【課題】 光取り出し効率を向上させた発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子は、底面13ａ、該底面13ａを挟んで第１側面13ｂおよび該第１側面13ｂと対向する第２側面13ｃを有する溝13が形成された単結晶基板12と、単結晶基板12の溝13上に設けられた光半導体層とを備えた発光素子であって、単結晶基板12の溝13は、第１側面13ｂの上端から底面13ａにかけて設けられた、第１側面13ｂから第２側面13ｃ側に向かって突出する凸部16を有している。凸部16を有する溝13が単結晶基板12に設けられていることから、外部への光取り出し効率を向上させることができる発光素子を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】光出力の大きい半導体発光素子を実現する。
【解決手段】第１のIII族窒化物からなる発光層と、第２のIII族窒化物からなりｎ型の導電型を呈するｎ型層と、第３のIII族窒化物からなりｐ型の導電型を呈するｐ型層と、を基材上に備え、発光層がｐ型層とｎ型層との間に位置する半導体発光素子において、それぞれが発光層とこれに隣接する相異なる２つの隣接層との界面である、ｎ型層側の第１の界面とｐ型層側の第２の界面との少なくとも一方が、平坦部を有するとともにｐ型層の側からｎ型層の側に向けて突出した曲面形状の凸部を有するようにする。 （もっと読む）

【課題】高品質のデバイス層が作製可能で、かつＧａＡｓ基板の剥離が容易な化合物半導体ウェハ、及び化合物半導体デバイス用ウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板上にデバイス層を有する化合物半導体ウェハ１０において、ＧａＡｓ基板１とデバイス層３の間に劈開性の優れた層状化合物からなる剥離層２を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】基板上に少なくとも１つの化合物半導体層が成膜された化合物半導体基板の反り量Ｈが５０μｍ≦Ｈ≦２５０μｍの範囲である化合物半導体基板を用い、この上に前記化合物半導体層の再成長層を積層する工程を有し、得られる半導体発光層の発光波長分布σを小さくすることが可能な半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体からなるｎ型半導体層１４０と発光層１５０とｐ型半導体層１６０を有する半導体発光素子の製造方法であって、基板１１０上に少なくとも１つの化合物半導体層が成膜された化合物半導体基板１００の反り量Ｈが５０μｍ≦Ｈ≦２５０μｍの範囲である化合物半導体基板を準備し、有機金属化学気相成長装置内において、前記化合物半導体基板の化合物半導体層上に、前記化合物半導体層の再成長層１３１を積層する工程を具備してなることを特徴とする半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】電極構造改善を通じて電流密度分布を均一にして高輝度を具現できる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板、基板上に順次形成されたｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層、ｐ型半導体層の一側エッジ上に形成されたｐ型電極パッドと、ｐ型電極パッドに連結されたｐ型補助電極と、を含むｐ型電極、ｐ型電極パッドの反対側でｎ型半導体層の他側エッジ上に形成されたｎ型電極パッドと、ｎ型電極パッドに連結されたｎ型補助電極と、を含むｎ型電極を含み、ｎ型補助電極は、ｐ型電極パッドが形成された一側エッジに向かい、ｐ型補助電極は、ｎ型電極パッドが形成された他側エッジに向かって互いに平行に載置されて、ｐ型電極がｎ型電極を取り囲む半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】ＬＬＯ法によらず、より簡便な方法で成長用基板の剥離を行うことが可能な半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体エピタキシャル層の成長温度よりも低い成長温度で、Ｖ／III比が３０００以上となるようにＶ族原料とIII族原料を供給して、成長用基板上にIII族窒化物からなる下地層を形成する。下地層上にＳｉをドープしつつ互いに異なる成長速度でIII族窒化物の成長を行う第１ステップおよび第２ステップを交互に複数回実施して内部に複数の空孔を含む空洞含有層を長用基板上に形成する。空洞含有層の上に半導体エピタキシャル層をエピタキシャル成長させる。半導体エピタキシャル層に支持基板を接着する。空洞含有層を境界層として成長用基板を剥離する。 （もっと読む）

【課題】結晶性の良い半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光素子の製造方法は、加熱した基板上に、インジウムを含む活性層を形成する工程と、前記活性層を形成するときと実質的に同じ温度に前記基板を加熱した状態で、前記活性層上に、窒化物半導体からなる多層膜を形成する工程と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】厚み方向の一面側からの光取り出し効率の向上を図れる紫外半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ形窒化物半導体層３とｐ形窒化物半導体層５との間に発光層４を有するとともに、ｎ形窒化物半導体層３に接触するｎ電極６と、ｐ形窒化物半導体層５に接触するｐ電極７とを有し、ｐ形窒化物半導体層５が、発光層４よりもバンドギャップが小さくｐ電極７との接触がオーミック接触となるｐ形コンタクト層５ｂを備えている。ｐ形窒化物半導体層５における発光層４とは反対側の表面に、ｐ電極７の形成領域を避けて凹部８が形成され、凹部８の内底面８ａに、発光層４から放射される紫外光を反射する反射膜９が形成されている。 （もっと読む）

