【課題】高熱伝導性であり、接着性に優れ、さらに高い耐熱性を有するダイボンディング用樹脂ペーストを用いて発光素子を固定することで得られる、高信頼性の光半導体装置を提供する。
【解決手段】電極が形成された基板の上面に接着剤層を介して発光素子チップが固定され、該発光素子チップが封止されてなる光半導体装置において、接着剤層は、８５℃×８５％ＲＨ×７２時間の条件で処理し、さらに２６０℃でリフロー処理後において、フレームとの接着強度が１ｋｇｆ／ｍｍ^２以上であり、熱伝導度が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上かつ電気抵抗率が７×１０^−６Ω・ｃｍ以下である光半導体装置。 （もっと読む）

発光ダイオード（ＬＥＤ）の構造が開示され、この構造は、少なくとも１つのＬＥＤユニット（１）と、第１の材料から作られた、少なくとも第１の種類のＬＥＤのダイ（３）と、第２の材料から作られた、少なくとも第２の種類のＬＥＤのダイ（４）と、波長変換材料（６）を備えている密封部材（５）と、を備え、前記少なくとも第１の種類のＬＥＤのダイ（３）は、前記少なくとも第２の種類のＬＥＤのダイ（４）とは別々に、電気的にアドレス指定可能であり、前記少なくとも１つのＬＥＤユニット（１）は、両方の種類のＬＥＤのダイ（３，４）を備えていると共に、波長変換材料（６）を備えた前記密封部材（５）の少なくとも１つの連続部分を備え、両方の種類のＬＥＤのダイ（３，４）から放射された光を受けるように配置されている。ＬＥＤ構造はさらに、前記ＬＥＤ構造から得られる色温度を調整するための手段（７）を備えている。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓの格子定数より低い格子定数を有する改善された擬似基板並びにかかる擬似基板を備えた半導体素子を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ製の半導体基板（１）であってその上に半導体層配列（２、１３、１４、３５）が施与された半導体基板であって、該半導体層配列（２、１３、１４、３５）は、Ａｌ_１−ｙＧａ_ｙＡｓ_１−ｘＰ_ｘ［式中、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１］からなる多数の半導体層を含み、その際、幾つかの半導体層は、それぞれリン割合ｘを有し、その割合は、半導体層配列の成長方向でその下にある隣接する半導体層中の割合よりも大きいことを特徴とする半導体基板と該基板を含む半導体素子とによって解決される。 （もっと読む）

【課題】 バリの発生等に起因する通電用の電極間の短絡を抑制することができる発光ダイオードアレイを提供することを目的とする。
【解決手段】 ＰＮ層が積層された基板の表面に、エッチングにより、分離独立するように形成した複数個の島状の発光部３を備えた発光ダイオードアレイ１において、各発光部３は、光を取り出すための発光窓５が設けられた第１領域と、その第１領域を挟むように逆メサ方向（Ｙ方向）に隣接した第２領域とから構成される。そして、各発光部３において、第２領域の順メサ方向（Ｘ方向）の幅は第１領域の順メサ方向の幅よりも狭くなっている。
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【課題】ＧａＡｓ_ｘＰ_１−ｘ（０≦ｘ≦１）基板上にＧａＡｓ_ｘＰ_１−ｘ（０≦ｘ≦１）層および内部にｐｎ接合を有する発光層が形成された発光ダイオードチップの表面を特定のエッチング混合液で効率的に粗面化し、外部への光の取り出し効率を著しく向上させた高い光強度の発光ダイオードを提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ_ｘＰ_１−ｘ（０≦ｘ≦１）基板上に、少なくともＧａＡｓ_ｘＰ_１−ｘ（０≦ｘ≦１）層および内部にｐｎ接合を有する発光層が形成された発光ダイオードチップの表面を、ヨウ素酸、フッ化水素酸および硫酸を含む混合液を用いて化学エッチングすることにより粗面化する。 （もっと読む）

【課題】 基板を水平面内で回転させることにより、液相エピタキシャル成長におけるウェハ面内の特性の均一性を向上させるＬＥＤ用エピタキシャルウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】 円形基板４を水平面内で回転しながら、上方のメルト部５に貯留されている原料融液６又は上方から供給される原料融液に接触させることにより、目的とするＡｌＧａＡｓ層、ＧａＰ層、ＧａＡｓＰ層などの化合物半導体層を液相で成長する。 （もっと読む）

【課題】
より高い輝度とより優れた電流拡散を有する半導体発光デバイスを提供する。
【解決手段】
基板、半導体発光積層体、第１電極、第１透明酸化物導電層、及び第２電極を有する半導体発光デバイスが提供される。半導体発光積層体は、基板に配置され、第１表面領域及び第２表面領域を有する。第１電極は第１表面領域に配置される。第１透明酸化物導電層は第２表面領域に配置される。第２電極は第１透明酸化物導電層上に配置される。発光デバイスの面積は2.5×10⁵μm²より大きく、第１電極と第２電極との間隔は原則的に150μmと250μmとの間であり、且つ第１電極及び第２電極の面積は発光層の面積の15％から25％である。 （もっと読む）

