【課題】支持基板と半導体層とを分離するために照射される光について、支持基板と半導体層との間に形成される中間層の光熱変換層で吸収されずに中間層外に透過する率を低減する半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】本半導体デバイスの製造方法は、光熱変換層２１と光透過抑制構造層２７とを含む中間層２０を有する積層支持基板１の作製工程と、積層貼り合わせ基板２の作製工程と、エピ成長用積層支持基板３の作製工程と、デバイス用積層支持基板４の作製工程と、デバイス用積層ウエハ５の作製工程と、透明半導体積層ウエハ６を含む半導体デバイス７の作製工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】動作電圧を低減した半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子の製造方法は、ｎ形の第１半導体層と、ｐ形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられ、前記第２半導体層から前記第１半導体層に向かう第１方向に沿って積層され窒化物半導体を含む複数の障壁層と、前記障壁層どうしの間に設けられＩｎを含む窒化物半導体を含む井戸層と、を含む発光層と、を備えた半導体発光素子の製造方法であって、前記障壁層の形成は、反応炉内を第１温度よりも低い第２温度に設定して第１低温度形成層を形成する工程と、前記第１低温度形成層を形成した後、前記反応炉内を前記第１温度に設定して高温度形成層を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】支持基板及び半導体成長膜におけるクラック等の欠陥の発生を防止ししつつ、半導体発光素子の電気的特性の向上を図ることができる半導体発光素子の製造方法、及びこれよって形成される半導体積層構造を提供すること。
【解決手段】成長用基板の上に半導体成長膜、電極及び成長基板側接合金属膜を順次形成して発光体部を形成する工程と、支持基板の裏面に凹部及び／又は凸部を形成し、支持基板の表面に支持基板側接合金属膜を形成して支持体部を形成する工程と、成長基板側接合金属膜と支持基板側接合金属膜とを密着するとともに加熱し、成長基板側接合金属膜及び支持基板側接合金属膜を溶融させて支持体部及び発光体部を接合する工程と、を有すること。 （もっと読む）

【課題】動作電圧を低減した半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、ｎ形の第１半導体層と、ｐ形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を備える。前記発光層は、前記第２半導体層から前記第１半導体層に向かう第１方向に沿って積層され窒化物半導体を含む複数の障壁層と、前記障壁層どうしの間に設けられＩｎを含む窒化物半導体を含む井戸層と、を含む。前記井戸層は、前記井戸層からみて前記第２半導体層の側の前記障壁層との界面を含むｐ側界面部分と、前記井戸層からみて前記第１半導体層の側の前記障壁層との界面を含むｎ側界面部分と、を有する。前記ｐ側界面部分の前記第１方向に対して垂直な面内におけるＩｎの濃度のばらつきは、前記ｎ側界面部分の前記第１方向に対して垂直な面内におけるＩｎの濃度のばらつき以下である。 （もっと読む）

【課題】ｎ電極とｐ電極が半導体膜の同一面側に設けられた半導体発光素子において、半導体膜内における横方向および積層方向における電流拡散を促進させ、発光効率の改善、発光強度の面内均一化、順方向電圧の低減および信頼性の向上を達成することができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】
ｎ型半導体層、活性層およびｐ型半導体層を含む半導体膜と、ｐ型半導体層の表面からｐ型半導体層、活性層およびｎ型半導体層の一部を除去することにより表出したｎ型半導体層の表出面に形成されたｎ電極と、ｐ型半導体層の表面に形成されたｐ電極と、を含む半導体発光素子において、ｎ型半導体層上またはｎ型半導体層内であってｐ電極の上方に設けられ且つｎ型半導体層の導電率よりも高い導電率を有する電流誘導部を有する。 （もっと読む）

【課題】結晶品質が高く光取り出し効率が高い半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、ｎ形半導体層を含む第１半導体層と、ｐ形半導体層を含む第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光部と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記発光部は、複数の障壁層、と前記複数の障壁層の間に設けられた井戸層と、を含む。前記第１半導体層は、第１凹凸と、第２凹凸と、を有する。前記第１凹凸は、前記第１半導体層の前記発光部とは反対の側の第１主面に設けられる。前記第２凹凸は、前記第１凹凸の底面と頂面とに設けられる。前記第２凹凸は、前記底面と前記頂面との間の段差よりも小さい段差を有する。 （もっと読む）

【課題】効率よく発光層を発光させることができ、高い発光効率が得られ、しかも、優れた光取り出し効率が得られる半導体発光素子およびこれを用いたランプを提供する。
【解決手段】ｎ型半導体層１２と発光層１３とｐ型半導体層１４とがこの順に積層された半導体層１０と、ｐ型半導体層１４上に部分的に形成され、屈折率が１．５以上であり、熱膨張係数が５．０×１０^−６（１／Ｋ）〜１５．０×１０^−６（１／Ｋ）であり、膜厚が５ｎｍ〜５００ｎｍの範囲である絶縁層２１と、絶縁層２１上に積層された膜厚が３０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲である金属反射層２２と、ｐ型半導体層１４上および金属反射層２２上を覆うように形成された透明導電層１５と、透明導電層１５上の絶縁層２１および金属反射層２２と平面視で重なる位置に形成された正極１７とを備えるものである半導体発光素子１とする。 （もっと読む）