【課題】発光層の結晶性低下や、ｐ型半導体層への不純物の混入に起因するｐ型半導体層の結晶性低下を防ぎ、かつ、高い出力の得られる半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第一有機金属化学気相成長装置において、基板１１上に第一ｎ型半導体層１２ａと第二ｎ型半導体層１２ｂと、井戸層と障壁層とを交互に繰返し積層し、最上面が前記障壁層となる発光層１３を形成する第一工程と、第二有機金属化学気相成長装置において、前記発光層の最上面の前記障壁層上に前記障壁層の再成長層１３ｃとｐ型半導体層１４とを順次積層する第二工程と、を具備してなることを特徴とする半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】珪素結晶基板上のＩＩＩ族窒化物半導体層を用いて半導体素子を構成するに際し、結晶性及び表面の平坦性に優れるＩＩＩ族窒化物半導体層から半導体素子を構成できるようにする。
【解決手段】珪素単結晶基板と、その基板の表面に設けた炭化珪素層と、その炭化珪素層に接して設けたＩＩＩ族窒化物半導体接合層と、そのＩＩＩ族窒化物半導体接合層上にＩＩＩ族窒化物半導体からなる超格子構造層を備えた半導体素子において、炭化珪素層は立方晶で格子定数が０．４３６ｎｍを超え、０．４６０ｎｍ以下の、組成的に珪素を富裕に含む非化学量論的な組成の層とし、ＩＩＩ族窒化物半導体接合層は、組成がＡｌ_ＸＧａ_ＹＩｎ_ＺＮ_１−αＭ_α（０≦Ｘ、Ｙ、Ｚ≦１、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１、０≦α＜１、Ｍは窒素以外の第Ｖ族元素である。）とする。 （もっと読む）

【課題】量産性及び小型化に優れた半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、第１の電極と、第２の電極と、第１の絶縁層と、第１の配線層と、第２の配線層と、第１の金属ピラーと、第２の金属ピラーと、第２の絶縁層と、を備える。前記半導体層は、第１の主面と、その反対側に形成された第２の主面と、発光層とを含む。前記第１の配線層の一部の端面は、前記第１の絶縁層もしくは前記第２の絶縁層から側方に露出し、前記第２の配線層のすべての端面は、前記第１の絶縁層もしくは前記第２の絶縁層で覆われた。 （もっと読む）

【課題】 発光効率の高い発光ダイオードを得ることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 ＧａＮで形成された下地層２０と、下地層上に形成され、下地層よりも格子定数が小さいＩｎＡｌＧａＮで形成された障壁層と下地層よりも格子定数が大きいＩｎＧａＮで形成された量子井戸層とが交互に積層された発光層３０と、を備える発光ダイオードであって、１００Ａ／ｃｍ² 以上の電流密度で作動させ、障壁層でＡｌ組成又はＩｎ組成が傾斜している。 （もっと読む）

【課題】発光面内での電流密度及び輝度のばらつきを低減した半導体発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、第１の電極と、第２の電極と、第１の絶縁層と、第１の配線層と、第２の配線層と、第１の金属ピラーと、前記第２の金属ピラーと、第２の絶縁層と、を備えた。前記半導体層は、第１の主面と、その反対側に形成された第２の主面と、発光層とを含む。前記第１の電極は、前記第２の主面における前記発光層を有する領域に設けられた。前記第２の電極は、前記第２の主面に設けられ、平面視で前記第１の電極に挟まれている。 （もっと読む）

【課題】ｐクラッド層上の窓電極からの光取り出し効率を向上させることと、窓電極とｐ型ＧａＮとの間の接触抵抗の低減させることは相矛盾する。
【解決手段】基板上に窒化物半導体で構成されたn型クラッド層と活性層とｐ型クラッド層が順に積層され、p型クラッド層上にエピタキシャル成長させた単結晶n型ＺｎＯ透明電極膜と、n型クラッド層と単結晶n型ＺｎＯ透明電極膜それぞれの一部に、電圧を印加するための金属電極部を備える発光ダイオードであって、p型クラッド層と単結晶n型ＺｎＯ透明電極膜の界面に、Ｇａを含む単結晶ＩＴＯ透明電極膜が形成されており、単結晶ＩＴＯ透明電極膜に含まれるＧａ元素がＩｎ元素に対して８〜５０ａｔｏｍ％置換され、単結晶ＩＴＯ透明電極膜の膜厚が１．１ｍｍ以上５５ｎｍ以下であり、単結晶ｎ型ＺｎＯロッドの正面視断面において底部の幅が上部の幅より狭い段差形状である。 （もっと読む）

