【課題】高出力で信頼性の高い半導体発光素子が得られる半導体発光素子の製造方法及び半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１１は、ｎＧａＡｓ基板１と、ｎ型ＡｌＧａＡｓ下部クラッド層と、５００°Ｃ以上で且つ５８０°Ｃ未満の成長温度で形成されたＧａＩｎＡｓ／ＧａＡｓ量子井戸層５と、ＧａＩｎＡｓ／ＧａＡｓ量子井戸層５の成長温度以下の成長温度で形成されたｐ型ＩｎＧａＰ上部第１クラッド層７及びｐ型ＩｎＧａＰ上部第２クラッド層９と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ用の半導体装置において、発光効率を向上する。
【解決手段】ＬＥＤ用の半導体装置は、基板１０上に形成されたオーミック電極１１と、このオーミック電極１１上に接合され、電気を光に変換して出射するＬＥＤ用の半導体薄膜２０と、オーミック電極膜１１の開口部内に形成され、半導体薄膜２０の裏面側から漏れる光を反射する反射部１２とを有している。反射部１２は、高反射金属膜により形成され、半導体薄膜２０の裏面側から漏れる光をその半導体薄膜２０の方向へ反射する機能を有している。そのため、反射部１２の光反射により、光出力を向上できる。 （もっと読む）

【課題】、基板と光学素子アレイを熱硬化接合部材によって比較的強固に結合するとともに、熱硬化接合部材が光学素子アレイの上面に到達することを抑制する。
【解決手段】特定方向に沿って配列された複数の光学素子が上面に配置された光学素子アレイと、複数の前記光学素子アレイが、前記特定方向に沿って隣接して配置された基板と、を備え、隣接する前記光学素子アレイ同士が、前記光学素子アレイの各端面の間隙に配された光硬化接合部材によって接合され、前記光学素子アレイと前記基板とが、前記光学素子アレイの下面と前記基板の上面との間隙に配された熱硬化接合部材によって接合されていることを特徴とする光学素子ヘッドを提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜を基板に貼り付けて製造する半導体複合装置の製造方法において、素子分離された個別半導体素子を上記基板上に高い位置精度でかつ容易に形成できるようにする。
【解決手段】半導体複合装置の製造方法は、薄膜の半導体薄膜１２０を、該半導体薄膜１２０の貼り付け面と基板３０１上に設けた導通層３０２の表面との間の分子間力により、該基板３０１に貼り付ける工程と、上記半導体薄膜１２０を上記基板３０１上で一括して個別の半導体素子（発光素子）５０１に素子分離する工程とを含む。 （もっと読む）

本発明は半導体発光素子に関する。本発明の半導体発光素子は第１導電型半導体層と、前記第１導電型半導体層の下に活性層と、前記活性層の下に第２導電型半導体層と、前記第２導電型半導体層の下に第２電極層と、前記第２電極層の一側上に絶縁膜と、前記絶縁膜の上に前記第１導電型半導体層の一端に電気的に連結された第１電極を含む。
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【課題】更なる光出力の向上と良好なオーミック電極の形成を可能にする最適なｐ型層の構造を有するエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】少なくとも、基板と、該基板上にエピタキシャル成長によって形成されたｎ型層および該ｎ型層上にｐ型層とを有するエピタキシャルウェーハにおいて、前記ｎ型層および前記ｐ型層はＧａＡｓＰまたはＧａＰであり、前記ｐ型層は少なくとも第１ｐ型層と該第１ｐ型層より上に第２ｐ型層とを有し、前記第１ｐ型層のキャリア濃度は５×１０^１６〜３×１０^１７／ｃｍ^３、前記第２ｐ型層のキャリア濃度は７×１０^１８〜３×１０^１９／ｃｍ^３であることを特徴とするエピタキシャルウェーハ。 （もっと読む）

【課題】従来のエピタキシャルウェーハに比べて、結晶性が良好であり、また発光輝度を向上させることができるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に、エピタキシャル成長によってｎ型層１２と、該ｎ型層１２上にｐ型層１３とを形成し、該エピタキシャル成長の際に、少なくとも前記ｎ型層１２および前記ｐ型層１３形成時に窒素ドープ用ガスを、前記ｐ型層１３形成時にｐ型ドーパントドープ用ガスを導入するエピタキシャルウェーハの製造方法において、前記ｎ型層１２および前記ｐ型層１３として、ＧａＡｓＰまたはＧａＰを形成し、前記ｐ型層１３を、少なくとも第１ｐ型層１３ａ形成後に、該第１ｐ型層１３ａよりキャリア濃度の高い第２ｐ型層１３ｂを形成し、前記第１ｐ型層１３の成長途中から少なくとも前記第２ｐ型層１３ｂの成長終了までの間に、前記窒素ドープ用ガスの導入量を０ｓｃｃｍまで徐々に減少させる。 （もっと読む）

