【課題】光を高効率で取り出すことのできる発光素子を得る。
【解決手段】発光ダイオード２０は、Ｓｉ基板２１と、この上にエピタキシャル成長によって形成された半導体層で形成される。この半導体層は、ｎ型ＧａＮ層（ｎ型半導体層）２２と、ｐ型ＧａＮ層（ｐ型半導体層）２３とからなる。この発光ダイオード２０の側面には、透光性絶縁層３０が隣接して形成される。この構成においては、発光ダイオード２０と透光性絶縁層３０の上面が共に共通の透明電極４２で覆われる。透明電極４２における透光性絶縁層３０上の領域において、電極パッド４３が形成される。電極パッド４３は発光ダイオード２０上には形成されていないため、電極パッド４３や電極パッド４３上に接続されるボンディングワイヤあるいははんだ、はんだ接合された配線等によって光が遮られることがない。 （もっと読む）

【課題】バンドギャップがより大きく、紫外領域で発光する可能性があるβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶において、所定の抵抗率及びキャリア濃度を有するβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶を提供する。
【解決手段】β−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶において、Ｓｉ濃度を１×１０^−５〜１ｍｏｌ％に変化させることにより、抵抗率が２．０×１０^−３〜８×１０^２Ωｃｍ、キャリア濃度が５．５×１０^１５〜２．０×１０^１９／ｃｍ^３の範囲に制御するドーパントの添加濃度に応じて抵抗率を可変することができる。 （もっと読む）

【課題】光吸収係数の大なる層に光を留めることなく外部放射を促進させることができる発光素子の製造方法を提供することにある。
【解決手段】下地基板を準備する基板準備工程と、前記下地基板にＧａＮ系半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記ＧａＮ系半導体層から前記下地基板を除去するリフトオフ工程と、前記下地基板を除去して露出させた側の前記ＧａＮ系半導体層を粗面化して凹凸面を形成する粗面化加工工程と、前記粗面化した側の前記ＧａＮ系半導体層に透光性材料層を直接的に貼り付ける透光性材料層形成工程と、を含む発光素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 光取り出し効率を向上させた発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子は、基板10と、基板10の上面10Ａの一部に設けられる光半導体層11と、基板10の上面10Ａであって、光半導体層11から光半導体層11で発光される光の波長以下の間隔を空けて配置された、フォトニック結晶構造12を構成する複数の光学構造体13とを備え、複数の光学構造体13の上面の高さ位置が、光半導体層11の上面の高さ位置と同じ、または光半導体層11の上面の高さ位置よりも高いことを特徴とする。光半導体層11の周りにフォトニック結晶構造12が形成されていることによって、光半導体層11の側面に絶縁膜を設けなくても、光半導体層11の発する光をフォトニック結晶構造12で反射させることができ、光取り出し効率を長期にわたって良好に維持することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、新たな構造を有し、発光効率が向上した発光素子、発光素子製造方法、発光素子パッケージ、及び照明システムを提供するためのものである。
【解決手段】本発明による発光素子は、透明電極層の上に形成され、第１屈折率を有する第１薄膜層と、第１屈折率と相異する第２屈折率を有する第２薄膜層が少なくとも１回反復的に積層された多重薄膜ミラーを含む。第２導電型半導体層の厚さ（ｄ）は、２・Φ１＋Φ２＝Ｎ・２π±Δ、（０≦Δ≦π／２）から導出され、ここで、Φ１は垂直方向の光が上記第２導電型半導体層を通過する時に発生する位相変化であって、Φ１＝２πｎｄ／λ（ｎは光の屈折率、λは光の波長、ｄは第２導電型半導体層の厚さ）であり、Φ２は光が透明電極層または多重薄膜ミラーのうち、いずれか１つにより反射される時に発生する位相変化であり、Ｎは自然数である。 （もっと読む）

【課題】発光素子の製造方法、発光素子パッケージ及び照明システムが提供される。
【解決手段】本発明の発光素子は、伝導性支持基板と、伝導性支持基板上のオーミックコンタクト層及び電流遮断層と、オーミックコンタクト層及び電流遮断層上の発光構造層と、発光構造層上で電流遮断層と少なくとも一部分がオーバーラップする電極と、電流遮断層と伝導性支持基板の間で電流遮断層と少なくとも一部分がオーバーラップする第１の電流ガイド層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】板材が樹脂からなる回路基板上に複数のＬＥＤ素子を実装しても良好な放熱性を確保する。
【解決手段】角部にｎ側バンプ２３を備えるＬＥＤ素子１３を、ｎ側バンプ２３が回路基板１２の中心線を向くように配置し、ｐ側バンプ２４と接続する＋電極１５をＬＥＤ素子１３の実装領域をはみ出すように広くとる。このときｎ側及びｐ側バンプ２３，２４は金メッキバンプであり、各ＬＥＤ素子１３は並列接続する。＋電極１５の幅が広がるため、発光層から発した熱が低い熱抵抗で＋電極１５を伝わる。 （もっと読む）

