通となっていると示したが、これに限らず、ソース領域１ｄが、画素電極９及びＴＦＴ３０毎に個々に形成されたＴＦＴ基板に、第１及び第２実施を適用してもよい。
【０１０３】
さらに、段部１５０を構成する端部１１ｔは、２つから構成されていると示したが、これに限らず、１つから構成されていても良いことはいうまでもない。
【０１０４】
また、液晶装置は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上述した液晶装置は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールを例に挙げて説明したが、これに限らず、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールであっても構わない。
【０１０５】
さらに、第１及び第２実施においては、電気光学装置は、液晶装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、エレクトロルミネッセンス装置、特に、有機エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置等や、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）装置、ＳＥＤ(Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ)装置、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管または液晶シャッター等を用いた小型テレビを用いた装置などの各種の電気光学装置に適用できる。
【０１０６】
また、電気光学装置は、半導体基板に素子を形成する表示用デバイス、例えばＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）等であっても構わない。ＬＣＯＳでは、素子基板として単結晶シリコン基板を用い、画素や周辺回路に用いるスイッチング素子としてトランジスタを単結晶シリコン基板に形成する。また、画素には、反射型の画素電極を用い、画素電極の下層に画素の各素子を形成する。
【０１０７】
また、電気光学装置は、片側の基板の同一層に、一対の電極が形成される表示用デバイス、例えばＩＰＳ（In-Plane Switching）や、片側の基板において、絶縁膜を介して一対の電極が形成される表示用デバイスＦＦＳ（Fringe Field Switching）等であっても構わない。
【０１０８】
さらに、本発明の液晶装置が用いられる電子機器としては、投写型表示装置、具体的には、プロジェクタが挙げられる。図８は、図１の液晶装置が３つ配設されたプロジェクタの構成を示す図である。
【０１０９】
同図に示すように、プロジェクタ１１００に、液晶装置１００は、各々ＲＧＢ用のライトバルブとして、例えば３つ（１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂ）配設されている。
【０１１０】
プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投写光が発せされると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によって、ＲＧＢの３原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂに各々導かれる。
【０１１１】
この際、特にＢ光は、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。
【０１１２】
そして、ライトバルブ１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂにより各々変調された３原色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成された後、投写レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投写される。
【産業上の利用可能性】
【０１１３】
また、本発明の液晶装置が用いられる電子機器としては、他の光投写型表示装置や、携帯電話機、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）と呼ばれる携帯型情報機器や携帯型パーソナルコンピュータ、パーソナルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、車載用モニタ、デジタルビデオカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末機等、電気光学装置である液晶表示モジュールを用いる機器が挙げられる。したがって、これらの電子機器においても、本発明が適用可能であることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【０１１４】
【図１】本発明の第１実施を示す液晶装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図。
【図２】図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図。
【図３】図１の液晶装置を構成するＴＦＴ基板上に形成された隣接した複数の画素について各層の成膜パターンを部分的かつ概略的に示す平面図。
【図４】図３中のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図。
【図５】図４の半導体膜の共通ソース領域とデータ線とを電気的に接続するコンタクトホール近傍の構成を示す部分拡大断面図。
【図６】半導体膜の共通ソース領域とデータ線とを電気的に接続する従来のコンタクトホール近傍の構成を示す部分断面図。
【図７】本発明の第２実施を示す液晶装置におけるＴＦＴ基板の半導体膜の共通ソース領域とデータ線とを電気的に接続するコンタクトホール近傍の構成を示す部分拡大断面図。
【図８】図１の液晶装置が３つ配設されたプロジェクタの構成を示す図。
【符号の説明】
【０１１５】
１…半導体膜、１ｄ…共通ソース領域、６…データ線、９…画素電極、１０…ＴＦＴ基板、１０ｈ…ＴＦＴ基板の表示領域、１１…走査線（遮光膜）、１１ｔ…端部、１２…下層絶縁膜、２０…対向基板、３０…ＴＦＴ、４１…層間絶縁膜、５０…液晶、８１…コンタクトホール、１００…電気光学装置、１５０…段部、１１００…プロジェクタ、ｈ１…段部のスペース、ｈ２…下層絶縁膜の膜厚、ｒ…コンタクトホールの孔径。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、下層に形成された端部の上方に、複数の上層の各膜間を電気的に接続するためのコンタクトホールが形成された基板を有する電気光学装置、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、電気光学装置、例えば液晶装置は、ガラス基板、石英基板等からなる２枚の基板間に液晶が挟持されて構成されており、一方の基板に、例えば複数の薄膜トランジスタ(Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下、ＴＦＴと称す)等のスイッチング素子及び画素電極をマトリクス状に配置し、他方の基板に対向電極を配置して、両基板間に挟持した液晶層の光学特性を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能としている。
【０００３】
即ち、ＴＦＴ等のスイッチング素子によってマトリクス状に配列された複数の画素電極（ＩＴＯ；Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）に画像信号を供給し、画素電極と対向電極相互間の液晶層に画像信号に基づく電圧を印加して、液晶分子の配列を変化させる。これにより、画素の透過率を変化させ、画素電極及び液晶層を通過する光を画像信号に応じて変化させて画像表示を行う。
【０００４】
ＴＦＴは、走査線を介してゲート電極に走査信号を供給することによりオン状態となる。その後、半導体膜のソース領域にデータ線を介して供給された画像信号は、オン状態となったＴＦＴを介して画素電極に供給され、画像表示が行われるようになっている。
【０００５】