【課題】 照明として使用した場合に、演色性の良い、特に赤色の再現性が良い白色光を発光することができる白色発光ＬＥＤランプを提供する。
【解決手段】 白色発光ランプ１は、紫外線を発する紫外線ＬＥＤ２と赤色を発光する赤色ＬＥＤ３とを、紫外線で励起され発光する複数の蛍光体４（複数の青色発光蛍光体および緑色発光蛍光体）を含む透明樹脂５によって封止された構造である。 （もっと読む）

【課題】 加工の際に割れにくい化合物半導体ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】 ＧａＡｓ単結晶基板１０の第一主表面上に下層エピタキシャル層２０を気相成長する下層エピタキシャル層成長工程と、下層エピタキシャル層２０上にＧａＡｓ_１−ａＰ_ａ（０＜ａ≦１）エピタキシャル層３０を気相成長するＧａＡｓ_１−ａＰ_ａエピタキシャル層成長工程と、該ＧａＡｓ_１−ａＰ_ａエピタキシャル層３０又はＧａＡｓ単結晶基板１０の周辺部に形成されるクラウン８２，８４を除去するクラウン除去工程と、ＧａＡｓ_１−ａＰ_ａエピタキシャル層の気相成長の際に、ＧａＡｓ単結晶基板１０の第二主表面に形成される破砕層６０をウェットエッチングにより除去することにより、内部のＧａＡｓ単結晶１０を露出させるウェットエッチング工程と、をこの順に行う。 （もっと読む）

【課題】圧力を利用しその活性層のエネルギーバンドギャップを調整することにより発光波長を可変させることが可能な波長変換型の発光ダイオードを提供する。
【解決手段】波長変換型の発光装置２０は、第１及び第２導電型クラッド層３ａ、３ｂとその間に特定波長の光を放出する活性層２を有し、対向する第１及び第２面を有する半導体発光ダイオード１０と、前記半導体発光ダイオードの第１面及び第２面の少なくとも一面に配置され印加電圧によって厚さが増減される少なくとも一つの圧電体層１５ａ、１５ｂと、弾性が殆どない強体（剛性）物質を用いてなり、前記圧電体層の厚さの増加が前記半導体発光ダイオードに圧力で印加されるように前記圧電体層及び前記半導体発光ダイオードを囲む強性フレーム１７と、前記第１及び第２導電型クラッド層と前記圧電体層に各々接続され前記強性フレーム上に形成された複数個の端子部を備える。 （もっと読む）

【課題】順方向電圧が２Ｖ以下と低く、且つ電流分散層の表面の凸状欠陥を低減して、逆方向電圧やリーク電流等による不良を低減し、またプロセス上での問題も解決し得る半導体発光素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】ｎ型半導体基板１と、ｎ型クラッド層４とｐ型クラッド層６との間に活性層５が設けられた発光部と、該発光部上に形成されたｐ型接続層７と、該ｐ型接続層７上に積層されたｐ型電流分散層８と、該ｐ型電流分散層８の表面の一部と、前記半導体基板の裏面の全面又は部分的に電極が形成された半導体発光素子の製造方法において、前記ｐ型接続層７の成長温度Ｔ２が前記発光部の成長温度Ｔ１よりも低く、且つ前記ｐ型電流分散層８の成長開始温度Ｔ３が該ｐ型接続層７の成長温度Ｔ２であり、更に該ｐ型電流分散層８の成長終了温度Ｔ３が、前記発光部の成長温度Ｔ１よりも高い温度履歴となるように設定する。 （もっと読む）

【課題】順方向電圧が２Ｖ以下と低く、且つＧａＰから成る電流分散層の表面の凸状欠陥を低減して、逆方向電圧やリーク電流等による不良を低減し、またプロセス上での問題も解決し得る半導体発光素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】ｎ型半導体基板１と、ｎ型クラッド層とｐ型クラッド層４との間に活性層５が設けられた発光部と、該発光部上に形成されたｐ型電流分散層８と、該ｐ型電流分散層８の表面側の一部と、前記ｎ型半導体基板１の裏面の全面又は部分的に電極９、１０が形成された半導体発光素子の製造方法において、前記ｐ型電流分散層８の成長温度Ｔ２を前記発光部の成長温度Ｔ１よりも高くし、且つ該ｐ型電流分散層８の成長開始温度Ｔ２に達するまでの過程（区間Ｂ）にｐ型不純物を流し続ける。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、発光素子アレイチップとヘッド基板との搭載が容易となり、発光素子アレイチップの接続端子電極とヘッド基板の配線パターンとの電気的な接続が非常に容易に達成できる光プリンタヘッドおよびプリンタを提供することにある。
【解決手段】
本発明は、複数個の発光素子１０を配列された発光素子アレイチップ１と、該発光素子アレイチップ１が列状に搭載され、且つ前記発光素子１０に電気的に接続する駆動ＩＣ３が搭載されてなるヘッド基板２と、前記ヘッド基板２を収容するとともに、発光素子１０から光を外部に供給するロッドレンズアレイ７を備えたハウジング６、８とからなる光プリンタヘッドである。ヘッド基板２の表面には、前記各発光素子１０と駆動ＩＣ３とを接続する配線パターン２１が形成されているとともに、前記接続端子電極１３、１４は、前記発光素子アレイチップ１の端面に延在するとともに、前記接続端子電極１３、１４と所定配線パターン２１とが、前記発光素子アレイチップ１端面とヘッド基板２の表面の成す角部で導電性接着部材４によって接続されている。 （もっと読む）

