【課題】半導体装置の回路ブロックへの電力供給復帰時に、無駄な充放電を削減すること。
【解決手段】半導体装置は、第１電源電圧を供給する第１電源線と、第１電源電圧よりも高い第２電源電圧を供給する第２電源線と、前段回路ブロックと、前段回路ブロックの出力信号に基づいて動作する後段回路ブロックと、前段回路ブロック及び後段回路ブロックに対する第１電源電圧及び第２電源電圧の供給を制御する電力供給制御回路と、を備える。電力供給制御回路は、後段回路ブロックへの第１電源電圧の供給開始タイミングを前段回路ブロックへの第１電源電圧の供給開始タイミングよりも遅延させる。更に、電力供給制御回路は、前段回路ブロック及び後段回路ブロックに第１電源電圧が供給された後に、第２電源電圧を前段回路ブロックと後段回路ブロックの両方に供給する。 （もっと読む）

【課題】直流電源配線に電流が流れたか否かを検出可能な回路を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置において、駆動回路ＢＬＤＵ，ＢＬＤＤ，ＢＬＢＤＵ，ＢＬＢＤＤは、電流磁界またはスピン注入によってトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲ，ＴＭＲＢを第１の磁化状態に初期設定するために、制御信号線ＢＬ，ＢＬＢに直流電流を流す。電源配線ＤＬは、トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲ，ＴＭＲＢに近接して設けられる。ここで、トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲ，ＴＭＲＢは、電源配線ＤＬに直流電流が流れるときに生じる電流磁界によって第２の磁化状態に変化する。センスアンプ１０は、トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲ，ＴＭＲＢが第１の磁化状態から第２の磁化状態に変化したか否かを判定するために、制御信号線ＢＬ，ＢＬＢを介してトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲ，ＴＭＲＢに流れる電流を検出する。 （もっと読む）

【課題】寿命が長い半導体装置を提供する。
【解決手段】このＬＳＩは、２つのＣＰＵ１，２と、ＣＰＵ１，２のうちのいずれか１つのＣＰＵを示す論理レベルのデータ信号が書き込まれた記憶回路４と、リセット信号ＲＥが非活性化レベルにされてＬＳＩのリセットが解除された場合、記憶回路４の記憶データの論理レベルに対応するＣＰＵのみに電源電圧を供給するとともに、記憶回路４の記憶データを現在の論理レベルと異なる論理レベルのデータ信号に書き換える制御回路３，５とを備える。したがって、故障の検知や、厳密なタイミング制御を必要とせずに、ＣＰＵの長寿命化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】積層チップシステムにおいて、各チップのＩＯ回路の大きさを、そのドライブ能力やＥＳＤ耐性能力を維持した上で、従来のサイズから縮小し、積層システムでは積層数に応じてＩＯ数を変化させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】積層チップシステムにおいて、各チップは、各ＩＯ用の貫通ビア接続用パッド２０１に接続するＩＯ回路２０２、スイッチ回路２０６にてＩＯチャネル２０７を構成し、このＩＯチャネル２０７を最大積層予定数のＩＯチャネル分まとめて接続してＩＯグループを構成し、このＩＯグループを１個以上持つ。各ＩＯ用の貫通ビア接続用パッド２０１は、貫通ビアにて別層のチップの同一位置のＩＯ端子と接続される。インターポーザにおいては、実際の積層数が最大積層予定数に満たない場合はインターポーザ上で隣接するＩＯグループ内のＩＯ用の接続用パッドが導体で接続されている。 （もっと読む）

【課題】格納された鍵の値の推測を困難にすることができる、鍵格納回路、半導体集積回路、及びシステムを提供する。
【解決手段】ＬＳＩ１０に搭載された鍵格納ブロック２０は、ｋ個のヒューズメモリセル３０を有するヒューズブロック２２と、鍵生成回路２４と、を備えており、ヒューズブロック２２からは予め実装されているビット長ｋの固定出力値ｆｏｕｔ［ｋ−１：０］が出力される。鍵生成回路２４は、レジスタ及び復号器を含んで構成されており、復号器は、演算処理により、固定出力値ｆｏｕｔ［ｋ−１：０］と、レジスタの出力値と、からビット長ｎ（ｎ＞ｋ）の鍵ｋｅｙ［ｎ−１：０］を生成して出力する。 （もっと読む）

