【課題】本発明は、発熱電子部品の放熱対策に用いられる放熱部品に関して、放熱効率をさらに高めることを目的とするものである。
【解決手段】この目的を達成するために本発明は、熱伝導体からなる受熱部５と、一端が前記受熱部５に支持された複数のグラファイトシート８を備え、前記複数のグラファイトシート８の他端側を支持部７で支持し、前記複数のグラファイトシート８を所定の間隔をもった梯子型に並設させた構造としたのである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電子機器における表面温度分布の調節方法に関して、電子機器における表面温度の局所的な上昇を抑制することを目的とする。
【解決手段】電子機器の外装ケース１と、この外装ケース１内に納められた発熱電子部品３と、外装ケース１の内側に設けられ発熱電子部品３から発する局所的な熱を所定範囲に分散させるグラファイトシート５からなり、発熱電子部品３と対峙するグラファイトシート５領域に貫通孔６を設けるとともに、この貫通孔６の孔径を調節して電子機器の表面温度を調節するのである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発熱電子部品の放熱対策に用いられる放熱部品に関して、放熱効率をさらに高めることを目的とする。
【解決手段】放熱部品６を複数のグラファイトシート７から構成し、複数のグラファイトシート７を重畳した重畳領域９を熱移送部１２および受熱部１１として、グラファイトシート７間に所定の空間を設けた分離領域１０を放熱部１３とするとともに、分離領域１０において分離空間の形状を維持する形状維持手段８を設け、この形状維持手段８を樹脂からなる薄板状部材で形成した構造とした。 （もっと読む）

【課題】高い放熱性能を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ１とヒートシンク本体３の間の絶縁層２として多層構造の複合材料を利用する。第１層（２Ａ）および第３層（２Ｃ）には材料にセラミックスを利用して電気的な絶縁を実現する。そして第１層（２Ａ）と第３層（２Ｃ）の間の第２層（２Ｂ）として、熱伝導性の高いグラファイトを利用して、半導体チップ１から発生した熱を、グラファイト層内で広範囲に拡散してヒートシンク本体３に伝達することで、効率よく放熱することができる。 （もっと読む）

【課題】従来では電子部品を絶縁シートで被覆して絶縁を行うので、絶縁シートの被覆位置がずれたりし、高電圧のかかる回路において耐絶縁性が劣化するという問題点に対し、放熱性を損なわずに絶縁性を向上した部品ユニットを提供することを目的としている。
【解決手段】基板１２に絶縁体１４を積層して形成した放熱板１０と、この放熱板１０に装着した電子部品１６とを備え、電子部品１６は放熱板１０の絶縁体１４に面接触させて装着した構成にすることで、面接触により放熱板１０の絶縁体１４との接触面積が大きくなり、放熱性を損なわずに、絶縁性を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】比較的発熱量が多い発光素子やＩＣチップなどの電子部品を実装しても、当該電子部品から発生する熱を迅速且つ確実に外部に放熱できる配線基板を提供する。
【解決手段】セラミックからなり且つ表面３および裏面４を有する基板本体２と、かかる基板本体２の表面３に開口するキャビティ５の底面６に位置する電子部品の実装エリアａと、かかる実装エリアａを含むキャビティ５の底面６と基板本体２の裏面４との間を貫通するＡｇ、Ａｇ−Ｃｕ系合金、あるいはＣｕから形成されたビア導体１０と、を含む、配線基板１。 （もっと読む）

【課題】高い放熱特性や優れた耐熱サイクル特性に加え、高い接合強度を有し、割れや絶縁破壊を招くことのない、信頼性が高い放熱基板として用いることのできる金属セラミック複合体を安価に提供する。
【解決手段】セラミック基板２に、銅を主成分とする結合層７ａ、７ｂを介して銅または銅合金を主成分とする金属基板を接合した金属セラミック複合体において、上記金属基板を構成する銅または銅合金の平均結晶粒径が２〜１００μｍであって、平均サブ粒界密度が１０ｍｍ／ｍｍ^２以下とする。 （もっと読む）

