【課題】実施形態によれば、放熱性及び信頼性に優れた半導体発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、ｐ側電極と、ｎ側電極と、無機絶縁膜と、ｐ側配線部と、ｎ側配線部と、有機絶縁膜とを備えている。無機絶縁膜は、半導体層の第２の面側に設けられ、第ｐ側電極に通じる第１のビアと、ｎ側電極に通じる第２のビアとを有する。ｐ側配線部及びｎ側配線部は無機絶縁膜上に設けられている。有機絶縁膜は、無機絶縁膜上における少なくともｐ側配線部とｎ側配線部との間の部分に設けられている。ｐ側配線部におけるｎ側配線部側の端部、およびｎ側配線部におけるｐ側配線部側の端部が、有機絶縁膜上に乗り上がっている。 （もっと読む）

【課題】半導体発光装置における色度のばらつきを抑制する加工を行うことができる基板加工システム、および基板加工プログラムを提供することである。
【解決手段】実施形態に係る基板加工システムは、発光部、及び蛍光体を含む波長変換部を有した基板の厚み寸法に関する情報を測定する測定部と、前記測定された基板の厚み寸法に関する情報と、前記発光部から出射する光の特性に関する情報と、に基づいて前記波長変換部の厚み方向に関する加工情報を求めるデータ処理部と、前記求められた加工情報に基づいて前記波長変換部を加工する加工部と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】ポーラスＳｉＣ部が好適な条件で処理されている発光ダイオード素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光ダイオード素子１において、半導体発光部と、ドナー及びアクセプタが添加されたポーラス状の単結晶６Ｈ型ＳｉＣからなり半導体発光部から発せられる光により励起されると可視光を発するポーラスＳｉＣ部１２４と、ポーラスＳｉＣ部１２４の表面を覆う保護膜と、を有し、ポーラスＳｉＣ部１２４は、８５０℃以下で保護膜を形成するための熱処理が行われている。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、発光効率を向上させた半導体発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置は、第１導電形の第１半導体層であって、前記第１半導体層の他の部分よりも層厚が薄い複数の薄層部を有する前記第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する。そして、前記発光層とは反対側の前記第１半導体層の表面の上に設けられた透明電極と、前記透明電極の上に選択的に設けられた第１電極と、前記発光層とは反対側の前記第２半導体層の表面に接した第２電極と、前記透明電極と前記第２電極との間の電流経路の一部を遮断する電流ブロック層であって、前記第１半導体層の表面に平行な平面視において、前記薄層部に重ならない前記電流ブロック層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】割断時にレーザ照射による変質層及びダイシング溝の利用により、割断ラインが蛇行せず、意図する部位で精度よく割断でき、また、得られた発光素子のダイシング溝に起因する凹部を利用して、簡便かつ確実に発光素子の光出力を向上させることができる発光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第１主面と第２主面とを有するサファイア基板の前記第１主面に積層された半導体層を備える発光素子、前記サファイア基板の前記第２主面が接合されて前記発光素子が載置されるパッケージ及び蛍光体が含有され、かつ前記発光素子を封止する封止部材を含む発光装置であって、前記サファイア基板は、前記第２主面の外縁が前記第１主面の外縁よりも内側に位置し、かつ前記サファイア基板の１つの曲面と前記パッケージとからなる凹部を有しており、該凹部内に前記蛍光体が配置されている発光装置。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、発光効率を向上させた半導体発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置は、第１導電型の第１半導体層と、第２導電型の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層体を備える。さらに、前記積層体の前記第１半導体層側の第１主面に設けられた透明電極であって、薄膜部と、前記薄膜部よりも厚い第１の厚膜部と、前記薄膜部よりも厚く前記第１の厚膜部から前記第１主面に平行に延在するストライプ状の第２の厚膜部と、を有する前記透明電極と、前記第１の厚膜部の上に設けられた第１電極と、前記第２半導体層に電気的に接続された第２電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は窒化物半導体発光素子に関する。
【解決手段】本発明の一実施形態による窒化物半導体発光素子は、ｎ型及びｐ型窒化物半導体層と、上記ｎ型及びｐ型窒化物半導体層の間に形成された活性層と、上記ｎ型窒化物半導体層と上記活性層との間に形成された電子注入層と、を含み、上記電子注入層は、バンドギャップエネルギーが互いに異なる３つ以上の層が積層された多層構造からなり、上記多層構造は、２回以上繰り返され、上記多層構造を構成する層のうち少なくとも１つの層は、上記活性層に近いものほど、バンドギャップエネルギーが小さく、上記多層構造を構成する層のうち最も小さいバンドギャップエネルギーを有する層は、活性層に近いものほど、厚さが厚い構成を含む。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上させること。
【解決手段】平面視においてｎ電極１７の配線状部１７Ｂおよび、ｐ電極１８の配線状部１８Ｂに重なる領域には、ｐ型層１３表面からｎ型層１１に達する深さの溝１４が設けられている。溝１４の側面、底面、ｐ型層１３上、ＩＴＯ電極１５上に連続して、絶縁膜１６が設けられている。絶縁膜１６中であって、ｎ電極１７、ｐ電極１８の下側（サファイア基板１０側）にあたる領域には、反射膜１９が形成されている。そのうち、ｎ電極１７の配線状部１７Ｂ、ｐ電極１８の配線状部１８Ｂの下側にあたる領域の反射膜１９は、発光層１２よりも下側に位置している。ｎ電極１７、ｐ電極１８上は、絶縁膜２２によって覆われている。絶縁膜２２中であって、配線状部１７Ｂ、１８Ｂの上部にあたる領域には、反射膜２３が埋め込まれている。反射膜２３は、発光層１２よりも下側に位置している。 （もっと読む）