【課題】レベル変換回路のレイアウト面積の縮小を図る。
【解決手段】半導体集積回路装置（１０）は、レベル変換回路（１４）と、Ｄ／Ａ変換回路（１２）とを備える。このとき、パラレル形式のデジタル信号をシリアル形式に変換して上記レベル変換回路に供給するためのパラレル・シリアル変換回路（１５）と、上記レベル変換回路の出力をパラレル形式のデジタル信号に変換して上記Ｄ／Ａ変換回路に供給するためのシリアル・パラレル変換回路（１３）とを設ける。上記レベル変換回路は、シリアル形式のデジタル信号に対応するレベル変換機能を備えていれば良く、パラレル形式のデジタル信号に対応させる場合に比べて、レベル変換回路のレイアウト面積を縮小することができる。 （もっと読む）

【課題】電源遮断領域の信号配線の自由度を低下させないで、電源遮断用スイッチから電源遮断領域に至る電圧伝達経路における電圧降下を抑える。
【解決手段】半導体集積回路装置（８０）は、電源遮断用スイッチ（９０）と電源遮断領域（７６３）とが形成された半導体チップ（２２）とを含む。半導体チップは基板（２１）に結合される。上記電源遮断領域の外側に上記電源遮断用スイッチを配置することで、電源遮断領域内の配線チャネル数の低減を回避する。そして上記基板には、上記半導体チップ内から上記電源遮断用スイッチを介して上記半導体チップの外に伝達された電源電圧を再び上記半導体チップ内に伝達して上記電源遮断領域へ給電するための基板側給電路（３０）を形成することで、上記電源遮断用スイッチと上記電源遮断領域との間の電圧降下を抑える。 （もっと読む）

【課題】複数の回路ブロックの特性を正確に一致させる。
【解決手段】例えば、端子３１Ａ，３１Ｂと、これら端子間に設けられた回路１１０Ａ，１１０Ｂを備える。回路１１０Ａは端子３１Ａに接続され、端子３１Ａから端子３１Ｂへ向かって配置されたセル１２０Ａ，１３０Ａ，１４０Ａを含む。回路１１０Ｂは端子３１Ｂに接続され、端子３１Ｂから端子３１Ａへ向かって配置されたセル１２０Ｂ，１３０Ｂ，１４０Ｂを含む。セル１２０Ａ，１２０Ｂのレイアウトは、形状、サイズ及び向きがトランジスタレベルで同一である。セル１３０Ａ，１３０Ｂ及びセル１４０Ａ，１４０Ｂのレイアウトは、形状及びサイズが同一であり、トランジスタの向きが１８０°相違している。これにより各セルを対称配置しつつ、センシティブなセル１２０Ａ，１２０Ｂにおいては電流方向の違いによる特性差が生じない。 （もっと読む）

【課題】温度が高くなりすぎたりあるいは低くなりすぎたりする発振状態となって、半導体集積回路が誤動作、動作停止等することを防止する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体集積回路１は、回路部の温度又は動作速度に基づいて、温度が安定するように、回路部の制御パラメータを調整して、フィードバック制御を実行する制御部と、温度の時系列データである第１の履歴データと、制御パラメータの時系列データである第２の履歴データとを含む履歴データを格納する履歴レジスタ１７と、履歴データからフィードバック制御の有効性を判定する有効性判定部２４とを有する。 （もっと読む）