【課題】含浸法によるアルミニウム合金-セラミックス質複合体の製造において、発生する廃棄物が低減し、従来よりも生産効率が大幅に向上するアルミニウム合金-セラミックス質複合体の製造方法を提供する。
【解決手段】含浸法によるアルミニウム合金-セラミックス質複合体の製造において、（１）治具に積層したセラミックス多孔質体に、アルミニウムを主成分とする金属を含浸する工程、（２）５５０〜８００℃の温度において、溶融したアルミニウムを主成分とする金属を取り除く工程、（３）冷却後に、積層したアルミニウム合金-セラミックス質複合体を離型する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 熱応力、熱ひずみを軽減し、実装信頼性が高いセラミックス回路基板及びこれを用いたパワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】 セラミックス基板の一方の主面に、Ｃｕ／Ｍｏ／ＣｕあるいはＣｕ／Ｗ／Ｃｕの３層構造のクラッド材からなる放熱板と、他方の主面に対してはＣｕまたはＣｕ合金からなる回路回路板が設けられている。ここで、回路回路板の厚さが、0.1〜2ｍｍ、放熱板の総厚さが2.0〜8ｍｍとする。ＭｏあるいはＷの厚さが0.2〜4ｍｍとする。また、回路板、セラミック基板、放熱板を貫通するボルト締め用穴部を備えて半導体パワーモジュールの取付けを容易にすることができる。また、放熱板の裏面部に冷却フィンを備えてセラミックス回路基板の熱抵抗を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】高い放熱性と信頼性を有し、しかも導電性を有する液体を冷却用液体として使用することができる電気素子収納用パッケージ、電気素子ユニットおよび電気素子冷却モジュールを提供することである。
【解決手段】略直方体形状でかつ上面部16aを除く部分が水密構造である、電気素子15を収容するための電気素子収納容器16と、この電気素子収納容器16の内面に配置された電極１７とを備え、冷却用液体11と接触する電気素子収納容器１６の外面を構成する部材の少なくとも一部が、熱伝導率５Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上のセラミック基板からなる電気素子収納用パッケージ14である。 （もっと読む）

【課題】高い放熱性と信頼性を有した電気素子収納用パッケージ、電気素子ユニットおよび電気素子冷却モジュールを提供することである。
【解決手段】略直方体形状でかつ上面部16aを除く部分が水密構造である、電気素子15を収容するための電気素子収納容器16と、この電気素子収納容器16の内面に配置された電極１７とを備え、冷却用液体11と接触する電気素子収納容器16の外面を構成する部材の少なくとも一部が、熱膨張率８．０×１０^-6／Ｋ以下のセラミック基板からなる電気素子収納用パッケージ14である。 （もっと読む）

【課題】高い放熱性と信頼性を有した電気素子収納用パッケージ、電気素子ユニットおよび電気素子冷却モジュールを提供することである。
【解決手段】略直方体形状でかつ上面部16aを除く部分が水密構造である、電気素子15を収容するための電気素子収納容器16と、この電気素子収納容器16の内面に配置された電極１７とを備え、電気素子収納容器１６の少なくとも一部がヤング率３４０ＧＰａ以下のセラミック基板からなる電気素子収納用パッケージ14である。 （もっと読む）

【課題】高い放熱性と信頼性を有し、しかも導電性を有する液体を冷却用液体として使用することができる電気素子収納用パッケージ、電気素子ユニットおよび電気素子冷却モジュールを提供することである。
【解決手段】略直方体形状でかつ上面部16aを除く部分が水密構造である、電気素子15を収容するための電気素子収納容器16と、この電気素子収納容器16の内面に配置された電極17とを備え、冷却用液体11と接触する電気素子収納容器１６の外面を構成する部材の少なくとも一部が、絶縁耐圧１０ｋＶ／ｍｍ以上のセラミック基板からなる電気素子収納用パッケージ14である。 （もっと読む）

