【課題】高輝度化を図ることができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光層と、第１半導体層と導通する第１電極層と、第２半導体層と導通する第２電極層と、を備える。第２電極層は、第１半導体層から第２半導体層に向かう方向に沿った厚さが１０ｎｍ以上、３００ｎｍ以下である金属部と、前記方向に沿って金属部を貫通し、前記方向にみたときの形状の円相当直径が１０ｎｍ以上、５μｍ以下である複数の開口部と、を有する。第２半導体層は、金属部とショットキー接合している。 （もっと読む）

【課題】パターン化された格子緩衝層を用いて窒化物の結晶性を向上させることができ、エアホールを形成することによって輝度を向上させることができる窒化物系発光素子及びその製造方法について開示する。
【解決手段】本発明に係る窒化物系発光素子の製造方法は、基板上にウルツ鉱型格子構造を有する物質を蒸着して蒸着層を形成し、前記蒸着層の表面にエッチングパターンを形成することによって、パターン化された格子緩衝層を形成し、前記パターン化された格子緩衝層上に窒化物を成長させることを含み、前記パターン化された格子緩衝層上に窒化物を成長させるとき、前記パターン化された格子緩衝層を除去し、前記除去された部分にエアギャップを形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 光取り出し効率の低下を抑制することが可能な発光素子を提供する。
【解決手段】 ｎ型層３ａと、ｎ型層３ａの上面３ａ’の一部を露出させて設けられた発光層３ｂと、ｐ型層３ｃと、ｎ型層３ａの露出した上面３ａ’に、発光層３ｂおよびｐ型層３ｃと間をあけて設けられた第１の電極層５と、ｐ型層３ｃ上に設けられた、銀を主成分として銅、ニッケル、亜鉛、金およびパラジウムの少なくとも１種の金属材料を含む第１導電層６ａおよび前記金属材料を主成分とする第２導電層６ｂを順次積層してなる第２の電極層６とを有し、第１導電層６ａは、前記金属材料の濃度が、第１導電層６ａと第２導電層６ｂとの界面から下方に向かうにつれて低くなっている発光素子１である。第１導電層６ａ内で前記金属材料の濃度が第２導電層６ｂとの界面から下方に向かうにつれて低くなっていることから、発光素子１の光取り出し効率の低下を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯパウダーのようなウルツ鉱型格子構造を有する物質のパウダーを用いた窒化物系発光素子及びその製造方法について開示する。
【解決手段】本発明に係る窒化物系発光素子は、成長基板と、前記成長基板上に形成される格子緩衝層と、前記格子緩衝層上に形成され、複数の窒化物層が積層されている発光構造体とを含み、前記格子緩衝層は、ウルツ鉱型構造を有する物質のパウダーで形成されることを特徴とする。このとき、前記格子緩衝層はＺｎＯパウダーで形成され、窒化物の成長時に発生する線欠陥を最少化することができる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板を成長基板として用いた場合に問題となる、窒化物成長時における線欠陥の発生を低減化できる、シリコン基板を成長基板として用いる窒化物系発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化物系発光素子は、シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成される窒化物成長用シード層と、前記窒化物成長用シード層上に形成され、複数の窒化物層が積層されている発光構造体とを含むことを特徴とする。特に、前記窒化物成長用シード層はＧａＮパウダーで形成される。 （もっと読む）

【課題】高輝度の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、窒化物半導体を含むｎ形半導体層と、窒化物半導体を含むｐ形半導体層と、発光部と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記発光部は、前記ｎ形半導体層と前記ｐ形半導体層との間に設けられる。前記発光部は、ｎ側障壁層と第１発光層と、を含む。前記第１発光層は、前記ｎ側障壁層と前記ｐ形半導体層との間に設けられた第１障壁層と、前記ｎ側障壁層と前記第１障壁層との間においてｎ側障壁層に接する第１井戸層と、前記第１井戸層と前記第１障壁層との間に設けられ、Ａｌ_ｚ１Ｇａ_１−ｚ１Ｎ（０．２５＜ｚ１≦１）を含む層状の第１ＡｌＧａＮ層と、を含む。前記発光部から放出される光のピーク波長λｐは、５１５ナノメートルよりも長い。 （もっと読む）

【課題】蛍光層を具えた白色発光ダイオードの提供。
【解決手段】この蛍光層を具えた白色発光ダイオードは、サファイヤ基板上に順に堆積された窒化ガリウムバッファ層、ｎ型窒化ガリウム層、多重量子井戸窒化アルミニウムガリウム層、ｐ型窒化ガリウム層、透明導電層、酸化インジウムテルビウム蛍光層と、ｐ型窒化ガリウム層に接続されたプラス極金属接続層とｎ型窒化ガリウム層に接続されたマイナス極金属接続層を包含し、そのうち、プラス極金属接続層及びマイナス極金属接続層がそれぞれ外部プラス電源端子とマイナス電源端子に接続される時、多重量子井戸窒化アルミニウムガリウム層が電子正孔再結合により光線を発射し、並びにｐ型窒化ガリウム層、透明導電層、酸化インジウムテルビウム蛍光層を通して該光線を外部に発射し、且つ酸化インジウムテルビウム蛍光層の蛍光性が、多重量子井戸窒化アルミニウムガリウム層の発射する光線を白色光の出射光に変換する。 （もっと読む）