【課題】各ＬＥＤ素子から発せられる光を基板の近くで混合させることができ、製造、交換等コストのさらなる低廉化を図ることのできるバックライト装置を提供する。
【解決手段】複数のＬＥＤ素子２１，２２，２３と、各ＬＥＤ素子２１，２２，２３が搭載されるサブマウント３と、サブマウント３が搭載され電極パターン８が形成される基板４と、各ＬＥＤ素子２１，２２，２３ごとに設けられＬＥＤ素子２１，２２，２３の電極と基板４の電極パターン８とを直接的に接続するワイヤ６と、を備え、各ＬＥＤ素子２１，２２，２３の密実装と、高いメンテナンス性を実現した。 （もっと読む）

【課題】Ｎ及びＡｓのためのＶ族構成元素およびIII族構成元素を少なくとも含むIII−Ｖ化合物半導体層の表面形態を引き継ぐこと無く、III−Ｖ化合物半導体層上に成長される半導体層表面の平坦性を向上できる。
【解決手段】成長期間ｔ_５〜ｔ_６では、ＴＥＧａ及びＴＢＡｓを交互に成長炉１１に供給して、ＧａＡｓ障壁層をＧａＩｎＮＡｓ層上に成長する。具体的には、第２のIII−Ｖ化合物半導体層１９の成長では、時刻ｔ_５において、ガリウム原料の供給を開始すると共に、時刻ｔ_５１において、ガリウム原料の供給を停止する。次いで、時刻ｔ_５２においてヒ素原料の供給を開始すると共に、時刻ｔ_５３においてヒ素原料の供給を停止する。Ｖ族原料を供給する第１工程と、III族原料を供給する第２工程とを繰り返すことによって、第２のIII−Ｖ化合物半導体層１９が成長される。 （もっと読む）

【課題】小型化、薄型化した場合でも、高い指向性を得ることが可能な発光装置を提供する。
【解決手段】この表面実装型ＬＥＤ（発光装置）１００は、ＬＥＤ素子１０が取り付けられた基板１と、基板１の上面上に平面的に見てＬＥＤ素子１０を囲むように装着され、内側面２１ａが反射面とされる反射枠体２０と、基板１の上面における反射枠体２０の内側の領域上に、反射枠体２０の内側面２１ａから離間して配設された透光性部材３０とを備えている。そして、透光性部材３０は、ＬＥＤ素子１０からの光を反射枠体２０の反射面の方向に反射させるように傾斜した反射面３２ａを含んでいる。この反射面３２ａは、透光性部材３０の上部に設けられた略逆円錐状の凹部３１の傾斜面３２によって構成されている。 （もっと読む）

【課題】発光効率を高める発光ダイオード及びその製造方法を提供するものである。
【解決手段】発光ダイオードの基材上には、順序に基づいて緩衝層、第一型エピタキシー層、発光層、及び第二型エピタキシー層を設け、該第二型エピタキシー層表面は、粗化処理を施して粗化表面を形成し、該粗化処理とは、粒径の大きさが同等の球体を第二型エピタキシー層の表面に敷いた後、ドライエッチングによって球体を除去するものであり、その第二型エピタキシー層には、複数の周期性配列を持つ凹槽を形成し、該凹槽によって、全反射して射出不可能な光線を更に反射し、不規則な変化をする光線走行方向によって、光線は、一回もしくは数回全反射した後、発光ダイオード外部に射出され、最良の光線射出効率を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】光出力の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｐｎ接合を有するＩｎＧａＡｌＰ系の活性層１６と、活性層１６上に形成され、活性層１６に流れる電流を広げるための電流拡散層１７と、電流拡散層１７上に形成され、膜厚が５ｎｍ乃至１００ｎｍのＧａＡｓ_１−ｘＰ_ｘ（０．４≦ｘ＜１．０）膜を有するコンタクト層１８と、コンタクト層１８上に形成され、活性層１６に通電するための電極１９とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤによって光が生成され、最大のＣＲＩ値と同時に可変の色温度をもつ白色の照明光を提供することを可能にし、式ＣＲＩ_{Beleuchtungsmodul}＞８０が成り立つような、手術用顕微鏡の照明モジュールを提供する。
【解決手段】本発明は、少なくとも１つの白色光ＬＥＤを有する光源を備えた照明モジュールに関する。本発明では、白色光ＬＥＤに加えて、赤色光のＬＥＤと緑色光のＬＥＤが設けられている。照明モジュール１００は、照明光のための照明モジュールの出力部１１２で白色の照明光を提供するために、白色光ＬＥＤの光を、赤色光のＬＥＤの光及び緑色光のＬＥＤの光と混合する光混合装置１０７を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】本発明は半導体発光素子に関する。
【解決手段】発光された光の反射または吸収を最少化し、発光面積は最大に確保して発光効率を最大化すると同時に小さい面積の電極で均一な電流分散が可能で、信頼性が高く量産性に優れた高品質の半導体発光素子が提案される。本発明の半導体発光素子は第１導電型及び第２導電型半導体層とその間の活性層を含み、各半導体層を電気的に連結させる第１電極層及び第２電極部を含む。第２電極部は電極パッド部、電極延長部、及び電極パッド部と電極延長部を連結する電極連結部を含む。 （もっと読む）

