【課題】ＩＣのチップ面積を削減することができ消費電流を小さくすることができる検出回路及びその検出回路を使用した電子機器を得る。
【解決手段】抵抗Ｒ１及びＲ２で入力電圧Ｖｉｎを分圧した分圧電圧である入力検出電圧Ｖｓｎｓが基準電圧Ｖｒｅｆ以上になり、かつこの時点の検出温度が低く温度検出電圧Ｔｓｎｓも基準電圧Ｖｒｅｆ以上であれば、コンパレータ３の出力信号である検出信号ＳＮＳはハイレベルになるようにし、逆に、入力検出電圧Ｖｓｎｓが基準電圧Ｖｒｅｆ未満であるか、及び／又はこの時点の検出温度が高く温度検出電圧Ｔｓｎｓが基準電圧Ｖｒｅｆ未満であれば、検出信号ＳＮＳはローレベルになるようにした。 （もっと読む）

【課題】回路規模が小さく消費電力の小さな半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置は、温度変化に応じて内部抵抗が変化するセンサから出力された信号を所定の増幅率で増幅する増幅部と、センサの内部電流に応じて基準電流を生成するカレントミラー回路を有し、基準電流に応じた基準電圧を発生する基準電圧発生部と、増幅部からの出力電圧と基準電圧とを比較し、これら電圧の大小関係に応じて所定レベルの信号を出力する比較部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】センサ駆動／測定システムにおいて、コスト増加を抑えつつ、高い印加電圧を要求するセンサの要求仕様を実現可能にする。
【解決手段】電池駆動のセンサ駆動／測定システム１０１において用いられる半導体集積回路１０２は、センサ１０３に印加するための所定の電圧を出力するセンサ駆動回路１０８と、センサ１０３において発生した電流を電流−電圧変換した電圧を測定する測定回路１１０とを備えている。昇圧回路１０７は与えられた昇圧元電圧を昇圧し、昇圧した電圧をセンサ駆動回路１０８および測定回路１１０に電源電圧として供給する。 （もっと読む）

