【課題】本発明の目的は，論理回路に電源電圧を供給するレギュレータを有する半導体集積回路において，C端子の数を削減する。
【解決手段】
半導体集積回路30は，第1，第2の出力端OTa，OTbと，外部容量C4に接続する外部接続端子CT4との間に設けられたスイッチ回路35を有し，
スイッチ回路35の一端は第1の出力端OTaに接続され，スイッチ回路35の他端は外部接続端子CT4および第2の出力端OTbに接続され，
スイッチ回路35は，第1のレギュレータA31が第1の電源電圧Vaを第1の論理回路A32に対して供給する期間はオンし，第1のレギュレータA31が第1の論理回路A32に対する電源電圧供給を停止する期間はオフする。 （もっと読む）

【課題】スキャン・テスト回路およびスキャン・テスト回路を使用して試験を受けるさらなる回路を備える集積回路を提供すること。
【解決手段】スキャン・テスト回路は、それぞれ別個のクロック領域に関連した複数のサブチェーンを有する少なくとも１つのスキャン・チェーン、および１つまたは複数のサブチェーンを選択的にバイパスするように構成されたクロック領域バイパス回路を備える。スキャン・チェーンは、スキャン・シフト・モードの動作において、サブチェーンを全部よりは少なく含む直列シフト・レジスタを形成するように構成可能であり、サブチェーンの少なくとも残りの１つが、スキャン・シフト・モードにおいて直列シフト・レジスタの部分でないように、クロック領域バイパス回路によりバイパスされる。特定のクロック領域に関連するスキャン・チェーンの部分を選択的にバイパスすることにより、クロック領域バイパス回路は、スキャン・テスト期間の試験時間と電力消費を減らす役割を果たす。 （もっと読む）

【課題】無線通信により交信可能な半導体装置において、個体識別子を容易に付けることができるようにする。
【解決手段】薄膜トランジスタ１１９と、薄膜トランジスタ上に第１の層間絶縁膜１５６と、第１の層間絶縁膜上の、ソース領域またはドレイン領域の一方に電気的に接続される第１の電極１１４と、ソース領域またはドレイン領域の他方に電気的に接続される第２の電極１１０と、第１の層間絶縁膜、第１の電極、及び第２の電極上に形成された第２の層間絶縁膜１３５と、第２の層間絶縁膜上の、第１の電極または第２の電極の一方に電気的に接続される第１の配線１７７と、第２の層間絶縁膜上の、第１の電極または第２の電極の他方に電気的に接続されない第２の配線１７８とを有し、第２の配線と前記第１の電極または第２の電極の他方は、第２の層間絶縁膜中の分断領域１６９によって、電気的に接続されない半導体装置及びその作製方法に関するものである。 （もっと読む）

【課題】複雑な作製工程を必要とせず、消費電力を抑えることができる信号処理回路の提供する。
【解決手段】入力された信号の位相を反転させて出力する論理素子を２つ（第１の位相反転素子及び第２の位相反転素子）と、第１の選択トランジスタと、第２の選択トランジスタと、を有する記憶素子であって、酸化物半導体層にチャネルが形成されるトランジスタと容量素子との組を２つ（第１のトランジスタと第１の容量素子との組、及び第２のトランジスタと第２の容量素子との組）有する。そして、信号処理回路が有する記憶装置に上記記憶素子を用いる。例えば、信号処理回路が有するレジスタ、キャッシュメモリ等の記憶装置に上記記憶素子を用いる。 （もっと読む）

【課題】突入電流が周辺の回路へ及ぼす影響を低減しつつ、停止状態にある回路を短時間に動作状態とすることが可能な半導体集積回路を提供することである。
【解決手段】本発明にかかる半導体集積回路１は、領域ＰＤ１と、制御回路２５と、回路２６と、を備える。領域ＰＤ１には、電源線ＶＤＤと電源線ＶＳＤとの間にそれぞれ接続されたスイッチ２１_１、２２_１、２３_１と、電源線ＶＳＤと電源線ＶＳＳとの間に接続された回路３５と、が配置されている。回路２６は、電源線ＶＤＤおよび電源線ＶＳＳから電源が供給され、回路３５よりも最低動作電圧が高い回路である。スイッチ２２_１はスイッチ２１_１よりもオン抵抗が低い。スイッチ２２_１は領域ＰＤ１のうち回路２６と最も離れた頂点の近傍に配置されている。 （もっと読む）