本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ）に関する。特に本発明は、ナノワイヤを活性部分として有するＬＥＤに関する。本発明にかかるナノ構造のＬＥＤは、基板と、該基板から突出した直立したナノワイヤとを含む。活性領域(120)に光を生成する能力を与えるｐｎ接合は、この構造内に存在する。前記ナノワイヤ(110)、または、前記ナノワイヤから構成される構造は、前記活性領域で生成された光の少なくとも一部を、前記ナノワイヤ(110)により与えられる方向に向ける導波管(116)を形成する。
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【課題】高い発光効率を低コストで実現することのできる発光ダイオードを提供する。
【解決手段】ＤＢＲ光反射層６に凹凸が形成されているため、ＤＢＲ光反射層６で反射された光は、反射角が変わり、臨界角以下の方向に反射される可能性が生じ光を取り出すことができるようになる。また、この凹凸を形成した基板上にエピ層が形成されているため、エピ層表面にも凹凸部が形成されることになり、表面に向かった光も光取り出し効率が高くなるとともに、また表面で反射する光も反射方向が変えられるという効果もある。 （もっと読む）

【課題】感光体などの各種像担持体に対し、それぞれ適宜、効率的に補正ができ、その利便性を顕著に高める光プリントヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】順次下記の各工程を経る。（１）各発光素子の発光出力を所要の範囲内にて均一化するために必要な電力値を与える光量補正データを作成する。（２）前記データを用いて各発光素子をそれぞれ略等しい輝度になるように発光させ、結像光学系を透過した光の強度分布を略結像位置にて測定する。（３）各発光素子に対応するピーク値に対し、所定の比率の強度閾値を等高線とする領域の断面積である強度断面積値を求める。（４）ｎ番目の発光素子を中心とする前後所定個の発光素子の強度断面積値の平均値である移動平均を計算して補正目標値とする。（５）補正目標値に近づけるための補正データを求めて前記光量補正データと合算する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤーボンド工程において、パッド層とワイヤーの接着強度が弱い、あるいはパッド層とワイヤーが接着しない等の不具合が生じない半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｐ型ＧａＰ層を光取り出し面側に有し、ｐ型ＧａＰ層の上に低抵抗オーミック接触を実現するためのオーミック層と、ワイヤーボンドのためのパッド層をこの順に積層したｐ側電極を有する半導体発光素子において、前記オーミック層が形成された後、低抵抗オーミック接触を実現するための合金化熱処理工程が行われ、しかる後にパッド層を形成する。このような構成とすることにより、ｐ型ＧａＰ層とのオーミック接触を確保しつつパッド層形成後の熱処理が不要となり、合金化熱処理工程によりオーミック層の電極材料がパッド層の表面に析出することがなくなるので、パッド層とワイヤーとの接着強度が確保される。 （もっと読む）

ＬＥＤの明るさ及び／または効率を高めるための電極構造体を開示する。電極構造体は、金属電極、及び、電極と発光半導体材料との中間に形成される光透過性の厚い誘電体材料を有することができる。電極と厚い誘電体とは、光が最終的に半導体材料から伝送される可能性を高めるために、協働して半導体材料からの光を半導体へ反射して返す。このようなＬＥＤは高められた有用性を有することができ、全般照明等の用途に適する可能性がある。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＧａＩｎＰからなる発光層部の両面にＧａＰ光取出層がエピタキシャル成長されているにも拘わらず、発光層部への結晶欠陥の導入が効果的に抑制され、ひいては発光輝度や素子ライフに優れた発光素子を提供する。
【解決手段】 発光素子１００は、ＡｌＧａＩｎＰからなるダブルへテロ構造を有する発光層部２４と、発光層部２４の一方の主表面側にエピタキシャル成長された発光層部２４よりも厚い第一のＧａＰ光取出層２０と、発光層部２４の他方の主表面側にエピタキシャル成長された発光層部２４よりも厚い第二のＧａＰ光取出層９０とを備える。そして、第二のＧａＰ光取出層９０と発光層部２４との間に、ＧａＡｓ_ＸＰ_１−Ｘ（ただし、ＸはＧａＡｓ混晶比：０＜Ｘ＜１）からなる接続層９１を設ける。 （もっと読む）