【課題】無極性面での窒化物系半導体の気相成長において、成長中の窒化物系半導体層に発生するピットを抑制し、かつ、高性能な半導体装置を作製する上で、窒化物系半導体層の自乗根平均の表面粗さを５ｎｍ以下となる窒化物系半導体の気相成長方法を提供する。
【解決手段】無極性面を主面とする窒化物系半導体を半導体成長用基板上へ気相成長させる窒化物系半導体の気相成長方法であって、前記気相成長時における雰囲気の圧力を１〜１０ｋＰａとし、かつ、前記半導体成長用基板の温度を９００℃以上１１００℃未満とすること。 （もっと読む）

【課題】半導体発光装置の光取り出し面に設ける凹凸形状を均一に且つ低抵抗に形成でき、外部量子効率を向上できるようにする。
【解決手段】半導体発光装置は、第１主面及び該第１主面と対向する第２主面を有する窒化物半導体からなる活性層３と、該活性層３の第１主面上に上部が凹凸状に形成された凸部４ａを有し、活性層３からの発光光を取り出すｎ型半導体層４と、活性層３の第２主面上に形成されたｐ型半導体層２とを有している。 （もっと読む）

【課題】
半導体素子、特に窒化物半導体を用いた発光素子、レーザ素子において、３８０ｎｍの短波長域における発光効率に優れた活性層、及び素子構造を実現する。
【解決手段】
井戸層１と障壁層２とを有する量子井戸構造の活性層１２が、第１導電型層１１、第２導電型層１２とで挟まれた構造を有する半導体素子において、前記活性層内において、少なくとも１つの井戸層１ａを挟んで、前記第１導電型層１１側に第１の障壁層２ａと、前記第２導電型層１２側に第２の障壁層２ｂと、が設けられると共に、第２の障壁層２ｂが、第１の障壁層２ａよりもバンドギャップエネルギーが小さく、障壁層が非対称なことを特徴とする。更に好ましくは、第２導電型層１２内には、第１の障壁層２ａよりもバンドギャップエネルギーの大きなキャリア閉じ込め層２８が設けられることで、活性層を挟む各導電型層に、活性層の非対称構造とは反対のバンド構造が設けられる。 （もっと読む）

チェンバに窒素ソースガスを流入するステップと、前記反応チェンバに窒素ソースガスが流入した状態で、前記サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）基板をアニールし、前記サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）基板の表面にＡｌＮ化合物層を形成するステップと、を含む窒化物半導体発光素子用バッファ層の形成方法を提供する。本発明によると、基板と半導体層との間に基板と半導体層の中間特性を有するＡｌＮ化合物層が形成されていることにより、ＡｌＮ化合物層上に形成されるバッファ層や半導体層との界面空白が小さくなり、結晶ストレスが少なくなり、基板と半導体層の格子定数及び熱膨張係数差によるクラック等の発生を効果的に減少させることができる。
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【課題】高い発光出力を有しつつ順方向電圧（Ｖｆ）の低減が可能な窒化物半導体発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体と、ｐ型窒化物半導体と、該ｎ型窒化物半導体と該ｐ型窒化物半導体との間に形成された活性層と、を少なくとも備えた窒化物半導体発光素子の製造方法であって、ｎ型窒化物半導体はｎ型コンタクト層とｎ側ＧａＮ層とを少なくとも含み、ｎ側ＧａＮ層は単層または複層のアンドープ層および／またはｎ型層からなり、ｎ型コンタクト層と活性層との間にｎ側ＧａＮ層が形成されるように、有機金属気相成長法により、成長温度を５００〜１０００℃の範囲内に設定してｎ側ＧａＮ層を形成する工程を含む、窒化物半導体発光素子の製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】
電流を継続して流しているうちに、発光素子の中央部に向けて転位が成長する可能性を軽減するとともに、発光素子の長寿命化を図ることが可能な発光素子及びこの発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
互いに直交する劈開方向を有する面を主面とするサファイア基板１０と、サファイア基板１０の主面上に形成された第１窒化物半導体層（バッファ層２０及びｎ型クラッド層３０）と、第１窒化物半導体層上に形成されたＭＱＷ活性層４０と、ＭＱＷ活性層４０上に形成された第２窒化物半導体層（ｐ型クラッド層５０及びｐ型コンタクト層６０）とを備えた発光素子において、主面における成長用基板の側辺（例えば、切断方向ｕ１）と劈開方向の一方（例えば、劈開方向ｔ１）とが形成する角度が、約３０〜６０°の範囲内である。 （もっと読む）