ところで、半導体膜のソース領域とデータ線とは、コンタクトホールを介して接続される。具体的には、半導体膜上に層間絶縁膜が積層され、該層間絶縁膜のソース領域の上方に、該層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールが形成された後、コンタクトホールを埋めながら層間絶縁膜上にデータ線が積層されることにより、コンタクトホールにより露出された半導体膜のソース領域とデータ線とが接続されている。
【０００６】
この半導体膜のソース領域とデータ線とを接続するためのコンタクトホールは、複数の画素電極及びＴＦＴ毎に形成されることが周知であるが、例えば特許文献１に記載された液晶装置に用いる基板においては、画素電極の微細化を図る目的で、隣接するＴＦＴの各半導体膜を、各々の半導体膜のソース領域において接続する、即ち共通化する技術の提案がなされている。この場合、共通化された半導体膜のソース領域とデータ線とは、共通の、即ち１つのコンタクトホールで接続される。
【特許文献１】特開平１０−１７７１９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ここで、特許文献１に開示された技術では、共通のコンタクトホールは、隣り合う画素電極毎に形成された、走査線の隣り合う２つの端部間の上方に形成されている。
【０００８】
具体的には、石英等の基板上に走査線が積層され、該走査線がＴＦＴ毎にパターンニングされた後、該走査線上に、第１の層間絶縁膜が形成され、さらに第１の層間絶縁膜上に半導体膜が積層される。その後、半導体膜の走査線の端部間の上方に、例えば不純物がドープされることにより、ソース領域が形成される。
【０００９】
尚、この際、第１の層間絶縁膜及びソース領域の走査線の端部間の上方は、走査線の端部間の形状に沿った形状に形成される。よって、第１の層間絶縁膜及びソース領域にも２つの端部が形成され、その結果、第１の層間絶縁膜及びソース領域の２つの端部近傍に、脆弱部となる傾斜面が形成される。
【００１０】
その後、半導体膜上に第２の層間絶縁膜が形成される。この際も、第２の層間絶縁膜の走査線の端部間の上方は、走査線の端部間の形状に沿った形状に形成される。最後に、第２の層間絶縁膜の走査線の端部間の上方、即ち、ソース領域の２つの端部間上に、第２の層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールが形成されるのである。
【００１１】
しかしながら、コンタクトホールは、ソース領域の２つの端部間上に形成されるため、コンタクトホールを形成した後、ソース領域の２つの端部近傍の脆弱部となる傾斜面を破断してしまう場合がある。
【００１２】
その結果、第２の層間絶縁膜上にデータ線を積層した後、ソース領域とデータ線との電気的な接続が切断されてしまい、データ線から供給された画像信号が、画素電極に供給することができなくなってしまう場合があった。
【００１３】
本発明は上記問題点に着目してなされたものであり、その目的は、層間を電気的に接続するために形成されるコンタクトホールを、コンタクトホールの下層に形成された端部上に形成するに際し、コンタクトホールの形成に起因する層間の電気的な接続の切断を確実に防止できる構造を有する電気光学装置、電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置は、基板に成膜されるとともに、端部が少なくとも一部に形成された第１の膜と、前記第１の膜上に積層された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に積層された第２の膜と、前記第２の膜上に積層された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の前記端部の上方に、該第２の絶縁膜を貫通するよう形成されたコンタクトホールと、を具備し、前記コンタクトホールは、前記端部から、平面的に前記第１の絶縁膜の膜厚以上離間した位置に形成されていることを特徴とする。
【００１５】
本発明の電気光学装置によれば、第２の絶縁膜の、第１の膜に形成された端部の上方に、第２の絶縁膜を貫通するようコンタクトホールを形成した際、該コンタクトホールは、該コンタクトホールの下層となる第１の膜の端部から、平面的に第１の絶縁膜の膜厚以上離間した位置に形成される。このことから、コンタクトホールは、第２の膜において第１の膜の端部に起因して形成された脆弱部となる傾斜面を除く平坦面上に形成されるため、即ち第２の膜の脆弱部上に形成されることがないため、コンタクトホールの形成により、第２の膜を破断してしまうことがない。よって、第２の膜と、形成されたコンタクトホールを介して第２の膜上に積層された第３の膜との電気的な接続が、コンタクトホールの形成により切断されてしまうことを確実に防止することができるという効果を有する。
【００１６】
また、本発明に係る電気光学装置は、基板に成膜されるとともに、隣接する２つの端部が少なくとも一部に形成された第１の膜と、前記第１の膜上に積層された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に積層された第２の膜と、前記第２の膜上に積層された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の２つの前記端部の上方に、該第２の絶縁膜を貫通するよう形成されたコンタクトホールと、を具備し、前記コンタクトホールは、２つの前記端部から、平面的に前記第１の絶縁膜の膜厚以上それぞれ離間した位置に形成されていることを特徴とする。
【００１７】
本発明の電気光学装置によれば、コンタクトホールは、第２の膜において第１の膜の２つの端部に起因して形成された脆弱部となる傾斜面を除く平坦面上に形成されるため、即ち第２の膜の脆弱部上に形成されることがないため、コンタクトホールの形成により、第２の膜を破断してしまうことがない。よって、第２の膜と、形成されたコンタクトホールを介して第２の膜上に積層された第３の膜との電気的な接続が、コンタクトホールの形成により切断されてしまうことを確実に防止することができるという効果を有する。
【００１８】
また、本発明に係る電気光学装置は、基板に成膜されるとともに、隣接する２つの端部が少なくとも一部に形成された第１の膜と、前記第１の膜上に積層された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に積層された第２の膜と、前記第２の膜上に積層された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の２つの前記端部の上方に、該第２の絶縁膜を貫通するよう形成されたコンタクトホールと、を具備し、前記コンタクトホールは、隣接する２つの前記端部間に平面的にまたがって配置されていることを特徴とする。
【００１９】
本発明の電気光学装置によれば、第２の絶縁膜の、第１の膜に形成された２つの端部の上方に、第２の絶縁膜を貫通するようコンタクトホールを形成した際、該コンタクトホールは、２つの端部間に平面的にまたがって配置されることにより、仮にコンタクトホールを形成した後、第２の膜において２つの端部に起因して形成された脆弱部となる傾斜面が破断してしまったとしても、第２の膜上に積層された第３の膜により、第２の膜は、第３の膜を介して破断部位が電気的に接続される。よって、第２の膜と第３の膜との電気的な接続が、コンタクトホールの形成により切断されてしまうことを確実に防止することができるという効果を有する。
【００２０】
さらに、表示領域に画素電極と該画素電極に対応して設けられたスイッチング素子とが形成された第１の基板と、前記第１の基板に対向配置される第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された電気光学物質とを具備し、前記基板は、前記第１の基板であることを特徴とする。
【００２１】
本発明の電気光学装置によれば、電気光学装置が、表示領域に画素電極と該画素電極に対応して設けられたスイッチング素子とが形成された第１の基板と、前記第１の基板に対向配置される第２の基板との間に電気光学物質が挟持されて構成されていたとしても、第１の基板上に成膜された、導電性を有する第２の膜と、第２の膜上に形成されたコンタクトホールにより積層された導電性を有する第３の膜との電気的な接続が、コンタクトホールの形成により切断されてしまうことを確実に防止することができるという効果を有する。
【００２２】
また、前記画素電極及び前記スイッチング素子は、前記第１の基板に複数設けられており、前記第１の膜は、前記スイッチング素子をオンまたはオフする、前記画素電極毎に設けられた走査線であることを特徴とする。