【課題】フェイスアップ型の発光素子がサブマウントに実装された発光装置において、ワイヤを用いずに位置精度よく実装すること。
【解決手段】発光装置は、III 族窒化物半導体からなるフェイスアップ型の発光素子１と、サブマウント２で構成されている。発光素子１は貫通孔１７、１８を有し、サブマウント２は２つの棒状電極２２を有している。サブマウント２の棒状電極２２は、発光素子１の貫通孔１７、１８にそれぞれ差し込まれている。棒状電極２２の先端部２２ａは発光素子１のｎパッド電極１４、ｐパッド電極１６表面から突出し、その先端２２ａは潰されて広がり、発光素子１のｎパッド電極１４、ｐパッド電極１６に接続されている。 （もっと読む）

【課題】高効率で低動作電圧の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、ｎ形半導体層、ｐ形半導体層、発光部、ｐ側電極を備えた半導体発光素子が提供される。発光部はｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられ、複数の障壁層と複数の障壁層の間に設けられた井戸層とを含む。ｐ側電極はｐ形半導体層に接する。ｐ形半導体層は第１〜第４ｐ形層を含む。第１ｐ形層はｐ側電極に接し第１濃度でｐ形不純物を含む。第２ｐ形層は第１ｐ形層と発光部との間において発光部に接し、Ａｌを含み第１濃度よりも低い第２濃度でｐ形不純物を含む。第３ｐ形層は第１ｐ形層と第２ｐ形層との間に設けられ、第２濃度よりも低い第３濃度でｐ形不純物を含む。第４ｐ形層は第２ｐ形層と第３ｐ形層との間に設けられ、ｐ形不純物の濃度はｎ形半導体層からｐ形半導体層への方向に沿って第２濃度から第３濃度に漸減する。 （もっと読む）

【課題】第二ｎ型半導体層の格子緩和に起因する発光層の結晶性の低下が生じにくく、高出力、かつ、低動作電圧の半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にＡｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎなる組成（０≦ｘ＜１，０≦ｙ＜１，０≦ｘ＋ｙ＜１）の下地層、第一ｎ型半導体層および第二ｎ型半導体層を順次積層した後に、前記基板温度を４００℃以下に降温する第一工程と、前記第二ｎ型半導体層上に、前記第二ｎ型半導体層よりもＩｎ組成の高い、前記第二ｎ型半導体層の再成長層を形成した後に、発光層およびｐ型半導体層を順次積層する第二工程と、を具備してなることを特徴とする半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光部と実装基板とが複数のバンプを介してされる発光素子において、高い耐衝撃性を確保しつつ、高い光取り出し効率を図ることができる発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、半導体層１２と、半導体層１２に積層され、ｐ型窒化物半導体層１２３より屈折率が小さい透明導電膜１３と、透明導電膜１３上に、導通領域Ｃ１を除くように積層された低屈折率誘電膜１４１と、低屈折率誘電膜１４１に積層された接着誘電膜１４２と、接着誘電膜１４２と接合し、導通領域Ｃ１において透明導電膜１３と導通する反射導電膜１４３とを備える。また、反射導電膜１４３上に積層されたｐ電極１６と、ｐ電極１６と接合する複数のバンプＰとを備え、導通領域Ｃ１は、ｐ電極１６とバンプＰとの接合面を透明導電膜１３へ投影した投影領域Ｔ１の外に設けられる。 （もっと読む）

【課題】非極性面を主面とするIII 族窒化物半導体の結晶性を悪化させることなく光取り出し効率を向上させること。
【解決手段】サファイア基板１０表面に、ｘ軸方向（サファイアｃ軸方向）に平行な第１の溝１００ａが所定の間隔で周期的に配列された第１のストライプ形状１００を形成する。次に、第１のストライプ形状１００の凹凸に沿ってサファイア基板１０表面の全面に、絶縁膜１７を形成する。次に、ｘ軸方向に直交するｙ軸方向に平行で底面が平坦な第２の溝１０１ａが所定の間隔で周期的に配列された第２のストライプ形状１０１を形成する。このサファイア基板１０を用いて、第２の溝１０１ａの側面１０１ａａから、ＭＯＣＶＤ法によってＧａＮ結晶を成長させて、サファイア基板１０上にｍ面ＧａＮからなる基底層１８を形成し、基底層１８上にＬＥＤ素子構造を形成して発光素子を製造する。 （もっと読む）

【課題】半導体膜のエッチングを行うことなく素子分割溝（ストリート）を形成することができ、更に結晶成長の制御性を改善し、高歩留りを確保することができる半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体膜の結晶成長を行うための成長用基板に凹部を形成する。成長用基板の凹部内に気相成長法により半導体膜を成長させ、凹部内に発光素子を形成する。半導体膜の表面に支持体を形成した後、成長用基板を除去する。 （もっと読む）

