【課題】光取り出し効率を高めた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１０では、半導体層１１は第１の面と第１の面に対向する第２の面を有し、活性層を含む多層構造である。第１電極１５が、半導体層１１の第１の面に形成されている。複数のＩＴＯピラー１６が、半導体層１１の第２の面に、第２の面の一部が露出するように分散して形成されている。反射電極１７が、ＩＴＯピラー１６と隣接するＩＴＯピラー１６との間を埋め込み、ＩＴＯピラー１６を覆うように半導体層１１の第２の面に形成されている。接合金属層１８が、反射電極１７上に形成されている。支持基板１９が、接合金属層１８を介して半導体層１１に接合されている。ＩＴＯピラー１６と隣接するＩＴＯピラー１６との間に、半導体層１１の第２の面が露出し、その露出した面に反射電極１７が形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板表面内で半導体層の組成が均一な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子の製造方法は、加熱手段の上に配置されたトレイ１の、前記加熱手段とは反対側の表面上にある基板搭載部３に搭載された基板４上に、ＩＩＩ族元素とＶ族元素とからなる化合物半導体の積層構造を有機金属気相成長法により成長する工程を含む。前記化合物半導体の積層構造を構成する少なくとも１つのＩＩＩ族元素と、前記化合物半導体層の積層構造を構成する少なくとも１つのＶ族元素と、を有する化合物半導体膜２が、前記積層構造の成長前に予め前記基板搭載部３の表面上に形成されている。前記基板４が、前記化合物半導体膜２を介して前記基板搭載部３に搭載されて、前記積層構造が前記基板４上に成長される。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体紫外線発光素子において、ｎ型ＡｌＧａＮ系半導体層からなるｎ型クラッド層とｎ電極間の寄生抵抗を、ｎ型クラッド層のＡｌＮモル分率に関係なく低抵抗化し、順方向電圧の低電圧化を図る。
【解決手段】 ｎ型クラッド層６上のｎ型クラッド層６の表面と平行な面内の第１領域に、バンドギャップエネルギが３．４ｅＶ以上のＡｌＧａＮ系半導体層を有する活性層７と、活性層７より上層に位置するｐ型ＡｌＧａＮ系半導体層からなるｐ型クラッド層９が形成され、ｎ型クラッド層６上の第１領域以外の第２領域内の少なくとも一部に、ｎ型ＡｌＧａＮ系半導体層からなるｎ型コンタクト層１１が形成され、ｎ型コンタクト層１１のＡｌＮモル分率が０％以上６０％以下の範囲内にあって、且つ、ｎ型クラッド層６のＡｌＮモル分率より小さく、ｎ型コンタクト層６とオーミック接触するｎ電極１３がｎ型コンタクト層１１上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体発光素子における電流拡散効率を向上させる。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、基板上の矩形の窒化物半導体領域内に１以上のｎ型半導体層、活性層、および１以上のｐ型半導体層を含み、ｎ型半導体層はエッチングで形成された部分的露出領域を有し、ｐ型半導体層上に形成された電流拡散層上にはp側電極パッドと一体のｐ側枝電極が形成され、ｎ型半導体層の部分的露出領域上にはｎ側電極パッドと一体のｎ側枝電極が形成され、ｐ側とｎ側の枝電極は矩形の窒化物半導体領域の対向する２辺に沿って互いに平行に延びており、ｐ側とｎ側の電極パッドの中心間距離をＬで表し、ｐ側とｎ側の枝電極間距離をＭで表し、そしてｐ側とｎ側の電極パッドが矩形の窒化物半導体領域の対角位置に形成される場合のそれら電極パッドの中心間距離をＬ_ｍａｘで表すときに、０．３＜Ｍ／Ｌ＜１．１およびＬ＜Ｌ_ｍａｘの条件を満たす。 （もっと読む）

