【課題】素子の動作を安定化することが可能な半導体素子を提供する。
【解決手段】この半導体素子は、少なくとも裏面の一部に転位の集中している領域８を有するｎ型ＧａＮ基板１と、ｎ型ＧａＮ基板１の表面上に形成された窒化物系半導体各層（２〜６）と、転位の集中している領域８上に形成された絶縁膜１２と、転位の集中している領域８以外のｎ型ＧａＮ基板１の裏面の領域に接触するように形成されたｎ側電極１３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】光の取出し効率が高い発光ダイオード照明装置を提供する。
【解決手段】所定光の青色光を発光する発光ダイオードチップ６と；発光ダイオードチップを収容する投光開口１１を有する凹部１１と；凹部内に収容される樹脂に、発光ダイオードチップの発光により励起されて他の所定光の黄色系光を発光する黄色系蛍光体を添加してなる黄色系蛍光体層１４と；発光ダイオードチップの発光放射面に形成されて発光ダイオードチップの発光を透過させ、黄色系蛍光体層の発光を反射させる光透過反射膜１０と；を具備している。 （もっと読む）

【課題】高電気伝導度を有する結晶基板を備えた窒化物系半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型酸化亜鉛からなる第１の基板と、前記第１の基板上に設けられた窒化物系半導体からなるｐ型低抵抗層と、前記ｐ型低抵抗層上に成長され、窒化物系半導体からなる積層体と、を備え、前記第１の基板と前記ｐ型低抵抗層とは実質的にオーミックコンタクトを形成することを特徴とした窒化物系半導体素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】マルチ−フリースタンディング窒化ガリウム基板を単純な工程で安価にかつ高収率で製造する方法を提供する。
【解決手段】基板の窒化ガリウム層の表面をエッチングして窒化ガリウム多孔質層に変質する工程と、窒化ガリウム多孔質層上に窒化ガリウム層を形成する工程とを複数回繰り返して実施して、基板上に窒化ガリウム多孔質層と窒化ガリウム層の積層を複数周期で形成する工程と、積層が形成された基板を冷却して窒化ガリウム層を自発的に分離する工程とを含むマルチ−フリースタンディング窒化ガリウム基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】静電耐圧特性を向上させることができるIII族窒化物系化合物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】成長面にＳｉの集中を促すピットが形成されＲＭＳ（Root Mean Square）３〜１２（ｎｍ）の粗さを有するｉＧａＮ層１０４と、これに積層されるＳｉ原子の特性値を０．９×１０^２１〜３．６×１０^２１（atoms・Å／ｃｍ^３）としたｎＧａＮ層１０５と、でｎＥＳＤ層を形成したので、素子の垂直方向に対する電流経路を形成することができ、静電耐圧特性の向上を図ることができる。また、素子の静電耐圧特性向上により、サブマウント等の保護部材を設けなくとも良好な信頼性を有するので、発光素子を用いたデバイスのコストダウンを図ることも可能になる。 （もっと読む）

【課題】放熱性を維持しつつ、半導体層と支持基板との間の熱膨張率の違いによって発生する半導体層の亀裂等を防止するために、応力を十分吸収できるような接合層を備えた窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子製造方法を提供する。
【解決手段】半導体１を支持する導電性の支持基板４が、第１支持基板２と第２支持基板３とによって構成されている。半導体１が第２支持基板３上にのみ接合されており、第１支持基板２上に渡って接合されていない。第１支持基板２と第２支持基板３とは接触又は接合されている。また、第１支持基板２の材料は、第２支持基板３の材料よりも熱膨張率が大きいので、第２支持基板３の横方向への膨張が抑制され、半導体１に引っ張り応力が加わらない。 （もっと読む）

