【課題】ＭＯＶＰＥ法による窒化物系半導体のエピタキシャル成長速度を高める新たなエピタキシャル成長方法を提供すること。
【解決手段】ＭＯＶＰＥ法において一定条件下でＶ／ＩＩＩ比を下げることにより、１０μｍ／Ｈｒ以上の成長速度が得られ、またこれをr面サファイア基板上のａ面窒化物系半導体層の成長に適用することにより、ａ面窒化物系半導体を用いた発光素子および電子走行素子への応用を行うこと。 （もっと読む）

【課題】封止部中へのボイドの発生を抑制することができる発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実装基板２０にＬＥＤチップ１０を実装してＬＥＤチップ１０とボンディングワイヤ１４，１４とを電気的に接続した後、ＬＥＤチップ１０およびボンディングワイヤ１４，１４を封止部５０の一部となる液状の第１の封止樹脂５０ａにより覆ってから（図１（ａ）参照）、光学部材６０の内側に第１の封止樹脂と同一材料からなり封止部５０の他の部分となる液状の第２の封止樹脂５０ｂを注入し（図１（ｂ）参照）、その後、光学部材６０と実装基板２０とを位置合わせして各封止樹脂を硬化させることにより封止部５０を形成するのと同時に光学部材６０を実装基板２０に固着し（図１（ｃ）参照）、続いて、色変換部材７０を実装基板２０に取り付けるようにしている。 （もっと読む）

【課題】紫外領域に発光波長を有する、高発光効率の発光素子を提供する。
【解決手段】サファイア上にＡｌＮがエピタキシャル形成されたエピタキシャル基板上に、波長が３００ｎｍ以下の光に対する吸収能を有さない組成範囲のＡｌＧａＮからなるｎ型層と、紫外領域に発光波長を有する組成範囲のＡｌＧａＮからなる発光層と、ＡｌＧａＮからなるｐ型層とをＭＯＣＶＤにてこの順に積層形成する。その際、ｎ型層におけるＳｉ原子の濃度値に対する、Ｏ原子とＣ原子の濃度値の総和の比率が０．８以下となるようにする。これは例えば、１１００〜１２００℃の成長温度あるいは１０Ｔｏｒｒ〜５０Ｔｏｒｒの成長圧力で実現される。これにより、Ｓｉドナーの活性化率が向上し、比抵抗が１．５Ωｃｍ以下で、転位密度が１０¹⁰／ｃｍ²の高結晶品質のｎ型層が形成される。 （もっと読む）

【課題】製品の信頼性と高性能を増進することを可能にする金属拡散接合による発光ダイオード及びその製造法を提供する。
【解決手段】第二導電型電極３２の上に形成される第二導電型永久性基板３０と、永久性基板３０の上に形成されるオーム接触金属層と、オーム接触金属層の上に形成される金属拡散接合層と、金属拡散接合層４０の上に形成されるオーム接触面２５と、オーム接触面２５の上に形成され、その頂面が粗面化されたＡｌＩｎＧａＰ半導体エピタキシー層２０と、オーム接触面２５とＡｌＩｎＧａＰ半導体エピタキシー層２０の底面との間の部分的な表面に配置される絶縁透明層２４と、ＡｌＩｎＧａＰ半導体エピタキシー層２０の第一導電型の第一束縛層２１の部分的な表面の上に形成され、かつ絶縁透明層２４に対応する位置の上方に配置される第一導電型電極５０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】面内、またはロット間で、コンタクト抵抗の小さい発光素子を安定的に得る。
【解決手段】MgドープAlGaNからなるｐ型クラッド層7と、5×10¹⁹/cm³以上7×10¹⁹/cm³以下の濃度でMgがドープされたGaNからなるｐ型第１コンタクト層８と、1×10²⁰/cm³以上2×10²⁰/cm³以下の濃度でMgがドープされたGaNからなるｐ型第２コンタクト層９と、陽電極１０とが順に積層されている。この構成により、高濃度ドープした最表面のｐ型第２コンタクト層９中のMg熱拡散を抑えてMg濃度プロファイルを矩形に近づけることができるので、面内、またはロット間で、コンタクト抵抗の小さい発光素子を安定的に得ることができる。 （もっと読む）