【００２３】
さらに、２つの前記端部は、前記画素電極毎に設けられた隣接する前記走査線の各前記端部から構成されていることを特徴とする。
【００２４】
また、前記第２の膜は、前記スイッチング素子を構成する半導体膜であることを特徴とする。
【００２５】
さらに、前記半導体膜のソース領域と、前記第２の絶縁膜上に成膜された前記画素電極に画像信号を供給するデータ線とは、前記コンタクトホールを介して電気的に接続されていることを特徴とする。
【００２６】
本発明の電気光学装置によれば、コンタクトホールは、走査線の２つの端部に起因して形成された半導体膜の脆弱部となる傾斜面を除く平坦面上に形成されるため、即ち半導体膜の脆弱部に形成されることがないため、コンタクトホールの形成により半導体膜を破断してしまうことがない。よって、半導体膜のソース領域と、形成されたコンタクトホールにより半導体膜のソース領域上に積層されたデータ線との電気的な接続が切断されてしまうことを確実に防止することができる。また、コンタクトホールを形成した後、半導体膜の脆弱部となる傾斜面が、破断してしまったとしても、半導体膜上に形成されたコンタクトホールにより積層されたデータ線により、半導体膜のソース領域は、データ線を介して破断部位が電気的に接続される。よって、半導体膜のソース領域とデータ線との電気的な接続が切断されてしまうことがない。以上から、データ線及び半導体膜のソース領域を介して、隣接する各画素電極に対し、画像信号を確実に供給することができるといった効果を有する。
【００２７】
また、隣接する前記画素電極の各々に設けられた２つの前記スイッチング素子の前記半導体膜は、ソース領域側で繋がっており、前記ソース領域と前記データ線とが、１つの前記コンタクトホールを介して電気的に接続されていることを特徴とする。
【００２８】
本発明によれば、隣接する画素電極を微細化することができる。よって、画素電極の微細化を図る目的で、隣接する各半導体膜のソース領域の共通の１つのコンタクトホールを形成した際、各半導体膜のソース領域とデータ線との電気的な接続が切断されてしまうのを防止することができるとともに、データ線及び各半導体膜のソース領域を介して、各画素電極に対し、それぞれ画像信号を確実に供給することができるといった効果を有する。
【００２９】
本発明に係る電子機器は、基板に成膜されるとともに、端部が少なくとも一部に形成された第１の膜と、前記第１の膜上に積層された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に積層された第２の膜と、前記第２の膜上に積層された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の前記端部の上方に、該第２の絶縁膜を貫通するよう形成されたコンタクトホールと、を具備し、前記コンタクトホールは、前記端部から、平面的に前記第１の絶縁膜の膜厚以上離間した位置に形成されていることを特徴とする電気光学装置を有する。
【００３０】
また、本発明に関わる電子機器は、基板に成膜されるとともに、隣接する２つの端部が少なくとも一部に形成された第１の膜と、前記第１の膜上に積層された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に積層された第２の膜と、前記第２の膜上に積層された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の２つの前記端部の上方に、該第２の絶縁膜を貫通するよう形成されたコンタクトホールと、を具備し、前記コンタクトホールは、２つの前記端部から、平面的に前記第１の絶縁膜の膜厚以上それぞれ離間した位置に形成されていることを特徴とする電気光学装置を有する。
【００３１】
さらに、本発明に関わる電子機器は、基板に成膜されるとともに、隣接する２つの端部が少なくとも一部に形成された第１の膜と、前記第１の膜上に積層された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に積層された第２の膜と、前記第２の膜上に積層された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の２つの前記端部の上方に、該第２の絶縁膜を貫通するよう形成されたコンタクトホールと、を具備し、前記コンタクトホールは、隣接する２つの前記端部間に平面的にまたがって配置されていることを特徴とする電気光学装置を有する。
【００３２】
本発明の電子機器によれば、導電性を有する第２の膜と、形成されたコンタクトホールにより第２の膜上に積層された導電性を有する第３の膜との電気的な接続が、コンタクトホールの形成により切断されてしまうことを防止することができる基板を有する電気光学装置により電子機器が構成されていることから、信頼性の高い電子機器を提供することができるという効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、図面を参照にして本発明の実施の形態を説明する。尚、本実施では、電気光学装置は、例えばＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のスイッチング素子（以下、ＴＦＴと称す）が形成された第１の基板である素子基板及び該素子基板に対向配置される第２の基板である対向基板を用いた液晶装置を例に挙げて説明する。
【００３４】
（第１実施の形態）
先ず、本実施の液晶装置の構成について説明する。図１は、本発明の第１実施を示す液晶装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図、図２は、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図、図３は、図１の液晶装置を構成するＴＦＴ基板上に形成された隣接した複数の画素について各層の成膜パターンを部分的かつ概略的に示す平面図、図４は、図３中のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図、図５は、図４の半導体膜のソース領域とデータ線とを電気的に接続するコンタクトホール近傍の構成を示す部分拡大断面図である。
【００３５】
図１，図２に示すように、液晶装置１００は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板を用いた素子基板（以下、ＴＦＴ基板と称す）１０と、該ＴＦＴ基板１０に対向配置される、例えばガラス基板や石英基板を用いた対向基板２０との間の内部空間に、電気光学物質である液晶５０が介在されて構成される。対向配置されたＴＦＴ基板１０と対向基板２０とは、シール材５２によって貼り合わされている。
【００３６】
ＴＦＴ基板１０の基板上の液晶５０と接する面側に、液晶装置１００の表示領域４０を構成するＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈが構成されている。また、表示領域１０ｈに、画素を構成する画素電極（ＩＴＯ）９と該画素電極９に対応して設けられたスイッチング素子（以下、ＴＦＴ３０と称す）等がマトリクス状に配置されている。
【００３７】
詳しくは、図３に示すように、表示領域１０ｈにおいては、複数本の走査線（ゲート線）１１と複数本のデータ線（ソース線）６とが交差するように配線され、走査線１１とデータ線６とで区画された領域に、画素電極９がマトリクス状に複数配置される。
【００３８】
データ線６は、アルミニウム膜等を含む積層構造からなり、走査線１１は、例えばタングステンシリサイド（ｗ−ｓｉ）膜等からなる。また、走査線１１は、半導体膜１のチャネル領域１ａ（いずれも図４参照）に対向するＴＦＴ３０のゲート電極３ａに、図示しない手段により電気的に接続されている。
【００３９】
即ち、走査線１１とデータ線６との交差する箇所には、走査線１１に接続されたゲート電極３ａとチャネル領域１ａとが対向配置されて画素スイッチング用のＴＦＴ３０がそれぞれ構成されている。
【００４０】
ＴＦＴ３０は、走査線１１のＯＮ信号によってオンとなり、これにより、データ線６に供給された画像信号が画素電極９に供給される。この際、表示画像の焼き付き等を防止するため、各画素電極９に印加される駆動電圧の極性を、例えば画像信号におけるフィールド毎に反転させる反転駆動が行われている。この画素電極９と対向基板２０に設けられた後述する共通電極２１との間の電圧が、液晶５０に印加される。