【課題】温度変動や製造プロセスのバラツキの影響を受け難く、より精度の高い負電圧検知を実現できる負電圧検知回路を提供する。
【解決手段】負電圧検知回路は、基準電流Ｉrefを生成する基準電流生成回路３７と、一端に検知すべき負電圧が印加され、他端に上記基準電流のミラー電流が供給される抵抗分割回路３８と、上記基準電流に対応する第１の電圧Ｖrefと抵抗分割回路にミラー電流を流したときの他端の第２の電圧とを比較する第１のコンパレータ３２を備える。基準電流生成回路は、カレントミラー回路から供給される電流に基づいて負及び正の温度係数を持った第３，第４の電圧をそれぞれ生成する第１，第２の回路部と、第１の電圧を生成する第３の回路部、及び第３の電圧と第４の電圧の電圧差が一致するように、カレントミラー回路を制御する第２のコンパレータ３１とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体メモリに２種類の温度検知回路を搭載する際、占有面積を削減すると共に、２種類の温度検知回路の個別調整を一度に行なえるようにする。
【解決手段】リファレンス電位選択回路１０３は、選択信号発生回路１０４から選択信号に基づいてリファレンスＲＥＦ１、ＲＥＦ２を選択し、第１、第２の温度比較回路１０５、１０６に出力する。選択信号ＳＥＬ１〜８を順次切り替えて、温度判定信号ＴＲＥＳ1の電位の推移を観察し、選択信号ＳＥＬ２−１とＳＥＬ３−１間のリファレンス電位ＲＥＦ１で温度依存性電位ＶＴＭＰがリファレンス電位ＲＥＦ１と交差すると判定され、温度比較回路１０５の比較判定温度をこのリファレンス電位ＲＥＦ１に対応する測定温度として固定したい場合は選択信号ＳＥＬ２-１またはＳＥＬ３−１を選択する制御を行なう。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＬＳＩ内部の抵抗値を外部の抵抗素子に基づいて規定範囲内に自動調整することを特徴とする。
【解決手段】半導体集積回路に接続された抵抗素子Ｒextの抵抗値に応じた値の基準電圧Ｖrefを発生する基準電圧発生回路１０と、制御コード信号Code_OUT[N:0]に応じて抵抗値が調整されるレプリカ抵抗回路１２を有し、このレプリカ抵抗回路の抵抗値に応じた値の比較用電圧Ｖaを発生する比較用電圧発生回路１２と、レプリカ抵抗回路と同様に構成され、制御コード信号に応じて抵抗値が調整される本体抵抗回路１４と、基準電圧及び比較用電圧をそれぞれの電圧値に応じた周波数を有する信号に変換し、さらに両信号を積分して積分データを生成し、かつ両積分データの差に基づいて前記制御信号を発生する抵抗制御回路１１とを半導体集積回路に内蔵したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】誤差の増大を抑制しつつ、回路規模を低減する。
【解決手段】ラダー抵抗回路１０は、基準電圧Ｖｒ１〜Ｖｒ５を発生させる。スイッチ回路ＳＷ１１〜ＳＷ１５は、基準電圧Ｖｒ１〜Ｖｒ５に対応し、スイッチ回路ＳＷ１１〜ＳＷ１５の各々のオン抵抗値は可変である。制御回路１６は、スイッチ回路ＳＷ１１〜ＳＷ１５のうちｎ個（ｎは２以上の整数）を選択し、選択したｎ個のスイッチ回路をオン状態にするとともにｎ個のスイッチ回路の各々のオン抵抗値を設定する。これにより、選択されたｎ個のスイッチ回路に対応するｎ個の基準電圧が合成され、出力電圧Ｖｏｕｔが生成される。また、オン抵抗値が可変であるので、基準電圧の合成比を調整することができる。 （もっと読む）

【課題】入力電圧に温度特性を持たせ、かつ入力電圧を昇圧または降圧するとともに、回路構成の簡易化を図ることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】入力トランジスタ部１１は、基準電圧が供給される制御電極を有する第１トランジスタＭ１を含む。出力トランジスタ部１２は、ダイオード接続された第２トランジスタＭ１１を含む。入力トランジスタ部１１および出力トランジスタ部１２の少なくともいずれか一方は、さらに、ダイオード接続されるとともに対応の第１トランジスタＭ１または第２トランジスタＭ１１と直列接続され、対応のトランジスタと同じ方向に電流を出力する第３トランジスタを含む。入力トランジスタ部１１および出力トランジスタ部１２の各々の含むトランジスタの個数が異なる。入力トランジスタ部１１の含むトランジスタのサイズと出力トランジスタ部１２の含むトランジスタのサイズとが異なる。 （もっと読む）

【課題】実装状態でもテストモードに入ることができ、実装状態で半導体装置の環境（内部特性）を変化させ、外部から印加される実装テスト信号に応じてテストモードに入る半導体装置を提供すること。
【解決手段】外部から複数の実装テスト信号を受信する複数の任意のピンと、前記複数の実装テスト信号のそれぞれの電圧レベルに応じて、複数の内部テストモード信号を生成する信号生成手段とを備える半導体装置を提供する。また、外部から入力される複数の実装テスト信号のそれぞれの電圧レベルに応じて、複数の内部実装テスト信号を生成する信号生成手段と、前記複数の内部実装テスト信号をデコードするデコード手段とを備える半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 供給する電源の配線を削減することが可能な電源供給回路を実現する。
【解決手段】 集積回路内で電源を電力消費手段に供給する電源供給回路において、複数の電力消費手段と、複数の電源から供給される電流を時分割に選択して出力する電源供給手段と、この電源供給手段でそれぞれ選択された電流を時分割で切り換えて対応する電力消費手段に供給する電源分配手段とを設ける。 （もっと読む）