【課題】色ばらつきを抑えた半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、発光チップと蛍光体層とを備える。前記発光チップは、半導体層と、第１の電極と、第２の電極と、絶縁層と、第１の配線層と、第２の配線層と、第１の金属ピラーと、第２の金属ピラーと、樹脂層と、を有する。前記半導体層は、第１の主面と、その反対側に形成された第２の主面と、発光層とを含む。前記蛍光体層は、前記第１の主面上に設けられ、前記発光チップの平面サイズよりも大きい平面サイズを有する。 （もっと読む）

【課題】基板の一面に面内方向で均一の半導体特性を有する半導体膜を形成して、前記基板から均一の発光特性を有する複数の発光素子を製造する発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】平坦面１ａからなる素子形成部７と、平面視したときに素子形成部７を囲むように設けられ、板厚が外周１ｇ側に向けて薄くされた面取り部１ｄとを備えた基板１を、基板保持部材２の一面２ａに設けた凹部２ｈに、平坦面１ａが基板保持部材２の一面２ａに沿うように配置してから、平坦面１ａに沿って原料ガスを流して、平坦面１ａに半導体膜を成膜する工程と、前記半導体膜上に電極を形成してから、基板１を分割して複数の発光素子を形成する工程と、を有する発光素子の製造方法を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】信頼性に優れた半導体発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、第１の電極と、第２の電極と、絶縁層と、第１の配線層と、第２の配線層と、第１の金属ピラーと、第２の金属ピラーと、樹脂層と、導電材と、を備えた。樹脂層は、第１の金属ピラーの側面と第２の金属ピラーの側面との間に設けられ、導電材は、樹脂層における第１の金属ピラーと第２の金属ピラーとの間の表面に設けられ、第１の金属ピラーと第２の金属ピラーとを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】色度ばらつきが少なく大面積で高光束の発光素子を実現できる発光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】蛍光体粒子１０５を含有した第１の樹脂部１０２によって発光ダイオードチップ１０１を被覆すると共に、第１の樹脂部１０２の表面に、蛍光体粒子１０５を含有する第２の樹脂部１０３を、第１の樹脂部１０２の蛍光体粒子１０５の偏りに応じて配置したことにより、色度ばらつきが少なく大面積で高光束の発光素子を実現できる発光素子及びその製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体発光機能層の一方の面に２つの電極を形成した構成の発光素子において、長手方向で均一な発光強度を得る。
【解決手段】 半導体発光機能層２０は、Ｓｉ基板１１上に形成され、ｎ型ＧａＮ層（第１の半導体層）２１、ＭＱＷ層２２、ｐ型ＧａＮ層（第２の半導体層）２３からなる積層構造をもつ。ｐ型ＧａＮ層２３の表面（一方の主面）には、他方の端部（左端部）側から右端部側に向かって延伸する形態で透明電極３１が形成されている。この右端部側の領域にはｎ側電極３４が、左端部側の領域にはｐ側電極３３が、それぞれ形成されている。左端部から右端部に向かって透明電極３１の幅が広くなっている。これにより、ｐ側電極３３に近い側においてＭＱＷ層２２を上下方向に流れる電流の広がりが、透明電極３１によって制限される。 （もっと読む）

【課題】光を高効率で取り出すことのできる発光素子を得る。
【解決手段】発光ダイオード２０は、Ｓｉ基板２１と、この上にエピタキシャル成長によって形成された半導体層で形成される。この半導体層は、ｎ型ＧａＮ層（ｎ型半導体層）２２と、ｐ型ＧａＮ層（ｐ型半導体層）２３とからなる。この発光ダイオード２０の側面には、透光性絶縁層３０が隣接して形成される。この構成においては、発光ダイオード２０と透光性絶縁層３０の上面が共に共通の透明電極４２で覆われる。透明電極４２における透光性絶縁層３０上の領域において、電極パッド４３が形成される。電極パッド４３は発光ダイオード２０上には形成されていないため、電極パッド４３や電極パッド４３上に接続されるボンディングワイヤあるいははんだ、はんだ接合された配線等によって光が遮られることがない。 （もっと読む）