【課題】サージ、ノイズ等の悪影響を低減できる集積回路装置、電子機器の提供。
【解決手段】集積回路装置は回路ブロックＣＢ１〜ＣＢＮを含み、回路ブロックＣＢＭは、共用電源ＶＳＳＡの電源線と保護回路ＰＴＪ、ＰＴＫ、ＰＴＬを含む。保護回路ＰＴＪは、ＶＳＳＭからＶＳＳＡへの方向を順方向とするダイオードＤＩ１と、ＶＳＳＡからＶＳＳＭへの方向を順方向とするダイオードＤＩ２を含む。保護回路ＰＴＫは、ＶＳＳからＶＳＳＡへの方向を順方向とするダイオードＤＩ３と、ＶＳＳＡからＶＳＳへの方向を順方向とするダイオードＤＩ４を含む。保護回路ＰＴＬは、ＶＳＳＧからＶＳＳＡへの方向を順方向とするダイオードＤＩ５と、ＶＳＳＡからＶＳＳＧへの方向を順方向とするダイオードＤＩ６を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの閾値電圧の制御を実現しつつ、より小さな回路面積の半導体デバイスを提供する。
【解決手段】印加される基板バイアス（Ｖｎｗ）（Ｖｐｗ）に応答してＭＯＳトランジスタ（１４）（１５）の閾値電圧を決定する半導体デバイス（１）において、前記半導体デバイス（１）は、基板バイアス（Ｖｎｗ）（Ｖｐｗ）を生成する基板バイアス生成部を具備する。また、前記半導体デバイス（１）は、クロック信号線（３）と他の配線とをシールドするシールド配線（４）（５）を具備する。そして、その基板バイアス生成部は、前記シールド配線（４）（５）を介して前記基板バイアス（Ｖｎｗ）（Ｖｐｗ）を半導体基板（１２）（１３）に印加する。 （もっと読む）

【課題】 異常動作になった場合でも、出力電圧を所望の電圧まで復帰させて、定電圧制御動作を継続させること。
【解決手段】 昇圧率が１．５倍を示す論理ローベルの倍率切換信号が第１の比較器２１から供給されると、アンドゲート１２２は第２の比較器２２からの比較結果信号をそのまま通過する。第２の比較器２２からの論理ハイレベルの比較結果信号は、そのままナンドゲート１２３を通過し、ドライバロジック回路１２１は、チャージポンプ回路１２をポンプ状態に固定した下降モードに切り換える。比較結果信号が論理ローレベルであると、ナンドゲート１２３は発振器１３からのクロック信号を反転したクロック信号を出力し、ドライバロジック回路１２１は、チャージポンプ回路１２をクロック周期でポンプ状態とチャージ状態とを繰り返す上昇モードに切り換える。 （もっと読む）

【課題】
チャージポンプ式昇圧回路において、入力電圧の整数倍に限定されない所望の昇圧電圧を出力し、かつ負荷変動に対して安定した昇圧電圧を出力すること。
【解決手段】
昇圧電圧をフィードバックした電圧に応じて、ポンピング用のトランジスタのゲート電圧を制御し、昇圧電圧を制御するように構成した。 （もっと読む）

【課題】 スリムな細長の集積回路装置及びこれを含む電子機器の提供。
【解決手段】 集積回路装置１０は、第１及び第２のパッドＰＤ１、ＰＤ２と、第１のパッドＰＤ１と電気的に接続される第１の静電気保護素子ＥＳＤ−Ｌと、第２のパッドＰＤ２と電気的に接続される第２の静電気保護素子ＥＳＤ−Ｍと、耐圧が第１の電圧である第１のＭＯＳトランジスタＮＴＬ１と、耐圧が第１の電圧より高い第２の電圧である第２のＭＯＳトランジスタＮＴＭ１とを含む。第１の静電気保護素子ＥＳＤ−Ｌがバイポーラトランジスタ又はサイリスタにより構成され、第２の静電気保護素子ＥＳＤ−Ｍがダイオードにより構成される。第１の静電気保護素子ＥＳＤ−Ｌの一部又は全部と重なるようにその上層に第１のパッドＰＤ１が配置される。或いは第２の静電気保護素子ＥＳＤ−Ｍの一部又は全部と重なるようにその上層に第２のパッドＰＤ２が配置される。 （もっと読む）

【課題】集積回路の異なる部分に対応する有用な熱測定を提供するように、集積回路内に熱センサを位置させるシステム及び方法の提供。
【解決手段】一実施形態では、集積回路は複数のデュプリケート機能ブロックを含む。別々の熱センサが各デュプリケート機能ブロックに結合され、各デュプリケート機能ブロック上の同じ相対位置にあることが好ましく、ホットスポットであることが好ましい。また一実施形態は、集積回路における１つ以上の他のタイプの機能ブロック上に熱センサを含む。一実施形態は、集積回路チップのエッジのような、クールスポットに位置する熱センサを含む。各熱センサは、センサと外部コンポーネントまたは装置との間で、電力および接地接続またはデータ接続を可能にするためのポートを有することができる。 （もっと読む）