【課題】窒化化合物半導体構造を製造する装置及び方法を提供する。
【解決手段】III族及び窒素の前駆物質が、第１の処理チャンバに流入されて、熱化学気相堆積プロセスを用いて、基板上に第１の層が堆積される。該基板は、該第１の処理チャンバから第２の処理チャンバへ移送される。II族及び窒素の前駆物質が、該第２の処理チャンバに流入されて、熱化学気相堆積プロセスを用いて該第１の層を覆って第２の層が堆積される。該第１及び第２のIII族前駆物質は、異なるIII族元素を有する。 （もっと読む）

【課題】光の高出力化及び取出効率並びに低動作電圧化を向上させ、かつ、リーク電流の発生を阻止することができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子１においては、半導体積層体１４のｎ型コンタクト層３に設けられた平面視ドット状の複数の分配電極１２、ｐ型コンタクト層７と導電反射層９とを接続する円環状の界面電極８、及び、複数の分配電極１２を覆う透明導電膜２１の中央に円形状に設けられた表面電極１７が、積層方向において互いに重ならないように配置されている。また、絶縁性保護膜２５は、少なくとも半導体積層体１４の側面の全面を覆っている。 （もっと読む）

【課題】光の高出力化及び取出効率並びに低動作電圧化を向上させることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子１は、半導体積層体１４の他方の表面側に積層された導電反射層９、半導体積層体１４の一方の表面に形成された透明導電膜２１、透明導電膜２１の表面に形成された表面電極１７を備える。表面電極１７は、透明導電膜２１の表面に形成される反射用電極層１７ａ、外部配線に接続される接続用電極層１７ｂの積層電極構造になっている。 （もっと読む）

【課題】より高い透光特性を有する透光性電極を備え、優れた発光特性を有する化合物半導体発光素子を得る。
【解決手段】化合物半導体発光素子は、基板１１上に、化合物半導体からなるｎ型半導体層１２、発光層１３及びｐ型半導体層１４がこの順で積層され、さらに、ｐ型半導体層上の導電型透光性電極からなる正極１５及びｎ型半導体層上の導電型電極からなる負極１７を備えてなる化合物半導体発光素子であって、正極をなす導電型透光性電極が、スパッタ法で加熱されながら成膜されたＩｎ_２Ｏ_３なる組成の結晶を含む透明導電膜であり、ｐ型半導体層と前記透明導電膜との界面にはオーミック層が形成され、オーミック層の酸素濃度（相対元素濃度ｍｏｌ％）が、Ｉｎ_２Ｏ_３なる組成の結晶を含む透明導電膜のバルク中の酸素濃度（相対元素濃度ｍｏｌ％）よりも低い。 （もっと読む）

【課題】内部量子効率が高く、光取り出し効率が高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体を含むｎ型半導体層１０と、窒化物半導体を含むｐ型半導体層２０と、ｎ型半導体層とｐ型半導体層との間に設けられ、交互に積層された、複数の障壁層３１と、複数の井戸層３２と、を有する発光部３０と、を備えた半導体発光素子が提供される。ｗｎ及びｗｐは、ｂｎ及びｂｐよりも大きい。ｐ型半導体層に最も近い井戸層及び障壁層におけるｐ側端平均Ｉｎ組成比は、ｎ型半導体層に最も近い井戸層及び障壁層におけるｎ側端平均Ｉｎ組成比よりも大きく、ｎ側端平均Ｉｎ組成比の５倍以下である。 （もっと読む）

【課題】凹凸加工されたサファイア基板を用いたIII 族窒化物半導体発光素子において、光取り出し効率をさらに向上させつつ、ピットの発生を抑制すること。
【解決手段】まず、ｃ面を主面とするサファイア基板１０表面に凹凸加工を施す。凹凸の深さは１．２〜２．５μｍ、凹凸側面の傾斜角度は４０〜８０°とする。次に、水素雰囲気中１０００〜１２００℃の温度で熱処理を行う。次に、サファイア基板１０上に、ＡｌＮからなるバッファ層１１を形成し、バッファ層１１上に、埋め込み層１２、ｎ型層１３、発光層１４、ｐ型層１５を順に積層する。ここで、バッファ層１１としてＡｌＮを用いているため、凹凸の深さ１．２〜２．５μｍ、凹凸側面の傾斜角度が４０〜８０°の場合であっても、結晶にピットが発生せず、結晶方位のばらつきが小さい。 （もっと読む）