【課題】光り取り出し面に２つの電極を有する発光ダイオードにおいて、大型であって光取り出し効率が高く、高輝度の発光ダイオードを提供することを目的とする。
【解決手段】発光層を含む発光部を有し、該発光部を含む化合物半導体層を透明基板と接合された発光ダイオードである。この発光ダイオードは透明基板と反対側の主たる光取り出し面に第1の電極と、第１の電極と極性の異なる第２の電極とを有する。第２の電極は半導体層を除去して露出させた化合物半導体層上の位置に形成されている。この発光ダイオードは主たる光取り出し面の外形の最大幅が０．８ｍｍ以上であり、第２の電極の形成位置は、その周囲を半導体層に囲まれている構成からなる。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系半導体等の窒化物系半導体からなる半導体素子層からＧａＮ基板等の基板を良好に分離することにより、歩留まりの低下を抑制した窒化物系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＧａＮ基板１上に、半導体素子層９を形成する工程と、半導体素子層９の表面とサファイア基板１０とを接合する工程と、レーザ光をサファイア基板１０側から照射して、ＧａＮ基板１の半導体素子層側表面を分解させることによって、半導体素子層９とＧａＮ基板１とを分離する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率に優れた半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプを提供する。
【解決手段】ｎ型半導体層１２、発光層１３、ｐ型半導体層１４、酸化チタン系導電膜層１５、透光性導電膜層１６がこの順で積層された半導体発光素子１であって、酸化チタン系導電膜層１５表面の少なくとも一部に凹凸面が形成された構成としている。 （もっと読む）

【課題】光の取出し効率を向上させた発光装置およびその製造方法を得る。
【解決手段】この発明に従った発光装置の製造方法では、まず発光装置を構成する窒化物半導体基板を準備する基板準備工程（Ｓ１０）、窒化物半導体基板の表面において電極を形成するべき領域上に保護膜を形成する保護膜形成工程（Ｓ２０）、保護膜が形成された状態で、窒化物半導体基板の表面に凹凸部を形成する非鏡面化処理工程（Ｓ３０）、加工工程の後、窒化物半導体基板の表面から前記保護膜を除去する保護膜除去工程（Ｓ４０）、窒化物半導体基板の表面において保護膜が除去された部分上に電極を形成する電極形成工程（Ｓ５０）、を実施する。 （もっと読む）

【課題】発光効率及び光取出し効率を増大させる。
【解決手段】相対向して第１面と第２面とを有し、通電によって光を発生する半導体層２０と、前記半導体層２０の第１面上に設けられた第１電極３０と、前記半導体層２０の第２面上に被着されたＴＣＯ層５０と、前記ＴＣＯ層５０上に設けられた第２電極６０と、を含んで構成した。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧が低く、且つ、１μＡでの順方向電圧の時間的な変化量が少なく、信頼性の高いＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造に有用なＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体の製造方法を提供すること。
【解決手段】ｐ型ドーパントを含むＩＩＩ族窒化物半導体の成長終了後降温する際に、該ＩＩＩ族窒化物半導体の（１０−１０）面のＸ線ロッキングカーブ半値幅が４００ａｒｃｓｅｃ以下になるように制御しつつ、成長終了から９０秒以内に窒素源の供給を停止することを特徴とするＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高い発光出力を得ながらＶｆを低減させることが可能な窒化物半導体発光素子およびその製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体と、ｐ型窒化物半導体と、該ｎ型窒化物半導体と該ｐ型窒化物半導体との間に形成された活性層とを備えた窒化物半導体発光素子であって、ｎ型窒化物半導体は、第１窒化物半導体層と第２窒化物半導体層とからなる積層構造が２以上繰り返された多層膜窒化物半導体層を含み、該多層膜窒化物半導体層は該活性層と接して形成され、該第１窒化物半導体層はｎ型不純物を含む層であり、該第２窒化物半導体層はｎ型不純物を該第１窒化物半導体層よりも少ない濃度で含む層またはアンドープ層である窒化物半導体発光素子に関する。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＧａＮ層を適切に結晶成長させることが可能な半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】結晶成長室２内に基板１を載置し、ＮＨ₃ガスを含む原料ガスを供給可能なガス供給手段３から結晶成長室２内に上記原料ガスを供給することにより、基板１上にＩｎＧａＮ層を結晶成長させる工程を含む、半導体発光素子の製造方法であって、上記ＮＨ₃ガス中のＨ₂Ｏ濃度を測定可能なＦＴＩＲ４を用いることにより、上記原料ガス中のＨ₂Ｏ濃度を０．１ｐｐｍ以下としている。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、且つ光取り出し効率に優れた発光素子及びその製造方法、並びにランプを提供する。
【解決手段】透明電極の少なくとも１層に酸化チタン系導電膜が用いられ、３００〜５５０ｎｍの発光波長を有する発光素子であって、前記酸化チタン系導電膜を覆うように光触媒反応防止層が形成されている。 （もっと読む）

