【課題】本発明は、光抽出効率を向上させることができる発光素子、発光素子パッケージ、及び照明システムを提供するためのものである。
【解決手段】本発明に従う発光素子は、基板と、上記基板の上に第１導電型半導体層、活性層、及び第２導電型半導体層を含み、かつ上記第１導電型半導体層の一部を上部に露出する発光構造物と、上記第２導電型半導体層の上にショットキーコンタクト領域と、上記第２導電型半導体層の上に第２電極と、上記露出された第１導電型半導体層の上に第１電極と、を含み、上記ショットキーコンタクト領域は、メサエッジ領域に近いほどショットキーコンタクト領域間の距離が狭くなることができる。 （もっと読む）

【課題】発光時の温度上昇を抑制しつつ発光を分散させることにより、明るさのばらつきが少なくかつ長寿命で高効率な発光装置を提供する。
【解決手段】１個当たりの発光面積が２,５００πμｍ^２以下の複数の棒状構造発光素子２１０を同一の絶縁性基板２００の実装面上に１００個以上配置する。 （もっと読む）

【課題】光抽出率を改善するために厚いエピタキシャル層を有するＡｌＧａＩｎＮベースＬＥＤを提供する。
【解決手段】基板と、該基板に結合した多層エピタキシャル構造と、を含むＡｌＧａＩｎＮ発光ダイオード素子であって、
前記多層エピタキシャル構造が、上部ＡｌＧａＩｎＮ領域、活性領域及び下部ＡｌＧａＩｎＮ領域を含み、前記上部及び下部ＡｌＧａＩｎＮ領域はアルミニウム、ガリウム、インジウム及び窒素からなる群より選択した少なくとも１元素で作られた複数のエピタキシャル層を含み、前記多層エピタキシャル構造が少なくとも４μｍの厚みを持ち、
前記基板の、前記多層エピタキシャル構造と結合させる面がテクスチャをつけられた面であることを特徴とするＡｌＧａＩｎＮ発光ダイオード素子。 （もっと読む）

【課題】バッファで改善された結晶性および平坦性を有効に機能積層体に引き継がせることにより、機能積層体の平坦性および結晶性を向上させた半導体素子をその製造方法とともに提供する。
【解決手段】基板上に、バッファと、複数の窒化物半導体層を含む機能積層体とを具える半導体素子であって、前記機能積層体は、前記バッファ側にｎ型またはｉ型である第１のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層(０≦ｘ＜１)を有し、前記バッファと前記機能積層体との間に、前記第１のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層とＡｌ組成が略等しいｐ型不純物を含むＡｌ_ｚＧａ_１−ｚＮ調整層(ｘ−０．０５≦ｚ≦ｘ＋０．０５、０≦ｚ＜１)を具えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い発光効率を有する波長変換部材を提供する。
【解決手段】波長変換部材１０Ａは、励起光１００が入射する入射面１１および波長変換光２００が出射する出射面１２を含む光透過性部材１３と、この光透過性部材１３の内部に分散配置され、励起光１００を吸収して波長変換して発光する半導体微粒子蛍光体１４とを備える。入射面１１と出射面１２とを結ぶ方向である光の進行方向に平行な方向における半導体微粒子蛍光体１４の分散濃度は、上記光の進行方向と直交する方向における半導体微粒子蛍光体１４の分散濃度に比べて低い。 （もっと読む）

【課題】光−電気変換の量子効率が高く、受光素子及び発光素子として、優れた実用性が得られる鉄シリサイド半導体薄膜を有する光半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、スパッタ法、蒸着法又はレーザアブレーション法により粒径が１０乃至１００ｎｍの微細多結晶からなる第１のβ−ＦｅＳｉ_２層２を初期層として形成する。次いで、化学気相成長法又は気相エピタキシ法により初期層の結晶粒の横方向成長を促進しつつ第１のβ−ＦｅＳｉ_２層２上に粒径が１０乃至１００μｍの第２のβ−ＦｅＳｉ_２層３を形成する。 （もっと読む）