【課題】凹凸加工されたサファイア基板を用いたIII 族窒化物半導体発光素子において、光取り出し効率をさらに向上させつつ、ピットの発生を抑制すること。
【解決手段】凹凸の深さが１〜２μｍのｃ面サファイア基板１０上に、バッファ層１１を介してＳｉドープのＧａＮからなる埋め込み層１２を形成する。この埋め込み層１２によって凹凸を埋め込み、平坦な表面にする。埋め込み層１２の成長温度は、その後に埋め込み層１２上に形成するｎ型層１３の成長温度（１０００〜１２００℃）よりも２０〜８０℃低い温度とする。これにより、縦方向成長が促進されるため、大きなピットの発生が抑制される。 （もっと読む）

【課題】高輝度、高効率、高信頼性を高度に同時に満足する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、窒化物系半導体からなる第１導電型の第１半導体層と、窒化物系半導体からなる第２導電型の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層構造体と、前記第２半導体層の前記発光層とは反対側に設けられ、銀または銀合金を含む第１金属層と、第１金属層の第２半導体層とは反対側に設けられ、金、白金、パラジウム、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、オスミウムの少なくともいずれかの元素を含む第２金属層と、を有する電極と、を備え、第２半導体層は、第２半導体層と第１金属層との界面に接して設けられ、銀を含む界面層を含み、第２半導体層と電極との間のコンタクト抵抗は、１０×１０^−４Ωｃｍ^２以下である半導体発光素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板から剥離後の材料層におけるクラックの発生を極力防止することができるレーザリフトオフ方法および装置を提供すること。
【解決手段】基板１と材料層２との界面で材料層２を剥離させるため、基板１上に材料層２が形成されたワーク３に対し、基板１を通してパルスレーザ光を照射領域を刻々と変えながら照射する。レーザ光は、前記ワーク３の移動方向と平行方向に伸びる１辺を有する四角形状に形成され、隣接する各照射領域が重畳するように照射され、基板１から順次に剥離された前記材料層２の四角形状の剥離領域において、前記基板からはじめて剥離される材料層の剥離辺が２辺になるようにワーク３に照射される。これにより、ＧａＮの分解によって発生したＮ_２ガスが、剥離済の２辺から排出され、基板１上に形成された材料層２に割れを生じさせることなく、材料層２を基板１から剥離させることができる。 （もっと読む）

【課題】凹凸加工されたサファイア基板を用いたIII 族窒化物半導体発光素子において、光取り出し効率をさらに向上させつつ、ピットの発生を抑制すること。
【解決手段】まず、ｃ面を主面とするサファイア基板１０表面に凹凸加工を施す。凹凸の深さは１〜２μｍ、凹凸側面の傾斜角度は４０〜８０°とする。次にサファイア基板１０上に、バッファ層１１を形成し、バッファ層１１上に、ＧａＮからなる防止層１２を、６００〜１０５０℃で形成し、バッファ層１１の全面を被覆する。次に、防止層１２上に、１０５０〜１２００℃でｎ型層１３をＭＯＣＶＤ法によって形成する。このとき、バッファ層１１の全面が防止層１２に覆われているため、バッファ層１１のマストランスポートが抑制される。そのため、結晶にピットが発生するのを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 指向性を広げることが可能な発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子は、上面側に、それぞれの突起上面が同じ平面上に位置する突起を複数有した単結晶基板と、該単結晶基板の前記突起上に形成された光半導体層とを有しており、前記突起は、前記突起上面から下方に向かうにつれて前記突起上面と平行な断面積が前記突起上面の面積よりも小さくなる漸小部を有し、前記光半導体層は、前記突起上面に成長した半導体層を含み、該半導体層は、下端が前記突起上面に位置するとともに上端が前記半導体層の上面に位置し、前記下端から前記上端にかけて延在した転位を有しているとともに、上面側からみたとき、前記転位の前記上端が前記突起と重ならないように位置している。そのため、突起の側面からも光を出射されやすくすることができ、発光素子の指向性を広げることができる。 （もっと読む）