【課題】回路面積の縮小を実現できる集積回路装置及びこれを含む電子機器の提供。
【解決手段】集積回路装置は、Ｄ１方向に沿って配置される第１〜第Ｎの回路ブロックＣＢ１〜ＣＢＮと、集積回路装置の回路ブロックの初期調整を行うための初期調整情報がプログラミングされて記憶される情報記憶ブロックＩＳＢを含む。回路ブロックＣＢ１〜ＣＢＮは、データ線を駆動するための少なくとも１つのデータドライバブロックＤＢと、データドライバブロックＤＢの制御を行うロジック回路ブロックＬＢを含む。ロジック回路ブロックＬＢは、データドライバブロックＤＢと情報記憶ブロックＩＳＢの間に配置される。 （もっと読む）

【課題】より小さな回路面積で温度特性に優れた定電流源及び近接センサ用集積回路装置を提供する。
【解決手段】集積回路化された定電流源は、一方をコレクタ及びベースの接続されたマスター側トランジスタＱ０とし他方をスレーブ側トランジスタＱ１とするカレントミラー回路１１で構成される。カレントミラー回路は、マスター側トランジスタのエミッタ及びスレーブ側トランジスタのエミッタが、それぞれインプラ抵抗ＲＨ及びベース拡散抵抗ＲＢを介して第１の所定電圧の供給される第１電源線Ｘ１に接続され、インプラ抵抗ＲＨの抵抗値が、ベース拡散抵抗ＲＢの抵抗値よりも大きく設定され、マスター側トランジスタのコレクタが、その流れる電流を制限するための制限用インプラ抵抗ＲＨ０を介して第２の所定電圧の供給される第２電源線Ｘ２に接続され、定電流源の供給電流を、スレーブ側トランジスタに流れる電流Ｉ１とした。 （もっと読む）

【課題】 高周波特性が良好な無線通信装置の提供。
【解決手段】 トランジスタで構成される低雑音増幅器（ＬＮＡ）を含む送受信ＩＣが組み込まれたＩＣチップを有する無線通信装置であって、チップの主面にはその辺の縁に沿って複数の電極端子（パッド）が設けられているが、パッドとＬＮＡを構成するトランジスタのエミッタ，ベース，コレクタとの間には、上記エミッタ，ベース，コレクタとパッドを接続する配線を横切るような他の配線が設けられず、エミッタ，ベース，コレクタに繋がる配線を短くでき容量の低減ができる。また、チップの辺と上記パッドとの間には電源ラインやグランドライン等の配線が設けられていない。これにより、パッドとリードを接続するワイヤの長さを短くできる。ＬＮＡはチップの一辺の中央付近に配置されている。これによりリードは短いものを使用できる。従って、利得・雑音特性が良好になる。 （もっと読む）

【課題】 設定可能な電圧レギュレータを提供する。
【解決手段】 試験システムは、Ｎ個の外部インピーダンスのうち１以上の外部インピーダンスと選択的に通信し、前記Ｎ個の外部インピーダンスのうち前記１以上の外部インピーダンスの電気特性に基づいて選択されるＭ個の所定設定を有する設定可能集積回路を備える。前記設定可能集積回路は、前記Ｍ個の所定設定から選択される１つの所定設定に基づいて、前記設定可能集積回路の出力特性のＭ個の離散値から選択される１つの離散値を生成し、ＮおよびＭが１よりも大きい整数である。集積回路は、設定可能集積回路の出力に応じて試験される。 （もっと読む）