【課題】井戸層の劣化を抑制しつつ障壁層の結晶性を向上させた、ヘテロ界面を有するＭＱＷ構造と該構造の製造方法とを提供する。
【解決手段】窒化物半導体装置は、ＩｎとＧａを含む窒化物半導体からなる井戸層と、井戸層を挟み、井戸層よりもバンドギャップエネルギーの大きいＡｌとＧａを含む窒化物半導体からなる障壁層と、井戸層と障壁層との間に設けられた薄膜層とを備えている。薄膜層は、障壁層の形成後、基板の降温時と井戸層の形成後、基板の昇温時にそれぞれ形成される。 （もっと読む）

【課題】III 族窒化物半導体発光素子において、駆動電圧を上昇させることなく、発光効率を向上させること
【解決手段】各層がIII 族窒化物半導体から成り、ｎ型層側クラッド層１０３、発光層１０４、ｐ型層側クラッド層１０６を少なくとも有するIII 族窒化物半導体発光素子である。ｎ層側クラッド層１０３は、Ｉｎ_y Ｇａ_1-y Ｎ（０＜ｙ＜１）層１３１、Ａｌ_x Ｇａ_1-x Ｎ（０＜ｘ＜１）層１３２、及び、ＧａＮ層１３３の周期構造から成る超格子層である。Ａｌ_x Ｇａ_1-x Ｎ（０＜ｘ＜１）層１３２の厚さは、電子がトンネル可能であり、正孔を閉じ込める範囲の厚さである。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＧａＮよりなるｎ型層、ＡｌＧａＩｎＮよりなる活性層、およびｐ型層を有し、発光ピーク波長が４００ｎｍ以下の紫外光を放射する、発光強度の大きい窒素化合物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型層、活性層、およびｐ型層を有する窒素化合物半導体発光素子において、活性層が、ＡｌＧａＩｎＮよりなる、発光ピーク波長が４００ｎｍ以下の窒素化合物半導体層からなり、ｎ型層は、ＡｌＧａＮよりなるｎ型ＡｌＧａＮ層と、Ａｌを含まない５ｎｍ以上のＧａＮ保護層とを有してなり、保護層の上に活性層が形成されている。製造方法は、基板温度が１０００℃以上の高温でｎ型ＡｌＧａＮ層を成長し、その上にＡｌを含まない５ｎｍ以上のＧａＮ保護層を成長し、成長工程を中断して基板温度を低下させ、基板温度が１０００℃未満の低温で、保護層の上に活性層を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ｐクラッド層の結晶性に起因する不良が生じにくく、かつ、高い出力の得られる半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第一有機金属化学気相成長装置において、基板上に第一ｎ型半導体層を積層する第一工程と、第二有機金属化学気相成長装置において前記第一ｎ型半導体層上に、前記第一ｎ型半導体層の再成長層と、第二ｎ型半導体層と、障壁層およびＧａ_１−ｘＩｎ_ｘＮ（０＜ｘ＜０．２）なる組成の井戸層からなる発光層と、Ａｌ_１−ｙＧａ_ｙＮ（０．１＜ｙ＜０．５）なる組成のｐクラッド層およびｐコンタクト層からなるｐ型半導体層と、を順次積層する第二工程とを具備し、前記第二工程において前記再成長層を基板温度７００℃〜１２００℃で形成し、前記ｐクラッド層を基板温度８００℃〜１２００℃で形成することを特徴とする半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】低い電圧で駆動でき、優れた光取り出し効率を有する半導体発光素子、これを備えたランプ、電子機器及び機械装置を提供する。
【解決手段】基板１１の一面１１ａに、ｎ型半導体層１２と、発光層１３と、ｐ型半導体層１４と、結晶構造がアナターゼ型からなる酸化チタン系導電膜層１５とがこの順で積層されてなり、ｐ型半導体層１４と酸化チタン系導電膜層１５との間に、５ｍｇ／ｃｍ^３〜５ｇ／ｃｍ^３の濃度範囲のＺｒ元素を含む酸化物層が存在している半導体発光素子１とする。 （もっと読む）

【課題】発光素子を具備した発光素子パッケージ及び照明システムの信頼性を改善すること。
【解決手段】本発明の実施形態による発光素子は、複数の半導体層を有する第１の発光構造層と、第１の発光構造層上に配置された第１の電極と、第１の発光構造層の下に配置された第１の反射層と、第１の反射層の下に配置され、複数の半導体層を有する第２の発光構造層と、第２の発光構造層の下に配置された第２の反射層と、第２の発光構造層と第１の反射層の間に配置されたボンディング層と、第１の発光構造層と第２の発光構造層を並列に連結する複数の連結部材とを含む。 （もっと読む）