【課題】高効率に近紫外光を発光する半導体発光素子、ウェーハ及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ形ＧａＮ及びｎ形ＡｌＧａＮの少なくともいずれかを含む第１層１３１と、ｐ形ＡｌＧａＮを含む第２層１５１と、第１層と第２層との間に設けられ、Ａｌ_ｘ１Ｇａ_{１−ｘ１−ｙ１}Ｉｎ_ｙ１Ｎ（０＜ｘ１、０≦ｙ１、ｘ１＋ｙ１＜１）を含む第１障壁層１４１と、第１障壁層と第２層との間に設けられ、Ａｌ_ｘ２Ｇａ_{１−ｘ２−ｙ２}Ｉｎ_ｙ２Ｎ（０＜ｘ２、０≦ｙ２、ｘ２＋ｙ２＜１）を含む第２障壁層１４２と、第１障壁層と第２障壁層との間に設けられ、Ａｌ_ｘ０Ｇａ_{１−ｘ０−ｙ０}Ｉｎ_ｙ０Ｎ（０≦ｘ０、０＜ｙ０、ｘ０＋ｙ０＜１、ｙ１＜ｙ０、ｙ２＜ｙ０）を含み、近紫外光を放出する井戸層１４３と、からなる単一量子井戸構造の発光部１４０と、を備えた半導体発光素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、２つの基板を接合する際の割れやクラックを抑制し、製造歩留りを向上させる半導体発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第１の基板、半導体層及び第１の金属層を有する第１の積層体と、第２の基板及び第２の金属層を有する第２の積層体と、を貼り合わせる半導体発光素子の製造方法であって、前記第１の積層体の劈開方向と前記第２の積層体の劈開方向とをずらし、前記第１の金属層と前記第２の金属層とを接触させて重ね合わせる工程と、前記第１の積層体と前記第２の積層体との間に加重を加えた状態で所定の温度に昇温し、前記第１の積層体と前記第２の積層体とを貼り合わせる工程と、を備えることを特徴とする半導体発光素子の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】高い発光出力を有するＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ型半導体層と多重量子井戸構造からなる活性層とを順次積層した後、前記活性層の表面に、Ｍｇ源を含むドーパントガスを第１の流量で供給する工程と、Ｇａ源、Ａｌ源及び窒素源を含む原料ガスを連続的に供給するとともに、ドーパントガスを前記第１の流量より低い第２の流量で間欠的に供給するＭＯＣＶＤ法により、前記活性層上に、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮなる組成（組成比を示すｘは０＜ｘ≦０．４の範囲である）の第１のｐ型半導体層を形成する工程と、前記第１のｐ型半導体層上に第２のｐ型半導体層を形成する工程と、を具備してなることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】高い保護機能を有すると共に、内部で光の反射や損失を改善することができる保護膜層を提供する。
【解決手段】基板上に、ｎ型半導体層と発光層とｐ型半導体層とを有する半導体層とをこの順で設ける工程と、前記半導体層上に、透光性電極１５を形成した後に、ジルコニア（ＺｒＯ_２）を材料とし、スパッタ法により、結晶構造のうち９０％以上が単斜晶からなる保護膜層５０を形成する工程と、を具備してなることを特徴とする半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】リーク電流を十分に抑制した半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光部２３を含む積層体２０と、積層体２０の第１主面２０ａに選択的に設けられた第１電極３０と、積層体２０の第１主面２０ａとは反対側の第２主面２０ｂに選択的に設けられた第２電極４０と、積層体２０の第２主面２０ｂの側に、接合金属６１を介して接合された支持基板６０と、積層体２０において、第２主面２０ｂを除く少なくとも側面２０ｃに設けられた保護膜８０と、第２主面２０ｂにおける第２電極４０が設けられていない領域と、接合金属６１と、の間、及び保護膜８０における第２主面２０ｂの側の保護主面８０ａと、接合金属６１と、の間に設けられた誘電体膜５０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】支持基板から表面白金層及び裏面白金層が剥がれることがない半導体発光装置を製造するための製造方法を提供する。
【解決手段】成長用基板上に複数の半導体層を積層して形成された発光体部と、シリコンからなる支持基板を含む支持体部と、を半田等の接合材料を介して接合することによって半導体発光装置を形成する製造方法において、支持基板の表面上及び裏面上のそれぞれにおいて、表面白金層及び裏面白金層の全体を加熱処理によってシリサイド化する。 （もっと読む）

【課題】 成長用基板の上に形成する半導体層が薄くても、再現性よく半導体層から成長用基板を分離する方法が望まれる。
【解決手段】 凹部の面積比が、内奥部よりも周辺部において高くなるように表面に凹凸が形成された成長用基板を準備する。この成長用基板の上に、凸部で支持され、かつ凹部には空洞が残るように化合物半導体からなる半導体層を形成する。半導体層の上に、支持基板を接着する。その後、成長用基板を半導体層から分離する。 （もっと読む）