【課題】色ムラの発生を防ぐと共に、色度の調整を高精度に行うことができる発光装置を提供する。
【解決手段】基板５上にｎ型半導体層６、発光層７及びｐ型半導体層８がこの順で積層されてなる窒化物系半導体を有し、ｎ型半導体層６に接続される第１の電極パッド９と、ｐ型半導体層８に接続される第２の電極パッド１０とが、それぞれ基板５とは反対側に配置された発光素子２と、第１の電極パッド９と第１のボンディングワイヤー１３を介して電気的に接続された第１の電極リード１１と、第２の電極パッド１０と第２のボンディングワイヤー１３を介して電気的に接続された第２の電極リード１２とを有するリードフレーム３と、発光素子２の基板５とは反対側の面に発光素子２の発光分布に応じて配置された蛍光樹脂層１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】ｐ型不純物が添加された窒化物化合物半導体層の低抵抗化、活性化を、従来の技術におけるよりも一層低温にて行うことを可能とする窒化物化合物半導体層の熱処理方法を提供する。
【解決手段】窒化物化合物半導体層の熱処理方法は、ｐ型不純物が添加された窒化物化合物半導体層を、（Ａ）大気、（Ｂ）酸素ガス及び水素ガスが供給された雰囲気、（Ｃ）酸素ガス及び水蒸気が供給された雰囲気、（Ｄ）酸素ガス、水素ガス、及び水蒸気が供給された雰囲気、（Ｅ）水蒸気を含む不活性ガス雰囲気、並びに、（Ｆ）水蒸気を含む減圧雰囲気の内のいずれか一種の雰囲気中で、２００゜Ｃ以上１２００゜Ｃ以下の温度で加熱する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＧａＮ系化合物よりも高効率な発光が期待できるＺｎＯ系化合物半導体を用いながら、高効率で全面発光し得るＺｎＯ系化合物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】絶縁性基板１上にＺｎＯ系化合物半導体材料からなるｎ形層２、活性層３、ｐ形層４が積層され、前記ｎ形層２の比抵抗の値が０.００１Ω・ｃｍ以上１Ω・ｃｍ以下で、かつ、ｎ形層２の膜厚（μｍ）が比抵抗（Ω・ｃｍ）×３００の計算式により算出された値よりも大きい値に設定され、ｎ形層２の基板と接する面と反対面の露出部にｎ側電極５が、ｐ形層４上にｐ側電極６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 活性層を含むｐ型ドーパント拡散部位を、結晶欠陥が少なくかつ結晶性の良好な結晶により構成し、ｐ型ドーパントの活性層への拡散を防止し、半導体レーザ、半導体発光ダイオードなどとして有用な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 ｎ−ＧａＩｎＰ層６、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２、ｕｎ−ＭＱＷ活性層３、ｕｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層７ａ、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層７ｂ、ｐ−ＧａＩｎＰエッチストップ層８、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層７ｃ、ｐ−ＧａＩｎＰ中間層９、ｐ−ＧａＡｓキャップ層１０などを含む半導体発光素子１において、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２の表層２ａ、ｕｎ−ＭＱＷ活性層３、ｕｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層７ａおよび第１のｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層７ｂの比Ｖ／ＩＩＩ比を３００、他のＡｌＧａＩｎＰ系層の比Ｖ／ＩＩＩを１５０に制御する。 （もっと読む）

【課題】発光効率及びエネルギー効率が高い２次元フォトニック結晶発光ダイオードを提供する。
【解決手段】p型半導体クラッド層１２、活性層１１及びn型半導体クラッド層１３に、これら３つの層を通る空孔１６を周期的に設けることにより２次元フォトニック結晶を形成する。そして、p型半導体クラッド層１２及びn型半導体クラッド層１３内の空孔１６の内壁に酸化領域１７を形成する。電極から注入される正孔（電子）はp(n)型半導体クラッド層１２(１３)において酸化領域１７を避けて流れ、空孔１６の内壁から十分離れた位置で活性層に入り、正孔と電子が再結合して発光する。これにより、空孔１６の内壁付近において正孔と電子が再結合して光ではなく熱を発生すること（表面再結合）を抑えることができ、発光効率及びエネルギー効率を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】 転位密度を低減した窒化ガリウム系化合物半導体を用いて内部量子効率を向上させた発光素子の製造方法、また基板の凹凸構造の形成工程を簡易化して発光素子にクラックが生ずるのを回避し、光の取り出し効率の向上した発光素子を製造できる製造方法を提供すること。
【解決手段】 結晶構造が六方晶からなる半金属的性質をもつ単結晶基板１０の一主面に凹凸構造を形成する工程（１）、単結晶基板１０上に所定の化学式で表される窒化ガリウム系化合物半導体から成る一導電型半導体層１３と、所定の化学式で表される窒化ガリウム系化合物半導体から成る活性層１４と、所定の化学式で表される窒化ガリウム系化合物半導体から成る逆導電型半導体層１５とを積層した発光素子を作製する工程（２）、単結晶基板１０を選択的にエッチングすることにより発光素子から除去する工程（３）を具備する。 （もっと読む）

【課題】活性層上に形成された窒化物半導体層に含まれる不純物が、活性層に拡散することを防止する。
【解決手段】基板１００上に形成された第１導電型の第１の不純物（例えば、Ｓｉ等）を含む第１の窒化物半導体層１０２と、第１の窒化物半導体層１０２上に形成された活性層１０３と、活性層１０３上に形成された第２導電型の第２の不純物（例えば、Ｍｇ等）を含む第２の窒化物半導体層１０５とを少なくとも備え、活性層１０３と第２の窒化物半導体層１０５との間に中間層１０４を更に備え、中間層１０４は、互いに異なる偏析エネルギーを有するIII族原子を少なくとも２つ含む窒化物半導体層である。 （もっと読む）