【課題】電源ノイズによるデジタル信号の取込エラーを低減すること。
【解決手段】パルス制御信号に応じてスイッチング動作を行なうスイッチング回路１２０と、デジタル信号を取り込むデジタル信号保持回路１１１と、を備え、デジタル信号保持回路１１１は、スイッチング動作による電源ノイズの発生期間におけるデジタル信号の取り込みを回避するためのマスク信号をパルス制御信号から生成するマスク信号生成回路１１４を含み、電源ノイズの発生期間にはデジタル信号を取り込まず、電源ノイズの非発生期間に前記デジタル信号を取り込む半導体装置。 （もっと読む）

【課題】ＬＳＩのレイアウト設計において、ＴＡＴ（Ｔｕｒｎ Ａｒｏｕｎｄ Ｔｉｍｅ）を増加させることなくタイミング収束を実現する。
【解決手段】ＬＳＩのレイアウト設計方法は、レイアウト対象の集積回路のネットリストに基づいて、前記集積回路をクロックドメインに分けることでクロックドメイン回路集合体に区分する工程と、前記クロックドメイン回路集合体の各々に対するタイミング制約を作成する工程と、所定の基準に基づいて前記クロックドメイン回路集合体間の配置順序を決定する工程と、前記クロックドメイン回路集合体を前記配置順序に従って配置し配線することにより前記集積回路のレイアウトを作成する工程とを備える。レイアウト設計後のタイミング収束のＴＡＴを短縮することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】レイアウトの複雑化や面積増大を伴わずにオフリーク電流の抑制と高速化を両立した半導体回路の実現。
【解決手段】通常動作モードと、少なくとも一部の回路に供給する信号を固定して、少なくとも一部の回路の状態を固定する低消費電力モードと、を備え、少なくとも一部の回路20において、低消費電力モード時にオン状態になるトランジスタPT1,PT3,NT2,NT4の閾値電圧が、低消費電力モード時にオフ状態になるトランジスタPT2,PT4,NT1,NT3の閾値電圧より小さい。 （もっと読む）

【課題】広範囲、光分解能に周波数を可変することのできるクロック信号を生成する。
【解決手段】オペアンプＡＭＰ１は、正入力部と負入力部が等しい電圧となるようフィードバックがかかり、回路ノードｆｂｃｋは、参照電圧ＶＲＥＦＩに等しい電圧となる。デコーダＤＥＣは、制御信号ＣＮＴ７，ＣＮＴ６をデコードし、トランジスタＴ２〜Ｔ５のいずれか１つをオンさせる。この構成によって、回路ノードｆｂｃｋが、参照電圧ＶＲＥＦＩと同電位となるようフィードバック制御がかかるため、トランジスタＴ２〜Ｔ５のＯＮ抵抗を大幅に低減することができ、周波数精度の悪化を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】複数の電圧レベルの電源電圧が供給される入出力バッファ回路に対して、従来よりも少ない電源配線スペースで十分な電源供給を可能にする。
【解決手段】半導体装置３において、入出力バッファ回路ＢＦは電圧レベルの変換を行なう。第１の電源配線ＨＶＬは、入出力バッファ回路ＢＦの第１の回路部分ＨＣと接続され、第１の回路部分ＨＣに第１の電源電圧ＶＣＣ１を供給する。第２の電源配線ＬＶＬは、入出力バッファ回路ＢＦの第２の回路部分ＬＣと接続され、第２の回路部分ＬＣに第２の電源電圧ＶＣＣ２を供給する。複数のスイッチ部ＳＷは、第３の電源配線ＳＶＬに沿った複数箇所にそれぞれ設けられる。複数のスイッチ部ＳＷの各々は、内部回路１０から出力された制御信号に応じて、第１および第２の電源配線ＨＶＬ，ＬＶＬのうち選択された一方の電源配線と第３の電源配線ＳＶＬとを接続する。 （もっと読む）

【課題】チップコストの低下とチップ歩留りの向上とを同時に実現する。
【解決手段】実施形態に係わる半導体チップは、パッド領域１１及び方形でないゲート領域１２を備える第１のレイアウトＬ１と、第１のレイアウトＬ１を１８０°回転させた第２のレイアウトＬ２とを備える。第１及び第２のレイアウトＬ１，Ｌ２は、点対称かつ重なり合わずに結合されることによりチップレイアウトを構成する。チップレイアウトは、方形のチップ領域内に配置され、第１及び第２のレイアウトＬ１，Ｌ２は、それぞれ独立に動作するＬＳＩを構成する。 （もっと読む）