【課題】高い放熱性と信頼性を有した電気素子収納用パッケージ、電気素子ユニットおよび電気素子冷却モジュールを提供することである。
【解決手段】略直方体形状でかつ全体が水密構造である電気素子収納容器16と、この電気素子収納容器16の内面に配置された電極17とを備え、この電極17には、該電極17と外部配線とを電気的に接続するための引出電極部17aが、電気素子収納容器16の外部に水密的に延設され、電気素子収納容器外にある引出電極部17aが絶縁被覆されている電気素子収納用パッケージ14である。 （もっと読む）

【課題】高い放熱性と信頼性を有した電気素子収納用パッケージ、電気素子ユニットおよび電気素子冷却モジュールを提供することである。
【解決手段】略直方体形状でかつ上面部16aを除く部分が水密構造である、電気素子15を収容するための電気素子収納容器１６と、この電気素子収納容器１６の内面に配置された電極１７とを備え、電気素子収納容器１６の少なくとも一部が３点曲げ強度３００ＭＰａ以上のセラミック基板からなる電気素子収納用パッケージ14である。 （もっと読む）

【課題】半導体モジュールに搭載する前のベアチップを保護して取り扱いやすくする。
【解決手段】ベアチップとして、Ｓｉ半導体よりも高効率であり高温動作が可能であるＳｉＣ等の横型構造のワイドバンドギャップ半導体１１を使用し、このワイドバンドギャップ半導体１１の全ての電極を同一の主面に形成する。ワイドバンドギャップ半導体１１の周囲を、ＡｌＮ等のセラミック製の保護部材１７でパッケージングし、ワイドバンドギャップ半導体１１の電極が形成された主面を、ＡｌＮ等のセラミック製の支持部材１３で支持して、ワイドバンドギャップ半導体１１の熱拡散効果を高め、且つ各部材同士の間の熱応力を緩和する。 （もっと読む）

【課題】高い熱伝導性を有するとともに、集積回路（ＩＣ）等に配設した場合においても回路に短絡等の不具合を生じさせる恐れがなく、信頼性に優れた熱伝導性シートを得ることが可能な熱伝導性組成物を提供する。
【解決手段】熱伝導性フィラーと、バインダー成分とを含む熱伝導性組成物である。熱伝導性フィラーが、金属アルミニウムからなる粒子状の中心部と、中心部の表面上に形成された、その平均厚みが５００ｎｍ以上である電気絶縁性の酸化層とからなるものである。 （もっと読む）

【課題】熱放散性及び実装信頼性に優れ、且つ高反射率である配線基板とそれを用いた電気装置並びに発光装置を提供する。
【解決手段】少なくとも、平板状の絶縁基体１と、該絶縁基体１の表面又は内部のうち少なくとも一方に形成された配線層とを具備してなる配線基板１１であって、前記絶縁基体１の熱伝導率が３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、且つ熱膨張係数が８．５×１０^−６／℃以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 シート状のグラファイト層を備えた熱伝導材において、その放熱性を良好に向上させること。
【解決手段】 熱伝導材１は、シート状のグラファイト層３の表面に、二酸化ケイ素からなる放熱層５を形成したものである。グラファイト層３は、膨張黒鉛をローラでプレス圧延することによりシート状に形成され、放熱層５は、グラファイト層３の表面に酸素雰囲気中でケイ素をスパッタリングすることにより、厚さ約１００ｎｍの二酸化ケイ素の層として形成されている。グラファイト層３自身は表面に沿った方向に極めて良好な熱拡散性を有しており、しかも、グラファイト層３の表面に放熱層５が形成されているので、放熱性も良好に確保することができる。 （もっと読む）

【課題】 放熱効率の良い半導体パッケージを得る。
【解決手段】 セラミック基板の主面上に設けた一対の上面電極のランド上に半導体素子を搭載した半導体パッケージにおいて、前記上面電極１２ａ、１３ａの双方のランドの近傍にそれぞれ少なくとも１個のビア１１ｃ、１１ｄを設け、該ビア１１ｃ、１１ｄの内面に導電金属膜１４を設けると共に、該導電金属膜１４を前記上面電極１２ａ、１３ａ並びに前記セラミック基板１１の主面の反対側にあたる反対面に設けた一対の下面電極１２ｃ、１３ｃとそれぞれ接続する。 （もっと読む）