【００４１】
また、画素電極９と並列に、蓄積容量７０（図４参照）が設けられており、蓄積容量７０によって、画素電極９の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも、例えば３桁も長い時間の保持が可能となる。蓄積容量７０によって、電圧保持特性が改善され、コントラスト比の高い画像表示が可能となる。
【００４２】
また、対向基板２０の基板上の全面に、共通電極（ＩＴＯ）２１が設けられており、共通電極２１のＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈに対向する位置の液晶５０と接する面側に、液晶装置１００の表示領域４０を構成する対向基板２０の表示領域２０ｈが構成されている。
【００４３】
ＴＦＴ基板１０の画素電極９上に、ラビング処理が施された第１の配向膜１６が設けられており、また、対向基板２０上の全面に渡って形成された共通電極２１上にも、ラビング処理が施された第２の配向膜２６が設けられている。各配向膜１６，２６は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。
【００４４】
対向基板２０に、ＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈ及び対向基板２０の表示領域２０ｈの外周を、画素領域において規定し区画することにより、表示領域を規定する額縁としての遮光膜５３が設けられている。
【００４５】
即ち、表示領域１０ｈ，２０ｈは、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０の画素領域において遮光膜５３により遮光されていない領域となる。シール材５２は、塗布後、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０とを相互に固着する。
【００４６】
液晶５０がＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間の空間に、既知の液晶注入方式で注入される場合、シール材５２は、シール材５２の１辺の一部において欠落して塗布されている。シール材５２の欠落した箇所は、該欠落した箇所から貼り合わされたＴＦＴ基板１０及び対向基板２０との間に液晶５０を注入するための液晶注入口１０８を構成している。
【００４７】
液晶注入口１０８は、液晶注入後、封止材１０９で封止される。尚、液晶滴下方式で液晶５０が介在される場合は、シール材５２には液晶注入口１０８が形成されず、シール材５２は、連続的な周状に塗布されている。
【００４８】
シール材５２の外側の領域に、ＴＦＴ基板１０の図示しないデータ線に画像信号を所定のタイミングで供給して該データ線を駆動するデータ線駆動回路１０１及び外部回路との接続のための外部接続端子１０２が、ＴＦＴ基板１０の一辺に沿って設けられている。
【００４９】
この一辺に隣接する二辺に沿って、ＴＦＴ基板１０の走査線１１及びゲート電極３ａに走査信号を所定のタイミングで供給することにより、ゲート電極３ａを駆動する走査線駆動回路１０３，１０４が設けられている。走査線駆動回路１０３，１０４は、シール材５２の内側の遮光膜５３に対向する位置において、ＴＦＴ基板１０上に形成される。
【００５０】
また、ＴＦＴ基板１０上に、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０３，１０４、外部接続端子１０２及び上下導通端子１０７を接続する配線１０５が、遮光膜５３の３辺に対向して設けられている。
【００５１】
上下導通端子１０７は、シール材５２のコーナー部の４箇所のＴＦＴ基板１０上に形成されている。そして、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０相互間に、下端が上下導通端子１０７に接触し上端が共通電極２１に接触する上下導通材１０６が設けられており、該上下導通材１０６によって、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通がとられている。
【００５２】
また、図４に示すように、ＴＦＴ基板１０上に、ＴＦＴ３０や画素電極９の他、これらを含む各種の構成が積層構造をなして備えられている。尚、この積層構造は周知であるため、概略的に説明する。
【００５３】
ＴＦＴ基板１０上に、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、或いは導電性ポリシリコン等からなる第１の膜である走査線１１が成膜されている。
【００５４】
走査線１１は、図３中、縦方向に隣り合う画素電極９毎に、パターンニングにより、１本１本分断されて形成されていることから、走査線１１の分断箇所における、各走査線１１の２つの端部１１ｔ間となる境目に、図４に示すように、スペースｈ１を有する下層段差となる段部１５０が形成されている。段部１５０は、図５に示すように、画素電極９毎に設けられた隣接する走査線１１における各端部１１ｔから高低差を有して構成されている。
【００５５】
走査線１１は、同一行に存在するＴＦＴ３０のＯＮ（オン）・ＯＦＦ（オフ）を一斉に制御する機能を有する。また、走査線１１は、図３に示すように、画素電極９が形成されない領域を略埋めるように形成されていることから、ＴＦＴ３０に下側から入射しようとする光を遮る機能をも有している。即ち、走査線１１は、遮光機能も有している。これにより、ＴＦＴ３０の半導体膜１における光リーク電流の発生を抑制し、フリッカ等のない高品質な画像表示が可能となる。
【００５６】
走査線１１上に、後述する下地絶縁膜１２を介して、第２の膜である半導体膜１を含むＴＦＴ３０が積層されている。即ち、後述する下地絶縁膜１２上に、半導体膜１が積層されている。尚、半導体膜１は、約３０〜１５０ｎｍの膜厚、好ましくは約３５〜５０ｎｍの膜厚を有している。
【００５７】
ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）構造を有しており、例えばポリシリコン膜からなりゲート電極３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体膜１と、半導体ゲート電極３ａと、ゲート電極３ａと半導体膜１とを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２とから主要部が構成されている。
【００５８】
半導体膜１は、チャネル領域１ａ、ソース領域１ｄ、ドレイン領域１ｅを備えている。尚、本実施においては、ソース領域１ｄは、画素電極９を微細化するため、図３中、縦方向に隣接する画素電極９及びＴＦＴ３０間において接続されている。即ち共通化されている。よって、以下、ソース領域１ｄを共通ソース領域１ｄとして示す。
【００５９】
また、半導体膜１の共通ソース領域１ｄの走査線１１の段部１５０の上方に、図５に示すように、段部１５０に起因して２つの端部から構成された段部１４３が形成されている。段部１４３は、隣接する走査線１１の各端部１１ｔの膜厚（３０〜１５０ｎｍ）に起因して形成された各傾斜面４３と、走査線１１間のスペースｈ１に起因して形成された平坦面４４とから構成されている。尚、傾斜面４３は、共通ソース領域１ｄにおける脆弱部となっている。
【００６０】
走査線１１の上かつＴＦＴ３０の下に、例えばシリコン酸化膜等からなる第１の絶縁膜である下地絶縁膜１２が、例えばｈ２の膜厚に積層されている。尚、ｈ２の膜厚は、例えば約５００〜２０００ｎｍ程度とする。
【００６１】
下地絶縁膜１２は、走査線１１とＴＦＴ３０とを絶縁する機能のほか、ＴＦＴ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴ基板１０の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等による画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。
【００６２】
尚、下地絶縁膜１２に、図示しないコンタクトホールが形成されており、該コンタクトホールを介して、走査線１１は、ＴＦＴ３０のゲート電極３ａに電気的に接続されている。また、下地絶縁膜１２の走査線１１の段部１５０の上方位置も、図５に示すように、段部１５０に起因する２つの端部からなる段部が形成されている。
【００６３】