【課題】電流密度分布の分散化を図り、発光分布の均質化を図ることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、第１導電型の第１半導体層と、第２導電型の第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光部と、を有する積層構造体と、積層構造体の第１半導体層の第１主面において、第２半導体層及び発光部が選択的に除去され、第１主面の側において第１半導体層が露出した面に設けられた第１電極と、第１主面の側において、第２半導体層の一部に設けられた第２電極と、を備える。第１電極は、パッド部と、パッド部から延出する延出部と、を有し、延出部の延出方向に対して直交する方向に沿った幅は、延出部における延出方向に沿った中央の位置よりパッド部側の位置から先端にかけて漸減する。第２電極におけるパッド部に最も近い端部の位置は、延出部における前記中央の位置よりもパッドから遠い。 （もっと読む）

【課題】ＮのドープされたＺｎＯ系半導体層の新規な製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体層の製造方法は、（ａ）基板上方に、（Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘ）_３Ｎ_２（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜を成長させる工程と、（ｂ）（Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘ）_３Ｎ_２（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜を、酸素を含まないガス雰囲気中で昇温する工程と、（ｃ）酸素を含まないガス雰囲気中での昇温の後に、酸素を含むガスを供給し、（Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘ）_３Ｎ_２（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜の全体を酸化して、ＮドープＭｇ_ｙＺｎ_１−ｙＯ（０≦ｙ≦０．６）膜を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上させることのできる半導体発光素子を提供することを可能にする。
【解決手段】本実施形態の半導体発光素子は、ｐ型窒化物半導体層と、前記ｐ型窒化物半導体層上に設けられ窒化物半導体の多重量井戸構造を有する活性層と、前記活性層上に設けられたｎ型窒化物半導体層と、を有する積層膜と、前記ｎ型窒化物半導体層に接続するｎ電極と、前記ｐ型窒化物半導体層に接続するｐ電極と、前記ｎ型窒化物半導体層の上面の表面に形成された凹凸領域と、を備え、前記凹凸領域は、高低差が１μｍ〜３μｍの第１の凹凸と、高低差が３００ｎｍ以下の第１の凹凸より小さな第２の凹凸が混在している。 （もっと読む）

【課題】凹凸パターンが表面に形成された成長用基板をレーザリフトオフ法によって除去の際に、金属材料等の異物の付着を防止しつつ、半導体成長層におけるクラックの発生を防止することができる半導体発光素子の製造方法及びこれよって製造される半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】成長用基板の表面に複数の素子形成領域と、複数の素子形成領域を囲む素子区画領域と、素子形成領域の内側に設けられた凹凸面形成領域と、凹凸面形成領域を囲み平坦形状を有する凹凸面区画領域とを区画し、凹凸面形成領域内に複数の凸部又は凹部を形成する工程と、成長用基板の表面上に半導体成長層を形成する工程と、凹凸面区画領域及び素子区画領域上の半導体成長層をエッチングし、成長用基板に向かって開口が徐々に小さくなるとともに成長用基板の表面に達する素子分割溝を形成する工程と、支持体を複数の素子部に接合する工程と、成長用基板を剥離する工程と、を有すること。 （もっと読む）

【課題】低駆動電圧で高発光効率の半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、下窒化物半導体からなるｎ型層と、窒化物半導体からなるｐ型層と、ｎ型層とｐ型層との間に設けられ、窒化物半導体からなる複数の障壁層と、複数の障壁層のそれぞれの間に設けられ、障壁層よりも小さいバンドギャップを有し、窒化物半導体からなる井戸層と、を有する発光部と、を備え、障壁層の少なくともいずれかは、ｎ型層の側に設けられた第１層と、ｐ型層の側に設けられ、第１層よりも高い濃度でｎ型不純物を含む第２層と、を含み、井戸層の少なくともいずれかは、ｎ型層の側に設けられた第３層と、ｐ型層の側に設けられ、第３層よりも高い濃度でｎ型不純物を含む第４層と、を含み、第２層及び第４層におけるｎ型不純物濃度は、５×１０^１７ｃｍ^−３以上であることを特徴とする半導体発光素子が提供される。 （もっと読む）