【課題】反射膜のマイグレーションを防止すること。
【解決手段】図１に示すフリップチップ型のIII 族窒化物半導体発光素子は、サファイア基板１０と、サファイア基板１０上に順に形成されたｎ型層１１、発光層１２、ｐ型層１３を有している。ｐ型層１３表面には、ｎ型層１１に達する深さの孔１４が複数設けられている。ｐ型層１３表面のほぼ全面に、ＩＴＯ電極１５が設けられ、ＩＴＯ電極１５上にＳｉＯ₂ からなる絶縁膜１６が設けられている。また、絶縁膜１６中に埋め込まれたＡｇからなる反射膜１９を有している。反射膜１９の上部には、絶縁膜１６を介して導電膜２３が形成されている。また、導電膜２３は、ｐ型層１３上に設けられたＩＴＯ電極１５に接続されている。このような構成により、反射膜１９は等電位な領域に位置することとなり、マイグレーションが防止される。 （もっと読む）

【課題】面発光する発光体の輝度ムラを低減すること。
【解決手段】発光体１は、第１の半導体層４Ａと第２の半導体層４Ｂとで構成され、前記第１の半導体層４Ａと前記第２の半導体層４Ｂとは互いに異なる組成、かつ、連続した層であり、前記第１の半導体層４Ａと前記第２の半導体層４Ｂとは接合し、さらに、前記第１の半導体層４Ａと前記第２の半導体層４Ｂとの接合面と対向する両面は電極と接合しており、かつ、前記第１の半導体層と前記電極との接合間に、面方向に対して所定間隔で配置され、かつ導体６Ａ２で充填された複数の孔を有する絶縁体層５Ａが含まれているとともに、前記複数の孔中の前記導体はそれぞれ前記電極と接合している。 （もっと読む）

【課題】太陽光が有するプロファイルにほぼ一致した発光スペクトルプロファイルを有し、発熱量が小さく、コンパクトなソーラーシミュレータ、及び量子ドット太陽光ＬＥＤ積層体を提供すること。
【解決手段】量子ドット太陽光ＬＥＤ用積層体は、ＩＩ−ＶＩ族半導体ナノ結晶粒子及びＩＶ−ＶＩ族半導体ナノ結晶粒子から選ばれる半導体ナノ結晶粒子の種類ごとに形成される各層から構成され、ＬＥＤの光出力方向に向かって、半導体ナノ結晶粒子のバンドギャップが小さいものから大きいものとなるように順次積層されており、各層の中では、ＬＥＤの光出力方向に向かって、粒径が大きいものを含む層から小さいものを含む層となるように順次積層されており、上記各層間において、上記半導体ナノ結晶粒子に起因する発光スペクトルのピーク波長の差が上記半導体ナノ導体粒子の発光スペクトルの半値幅以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、高出力化を低コストで実現可能な半導体発光装置およびその製造方法を目的とする。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層体を備える。さらに、前記第２半導体層の表面に設けられ、前記発光層から放射される発光を透過させる透明電極層と、前記透明電極層に電気的に接続された第１電極と、前記第１半導体層に電気的に接続された第２電極と、を備える。そして、前記透明電極層の縁に沿った領域であって、前記透明電極層の厚さが中央側よりも前記縁側で薄くなるように設けられた領域を有する。 （もっと読む）

【課題】面発光する発光体の薄型化、フレキシブル性の付与、輝度ムラの低減のうち、少なくとも１つを実現すること。
【解決手段】発光体１は、基材面に所定間隔で配置される複数の貫通孔３Ｈを有し、貫通孔中３Ｈに、第１半導体層５Ａと第２半導体層５Ｂとが積層することで接合部５Ｃを形成した半導体領域５とで構成され、かつ、第１半導体層５Ａと第２半導体層５Ｂとの接合面５Ｃと対向する面が、それぞれ電極と接合していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光取り出し面における局所的な電界集中を防止して光出力と静電気耐圧を向上できる半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】カウンタ電極構造の半導体発光素子は、第１半導体層の支持基板側に設けられ、第１半導体層とオーミック接触し、少なくとも１つの線状の第１電極片を含む第１電極と、第２半導体層の上に設けられ、第２半導体層とオーミック接触し、少なくとも１つの線状の第２電極片を含む第２電極と、第２の半導体層上に形成された複数の錐状突起と、を有する。第１電極片と第２電極片とは、半導体発光積層体の積層方向に重ならずに配置される。第１電極片と第２電極片とは、上面視において平行に配置される。複数の錐状突起のうち、上面視において、相互に平行に配置された第１電極片と第２電極片との間に位置する錐状突起は、その軸が、いずれも、該第一電極片と該第２電極片の伸長方向との成す角度が、±２６度の範囲内である。 （もっと読む）