半導体膜１を含むＴＦＴ３０上に、後述する層間絶縁膜４１を介して、既知の蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０は、上述したように、画素電極９における電位保持特性を顕著に高める。
【００６４】
蓄積容量７０は、図４に示すように、ＴＦＴ３０のドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての下部電極７１と、固定電位側容量電極としての容量電極３００とが、図示しない誘電体膜を介して対向配置されることにより形成されている。
【００６５】
半導体膜１を含むＴＦＴ３０上に、例えば、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第２の絶縁膜である層間絶縁膜４１が積層されている。層間絶縁膜４１は、ＴＦＴ３０と、蓄積容量７０とを絶縁する。また、層間絶縁膜４１の走査線１１の段部１５０の上方位置も、図５に示すように、段部１５０に起因する２つの端部からなる段部が形成されている。
【００６６】
層間絶縁膜４１に、半導体膜１のドレイン領域１ｅと後述するデータ線６とを電気的に接続するためのコンタクトホール８３が、層間絶縁膜４１を貫通するよう開孔されている。尚、半導体膜１のドレイン領域１ｅは、コンタクトホール８３の他、複数のコンタクトホールにより、蓄積容量７０及び画素電極９と接続されている。
【００６７】
また、層間絶縁膜４１であって、走査線１１の段部１５０の上方位置に、隣接する画素電極９及びＴＦＴ３０の共通の半導体膜１の共通ソース領域１ｄとデータ線６とを電気的に接続するためのコンタクトホール８１が開孔されている。即ち、隣接する画素電極９間でコンタクトホール８１が共通化されて形成されている。
【００６８】
コンタクトホール８１の孔径ｒは、図５に示すように、段部１５０のスペースｈ１内における、隣接する走査線１１の各端部１１ｔから、下地絶縁膜１２の膜厚ｈ２以上平面的にそれぞれ離間するスペースｈ３以下の径となっている（ｈ３≧ｒ）。即ち、コンタクトホール８１は、半導体膜１の共通ソース領域１ｄの平坦面４４上に形成されている。
【００６９】
層間絶縁膜４１上に、データ線６が積層されている。このデータ線６は、下層から順に、例えばアルミニウムからなる層と、窒化チタンからなる層と、窒化シリコン膜からなる層との三層構造を有する膜として形成されている。尚、データ線６は、コンタクトホール８１により、半導体膜１の共通ソース領域１ｄと電気的に接続される。
【００７０】
データ線６上に、複数の層を介して、上述したように画素電極９がマトリクス状に形成され、該画素電極９上に配向膜１６が形成されている。また、データ線６の走査線１１の段部１５０上方も、図５に示すように、段部１５０に起因する段部が形成されている。
【００７１】
尚、上述した液晶装置１００の構成は、上記実施形態のような形態に限定されるものではなく、別の種々の形態が考えられ得る。
【００７２】
次に、本実施の作用について、上述した図３〜図５、及び図６を用いて説明する。図６は、半導体膜のソース領域とデータ線とを電気的に接続する従来のコンタクトホール近傍の構成を示す部分断面図である。
【００７３】
ＴＦＴ基板１０を製造するに際し、先ず、石英基板、ガラス、シリコン基板等のＴＦＴ基板１０が用意された後、ＴＦＴ基板１０の全面に、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ等の金属や金属シリサイド等の金属合金膜が、スパッタリングにより、１００〜５００ｎｍ程度の膜厚、好ましくは２００ｎｍの膜厚に積層される。
【００７４】
そして、金属合金膜がフォトリソグラフィ及びエッチング等によりパターニングされ、平面形状がストライプ状の走査線１１が形成される。尚、この際、図３中縦方向に隣接する画素電極９毎間に、走査線１１がパターンニングされることにより、走査線１１に、図３，図４に示すスペースｈ１を有する段部１５０が２つの端部１１ｔによりそれぞれ形成される。
【００７５】
次いで、走査線１１上に、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法等によりＴＥＯＳガス等を用いて、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）等の窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる下地絶縁膜１２が、ｈ２の膜厚に積層される。尚、この下地絶縁膜１２の膜厚ｈ２は、例えば約５００〜２０００ｎｍ程度とする。
【００７６】
次いで、半導体膜１が積層される。即ち、先ず、下地絶縁膜１２上に、約４５０〜５５０℃、好ましくは約５００℃の比較的低温環境中で、流量約４００〜６００ｃｃ／ｍｉｎのモノシランガス、ジシランガス等を用いた減圧ＣＶＤ（例えば、圧力約２０〜４０ＰａのＣＶＤ）によってアモルファスシリコン（ａ−ｓｉ）膜が形成される。その後、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、所定パターンを有する半導体膜１が形成される。
【００７７】
次いで、半導体膜１上に、１層又は多層の高温酸化シリコン膜（ＨＴＯ膜）や窒化シリコン膜からなる（ゲート絶縁膜を含む）絶縁膜２が積層された後、絶縁膜２に、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜が堆積され、更にリン（Ｐ）が熱拡散されて、ポリシリコン膜が導電化される。そして、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、ＴＦＴ３０のゲート電極部を含めて所定パターンのゲート電極３ａが形成される。
【００７８】
次いで、層間絶縁膜４１が積層される。この層間絶縁膜４１の膜厚は、例えば約５００〜２０００ｎｍ程度とするその後、層間絶縁膜４１に対する反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより、コンタクトホール８１及びコンタクトホール８３が、層間絶縁膜４１を貫通するよう開孔される。
【００７９】
この際、コンタクトホール８１は、半導体膜１の共通ソース領域１ｄに通ずるように、コンタクトホール８３は、ドレイン領域１ｅへ通ずるように、それぞれ形成される。また、コンタクトホール８１は、層間絶縁膜４１であって、走査線１１の段部１５０の上方に形成される。
【００８０】
さらに、コンタクトホール８１は、孔径ｒが、図５に示すように、段部１５０のスペースｈ１内における、隣接する走査線１１の各端部１１ｔから、下地絶縁膜１２の膜厚ｈ２以上それぞれ平面的に離間するスペースｈ３以下の径（ｈ３≧ｒ）となるよう形成される。即ち、コンタクトホール８１は、半導体膜１の共通ソース領域１ｄの脆弱部となる傾斜面４３を避けた、平坦面４４上に形成される。よって、コンタクトホール８１を形成する際の応力が、傾斜面４３に付加されてしまうことがない。
【００８１】
このことにより、図６に示すように、コンタクトホール８１の孔径ｒが、スペースｈ３よりも大きくなる（ｒ＞ｈ３）よう、コンタクトホール８１を層間絶縁膜４１に形成した従来の場合のように、コンタクトホール８１の形成応力が、共通ソース領域１ｄの各傾斜面４３に付加され、各傾斜面４３が破断してしまうことがない。
【００８２】
最後に、層間絶縁膜４１上に、所定パターンをもつデータ線６が形成される。この際、コンタクトホール８１を介して、データ線６と、半導体膜１の共通ソース領域１ｄとが、電気的に接続される。
【００８３】
尚、その他の各層の形成方法は、既存の方法と同じであるため、その詳しい説明は省略する。このようにして、ＴＦＴ基板１０は製造される。尚、上述した液晶装置の製造方法は、上記実施形態のような形態に限定されるものではなく、別の種々の形態が考えられ得る。
【００８４】
このように、本実施の形態においては、ＴＦＴ基板１０における、半導体膜１の共通ソース領域１ｄとデータ線６とを電気的に接続するための、層間絶縁膜４１に形成されたコンタクトホール８１は、走査線１１の段部１５０の上方に形成されていると示した。
【００８５】
また、コンタクトホール８１の孔径ｒが、図５に示すように、段部１５０のスペースｈ１内における、隣接する走査線１１の各端部１１ｔから、下地絶縁膜１２の膜厚ｈ２以上それぞれ平面的に離間するスペースｈ３以下の径（ｈ３≧ｒ）となるよう、コンタクトホール８１は、形成されていると示した。
【００８６】