【課題】 基板の面内方向のキャリア拡散と基板垂直方向のキャリア注入を高効率に行うことのできる、シリコン発光素子用の活性層および該活性層の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】 シリコン発光素子に用いる活性層であり、シリコン化合物からなる第１の層と、該第１の層よりもバンドギャップが大きいシリコン化合物からなる第２の層とが基板上に交互に積層された多層膜構造を有する。また、複数のシリコンナノ粒子が多層膜構造の中に設けられている。第１の層に含まれるシリコン原子の量は、第２の層に含まれるシリコン原子の量よりも多く、複数のシリコンナノ粒子のうちの少なくとも一つは、前記第１の層と前記第２の層との境界面のうち少なくとも一つの面を越えて存在する。 （もっと読む）

【課題】 ＧａＮ系化合物の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 基板（１０）上に順次に積層されたｎ型半導体層（１２）、ｎ型半導体層
の第１領域上に形成された活性層（１４）、及び活性層上に形成されたｐ型半導体層（１
６）と、ｐ型半導体層上に形成されたｐ型電極（２０）と、ｎ型半導体層上で第１領域と
離れた第２領域上に形成されたｎ型電極（３０）と、ｐ型半導体層、活性層及びｎ型半導
体層の側壁に形成された誘電層（５２）と、誘電層上に形成された反射層（５４）とを備
えることを特徴とする半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体の結晶性を高め、窒化物半導体発光素子の動作電圧を高める。
【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子は、基板上に形成されたｎ型窒化物半導体層と、該ｎ型窒化物半導体層上に形成された発光層と、該発光層上に形成されたｐ型窒化物半導体層とを含み、ｎ型窒化物半導体層は、１層または２層以上を積層したものであり、ｎ型窒化物半導体層を構成する少なくとも１層は、ＳｉとＳｎとをｎ型ドーパントして含み、かつＩｎを等電子ドーパントとして含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板のＣ面上に凸部を有し、しかも高温環境下での出力低下が少ないランプの得られる半導体発光素子、これを備えたランプを提供する。
【解決手段】Ｃ面１１からなる主面上に複数の凸部１２が形成されてなる単結晶基板１０１と、単結晶基板１０１の主面を覆うように形成され、凸部１２上の膜厚ｔ_２は、前記Ｃ面１１上の膜厚ｔ_１よりも小さく、Ｃ面１１上の膜厚ｔ_１に対する凸部１２上の膜厚ｔ_２が６０％以上であり、Ｃ面１１上において単結晶相であるとともに凸部１２上において多結晶相であるＡｌＮからなる中間層１０２と、中間層１０２上に積層されたＩＩＩ族窒化物半導体からなる半導体層２０とを具備してなる半導体発光素子１とする。 （もっと読む）

【課題】基板面積に対する発光面積の比率が高く、且つ反射層の耐湿性を向上した半導体発光装置を提供する。
【解決手段】ｎ型半導体層２１、活性層２２及びｐ型半導体層２３がこの順で積層された積層体２０と、ｐ型半導体層２３上に配置された透明電極３０と、透明電極３０上に配置された電極絶縁膜４０と、電極絶縁膜４０上に配置され、電極絶縁膜４０、透明電極３０、ｐ型半導体層２３及び活性層２２を貫通して設けられたｎ側開口部４１でｎ型半導体層２１に接するｎ側電極５１と、電極絶縁膜４０上にｎ側電極５１と離間して配置され、電極絶縁膜４０に設けられたストライプ状のｐ側開口部４３で透明電極３０に接するｐ側電極５３と、電極絶縁膜４０内部に、又は透明電極３０と電極絶縁膜４０との間に、積層体２０の上面に対向して配置され、活性層２２から出射された光を反射する反射層７０とを備える。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板の表面に形成されたＧａＮ系化合物結晶層を剥離するためのレーザリフトオフ処理において、ワークの温度が多少上昇したとしても、レーザリフトオフ装置内で、レーザリフトオフ後のサファイア基板がＧａＮ層から、完全に剥がれてしまうことがないようにすること。
【解決手段】レーザ光をＧａＮ結晶層の一部に複数回（２回以上）照射する。詳しくは、レーザ光を１回照射してＧａＮ層のサファイア基板との界面がガリウム（Ｇａ）となったところに、再度サファイア基板越しにレーザ光を照射する。 （もっと読む）

【課題】 生産性を向上させることが可能な発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子の製造方法は、単結晶基板５の上面５Ａに、単結晶基板５と異なる熱膨張係数を有し、底面６Ｂが単結晶基板５と接するとともに、頂面６Ａ方向から底面６Ｂに向かうにつれて単結晶基板５の上面５Ａと平行な断面積が頂面６Ａの面積よりも小さくなる突起部６を複数有する基体４を準備する工程と、突起部６の頂面６Ａに、熱膨張係数が単結晶基板５よりも突起部６を構成する材料に近い半導体層２を成長させる工程と、しかる後、温度を降下させることによって、単結晶基板５と複数の突起部６との間に熱応力を生じさせて突起部６と単結晶基板５とを両者の界面付近で分断し、半導体層２側に突起部６の残存部を凸状体３として複数形成する工程とを有する。そのため、単結晶基板５を容易に除去することができ、生産性を向上させることができる。 （もっと読む）