【課題】望ましい光抽出効率を有すると同時に、ｐ電極の接触領域を増大させ、これによりオーム接触抵抗を改善するＬＥＤを提供する。
【解決手段】発光ダイオード（ＬＥＤ）が、その製造方法とともに提供される。上記ＬＥＤは、基板１上に形成される導電性のｎ型領域２と、上記ｎ型領域上に形成される活性領域３と、上記活性領域上に形成される第１のｐ型領域４と、上記活性領域からの光抽出を行うように上記第１のｐ型領域上に形成される複数のナノ構造であって、５００ｎｍ未満の直径を有するナノ構造５と、上記第１のｐ型領域上に、上記ナノ構造との組み合わせによって非平面の表面を形成するように再成長した第２のｐ型領域６と、上記非平面の表面上に形成されるｐ型電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体層に接するコンタクト電極の信頼性を高めた半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、絶縁膜と、ｐ側コンタクト電極と、ｎ側コンタクト電極と、ｐ側金属保護膜と、ｎ側金属保護膜とを備えている。半導体層は、発光層と、第１の面と、第１の面の反対側に形成された第２の面とを有する。ｐ側コンタクト電極は、絶縁膜に形成された第１の開口の内側で、第２の面における発光部に接して設けられている。ｎ側コンタクト電極は、第２の開口の内側で、第２の面における非発光部に接して設けられている。ｐ側金属保護膜は、ｐ側コンタクト電極の表面及び側面を覆っている。ｎ側金属保護膜は、ｎ側コンタクト電極の表面及び側面を覆っている。 （もっと読む）

【課題】光度を高めるとともに動作電圧を改善することができる発光素子、発光素子の製造方法、発光素子パッケージ及び照明システムを提供する。
【解決手段】発光素子は、第１導電型半導体層１１０と、前記第１導電型半導体層の上の発光層１２０と、前記発光層の上の電子遮断層１３０と、前記電子遮断層の上の第２導電型半導体層１４０とを備え、前記電子遮断層は厚さの高低差があるパターンを含む。 （もっと読む）

【課題】結晶性の炭化アルミニウム薄膜、結晶性の炭化アルミニウム薄膜を形成した半導体基板及びそれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明によると、炭化アルミニウムの結晶を含むことを特徴とする炭化アルミニウム薄膜が提供される。また、本発明によると、炭素を含むガスと、アルミニウムを含むガスとを供給し、基板上に炭化アルミニウムの結晶を成長させて、炭化アルミニウム薄膜を形成することを特徴とする炭化アルミニウム薄膜の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】高いマイグレーション防止性と水素ブロック性とを両立する半導体発光素子、半導体発光素子の保護膜及びその作製方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に形成された複数の半導体層１２〜１４と、複数の半導体層１２〜１４の電極となる電極部１５、１６及び電極部１７、１８とを有する半導体発光素子において、その保護膜として、複数の半導体層１２〜１４、電極部１５、１６及び電極部１７、１８の周囲を、膜中のＳｉ−Ｈ結合量が１．０×１０²⁰［個／ｃｍ³］以下の窒化珪素からなるＳｉＮ膜２１で被覆する。 （もっと読む）

【課題】サファイア、ＧａＡｓ、シリコンまたは炭化ケイ素といった異種基板上で第３族窒化物の半導体材料の層を１層以上成長させる上で遭遇する、少なくともいくつかの問題に対処する。
【解決手段】ラミネート基板システムは、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（５）と支持基板材料（４）（または当該材料と一般化学組成が同一である材料）とが交互に積層された多数の層からなる変成遷移領域（２）を含む。転位密度が低い第３族窒化物半導体素子（２）がラミネート基板システム上に形成される。変成遷移領域（２）の多数の層（４、５）は、格子定数が支持基板（１）（支持基板付近）の格子定数から素子（３）（素子付近）の格子定数へと成長方向に沿って変化する超格子構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の発熱を効率よく放熱できるとともに、安価に製造できる照明装置を提供する。
【解決手段】照明装置１０は、一方の表面に、長手方向に連続する一体成型された凸部２１ａを備えた表面形状が矩形の熱伝導性基板２１と、凸部２１ａの表面２１ｂ上に搭載された複数の半導体発光素子チップ６４−１〜６４−９と、熱伝導性基板２１の表面２１ｃ上に、凸部に隣接して設けられ、半導体発光素子チップに電力を供給するための配線が設けられた配線基板２２ａ、２２ｂとを備えている。 （もっと読む）