【課題】電極構造においてオーミック性と高反射率を両立させつつ、電極を構成する金属の相互拡散を防止することにより、外部量子効率を向上できると共に動作電圧の低減及び信頼性の向上できる半導体発光素子とその製造方法、及び半導体発光装置を提供すること、または、電極における光の散乱、吸収を抑制することにより、外部量子効率の向上できる半導体発光素子及び半導体発光装置を提供することにある。
【解決手段】サファイア基板２０上のInGaN活性層２２に電流を注入するｐ型電極２６が、ｐ型GaN層２４とのオーミック接触の取れるオーミック電極としてのNi層３２、バリア電極としてのMo層３３、高反射電極としてのAl層３４、バリア電極となるTi層３５、リードフレーム１２上のサブマウント１３との接触性を向上させるオーバーコート電極となるAu層３６の５層構造であることを特徴としている。 （もっと読む）

好適な材料の斜面上においてデバイスの活性層を成長させるステップを含み、斜面はファセット面である、光電子デバイスを加工する方法である。本発明はさらに、ファセット面を加工する方法を開示する。１つの加工プロセスは、好適な材料上におけるエピタキシャル層の成長ステップと、特定の結晶方位を有するファセットを形成するためのマスクによるエピタキシャル層のエッチングステップと、ファセット上における１つ以上の活性層の堆積ステップとを含む。その他の方法は、ファセット面を生成するための横方向拡散技術を用いた材料層の成長ステップと、ファセット面における１つ以上の活性層の堆積ステップとを含む。ファセット面は、典型的には半極性面である。
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【課題】光取り出し効率が大きく向上した、高効率の発光素子、および工業的に安価な発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体多層膜とＮ電極とＰ電極とを備えた面発光型半導体発光素子において、該Ｎ電極と該Ｐ電極の少なくとも一方は透明電極であり、該透明電極は光取り出し面側にあり、該透明電極は透明導電性酸化物からなり、該透明電極に接する半導体層は、ｎ型不純物濃度が５×１０¹⁸ｃｍ^-3〜5×１０²⁰ｃｍ^-3の範囲であるｎ型半導体層であり、該半導体多層膜の領域の少なくとも一部の表面には、略同形同一サイズを有する複数の凸部があることを特徴とする半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】 半導体層にナノパターンを持つ半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 内部および／または表面領域に複数のナノパターンを備える半導体層と、半導体層上に形成された活性層と、を備える半導体発光素子。これにより、光抽出効率を向上させつつ発光素子の内部欠陥を減少できる。 （もっと読む）

【課題】半導体層間の格子歪を適切に緩和することが可能である半導体発光素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板１と、基板１に支持されたｎ−ＧａＮ層２と、ｎ−ＧａＮ層２よりも基板１に対して離間した位置に形成されたｐ−Ｇａｎ層７と、ｎ−Ｇａｎ層２およびｐ−ＧａＮ層７の間に形成されており、かつＩｎＧａＮを含む活性層４と、活性層４とｐ−ＧａＮ層７との間に形成されており、かつＩｎＧａＮを含む昇華防止層５と、昇華防止層５とｐ−ＧａＮ層７とに挟まれており、かつその厚さ方向においてＩｎの組成比が上記第２窒化物半導体層に近づくほど小となるように傾斜させられているＩｎ組成傾斜層６と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】発光強度の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１２上に組成式Ｉｎ_x（Ｇａ_1-yＡｌ_y）_1-xＰで表される化合物半導体の混晶をエピタキシャル成長させ、Ｎ型クラッド層１４（０．４５＜ｘ＜０．５０，０≦ｙ≦１）と活性層１５とＰ型クラッド層１６とカバー層１７とを有するエピウェーハを形成する工程と、カバー層１７をエッチングにて除去してＰ型クラッド層１６の表面を露出させる工程と、Ｐ型クラッド層１６の上に、鏡面加工されたＧａＰ基板１１を、被鏡面加工面がＰ型クラッド層１６に接するように載置して室温にて一体的に接合させる工程と、熱処理をする工程と、ＧａＡｓ基板１２側からエッチング処理を行いＮ型クラッド層１４を露出させる工程と、Ｎ型クラッド層１４の表面とＧａＰ基板１１の裏面に電極１９をそれぞれ形成する工程とを備える。 （もっと読む）