【課題】基板上にＧａＮ系半導体を形成してなる積層体に導電性基板を接合し、その後積層体側の基板を除去してＧａＮ系半導体発光素子を製造する際に、接合強度を高くできかつ接合界面の抵抗成分も十分に低くできるようにする。
【解決手段】本発明は、ＧａＮ系半導体からなる各層を備えるＧａＮ系半導体発光素子１において、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層のＧａＮ系半導体からなる各層１２が順に積層され、最上層に金属からなる第１の接合層１４を有する積層体１０Ａと、導電性基板３１上に形成されているとともに、その導電性基板３１が形成されている側とは反対側の面が第１の接合層１４と接合しその第１の接合層１４とは実質的に同一物質からなりかつ接合面直方向の結晶方位が互いに同一である第２の接合層３３と、を有するものである。 （もっと読む）

【課題】光通信に必要な光出力が得られるとともに、応答性についても所望の値を実現することのできる発光素子およびこれを用いた通信装置を提供する。
【解決手段】ｐ型ＧａＮ：Ｍｇコンタクト層１０６上に設けられる透光性電極１０７のサイズを、ＳＱＷ１０４の発光する層（Ｉｎ_０．１５Ｇａ_０．８５Ｎ井戸層１０４Ａ）の発光面積に応じたサイズで形成し、これによりＩｎ_０．１５Ｇａ_０．８５Ｎ井戸層１０４Ａを光通信に適した応答性の得られる体積で発光させるようにしたので、良好なパルス応答時間特性を有する発光素子１２が得られる。 （もっと読む）

【課題】良好なへき開性、放熱性、リーク耐圧性などを有する窒化物系半導体の半導体発光素子及びその製造方法並びに半導体発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体発光素子の製造方法であって、基板上に結晶欠陥または空隙の少なくともいずれかを含んだリフトオフ層を設ける工程と、前記リフトオフ層の上に窒化物系半導体からなる層を設ける工程と、前記基板と前記窒化物系半導体からなる層とを分離する工程と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】高い発光出力を有しつつ順方向電圧（Ｖｆ）の低減が可能な窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体と、ｐ型窒化物半導体と、該ｎ型窒化物半導体と該ｐ型窒化物半導体との間に形成された活性層と、を少なくとも備えた窒化物半導体発光素子の製造方法であって、ｎ型窒化物半導体はｎ型コンタクト層とｎ側ＧａＮ層とを少なくとも含み、ｎ側ＧａＮ層は単層または複層のアンドープ層および／またはｎ型層からなり、ｎ型コンタクト層と活性層との間にｎ側ＧａＮ層が形成されるように、有機金属気相成長法により窒素含有ガスをキャリアガスとしてｎ側ＧａＮ層を形成する工程を含む、窒化物半導体発光素子の製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】蛍光体粉末や蛍光体塗料を用いずに白色発光を得ること。
【解決手段】ＧａＮ基板１００中の光出力面１０３側にＳｉを１×１０¹⁹/cm³濃度に添加して黄色領域発光部１０１を形成し、エピタキシャル成長面側にＳｉとＺｎを共に１×１０¹⁹/cm³濃度添加した青色領域発光部１０２を形成した。青色領域発光部１０２の上に、ＳｉドープのＧａＮから成る膜厚約８．０μｍのｎ型コンタクト層１０４と、Ｉｎ_0.03Ｇａ_0.97Ｎからなる歪み緩和層１０５、膜厚２０ｎｍのノンドープのＧａＮと膜厚３ｎｍのノンドープのＩｎ_0.07Ｇａ_0.93Ｎからなる２０周期分積層した多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の発光層１０６、ＭｇドープのＡｌ_0.08Ｇａ_0.92N から成るｐ型層１０７、ＭｇドープのＧａＮから成るｐ型コンタクト層１０８を形成した。ｎ型コンタクト層１０４からｐ型コンタクト層１０８までの層が紫外線発光部を構成している。 （もっと読む）

【課題】基板の劈開による剥離や損傷を防いで素子単位に分割することのできる発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体層を形成させたＧａ_２Ｏ_３基板１０をダイシングブレード２０で一度に切断せず、段階的に分割することで、ダイシングに起因する内部応力が局所的に集中することによる劈開の発生を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】高輝度化を図ることが可能な半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】基板１と、基板１に積層されたｎ−ＧａＮ層２、活性層３、およびｐ−ＧａＮ層４と、を備えた半導体発光素子Ａ１であって、半導体発光素子Ａ１の積層方向に沿って延びる側面７には、複数の凸部７１が形成されており、活性層３から発光される光の波長をλ、ｎ−ＧａＮ層２およびｐ−ＧａＮ層４のいずれかの屈折率をｎとした場合に、凸部７１は、その底部の幅の平均幅Ｗ_Aが、 Ｗ_A≧λ／ｎとされている。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板のリフトオフにおけるダメージを抑えることができ、生産性に優れる発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板１０の表面に硝酸系のエッチング液に溶解するＴｉＮからなるバッファ層を設け、発光素子部１ＡのＧａＮ系半導体層形成側から発光素子部１Ａのサイズに応じたカット部２１を設けた後に硝酸系のエッチング液に浸漬することでサファイア基板１０のリフトオフを行うようにしたので、ウエハー状に形成された複数の発光素子部１Ａをウエットエッチングによって効率良く形成することができる。 （もっと読む）