【課題】メモリのテスト時の消費電流を抑え、メモリテスト時の周波数を高速化する。
【解決手段】制御回路１０３は、第１及び第２のテストパタンジェネレータ１０４、１０５によるテストがともにライトの場合、一方のテストパタンジェネレータによるテストシーケンスの実行を許可し、他方のテストパタンジェネレータに対してテストシーケンスの実行を不許可とし、一方のテストパタンジェネレータからメモリグループ１０１、１０２の対応する一方のグループに対してライトのテストパタンを出力し、他方のグループに対するライトの実行を、一方のグループのライトのテストサイクル単位で時間的にずらし、一方のテストパタンジェネレータによる一方のグループのライトの終了後、他方のテストパタンジェネレータによるテストシーケンスの実行を許可し、他方のテストパタンジェネレータから対応する他方のグループに対するライトのテストパタンを出力する。 （もっと読む）

【課題】電源制御領域を電源遮断状態から電源供給状態に切り換えた際に生じる突入電流と電源ノイズを低減した半導体装置を提供する。
【解決手段】第１、第２のスイッチセルＳＷａ、ＳＷｂと、を有し、第１のスイッチセルＳＷａは、制御信号ＣＮＴに応じてグローバル電源配線ＧＶＤＤからローカル電源配線ＬＶＤＤへの電源電圧の供給を開始する第１のスイッチトランジスタ１１と、制御信号ＣＮＴを伝達する第１の信号伝達部と、を有し、第２のスイッチセルＳＷｂは、制御信号ＣＮＴの論理レベルに応じてグローバル電源配線ＧＶＤＤからローカル電源配線ＬＶＤＤへの電源電圧の供給を開始する第２のスイッチトランジスタ２１と、ローカル電源配線ＬＶＤＤの電圧値が閾値電圧に達するまでの期間、制御信号ＣＮＴの後段回路への伝達を遮断する第２の信号伝達部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】実行するプログラムの種類又は発生する異常の種類などの、動作開始後の状況に合わせて外部端子の状態をプログラマブルに設定する。
【解決手段】プログラム処理回路によるデータ処理状態、プログラム処理回路が実行するプログラム若しくはデータ処理の種類、あるいはデータ処理による異常の種別毎に、異常発生時の入出力端子の端子状態を制御する制御データを予め不揮発性記憶部（１４０）に保存する。プログラム実行前若しくはプログラムの実行時に逐次に不揮発性記憶部に制御データを特定する検索キーを設定し、異常が発生した場合は、当該検索キーに基づいて参照された制御データに従って、入出力端子の状態をプルアップ、プルダウン、ハイインピーダンス又は前値保持の状態に設定する。 （もっと読む）

【課題】低電源電圧が入力された際に昇圧動作を行い、高電源電圧が入力された際に該高電源電圧と同じ程度の電圧を出力する。
【解決手段】インバータ１１にＬｏ信号が入力されるとインバータ１２〜１４の出力がＬｏ信号となる。そして、トランジスタ１５がＯＮし、静電容量１６、ダイオード１７の逆バイアス容量に電源電圧ＶＣＣ２の電荷が充電され、ノードＸの電位は電源電圧ＶＣＣ２となる。続いて、インバータ１１にＨｉ信号が入力されると、トランジスタ１４ａがＯＮし、ノードＸとノードＸ’との電位が略同じとなる。インバータ１３を構成するＰチャネルＭＯＳトランジスタがＯＮし、静電容量１６の容量カップリングによりノードＸ，Ｘ’が昇圧されて出力される。ここで、ダイオード１７は、電源電圧ＶＣＣ１が高電圧領域の電圧レベルの際には、電源電圧ＶＣＣ１の電圧レベルがダイオード１７を介して直流的に出力される。 （もっと読む）