【課題】 切断済みのヒューズに繰りかえし電圧が印加されることにより、エレクトロマイグレーションが発生し、ヒューズの有する抵抗値が低下する場合がある。ヒューズの閾値が低下しても、その度合いが軽微であれば、そのヒューズが形成された半導体製品が動作可能である。しかし、例えば出荷前の製品の良否検査に用いる比較的厳しい切断判定の閾値を、製品の故障判定に適用すれば、抵抗値の低下が軽微であり、故障には至っていない半導体製品が故障と判定されてしまう。
【解決手段】 半導体製品に形成されたヒューズが切断されているか否かを２回以上判定する際に、先の判定に用いる閾値よりも、後の判定に用いる閾値をゆるくする （もっと読む）

【課題】固有振動数が小さい振動子からなる振動発電素子などの振動素子を備えた半導体装置が容易に形成できるようにする。
【解決手段】半導体集積回路などが形成されている基板１０１の上に、２つの固定電極部１０４とこれらの間に配置されて振動する金（Ａｕ）からなる振動電極部１０６とによる振動発電素子（振動素子）を備える。振動電極部１０６は、基板１０１の上に固定された支持部１０３に連結する支持梁１０５により、基板１０１の上に離間して張架されている。また、バネとして機能する支持梁１０５により張架されている振動電極部１０６は、固定電極部１０４の方向に変位（振動）可能とされている。これら支持梁１０５及び振動電極部１０６は、Ａｕからなる一体の構造体として形成され、調和振動子として機能する。 （もっと読む）

【課題】チップ上の占有面積が小さく、回路の簡単化を図れる温度感知システムを提供する。
【解決手段】熱により感知可能なデバイスの電圧Ｖ_ｓｅｎｓが、一定ではなく、温度の関数として変化する基準電圧Ｖ_ｒｅｆと比較される場合、温度センサの複雑さとサイズを縮小するための温度感知システムである。このシステムは、基準電圧発生器６１０、温度センサ６２０及びコンパレータ６３０を含む。基準電圧発生器は温度の既知の関数として変化する一定ではない基準電圧を生成するように構成される。温度センサは温度の既知の関数として更に変化するセンサ電圧を生成するように構成される。基準電圧とセンサ電圧の関数は既知の温度／電圧で交差する。コンパレータは、センサ電圧と基準電圧を比較し、且つセンサ電圧及び第１の基準電圧の比較に基づいた比較出力信号を生成するように構成される。この比較出力信号の遷移は基準温度を示す。 （もっと読む）

【課題】ヒューズ回路において、バーンインテストにおいてヒューズにストレス電圧が印加されずにヒューズ回路の初期不良がリジェクトされないという問題がある。
【解決手段】メモリセル容量と同じ部材で構成された容量ヒューズ回路において、メモリセル容量に印加される電圧と同じ電圧を発生させる電源電圧発生回路を設け、バーンイン時にはストレス電圧を印加することで、ヒューズ回路の初期不良をリジェクトすることができるヒューズ回路、及びこれを備えた高信頼性で、高速動作可能な半導体記憶装置が得られる。 （もっと読む）

簡略に言うと、参照数字に基づく電圧値により該半導体素子の動作電圧を変化させることで、該半導体素子の電力消費を管理することができる、半導体素子の電力管理システムの方法／装置である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、チップ面積を縮小した半導体装置、及びチップ面積を縮小することが出来る設計装置、レイアウト設計方法、プログラム及び記録媒体を提供することを課題とする。
【解決手段】 レギュレータの配置位置を決定する際に、電源線に要する面積を縮小されるよう原電端子近傍でハードマクロへの電源線が短くなる配置位置候補を求め、各配置位置候補での面積を求め、最も小さくなる位置にレギュレータを配置する。またレギュレータを複数に分割して配置した場合の面積を求め、最も小さくなる位置にレギュレータを配置する。これにより、電源線に要する面積が少なくなり、その分チップ面積を小さくすることが出来る。 （もっと読む）

【課題】グリッドアレイ端子構造の半導体装置において、スイッチ回路がつながる端子の発熱を低減して溶解の危険性を少なくすること。
【解決手段】ＢＧＡなどのグリッドアレイ端子構造の半導体装置に内蔵されるスイッチ回路の出力端を、グリッドアレイ端子のうちの複数の端子に接続する。これにより、１つのアレイ端子に流れる電流を許容電流レベル内に低減し、また、ＩＣソケットとの接触抵抗による発熱量を低減する。また、複数の端子の各端子間に１つ以上の他の端子が存在するように配置し、また、複数の端子の全てをグリッドアレイ端子のうちの最外周に配置する。 （もっと読む）