【課題】ｐ型コンタクト層の低抵抗化を図れるようにすると共に半導体レーザ素子においてはｐ型半導体層にリッジ状の加工を施すことなく電流狭窄構造を実現できるようにする。
【解決手段】窒化物半導体素子は、主面の面方位が（０００１）面であるｎ型ＧａＮからなるｎ型基板１の主面上に形成され、主面に対して垂直な側面を持つ複数の凸部を有するＧａＮからなる第１ｐ型コンタクト層６と、該第１ｐ型コンタクト層６における凸部の側面から選択的に成長したＡｌＧａＮＰからなる第２ｐ型コンタクト層７とを有している。 （もっと読む）

【課題】紫外領域に発光波長を有する、高発光効率の発光素子を提供する。
【解決手段】サファイア上にＡｌＮがエピタキシャル形成されたエピタキシャル基板上に、波長が３００ｎｍ以下の光に対する吸収能を有さない組成範囲のＡｌＧａＮからなるｎ型層と、紫外領域に発光波長を有する組成範囲のＡｌＧａＮからなる発光層と、ＡｌＧａＮからなるｐ型層とをＭＯＣＶＤにてこの順に積層形成する。その際、ｎ型層におけるＳｉ原子の濃度値に対する、Ｏ原子とＣ原子の濃度値の総和の比率が０．８以下となるようにする。これは例えば、１１００〜１２００℃の成長温度あるいは１０Ｔｏｒｒ〜５０Ｔｏｒｒの成長圧力で実現される。これにより、Ｓｉドナーの活性化率が向上し、比抵抗が１．５Ωｃｍ以下で、転位密度が１０¹⁰／ｃｍ²の高結晶品質のｎ型層が形成される。 （もっと読む）

【課題】製品の信頼性と高性能を増進することを可能にする金属拡散接合による発光ダイオード及びその製造法を提供する。
【解決手段】第二導電型電極３２の上に形成される第二導電型永久性基板３０と、永久性基板３０の上に形成されるオーム接触金属層と、オーム接触金属層の上に形成される金属拡散接合層と、金属拡散接合層４０の上に形成されるオーム接触面２５と、オーム接触面２５の上に形成され、その頂面が粗面化されたＡｌＩｎＧａＰ半導体エピタキシー層２０と、オーム接触面２５とＡｌＩｎＧａＰ半導体エピタキシー層２０の底面との間の部分的な表面に配置される絶縁透明層２４と、ＡｌＩｎＧａＰ半導体エピタキシー層２０の第一導電型の第一束縛層２１の部分的な表面の上に形成され、かつ絶縁透明層２４に対応する位置の上方に配置される第一導電型電極５０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】面内、またはロット間で、コンタクト抵抗の小さい発光素子を安定的に得る。
【解決手段】MgドープAlGaNからなるｐ型クラッド層7と、5×10¹⁹/cm³以上7×10¹⁹/cm³以下の濃度でMgがドープされたGaNからなるｐ型第１コンタクト層８と、1×10²⁰/cm³以上2×10²⁰/cm³以下の濃度でMgがドープされたGaNからなるｐ型第２コンタクト層９と、陽電極１０とが順に積層されている。この構成により、高濃度ドープした最表面のｐ型第２コンタクト層９中のMg熱拡散を抑えてMg濃度プロファイルを矩形に近づけることができるので、面内、またはロット間で、コンタクト抵抗の小さい発光素子を安定的に得ることができる。 （もっと読む）

【課題】一基板上に独立駆動される複数素子を形成しようとする場合、隣接素子への電流リークという問題が生じること。
【解決手段】ｎ型を有する基板の一主面側に少なくともｐ型エピタキシャル層、ｎ型エピタキシャル層を順次積層した電流阻止層と、ｎ型クラッド層と、ｐ型活性層と、ｐ型クラッド層とを順次積層した化合物半導体発光素子を一つ以上有し、前記ｎ型クラッド層に接続したｎ型クラッド層側電極と、前記ｐ型クラッド層に接続したｐ型クラッド層側電極ととの正負電極を一対に備え、該正負電極に電流を流すことにより前記一主面側から光を出射させること。 （もっと読む）

【課題】発光素子全体として出力の向上を図ることが可能な発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体層（バッファ層２０及びｎ型クラッド層３０）と、ｐ型窒化物半導体層（ｐ型クラッド層６０）と、ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層との間に形成されたＭＱＷ活性層５０とを有する発光素子１００が、において、ｎ型クラッド層３０とＭＱＷ活性層５０との間に、ＩｎＧａＮ層４０ａとＧａＮ層４０ｂとを有する超格子層４０を備え、ＩｎＧａＮ層４０ａに含まれるＩｎの組成比率が、ＭＱＷ活性層５０に含まれるＩｎの組成比率よりも大きい。 （もっと読む）