【課題】入出力（Ｉ／Ｏ）積層体を含むシステムを提供する。
【解決手段】入出力（Ｉ／Ｏ）積層体を含むシステム及びこのシステムを製造する方法が記述されている。一実装において、本方法は、Ｉ／Ｏ素子を含むと共に論理素子を含まないＩ／Ｏダイを積層するステップを有する。又、一実装において、本方法は、Ｉ／Ｏダイに対して集積回路ダイを積層するステップを更に含む。集積回路は、論理素子を含み、且つ、Ｉ／Ｏ素子を含まない。集積回路ダイからＩ／Ｏダイを分離することにより、それぞれのダイの独立的な開発や従来のダイのものとの比較におけるＩ／ＯダイのＩ／Ｏ基板上のＩ／Ｏ素子用の相対的に大きな空間などの様々な利益が得られる。空間の増大により、多数の論理素子を集積回路ダイの基板の同一の表面積内に収容する集積回路ダイの新しいプロセス世代が可能となる。 （もっと読む）

【課題】回路モジュール毎に電力供給のオン／オフを切り換える電源制御機能を有する半導体集積回路であって、回路規模及び配線規模の増加を極力抑えながら、ある回路モジュールへの電力供給のオン／オフを切り換える際に発生するインラッシュ電流による影響を根本的に除去する。
【解決手段】電源制御機能を有する半導体集積回路１は、回路モジュール１１，１２，２１，２２と電源制御回路３とを含む。回路モジュール２１，２２への電力供給は、電源制御回路３の制御下でオン／オフ制御される。電源制御回路３は、１つの回路モジュールへの電力供給のオン／オフを切り換えるとき、他の回路モジュールに、当該他の回路モジュールの内部におけるデータ転送を停止させるように制御する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、マイクロ波帯やミリ波帯において、１つの集積回路で複数の機能を実現する集積回路と、その集積回路が表面実装される中継基板とに関し、特性の劣化の原因となる広帯域設計をすることなく、多様に異なる帯域に柔軟に対応可能とすることを目的とする。
【解決手段】基板上に個別に形成された複数の回路と、前記基板上で前記複数の回路に隔たって形成され、前記複数の回路の何れにも接続され得る特定の回路とを備え、前記特定の回路と前記複数の回路とは、表面実装型の中継基板との突起電極を介する接続に供されるパッドを有する。 （もっと読む）

【課題】起動回路を構成するＪＦＥＴのピンチオフ維持のために生じる電力損失を低減できる起動回路、スイッチング電源用ＩＣ及びスイッチング電源装置を提供する。
【解決手段】起動電源（電源コンデンサ）と平滑コンデンサによる補助電源との間に接続され、起動電源による起動電流を平滑コンデンサに流すＭＯＳＦＥＴと、ドレイン端子がＭＯＳＦＥＴのドレイン端子に接続され、ソース端子が抵抗を介してＭＯＳＦＥＴのゲート端子に接続されたＪＦＥＴと、起動時にＪＦＥＴのピンチオフ電圧が第１基準電圧値となるように制御し、起動後にＪＦＥＴのピンチオフ電圧が第１基準電圧値未満の値である第２基準電圧値となるように制御するピンチオフ電圧制御部（可変電圧源）とを備える。 （もっと読む）

【課題】回路面積の増大を抑え、回路ブロックに電源供給するための複数の電源スイッチをオンするための時間間隔を適切に制御できるようにする。
【解決手段】回路ブロックに対する電源供給を管理する電源管理ユニット１１と、回路ブロックＡ１２への電源供給を制御する複数の電源スイッチＰＳＷＡと、回路ブロックＡに供給する電源で動作し、その電位に応じた遅延を生成する遅延生成器１３とを備え、電源スイッチは、電源供給を行うためにオン状態に制御されるときに、電源管理ユニット及び遅延生成器１３の出力に基づいて回路ブロックＡに供給される電源電位に応じた時間間隔で順次オン状態にするようにして、電源スイッチをオンするための時間間隔を回路ブロックＡに供給される電源電位に応じて自動的に調整して電源供給を行う。 （もっと読む）

