【課題】ＺｎＯ基板等の基板上に、基板劣化を抑制して、結晶性が良好なＡｌＧａＩｎＮ層又はＧａＩｎＮ層を成長させる。
【解決手段】本発明の半導体層は、一般式Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（式中、０≦ｘ＜１，０＜ｙ＜１，０＜ｚ＜１，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表されるIII−Ｖ族半導体化合物を主成分とし、レーザアシスト有機金属気相成長法により成膜されたものである。半導体発光素子１は、第１導電型ＺｎＯ基板１１に、第１導電型電極２２と、第１導電型ＡｌＧａＩｎＮクラッド層１２と、ＧａＩｎＮ量子井戸層１４Ａ／ＧａＩｎＮ又はＡｌＧａＩｎＮ障壁層１４Ｂの積層構造からなる多重量子井戸活性層である半導体活性層１４と、第２導電型ＡｌＧａＩｎＮクラッド層１６と、第２導電型電極２１とが設けられた素子である。 （もっと読む）

【課題】製造工程を増やすことなく、光取り出し効率の向上を図ることが可能な半導体発光素子およびウエハを提供する。
【解決手段】単結晶基板に化合物半導体層３を積層し、単結晶基板を分割して個片化することで形成された半導体発光素子１において、分割された単結晶基板である個片基板２の側面２１〜２４は、単結晶基板における結晶構造の劈開面とは異なる面となるように、個片基板２の基準とした側面２１を、（1−１００）面に対して１５°の角度を成すように形成されている。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧（Ｖｆ）が低く、光取り出し効率の高い窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法及び窒化ガリウム系化合物半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】窒化ガリウム系化合物半導体素子１のｐ型半導体層１４上に、ドーパントを含む透光性導電酸化膜１５を積層する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法であって、透光性導電酸化膜１５を積層した後、該透光性導電酸化膜１５にレーザーを用いてアニール処理を行うレーザーアニール工程が備えられている。 （もっと読む）

【課題】高効率発光により高出力発光を実現することができる、窒化物半導体を用いた発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ基板１と、そのＧａＮ基板１の第１の主表面の側に、第１導電型のＡｌx1Ｇａ1-x1Ｎ層（０≦ｘ1≦１）を形成し、前記第１導電型のＡｌx1Ｇａ1-x1Ｎ層の上に、ＩｎＡｌＧａＮ４元混晶を含んだ発光層を形成し、さらに、前記発光層の上に第２導電型のＡｌx2Ｇａ1-x2Ｎ層（０≦ｘ2≦１）とを形成する。 （もっと読む）

【課題】３元以上の混晶組成を有する窒化物系化合物半導体を用いても、エピ特性の面内均一性を維持でき、デバイスの高い歩留まりと高信頼性を確保できる窒化物系半導体基板及びその製造方法、並びにその窒化物系半導体基板を用いた窒化物系半導体発光デバイス用エピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】 直径が２５ｍｍ以上の異種基板上に３元以上の混晶組成を有する窒化物系半導体結晶を２ｍｍ以下の厚さにエピタキシャル成長後、異種基板を取り除くことによって厚さ方向の熱抵抗値が０.０２Ｋｃｍ^２／Ｗ以上０.５Ｋｃｍ^２／Ｗ以下である窒化物系半導体基板を得る。この窒化物系半導体基板上に窒化物系半導体からなる発光層をエピタキシャル成長させて窒化物系半導体発光デバイス用エピタキシャル基板とする。 （もっと読む）

【課題】改良された光抽出効率を有する発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】多層スタック、および多層スタックの発光スタック表面に対して光学的に近接したパターン化封止材料領域を有する封止材料層を含む発光装置が開示される。封止材料層を製造する方法、および封止材料層を発光スタック表面に付着させる方法も開示される。 （もっと読む）

【課題】１９０〜３００ｎｍの短波長光を発光する半導体発光素子用として好適な半導体層を提供する。
【解決手段】本発明の半導体層は、一般式Ｂ_ｘＡｌ_ｙＧａ_ｚＮ（式中、０＜ｘ＜１，０≦ｙ＜１，０＜ｚ＜１，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表されるIII−Ｖ族半導体化合物を主成分とし、レーザアシスト有機金属気相成長法により成膜されたものである。半導体発光素子１は、ＢｅＯ基板、ＴｉＢ_２基板、ＳｃＢ_２基板、ＶＢ_２基板、ＹＢ_２基板、ＭｎＢ_２基板、ＭｇＢ_２基板、ＦｅＢ_２基板、及びＣｒＢ_２基板のうちいずれかからなる第１導電型基板１１に、第１導電型電極２２と、第１導電型ＢＡｌＧａＮクラッド層１２と、ＢＧａＮ層及び／又はＢＡｌＧａＮ層を含む半導体活性層１４と、第２導電型ＢＡｌＧａＮクラッド層１６と、第２導電型電極２１とが設けられた素子である。 （もっと読む）