【課題】 複数の素子部の間の絶縁体へのクラックの侵入を防止できる半導体発光素の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子の製造方法は、成長基板に達する分離溝を半導体積層体に形成して半導体積層体を複数の素子部として分離しかつ成長基板の表面を露出させる素子分離工程と、半導体積層体の第１膜厚より小なる第２膜厚を有する絶縁犠牲層を分離溝の成長基板の表面上に形成する絶縁犠牲層形成工程と、絶縁犠牲層の材料と異なる絶縁材料で分離溝を埋めて、半導体積層体の第１膜厚に達する絶縁犠牲層の第２膜厚より厚い第３膜厚を有する絶縁支持部を、絶縁犠牲層上に形成する絶縁支持部形成工程と、成長基板に形成されている半導体積層体上に支持基板を貼り付ける接合工程と、半導体積層体から成長基板を剥離して絶縁犠牲層を露出させる工程と、エッチングにより絶縁犠牲層を除去し絶縁支持部を露出させる除去工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】配光パターンに横縞が生じない複数の発光素子を直線状に配列してなる輝度の均一性に優れた発光素子モジュールのための発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、矩形透明性基板２１ａ上に形成された下地半導体層と、下地半導体層上に島状に形成された複数の第１電極２１ｃと、複数の第１電極の各々を囲み各々に離間して下地半導体層上に形成された発光層を含む発光半導体層と、発光半導体層上に形成された第２電極と、を有する。第１電極は、矩形透光性基板の一辺と平行な複数の電極列を成すよう配置される。電極列に垂直でかつ矩形透光性基板の対向する二辺に平行な水平線のうち、第１電極の最大電極幅で第１電極に交差しかつ二辺に最も近接する２つの水平線を２つの基準水平線とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子を歩留まりよく製造する。
【解決手段】 （ａ）成長基板上に、ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体から構成され、空洞を備える空洞含有層を形成する。（ｂ）空洞含有層上に、ｎ型のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体から構成され、空洞を閉じるｎ層を形成する。（ｃ）ｎ層上に、ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体から構成される活性層を形成する。（ｄ）活性層上に、ｐ型のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体から構成されるｐ層を形成する。（ｅ）ｐ層上方に、支持基板を接着する。（ｆ）空洞が形成されている位置を境界として、成長基板を剥離する。工程（ａ）または（ｂ）において、空洞を閉じる前に、加熱を行いながら、層を構成する材料の少なくとも一部の供給を減少させる。 （もっと読む）

【課題】効率的な製造が可能な多波長発光素子を提供する。
【解決手段】多波長発光素子100は、表面に面方位が相互に異なる第１及び第２結晶成長面121,122を有する基板110と、基板110上に第１結晶成長面121から半導体が結晶成長して形成された第１半導体層131と、第１半導体層131上に半導体が結晶成長して形成された第１半導体発光層151と、基板110上に第２結晶成長面122から半導体が結晶成長して形成された第１半導体層131の主面とは異なる結晶面を主面とする第２半導体層132と、第２半導体層132上に、第１半導体発光層151を形成する半導体と同一の構成元素で且つ元素組成比が異なる半導体が結晶成長して形成された第２半導体発光層152とを備える。 （もっと読む）

【課題】歩留りを維持しつつ光取り出し効率を向上させることができる光半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体膜の表面に半導体膜の結晶軸に沿って等間隔に配列された複数の凹部を形成する。半導体膜の表面をエッチング処理することにより半導体膜の表面に複数の凹部の配列形態に従って配列され且つ半導体膜の結晶構造に由来する複数の突起を形成する。 （もっと読む）

【課題】高輝度化を図ることができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、構造体と、第１電極層と、第２電極層と、を備える。構造体は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する。第２電極層は、構造体の第２半導体層の側に設けられる。第２電極層は、金属部と、複数の開口部と、を有する。金属部は、第１半導体層から第２半導体層に向かう方向に沿った厚さが１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下である。開口部は、前記方向に沿って前記金属部を貫通し、円相当直径が１０ｎｍ以上、５μｍ以下である。第１電極層は、構造体の第１半導体層の側に設けられる。第１電極層は、金属製であって、第１半導体層と接する部分を有する。 （もっと読む）