【課題】外部放射線に対して応答する接合を分析することを通して機能を推測することによる、集積回路の非破壊的なリバースエンジニアリングのためのシステム及び技術を提供する。
【解決手段】少なくとも１つの電源と電気的に導通している複数の半導体接合を含む半導体装置の機能を決定するための以下を含む方法。
・半導体装置の表面を照射すること；
・照射に応答する複数の半導体接合のうち少なくとも幾つかのレイアウトを決定すること；
・決定されたレイアウト内で、複数の半導体接合の少なくとも幾つかのグルーピングを同定し、各ブルーピングはそれぞれの機能セルを表すこと；
・複数の外部アクセス可能な接点のうち少なくとも１つへの刺激を変化させること；及び
・前記変化した刺激に応答して複数の相互接続された機能セルの１つ以上の接続を推測すること。 （もっと読む）

【課題】簡易な回路で、よりセキュリティ性を向上させる。
【解決手段】半導体集積回路装置（１００）は、複数の機能ブロック（１２５−１２７）と、取り込み部（１３１）と、検出部（１３２）と、判定部（１５０）とを具備し、動作パターンが所定の規則に従って変化したときにテストモードに移行する。複数の機能ブロック（１２５−１２７）は、制御装置（２００）からの指示に応答して動作する。取り込み部（１３１）は、複数の機能ブロック（１２５−１２７）のそれぞれの動作状態を示す信号を取り込む。検出部（１３２）は、複数の機能ブロック（１２５−１２７）のうちの少なくとも１つの機能ブロックの動作状態の変化を検出する。判定部（１５０）は、取り込まれた動作状態を示す信号によって示される動作パターンが所定の規則に従って変化するか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】交流リークが電圧検出回路に流れるのを防ぐことができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、アンテナ回路１０２と、共振周波数調整回路１２６と、電圧検出回路と、第１の容量素子と、を有する。共振周波数調整回路１２６は、一方の端子がアンテナ回路１０２の第１の端子と電気的に接続された第２の容量素子と、第１の端子が第２の容量素子の他方の端子と電気的に接続され、第２の端子がアンテナ回路１０２の第２の端子と電気的に接続され、ゲートが第１の容量素子及び電圧検出回路と電気的に接続されたトランジスタと、を有する。 （もっと読む）

【課題】内部回路の電源電圧の安定性を確保しつつ、効率を改善したオンチップ電源回路を搭載した半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】半導体集積回路装置は、電源ノードと電源ライン３８との間に接続される上層負荷３０と、電源ライン４０と接地ノードとの間に接続される下層負荷３２と、電源ライン３８を所定電圧に維持するためのＶＤＣ６６と、電源ライン４０を所定電圧に維持するためのＶＤＣ５２と、電源ライン３８，４０接続状態と、電源ライン３８とＶＤＣ６６との接続状態と、電源ライン４０とＶＤＣ５２との接続状態とを変更可能な接続回路３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】プロセスを簡素化し低コスト化を実現するとともに、さらに、システムを簡素化しノイズ対策を可能にするＭＥＭＳレゾネータ及びＭＥＭＳレゾネータの製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳレゾネータの製造方法は、基板１０上に形成された半導体デバイスとＭＥＭＳ構造体部４とを有するＭＥＭＳレゾネータ２の製造方法であって、半導体デバイスは、上部電極３０と下部電極２６とを有するＯＮＯキャパシタ部６と、ＣＭＯＳ回路部８と、を含み、ＯＮＯキャパシタ部６の下部電極２６を、第１シリコン層２６を用いて、形成する。ＭＥＭＳ構造体部４の下部構造体１６とＯＮＯキャパシタ部６の上部電極３０とを、第２シリコン層５２を用いて、形成する。及び、ＭＥＭＳ構造体部４の上部構造体１８とＣＭＯＳ回路部８のゲート電極３４とを、第３シリコン層５４を用いて、形成する。 （もっと読む）

【課題】低消費電力で動作し、かつ、端子数を減らすことが可能な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】半導体集積回路は、第１の回路と、第２の回路と、信号伝播制御回路と、を備える。第２の回路は、前記第１の回路の電源端子とは独立の電源端子を有する。信号伝播制御回路は、前記第２の回路に電源が投入されてから所定期間、所定の固定値を前記第２の回路へ入力し、前記所定期間経過後、前記第１の回路からの出力信号および前記所定の固定値のいずれを前記第２の回路へ入力するかを制御する。 （もっと読む）