【課題】逆方向耐電圧の信頼性（通電時の経時的安定性）に優れた半導体発光素子の製造方法を提供し、更には、それに伴って生ずる電流分散特性の低下を補う為の対策を有した半導体発光素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１上に、ＭＯＶＰＥ法によって、少なくとも活性層５を上部クラッド層６及び下部クラッド層４で挟んだ発光部と、その上に高濃度に導電型決定不純物が添加されたウインドウ層８を形成する半導体発光素子の製造方法において、前記ウインドウ層８における、少なくとも前記発光部に近い側の部分（高温成長部）１１を高い成長温度で成長し、更にそれ以外の部分における少なくとも一部分以上を低温成長部１２として前記高温成長部１１よりも低い成長温度で成長し、これによってウインドウ層８中に成長温度の異なる領域を設ける。 （もっと読む）

【課題】所要の色彩度と所要の強度が得られる白色光発光装置及びその発光方法を提供すること。
【解決手段】青色光発光ダイオードによって波長範囲が４００ｎｍないし５００ｎｍの青色光を発光するステップ１と、前記の青色光に励起されて波長範囲が５４０ｎｍないし７００ｎｍの蛍光を発光でき、且つ前記の青色光発光ダイオードの発光する青色光と混合して色彩温度６５００Ｋ以上の白色光を発光可能な複数の蛍光体を合成するステップ２と、波長範囲が５４０ｎｍないし６００ｎｍに設定されるオレンジ色光発光ダイオードを加入することによって白色光の色彩温度を調整するステップ３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】逆方向耐電圧の信頼性（通電時の経時的安定性）に優れた半導体発光素子の製造方法を提供し、更には、それに伴って生ずる電流分散特性の低下を補う為の対策を有した半導体発光素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１上に、ＭＯＶＰＥ法によって、少なくとも活性層５をそれぞれ異なる導電性を示すクラッド層４、６で挟んだ発光部と、その上に高濃度に導電型決定不純物が添加されたウインドウ層８を形成する半導体発光素子の製造方法において、前記ウインドウ層８における、少なくとも前記発光部に近い側（１１）を高Ｖ／III比で成長することとし、更にそれ以外の部分１２において少なくとも一部分以上を高Ｖ／III比成長部１１よりも低いＶ／III比で成長し、これによってウインドウ層中にＶ／III比の異なる領域（１１、１２）を設ける。 （もっと読む）

【課題】 本発明は粘着層を有するＬＥＤの提供を目的とし、より詳細には、複数の熱経路が形成された粘着層を有するＬＥＤの提供を目的とする。
【解決手段】 本発明は、熱経路を設けた粘着層を有する発光ダイオードに関する。本発明では、粘着層は基板とＬＥＤスタックに結合するように形成される。ＬＥＤの安定性及び発光効率を高めるように、ＬＥＤの熱損失効果を改善する熱損失パスを形成するため、粘着層を通過する複数の金属製の突出又は半導体の突出がある。 （もっと読む）

第１ステージと第２ステージとを有する、ツリーの形態を持つナノ構造を形成する方法。第１ステージは、基板表面上に少なくとも１つの触媒粒子を供給し、かつ、各触媒粒子を介して第１ナノウィスカーを成長させる工程を含む。第２ステージは、各第１ナノウィスカーの周囲に、１つ以上の第２触媒粒子を供給し、各第１ナノウィスカーの周囲から横方向に伸びる第２ナノウィスカーを成長させる工程を含む。更なるステージは、以前のステージのナノウィスカーから伸びる１つ以上のさらなるナノウィスカーを成長させる工程を含み得る。ヘテロ構造は、ナノウィスカー中に形成され得る。このようなナノ構造は、太陽電池アレイまたは光放出フラットパネルのコンポーネントを形成し得る。その構造において、ナノウィスカーは光電性材料から形成される。神経ネットワークは、複数の第１ナノウィスカーを近くに一緒に配置し、連続するステージで成長したナノウィスカーを通して隣接するツリーが互いに接触し、ナノウィスカー内のヘテロ結合が電流の流れに対してトンネル障壁を形成するようにすることによって、形成され得る。
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