【課題】安価なIII 族窒化物半導体発光素子を実現すること。
【解決手段】発光素子１００は、セラミック基板１０１上にｐ電極１０３、ｐ型層１０４、活性層１０５、ｎ型層１０６を有している。ｐ型層１０４のｐ電極１０３側の表面に、第１の溝１０８が形成され、ｎ型層１０６に達する深さである。第１の溝１０８の底面に接し、第１の溝１０８の側面には接しないよう補助電極１０９が形成されている。また、ｎ型層１０６表面であって、補助電極１０９の一部と対向する領域に、その補助電極１０９に達する深さの第２の溝１１１が形成され、第２の溝１１１の底面に露出した補助電極１０９上にｎパッド電極１０７が形成されている。また、ｎ型層１０６表面であって、補助電極１０９と対向しない領域に、ｐ電極１０３に達する深さの第３の溝１１５が形成され、第３の溝１１５底面に露出したｐ電極１０３上にｐパッド電極１１４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】転位密度が小さくて結晶品質が高い半導体層を備え、しかも発光効率の優れる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１０は、表面にサブミクロンオーダーの多数の微細凹凸１１ａを有する基板１１と、基板１１の表面における多数の微細凹凸１１ａの一部分の凹部を埋めると共にその部分を覆うように設けられたマスク層１２と、基板１１の表面における多数の微細凹凸１１ａのマスク層１２で覆われていない部分を起点として結晶成長することにより基板１１上に形成された半導体層１３とを備える。マスク層１２は、基板１１との屈折率差よりも半導体層１３との屈折率差の方が小さい。 （もっと読む）

【課題】高精度の厚さの窒化物半導体層を含む半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、＋ｃ面を主面とするＧａＮなどからなる半導体膜２０Ａを形成する工程と、その半導体膜２０Ａの＋ｃ面における一部領域を選択的に掘り下げ、溝２９を形成する工程と、溝２９を埋めるように金属層３８を形成する工程と、金属層３８が露出するまで半導体層２０の−ｃ面を全体に亘って研磨し、その厚さ方向の一部を除去する工程とを含む。これにより、溝２９の深さに対応した所定の厚さを有する半導体層２０が得られる。 （もっと読む）

【課題】内部電界が０となる面を主面とするIII 族窒化物半導体からなる発光素子の製造方法において、光取り出し効率を向上させること。
【解決手段】ａ面サファイア基板２０の一方の表面をドライエッチングして、複数のドット状の凸部１８をハニカム状に配列した凹凸パターンに加工し、凸部１８形成側のサファイア基板２０表面上に、ｍ面を主面とするIII 族窒化物半導体からなるｎ型層１５、発光層１４、ｐ型層１３を形成する。次に、ｐ型層１３上にｐ電極１２を形成し、ｐ電極１２と支持基板１０とを金属層１１を介して接合する。次に、レーザーリフトオフによりサファイア基板２０を除去する。露出するｎ型層１５表面１５ａには、凸部１８による凹凸パターンが転写されて凹部１７による凹凸パターンが形成される。次に、ｎ型層１５表面１５ａをウェットエッチングして多数のエッチピット１９を形成する。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を高めた半導体発光素子、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子は、基板と、該基板上に形成されたＩＩＩ族化合物半導体からなる発光層を含む半導体層と、該半導体層上の前記基板と接する側とは反対側の表面に配置された導電性薄膜と、該導電性薄膜の厚み方向に貫通して形成される電流阻止部と、該電流阻止部上に形成された第１の電極と、基板の半導体層と接する側とは反対側の表面上、または半導体層の露出面上に形成された第２の電極とを有し、導電性薄膜は、発光層が発光する光に対して透過性を有し、電流阻止部は、導電性薄膜と同一の材料からなり、かつ前記導電性薄膜よりも電気抵抗が高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】内部電界０となる面を主面とするIII 族窒化物半導体発光素子の発光効率を向上させること。
【解決手段】発光素子１００は、複数のストライプ状の凹部が形成されたサファイア基板１０と、サファイア基板１０の凹部形成側の表面上に形成されたｎコンタクト層１１と、ｎコンタクト層１１上に形成された発光層１２と、発光層１２上に形成された電子ブロック層１３と、電子ブロック層１３上に形成されたｐコンタクト層１４と、ｐ電極１５、ｎ電極１６と、によって構成されている。電子ブロック層１３は、厚さ２〜８ｎｍ、Ａｌ組成比２０〜３０％のＭｇドープＡｌＧａＮからなる。 （もっと読む）

【課題】光の取り出し効率の向上
【解決手段】各層がIII族窒化物系化合物半導体から成る半導体発光素子である。表面上にとられた第１方向（ｘ軸）に平行に、ストライプ状の溝１１を多数、表面上に配列させたサファイア基板１０と、サファイア基板の面１０ａの上及び溝１１において、第１方向には不連続に形成された誘電体１５を有する。溝の側面から成長し、サファイア基板の面１０ａ上及び誘電体１５の上面１５ａを覆うIII族窒化物系化合物半導体から成る基底層と、基底層上に形成された発光素子を構成する素子層とを有する。 （もっと読む）