【課題】発光領域を構成する半導体積層構造と、その上に形成される透明導電膜との密着性を改善し、これらの接触抵抗を低減することができる発光デバイスを得る。
【解決手段】発光デバイスにおいて、サファイア基板１１上に形成され、発光デバイスの半導体積層構造を形成するｐ型ＧａＮ層１６を、その炭素含有比率が該ｐ型ＧａＮ層表面に含まれる全体の元素の含有率に対して１０〜３０％となり、また、その酸素含有比率が該ｐ型ＧａＮ層表面に含まれる全体の元素の含有率に対して１０〜２５％となるように形成し、該ｐ型ＧａＮ層１６上にＩＴＯ膜１７を形成した。 （もっと読む）

【課題】窒化物膜の酸化の進行を抑制し信頼性が高く、優れた光学特性を有する誘電体多層膜を備える半導体素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体素子(100)は、発光又は受光素子構造を含む半導体の積層体(20)と、該積層体(20)の外面を被覆する誘電体多層膜(40)と、を備え、前記誘電体多層膜(40)は、窒化物の第１膜(41)と、該第１膜(41)に接して設けられた酸化ホウ素の第２膜(42)と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】単位ＬＥＤ素子を連結して構成したブロック型のＬＥＤ素子は、電極数が多くなるうえ負電極が小さいため実装性が悪い。
【解決手段】単位ＬＥＤ素子のｐ型半導体層１６ａ，１６ｂから露出するｎ型半導体層１７ａ，１７ｂの露出部１７ｃ，１７ｄは、ｐ型半導体層１６ａ，１６ｂの中央部にあり、負電極配線１９を介して第２保護膜１３上に形成されたカソード用バンプ電極１２と接続している。同様にｐ型半導体層１６ａ，１６ｂは、ｐ型半導体層１６ａ，１６ｂの４隅に形成された第１保護膜の開口部１５ａ〜ｄ、正電極配線１４を介して第２保護膜１３上に形成されたアノード用バンプ電極１１と接続している。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤに粗面を形成してＬＥＤの発光効率を改善するフォトリソグラフィ法を提供する。
【解決手段】基板のフォトレジスト層に位相シフトマスクパターンをフォトリソグラフィによりイメージングして、フォトレジスト造形物の周期的配列を形成することを備える。基板粗面は、露光されるフォトレジスト層を加工することにより形成され、その結果、基板面に基板ポストの周期的配列が形成される。そして、ｐｎ接合多層構造が基板粗面上に形成されて、ＬＥＤが形成される。基板ポストの周期的な配列は、基板粗面を有していないＬＥＤに比して、ＬＥＤ発光効率を改善する散乱地点として機能する。位相シフトマスクを使用することで、非平坦なＬＥＤ基板に適した焦点深度で利用可能なフォトリソグラフィックイメージングを使用することが可能となり、基板ポストの形成に必要な分解能が提供される。 （もっと読む）

【課題】 Ａｇのマイグレーションによるリークを抑制する。
【解決手段】 半導体素子は、基板と、前記基板上に形成された共晶層と、前記共晶層上方に形成された絶縁層と、各々が前記絶縁層上に形成された密着層と、前記密着層上に形成されたＡｇ反射膜と、前記Ａｇ反射膜上に形成された透明電極と、前記透明電極上に形成され、第１導電型の第１の窒化物半導体層と、該第１の窒化物半導体層の上に形成され、電流が流れることにより発光する第２の窒化物半導体層と、該第２の窒化物半導体層の上に形成された、第２導電型の第３の窒化物半導体層とを含んだ半導体積層とを有する複数の半導体発光素子と、前記密着層及びＡｇ反射膜上方に形成され、隣接する半導体発光素子の一方の前記第１導電型の第１の窒化物半導体層と他方の前記第２導電型の第３の窒化物半導体層とを接続し、積層の最下層が前記密着層と同一の材料からなる配線電極とを有する。 （もっと読む）

【課題】支持基板及び半導体成長膜におけるクラック等の欠陥の発生を防止ししつつ、半導体発光素子の電気的特性の向上を図ることができる半導体発光素子の製造方法、及びこれよって形成される半導体積層構造を提供すること。
【解決手段】成長用基板の上に半導体成長膜、電極及び成長基板側接合金属膜を順次形成して発光体部を形成する工程と、支持基板の裏面に凹部及び／又は凸部を形成し、支持基板の表面に支持基板側接合金属膜を形成して支持体部を形成する工程と、成長基板側接合金属膜と支持基板側接合金属膜とを密着するとともに加熱し、成長基板側接合金属膜及び支持基板側接合金属膜を溶融させて支持体部及び発光体部を接合する工程と、を有すること。 （もっと読む）