【課題】空洞含有層を剥離境界面として成長用基板を剥離する工程を含む半導体素子の製造方法において、歩留り向上を図る。
【解決手段】成長用基板上にIII族窒化物系化合物半導体からなり、且つ層内に複数の空洞を含む空洞含有層を形成する。空洞含有層の上に、III族窒化物系化合物半導体からなるｎ型半導体層およびｐ型半導体層を含む半導体デバイス層を形成する。半導体デバイス層の上に支持基板を形成する。空洞含有層を剥離境界面として半導体デバイス層から成長用基板を除去する。空洞含有層を形成する工程は、成長用基板の表面に高温部と低温部が繰り返し連続するような温度分布を設けて、気相成長法により成長用基板上にIII族窒化物系化合物半導体を成長させる工程を含む。空洞含有層は、その積層方向と交差する面内における単位面積あたりの空洞の面積の割合が高温部に対応する部分と低温部に対応する部分で互いに異なっている。 （もっと読む）

【課題】素子製造過程において高温の熱処理を施した場合であっても、Ｓｉ基板上に形成されたＡｕ層のＡｕがＳｉ基板に拡散することのない金属被膜Ｓｉ基板、ならびに、この金属被膜Si基板を用いた接合型発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板と、前記Ｓｉ基板上の、接着層およびＰｔ層が順に形成された初期積層体と、前記初期積層体上の、Ａｕを含む第１金属層とを有する金属被膜Ｓｉ基板において、上記初期積層体と上記Ａｕを含む第１金属層との間に、ＴａＮ層およびＷ層からなる拡散防止積層体を介挿させ、前記ＴａＮ層の厚さが３０ｎｍ超えで、かつ前記Ｗ層の厚さが２００ｎｍ未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】異種材料の基板上で平坦かつ剥離が容易なＧａＮ基板を低コストで製造することを可能にする製造方法を提供するとともに、そのＧａＮ基板を用いて製造するＬＥＤやレーザダイオード等の半導体デバイスの低コスト化、性能向上や長寿命化を実現することである。
【解決手段】本発明の半導体基板は、基板と、前記基板上に形成された第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に所定のパターン形状で形成された金属性材料層と、前記第１の半導体層上及び前記金属性材料層上に形成された第２の半導体層と、前記金属性材料層より下層部分の前記第１の半導体層に形成された空洞と、を有する。 （もっと読む）

【課題】透明導電体にＩＴＯＮ層を用いた低駆動電圧、高発光効率、かつ発光強度分布が均一化された半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成されるｎ型半導体層と、ｎ型半導体層上に形成される活性層と、活性層上に形成され最上部がｐ型ＧａＮ層であるｐ型半導体層と、ｐ型ＧａＮ層上に形成されるＩＴＯＮ（酸窒化インジウムスズ）層と、ＩＴＯＮ層上に形成されるＩＴＯ（酸化インジウムスズ）層と、ＩＴＯ層上の一部に形成される第１の金属電極と、ｎ型半導体層に接続して形成される第２の金属電極を有することを特徴とする半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】本発明は、内部量子効率および光取出し効率の両方を向上させた半導体発光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第１導電型の第１半導体層と、前記第１半導体層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第２導電型の第２半導体層と、前記第２半導体層の上に設けられた透明電極と、を備え、前記透明電極の表面側から前記第１半導体層に連通する複数の光取り出し穴が設けられ、前記発光層から放出された光の少なくとも一部が前記光取り出し穴から外部に取り出されることを特徴とする発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】第２接合層の露出面における絶縁性保護膜との密着性を向上させることにより、半導体発光素子の耐久性および製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】成長基板上に、ｐ側電極層および第１接合層を有する独立した発光構造体を形成する工程と、支持部材の表面全体に、Ｐｔ基合金バリア層ならびにＡｕおよびＳｎを含有する第２接合層を形成する工程と、上記第１接合層と上記第２接合層とを熱接合する接合工程と、上記成長基板を、上記発光構造体からリフトオフにより剥離する剥離工程と、上記支持部材の表面の、上記第１接合層が接合されていない非接合領域における上記第２接合層のＡｕ含有層をエッチングにより除去する第１除去工程とを具えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤマスクとして用いられるＳｉＯ２層は熱的損傷を受けやすく、熱的損傷を受けると、その構成要素であるＳｉやＯが窒化物半導体膜に悪影響をもたらし、発光効率の低下と発光効率という問題があった。この、ＳｉＯ2層を用いたマスクパターンの熱的損傷に依る問題点を解決する構造，方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体構造は、第１の基板、第１の窒化物半導体膜及び第２の窒化物半導体膜を備えた窒化物半導体構造であって、前記第１の基板は、前記第１の窒化物半導体膜とは異なる材料からなり、前記第１の窒化物半導体膜は前記第１の基板上に成長され、前記第１の窒化物半導体膜上面は、凹部及び凸部が同一材料で形成されており、前記第２の窒化物半導体膜は、前記第１の窒化物半導体膜上面の前記凹部及び凸部上に成長する構造、及びその構造の製造方法により解決する。 （もっと読む）