エネルギー効率的な集積回路（ＩＣ）動作のためのダイ単位電圧プログラミングを提供する方法及び装置が記載される。いくつかの実施例では、ＩＣコンポーネントに供給される電圧ポテンシャルは、コンポーネントによる電力消費を低減するためなど、ピークパフォーマンス電圧レベル以下に低下される。他の実施例もまた記載される。
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本発明は、集積回路内におけるプロセス、電圧及び温度（ＰＶＴ）の変化のうちの少なくとも一つの変化を補償する補償回路に関する。この補償回路は、低電圧の基準電流源を用いてＰＶＴ変化に対して一定である基準電流（Ｉref）をオンチップ低基準電圧源（Ｖ_DD）から直接発生させ、ＰＶＴ変化に従って変化する検出電流（Ｉz）を、単一のダイオード接続トランジスタ（Ｍ10）の両端間に印加された２つの低基準電圧源間の電圧差に対応する低電圧源（Ｖ_DDE−Ｖ_DD）から電流コンベアに基づくセンス回路により発生させる。次に、両電流（Ｉref，Ｉz）を電流モードアナログ−ディジタル変換器内で比較し、複数のディジタルビットを出力させる。これらのディジタルビットはその後Ｉ／Ｏバッファ内のＰＶＴ変化を補償するために使用できる。
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【課題】回路面積の縮小を実現できる集積回路装置、電子機器の提供。
【解決手段】集積回路装置はデータドライバブロックＤＢとメモリブロックＭＢとロジック回路ブロックＬＢを含む。データドライバブロックＤＢはデータドライバＤＲと、ロジック回路ブロックＬＢからのドライバ制御信号をバッファリングしてデータドライバＤＲに出力するバッファ回路ＢＦを含む。メモリブロックＭＢは、メモリセルアレイＭＡと、ワード線の選択を行うローアドレスデコーダＲＤを含む。データドライバブロックＤＢとメモリブロックＭＢはＤ１方向に沿って配置され、バッファ回路ＢＦとデータドライバＤＲはＤ２方向に沿って配置され、ローアドレスデコーダＲＤとメモリセルアレイＭＡはＤ２方向に沿って配置され、バッファ回路ＢＦとローアドレスデコーダＲＤはＤ１方向に沿って配置される。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスの良否の確認を現実的な時間で行なえるようにする。
【解決手段】半導体集積回路装置は、基板上に形成された複数の被測定素子１２ａ、１２ｂ、…と、基板上に形成され、複数の被測定素子のうちの２つの被測定素子を選択する選択回路１４、１６と、基板上に形成され、選択された各被測定素子に対してそれぞれ電気的特性を測定し、測定した電気的特性の値の大小を比較する大小比較回路１９と、基板上に形成され、大小比較された２つの被測定素子の各アドレスを記憶するアドレス記憶回路２２と、基板上に形成され、選択回路と大小比較回路とアドレス記憶回路とに接続された制御回路２０とを有している。 （もっと読む）

【課題】 集積回路装置が静電気雑音により誤って初期化されるのを効果的に防止する。
【解決手段】 集積回路装置である制御用ＬＳＩ１００において、入出力回路用電源電圧発生回路１３０は、コア回路１１０用の電源電圧ＶＤＤ１から入出力回路１２０用の電源電圧ＶＤＤ２を発生する。パワーオン時、電源電圧ＶＤＤ２は電源電圧ＶＤＤ１より遅れて立ち上がり、これによりリセット信号発生回路１４０は、リセット信号ＲＥＳ２をコア回路１１０の制御回路１１２に供給する。その後は、マイクロコンピュータ２００からのリセットコマンドのみにより制御回路１１２の初期化が行われる。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成でサージ電圧保護機能を持たせた出力回路を有する半導体集積回路装置を提供する
【解決手段】半導体集積回路装置の外部端子に出力ＭＯＳＦＥＴのドレインを接続する。上記出力ＭＯＳＦＥＴのドレインとゲートとの間に、正常動作時での上記外部端子の許容電圧範囲ではオフ状態となり、上記電圧範囲以上の所定電圧を超えるような電圧印加時にオン状態になって上記出力ＭＯＳＦＥＴをオン状態にさせる一方向性素子を設ける。 （もっと読む）