【課題】デュアル電圧パワーアイランドアーキテクチャにおいて、低いオフ状態リークを実現する事が可能な最適な減結合キャパシタンスのための方法およびシステムを提供する。
【解決手段】チップの低電圧領域において、誘電体膜厚の異なる２つの異なるタイプのコンデンサが使用される。膜厚の薄いコンデンサは常時オン状態の領域で使用され、膜厚の厚いコンデンサーは条件付きで起動される領域で使用される。これによって低いオフ状態リークをで減結合コンデンサーを使用できる。 （もっと読む）

【課題】バイアス電流を配給する際のノイズ耐性を大幅に向上させる。
【解決手段】基準バイアス電流回路１１は、基準バイアス電流Ｉｐと該基準バイアス電流Ｉｐと電流の極性が逆となる基準バイアス電流Ｉｎとを生成し、２本の配線を１ペアとしたバイアス電流用配線Ｈ１を介してバイアス電流回路２ａに供給する。ペアの配線のうち、一方の配線は他方の線の近傍に平行してレイアウトされており、これら配線の配線長が略同じとしている。バイアス電流回路２ａでは、基準バイアス電流Ｉｐを反転させ、基準バイアス電流Ｉｎに加算した後、必要なバイアス電流となるように調整し、バイアス電流を生成する。 （もっと読む）

【課題】モータ制御用半導体装置に対するコンタクト用ピンからの影響を低減する
【解決手段】ホール素子１０２からの出力のオフセット電圧を取り除くオフセットキャンセル回路１０４に含まれるオシレータ回路１２と、オフセットキャンセル回路１０４からの出力信号を受けて、当該出力信号と基準信号とを比較して比較信号を生成して出力するコンパレータ回路１０６と、モータを駆動するための駆動信号を生成して出力する出力回路１１０と、モータの制御に関係しないテスト回路１１２と、を有し、オシレータ回路１２の回路パターン上、コンパレータ回路１０６の回路パターン上、及び、テスト回路１１２の回路パターン上のいずれか１つに重なるようにパルス幅変調信号の入出力パッドＰ１を形成する。 （もっと読む）

【課題】低電位領域と高電位の配線が交差することの無い優れた耐圧性能を示す半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明の半導体装置は、ロジック回路（５０１）と、ロジック回路からの制御信号に従い低電位側パワー素子を駆動する低電位側駆動回路（５０２）と、ロジック回路からの制御信号がレベルシフト回路を介して入力され、高電位側パワー素子（５０６）を駆動する高電位側駆動回路（５０５）と、複数に重なったトレンチ分離領域により、前記高電位側パワー素子を含む高電位島を分離する多重トレンチ分離領域（５０８）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】電源電圧の分離数や接地電圧の分離数の増大により静電保護回路の回路数もしくは静電保護素子数の増大を軽減する。
【解決手段】半導体集積回路１は、第１と第２と第３の動作電圧供給端子２１、２２、２３と、第１と第２と第３の内部回路１１、１２、１３と、第１と第２と第３の静電保護回路４１、４２、４３と、接続中Ｃｄとを具備する。第１と第２と第３の内部回路１１、１２、１３は、第１と第２と第３の動作電圧供給端子２１、２２、２３の第１と第２と第３の動作電圧でそれぞれ動作する。第１と第２と第３の静電保護回路４１、４２、４３は、第１と第２と第３の動作電圧供給端子２１、２２、２３と接続中点Ｃｄの間にそれぞれ接続される。すなわち、第１と第２と第３の静電保護回路４１、４２、４３は、従来のΔ(デルタ)接続ではなく、接続中点Ｃｄに関してＹ(スター)接続される。 （もっと読む）