このことによれば、コンタクトホール８１は、走査線１１の段部１５０、具体的には、隣接する走査線１１の各端部１１ｔの膜厚に起因して共通ソース領域１ｄに形成された段部１４３の脆弱部となる傾斜面４３を除く平坦面４４上に形成されるため、即ち傾斜面４３に形成されることがないことから、コンタクトホール８１の形成の際の形成応力により、共通ソース領域１ｄの傾斜面４３を、図６に示すように破断してしまうことがない。
【００８７】
このことから、コンタクトホール８１を、走査線１１の段部１５０上方に形成したとしても、半導体膜１の共通ソース領域１ｄと、共通ソース領域１ｄ上に積層されたデータ線６との電気的な接続が切断されてしまうことを確実に防止することができる。
【００８８】
以上から、データ線６及び半導体膜１の共通ソース領域１ｄを介して、隣接する各画素電極９に対し、画像信号を確実に供給することができるといった効果を有する。
【００８９】
（第２実施の形態）
図７は、本発明の第２実施を示す液晶装置におけるＴＦＴ基板の半導体膜の共通ソース領域とデータ線とを電気的に接続するコンタクトホール近傍の構成を示す部分拡大断面図である。
【００９０】
尚、本実施の構成は、上述した第１実施と比して、半導体膜１の共通ソース領域１ｄとデータ線６とを電気的に接続するための、層間絶縁膜４１に形成されたコンタクトホール８１の孔径ｒが、走査線１１の段部１５０の段部内のスペースｈ１よりも大きい点のみが異なる。よって、この相違点のみを説明し、第１実施の形態と同様の構成には同じ符号を付し、その説明は省略する。
【００９１】
図７に示すように、下地絶縁膜１２上に、半導体膜１の共通ソース領域１ｄが積層されている。この際、半導体膜１の共通ソース領域１ｄの走査線１１の段部１５０の上方は、段部１５０に起因して段部２４３が形成されている。
【００９２】
段部２４３は、隣接する走査線１１の各端部１１ｔの膜厚（３０〜１５０ｎｍ）に起因する傾斜面２４５を有している。尚、傾斜面２４５は、共通ソース領域１ｄにおける脆弱部となっている。
【００９３】
また、半導体膜１の共通ソース領域１ｄ上に、層間絶縁膜４１が積層されている。層間絶縁膜４１であって、走査線１１の段部１５０の上方に、隣接する画素電極９及びＴＦＴ３０の半導体膜１の共通ソース領域１ｄとデータ線６とを電気的に接続するためのコンタクトホール８１が開孔されている。
【００９４】
コンタクトホール８１の孔径ｒは、段部１５０の段部内のスペースｈ１よりも大きな径となっている（ｈ１＜ｒ）。即ち、コンタクトホール８１は、走査線１１の段部１５０における２つの端部１１ｔ間に平面的にまたがって形成されている。
【００９５】
次に、このように構成された本実施の作用について説明する。
層間絶縁膜４１であって、走査線１１の段部１５０の上方にコンタクトホール８１が形成されるに際し、コンタクトホール８１は、孔径ｒが、段部１５０の段部内のスペースｈ１よりも大きな径（ｈ１＜ｒ）となるよう形成される。
【００９６】
このことにより、コンタクトホール８１の形成応力が、共通ソース領域１ｄの段部２４３の各傾斜面２４５に付加された結果、各傾斜面２４５が破断してしまう場合があるが、コンタクトホール８１を介して、共通ソース領域１ｄ上に、データ線６が積層されると、該データ線６を介して、共通ソース領域１ｄの各傾斜面２４５における各破断部位は、電気的に接続される。
【００９７】
このように、本実施においては、ＴＦＴ基板１０における、半導体膜１の共通ソース領域１ｄとデータ線６とを電気的に接続するための、層間絶縁膜４１に形成されたコンタクトホール８１は、走査線１１の段部１５０の上方に形成されていると示した。また、コンタクトホール８１の孔径ｒが、段部１５０の段部内のスペースｈ１よりも大きな径（ｈ１＜ｒ）となるよう、コンタクトホール８１は、形成されていると示した。
【００９８】
このことによれば、コンタクトホール８１を形成した後、コンタクトホール８１の形成応力により、仮に、共通ソース領域１ｄの脆弱部となる傾斜面２４５が、破断してしまったとしても、形成されたコンタクトホール８１により共通ソース領域１ｄ上に積層されたデータ線６により、共通ソース領域１ｄは、データ線６を介して傾斜面２４５の破断部位が電気的に接続される。
【００９９】
このことから、コンタクトホール８１を、走査線１１の段部１５０上方に形成したとしても、半導体膜１の共通ソース領域１ｄとデータ線６との電気的な接続が切断されてしまうことがない。以上から、データ線６及び半導体膜の共通ソース領域１ｄを介して、隣接する各画素電極９に対し、画像信号を確実に供給することができるといった効果を有する。
【０１００】
尚、以下変形例を示す。
上述した第１実施及び第２実施においては、走査線１１の段部１５０上方の層間絶縁膜４１に、共通ソース領域１ｄとデータ線６とを電気的に接続するためのコンタクトホール８１を形成した後、コンタクトホール８１の形成に起因して、共通ソース領域１ｄとデータ線６との電気的な接続が切断されてしまうのを防ぐと示した。
【０１０１】
この箇所に限らず、下層に段部を有し、上層に、該上層における各層を電気的に接続するコンタクトホールを形成する場合であれば、どの層におけるコンタクトホールの形成に第１及び第２実施を適用したとしても、第１及び第２実施と同様に、コンタクトホールの形成により、各層の電気的な接続が切断されてしまうのを防止することができる。
【０１０２】
また、上述した第１及び第２実施においては、ソース領域１ｄは、図３中、縦方向に隣接する画素電極９及びＴＦＴ３０間において共通となっていると示したが、これに限らず、ソース領域１ｄが、画素電極９及びＴＦＴ３０毎に個々に形成されたＴＦＴ基板に、第１及び第２実施を適用してもよい。
【０１０３】
さらに、段部１５０を構成する端部１１ｔは、２つから構成されていると示したが、これに限らず、１つから構成されていても良いことはいうまでもない。
【０１０４】
また、液晶装置は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上述した液晶装置は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールを例に挙げて説明したが、これに限らず、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールであっても構わない。
【０１０５】
さらに、第１及び第２実施においては、電気光学装置は、液晶装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、エレクトロルミネッセンス装置、特に、有機エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置等や、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）装置、ＳＥＤ(Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ)装置、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管または液晶シャッター等を用いた小型テレビを用いた装置などの各種の電気光学装置に適用できる。
【０１０６】
また、電気光学装置は、半導体基板に素子を形成する表示用デバイス、例えばＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）等であっても構わない。ＬＣＯＳでは、素子基板として単結晶シリコン基板を用い、画素や周辺回路に用いるスイッチング素子としてトランジスタを単結晶シリコン基板に形成する。また、画素には、反射型の画素電極を用い、画素電極の下層に画素の各素子を形成する。
【０１０７】
また、電気光学装置は、片側の基板の同一層に、一対の電極が形成される表示用デバイス、例えばＩＰＳ（In-Plane Switching）や、片側の基板において、絶縁膜を介して一対の電極が形成される表示用デバイスＦＦＳ（Fringe Field Switching）等であっても構わない。
【０１０８】
さらに、本発明の液晶装置が用いられる電子機器としては、投写型表示装置、具体的には、プロジェクタが挙げられる。図８は、図１の液晶装置が３つ配設されたプロジェクタの構成を示す図である。
【０１０９】
同図に示すように、プロジェクタ１１００に、液晶装置１００は、各々ＲＧＢ用のライトバルブとして、例えば３つ（１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂ）配設されている。
【０１１０】
プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投写光が発せされると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によって、ＲＧＢの３原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂに各々導かれる。
【０１１１】
この際、特にＢ光は、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。
【０１１２】
そして、ライトバルブ１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂにより各々変調された３原色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成された後、投写レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投写される。
【産業上の利用可能性】
【０１１３】
また、本発明の液晶装置が用いられる電子機器としては、他の光投写型表示装置や、携帯電話機、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）と呼ばれる携帯型情報機器や携帯型パーソナルコンピュータ、パーソナルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、車載用モニタ、デジタルビデオカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末機等、電気光学装置である液晶表示モジュールを用いる機器が挙げられる。したがって、これらの電子機器においても、本発明が適用可能であることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【０１１４】
【図１】本発明の第１実施を示す液晶装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図。
【図２】図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図。
【図３】図１の液晶装置を構成するＴＦＴ基板上に形成された隣接した複数の画素について各層の成膜パターンを部分的かつ概略的に示す平面図。
【図４】図３中のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図。
【図５】図４の半導体膜の共通ソース領域とデータ線とを電気的に接続するコンタクトホール近傍の構成を示す部分拡大断面図。
【図６】半導体膜の共通ソース領域とデータ線とを電気的に接続する従来のコンタクトホール近傍の構成を示す部分断面図。
【図７】本発明の第２実施を示す液晶装置におけるＴＦＴ基板の半導体膜の共通ソース領域とデータ線とを電気的に接続するコンタクトホール近傍の構成を示す部分拡大断面図。
【図８】図１の液晶装置が３つ配設されたプロジェクタの構成を示す図。
【符号の説明】
【０１１５】
１…半導体膜、１ｄ…共通ソース領域、６…データ線、９…画素電極、１０…ＴＦＴ基板、１０ｈ…ＴＦＴ基板の表示領域、１１…走査線（遮光膜）、１１ｔ…端部、１２…下層絶縁膜、２０…対向基板、３０…ＴＦＴ、４１…層間絶縁膜、５０…液晶、８１…コンタクトホール、１００…電気光学装置、１５０…段部、１１００…プロジェクタ、ｈ１…段部のスペース、ｈ２…下層絶縁膜の膜厚、ｒ…コンタクトホールの孔径。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に成膜されるとともに、端部が少なくとも一部に形成された第１の膜と、
前記第１の膜上に積層された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に積層された第２の膜と、
前記第２の膜上に積層された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜の前記端部の上方に、該第２の絶縁膜を貫通するよう形成されたコンタクトホールと、
を具備し、
前記コンタクトホールは、前記端部から、平面的に前記第１の絶縁膜の膜厚以上離間した位置に形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
基板に成膜されるとともに、隣接する２つの端部が少なくとも一部に形成された第１の膜と、
前記第１の膜上に積層された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に積層された第２の膜と、
前記第２の膜上に積層された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜の２つの前記端部の上方に、該第２の絶縁膜を貫通するよう形成されたコンタクトホールと、
を具備し、
前記コンタクトホールは、２つの前記端部から、平面的に前記第１の絶縁膜の膜厚以上それぞれ離間した位置に形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
基板に成膜されるとともに、隣接する２つの端部が少なくとも一部に形成された第１の膜と、
前記第１の膜上に積層された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に積層された第２の膜と、
前記第２の膜上に積層された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜の２つの前記端部の上方に、該第２の絶縁膜を貫通するよう形成されたコンタクトホールと、
を具備し、
前記コンタクトホールは、隣接する２つの前記端部間に平面的にまたがって配置されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
表示領域に画素電極と該画素電極に対応して設けられたスイッチング素子とが形成された第１の基板と、
前記第１の基板に対向配置される第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された電気光学物質とを具備し、
前記基板は、前記第１の基板であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記画素電極及び前記スイッチング素子は、前記第１の基板に複数設けられており、前記第１の膜は、前記スイッチング素子をオンまたはオフする、前記画素電極毎に設けられた走査線であることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
２つの前記端部は、前記画素電極毎に設けられた隣接する前記走査線の各前記端部から構成されていることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記第２の膜は、前記スイッチング素子を構成する半導体膜であることを特徴とする請求項４〜６のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記半導体膜のソース領域と、前記第２の絶縁膜上に成膜された前記画素電極に画像信号を供給するデータ線とは、前記コンタクトホールを介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置。
【請求項９】
隣接する前記画素電極の各々に設けられた２つの前記スイッチング素子の前記半導体膜は、ソース領域側で繋がっており、前記ソース領域と前記データ線とが、１つの前記コンタクトホールを介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
基板に成膜されるとともに、端部が少なくとも一部に形成された第１の膜と、
前記第１の膜上に積層された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に積層された第２の膜と、
前記第２の膜上に積層された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜の前記端部の上方に、該第２の絶縁膜を貫通するよう形成されたコンタクトホールと、
を具備し、
前記コンタクトホールは、前記端部から、平面的に前記第１の絶縁膜の膜厚以上離間した位置に形成されていることを特徴とする電気光学装置を有する電子機器。
【請求項１１】
基板に成膜されるとともに、隣接する２つの端部が少なくとも一部に形成された第１の膜と、