【課題】高効率で、且つ大電流の通電可能な発光ダイオードを提供すること。
【解決手段】高熱伝導性基板１０の表面側に少なくともｐ型クラッド層４、活性層３、ｎ型クラッド層２が積層された発光層部と、前記発光層部上の中央に部分的に形成された電流阻止部１４と、前記ｎ型クラッド層２及び前記電流阻止部１４の表面に形成された電流分散層１５と、前記電流分散層１５の表面に形成された上部電極１６と、前記高熱伝導性基板１０の裏面に形成された下部電極１３とを有する発光ダイオードにおいて、前記高熱伝導性基板１０と前記発光層部との間に形成された光反射層７と、前記光反射層７の表面上の前記電流阻止部１４の下方に位置する部分に形成された部分電極６と、前記部分電極６が形成された部分以外の前記光反射層７の表面上に形成された電流阻止部５とを有する。 （もっと読む）

ＩＩＩ族窒化物系発光ダイオードが開示される。ＩＩＩ族窒化物系発光ダイオードは、基板と、前記基板上に形成されたｎ型窒化物系クラッド層と、前記ｎ型窒化物系クラッド層上に形成された窒化物系活性層と、前記窒化物系活性層上に形成されたｐ型窒化物系クラッド層と、前記ｐ型窒化物系クラッド層上に形成され熱分解窒化物を含むｐ型多層オーミックコンタクト層と、を含む。熱分解窒化物は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、及びスズ（Ｓｎ）からなる群より選択される少なくとも一つの金属成分と窒素（Ｎ）とが結合してなる。ＩＩＩ族窒化物系発光素子のｐ型窒化物系クラッド層との界面でオーミックコンタクト特性を改善して優れた電流―電圧特性を確保できる。また、透明電極の光透過度が向上するため、ＩＩＩ族窒化物系発光素子の光効率及び輝度をも向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】チップ分離用やレーザーリフトオフ用の分離溝を形成する場合に、発光領域に損傷が加わらず、劣化のない高輝度な窒化物半導体発光素子を形成することができる窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体層２には、ｐ側から見て活性層３を越えた領域に段差Ａが形成されている。この段差Ａの部分まで、保護絶縁膜６によりｎ型窒化物半導体層２の一部、活性層３、ｐ型窒化物半導体層４、ｐ電極５の側面とｐ電極５の上側一部にかけて覆われている。チップ側面を保護絶縁膜６で覆う構造とすることで、チップ分離用やレーザーリフトオフ用の分離溝をエッチングにより形成する場合、活性層３等が、長時間エッチングガスに曝されることがない。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧が低く、かつ逆電圧が十分に高い発光素子を収率良く得ることができるＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体の製造方法を提供すること。
【解決手段】水素原子を含有する窒素源を使用し、ｐ型ドーパントを含むＩＩＩ族窒化物半導体を成長させた後、キャリアガスに不活性ガスを用い、かつ水素原子を含有する窒素源の流通を停止し、水素原子を含有しない窒素源により窒素原子を供給しつつ降温することを特徴とするＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体層と支持基板との間の熱膨張率の違いによって発生する半導体層の亀裂等を防止し、半導体層と支持基板との接合面における接触の悪化が発生しないような半導体発光素子及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体１を支持する導電性の支持基板４が、第１支持基板２と第２支持基板３とによって構成されている。半導体１が第２支持基板３上にのみ接合されており、第１支持基板２上に渡って接合されていない。第１支持基板２と第２支持基板３とは接触又は接合されている。また、第１支持基板２の材料は、第２支持基板３の材料よりも熱膨張率が大きいので、第２支持基板３の横方向への膨張が抑制され、半導体１に引っ張り応力が加わらない。 （もっと読む）

【課題】少なくともｎＧａＮ層、発光層およびｐＧａＮ層を積層して成る半導体発光素子において、ｎＧａＮ層まで彫り込んで反射鏡を作成し、光取出し効率を向上するにあたって、前記反射鏡の形成による発光層の面積の減少を抑える。
【解決手段】前記反射鏡となる溝１９とともに、該反射鏡の間に、発光層１５を貫通することなく、光の角度変換作用を有する微小凹凸２２を形成する。したがって、反射鏡をむやみに形成することなく、これによって発光層１５の面積の減少を抑えつつ、反射鏡への光の入射量を増加させ、光取出し効率を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎを含む受光層や発光層等の能動層の劣化を抑制しながら、良好な結晶性を有するｎ型半導体層を形成することが可能な光半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子（光半導体素子）は、実質的にＩｎを含まないｐ型キャリアブロック層１０９と、ｐ型キャリアブロック層１０９のＧａ極性面（ＩＩＩ族極性面）上に形成され、Ｉｎを含む活性層１０７ｃと、Ｉｎを含む活性層１０７ｃの表面上に形成され、活性層１０７ｃのＩｎ組成比よりも低いＩｎ組成比を有するＩｎを含むｎ型クラッド層１０６とを備えている。 （もっと読む）