前記第１の膜上に積層された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に積層された第２の膜と、
前記第２の膜上に積層された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜の２つの前記端部の上方に、該第２の絶縁膜を貫通するよう形成されたコンタクトホールと、
を具備し、
前記コンタクトホールは、２つの前記端部から、平面的に前記第１の絶縁膜の膜厚以上それぞれ離間した位置に形成されていることを特徴とする電気光学装置を有する電子機器。
【請求項１２】
基板に成膜されるとともに、隣接する２つの端部が少なくとも一部に形成された第１の膜と、
前記第１の膜上に積層された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に積層された第２の膜と、
前記第２の膜上に積層された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜の２つの前記端部の上方に、該第２の絶縁膜を貫通するよう形成されたコンタクトホールと、
を具備し、
前記コンタクトホールは、隣接する２つの前記端部間に平面的にまたがって配置されていることを特徴とする電気光学装置を有する電子機器。
【請求項１】
基板に成膜されるとともに、端部が少なくとも一部に形成された第１の膜と、
前記第１の膜上に積層された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に積層された第２の膜と、
前記第２の膜上に積層された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜の前記端部の上方に、該第２の絶縁膜を貫通するよう形成されたコンタクトホールと、
を具備し、
前記コンタクトホールは、前記端部から、平面的に前記第１の絶縁膜の膜厚以上離間した位置に形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
基板に成膜されるとともに、隣接する２つの端部が少なくとも一部に形成された第１の膜と、
前記第１の膜上に積層された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に積層された第２の膜と、
前記第２の膜上に積層された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜の２つの前記端部の上方に、該第２の絶縁膜を貫通するよう形成されたコンタクトホールと、
を具備し、
前記コンタクトホールは、２つの前記端部から、平面的に前記第１の絶縁膜の膜厚以上それぞれ離間した位置に形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
基板に成膜されるとともに、隣接する２つの端部が少なくとも一部に形成された第１の膜と、
前記第１の膜上に積層された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に積層された第２の膜と、
前記第２の膜上に積層された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜の２つの前記端部の上方に、該第２の絶縁膜を貫通するよう形成されたコンタクトホールと、
を具備し、
前記コンタクトホールは、隣接する２つの前記端部間に平面的にまたがって配置されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
表示領域に画素電極と該画素電極に対応して設けられたスイッチング素子とが形成された第１の基板と、
前記第１の基板に対向配置される第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された電気光学物質とを具備し、
前記基板は、前記第１の基板であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記画素電極及び前記スイッチング素子は、前記第１の基板に複数設けられており、前記第１の膜は、前記スイッチング素子をオンまたはオフする、前記画素電極毎に設けられた走査線であることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
２つの前記端部は、前記画素電極毎に設けられた隣接する前記走査線の各前記端部から構成されていることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記第２の膜は、前記スイッチング素子を構成する半導体膜であることを特徴とする請求項４〜６のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記半導体膜のソース領域と、前記第２の絶縁膜上に成膜された前記画素電極に画像信号を供給するデータ線とは、前記コンタクトホールを介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置。
【請求項９】
隣接する前記画素電極の各々に設けられた２つの前記スイッチング素子の前記半導体膜は、ソース領域側で繋がっており、前記ソース領域と前記データ線とが、１つの前記コンタクトホールを介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
基板に成膜されるとともに、端部が少なくとも一部に形成された第１の膜と、
前記第１の膜上に積層された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に積層された第２の膜と、
前記第２の膜上に積層された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜の前記端部の上方に、該第２の絶縁膜を貫通するよう形成されたコンタクトホールと、
を具備し、
前記コンタクトホールは、前記端部から、平面的に前記第１の絶縁膜の膜厚以上離間した位置に形成されていることを特徴とする電気光学装置を有する電子機器。
【請求項１１】
基板に成膜されるとともに、隣接する２つの端部が少なくとも一部に形成された第１の膜と、
前記第１の膜上に積層された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に積層された第２の膜と、
前記第２の膜上に積層された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜の２つの前記端部の上方に、該第２の絶縁膜を貫通するよう形成されたコンタクトホールと、
を具備し、
前記コンタクトホールは、２つの前記端部から、平面的に前記第１の絶縁膜の膜厚以上それぞれ離間した位置に形成されていることを特徴とする電気光学装置を有する電子機器。
【請求項１２】
基板に成膜されるとともに、隣接する２つの端部が少なくとも一部に形成された第１の膜と、
前記第１の膜上に積層された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に積層された第２の膜と、
前記第２の膜上に積層された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜の２つの前記端部の上方に、該第２の絶縁膜を貫通するよう形成されたコンタクトホールと、
を具備し、
前記コンタクトホールは、隣接する２つの前記端部間に平面的にまたがって配置されていることを特徴とする電気光学装置を有する電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２００７−６５４４０（Ｐ２００７−６５４４０Ａ）
【公開日】平成１９年３月１５日（２００７．３．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−２５３１２４（Ｐ２００５−２５３１２４）
【出願日】平成１７年９月１日（２００５．９．１）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年３月１５日（２００７．３．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年９月１日（２００５．９．１）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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