【課題】ドナーをドープしたｎ型窒化物半導体の異常成長を防止し、窒化物半導体素子の製造歩留りを改善する。
【解決手段】有機金属化合物気相成長法によってｎ型窒化物半導体を基板上に層状に形成する工程を含んでいる窒化物半導体素子の製造方法において、前記基板上に窒素原料を連続的に供給しつつ３族原料とドナー原料とを交互に供給して前記ｎ型窒化物半導体を形成する。好ましい実施形態では、３族原料とドナー原料とを交互に供給する際のドナー原料の流量を、当該流量をその０．５倍から２倍まで変化させたときのｎ型窒化物半導体の抵抗率の変化幅が０．０１Ω・ｃｍ未満となる流量に設定する。 （もっと読む）

【課題】通信用発光素子として優れた応答性を有し、かつ光伝送路とのマッチングに優れる発光素子およびこれを用いた通信装置を提供する。
【解決手段】発光素子１２を構成するＳＱＷ１０４のＩｎＧａＮ井戸層１０４Ａを６６０℃で成長させるとともに、Ｍｇを１×１０^１８／ｃｍ^３でドープしたので、井戸層におけるキャリアの密度が大になり、その結果、電子ｅと正孔ｈの寿命が短くなって光通信用発光素子として要求される立ち上がり時間、立ち下り時間が得られる。このような応答性を有する発光素子１２を通信装置１００における発光部１０の光源に用いることで、低伝送損失で高速な光通信を行うことのできる通信装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】フェースアップ実装に適しており、光の取出し効率を向上させ、さらに輝度ムラを低減させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明にかかる半導体発光素子１０は、上面側から第１導電型半導体層１６、第２導電型半導体層１４、及び基板１２を順に積層した積層体と、前記第１導電型半導体層１６の上面に設けられた第１透光性電極２０と、前記第１透光性電極２０から、前記第２導電型半導体層１４と反対側の前記基板１２の下面まで延設された透光性の第１導電部３０と、を備えたことを特徴とする。半導体発光素子１０は、さらに、前記積層体の上面側に部分的に露出された前記第２導電型半導体層１４に設けられた第２透光性電極１８と、前記第２透光性電極１８から前記基板１２の下面まで延設された透光性の第２導電部２６と、をさらに備えることができる。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率が向上できる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に半導体多層膜を積層し、該半導体多層膜の表面から光を取り出す半導体発光素子の製造方法において、マスター基板上に微細凹凸を配列した表面形状のマスターパターンを形成する工程、前記マスターパターンの微細凹凸に対応した、該微細凹凸を反転させた形態のレプリカを前記マスターパターン上で形成する工程、前記レプリカを用いて前記マスターパターンを前記半導体多層膜の表面に転写し、半導体多層膜の表面をマスターパターンに対応した表面形状に加工する工程を有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 （もっと読む）

基板ボディ（２）とこの基板ボディ（２）上に固定されている利用層（３１）とを備えた結合体基板（１）が提供される。利用層（３１）と基板ボディ（２）との間には平坦化層（４）が配置されている。さらには、準備された利用基板（３）上に平坦化層（４）が被着される、結合体基板（１）を製造する方法が提供される。利用基板（３）が結合体基板（１）のための基板ボディ（２）上に固定される。続いて利用基板（３）が除去され、結合体基板（１）のための利用基板（３）の利用層（３１）が基板ボディ（２）上に残される。
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【課題】本発明は、光の取り出し性が良好で明るく、ボンディング時の電極剥がれを無くすることができる半導体発光素子の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、基板１１上にｎ型半導体層１３、発光層１４およびｐ型半導体層１５が積層され、ｐ型半導体層１５上に透光性正極１６が積層されるとともに、該透光性正極１６に正極ボンディングパッド１７が設けられ、前記ｎ型半導体層１３上に負極ボンディングパッド１８が設けられた半導体発光素子１を製造することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を大幅に向上できる発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光波長に対して透明な基板８を有する半導体発光ダイオードチップ４が、支持体としてのカップ部２に形成された凸部３の上に設けられており、凸部３は、半導体発光ダイオードチップ４の底面４ａよりも狭い面積の上面３ａを有し、且つ上面３ａよりカップ部２の底壁面２ａに向かって次第に断面積が拡大した形状であって、傾斜した側面３ｂを有する。 （もっと読む）

【課題】更なる高輝度化及び省電力化を可能とした発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電極パッド９，１０が設けられた発光素子２と、電極リード１１，１２が設けられたリードフレーム３とを備え、電極パッド９，１０と電極リード１１，１２とがボンディングワイヤー１４，１５を介して電気的に接続された発光装置であって、発光素子２は、リードフレーム３との間に間隔Ｈを設けて配置されている。これにより、発光素子２のリードフレーム３と対向する面側から放出される光を有効に利用し、この発光素子２が発する光の利用効率を更に高めることができる。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体層上から正電極上にかけて連続した絶縁保護膜が形成された窒化物半導体発光素子において、絶縁保護膜の形成によって動作電圧が上昇するという問題を解決すること。
【解決手段】窒化物半導体発光素子１００は、ｎ型窒化物半導体層１２の上に活性層１３を介して形成されたｐ型窒化物半導体層１４を備え、ｐ型窒化物半導体層１４の上面の縁部を除く領域には金属製の正電極１６が形成され、さらに、開口部２２を除いて、ｐ型窒化物半導体層１４上の正電極１６に覆われていない領域から正電極１６上にかけては連続した絶縁保護膜１７が形成されている。絶縁保護膜１７は、正電極１６の上方に、電子ビーム蒸着法で形成された部分を含む。 （もっと読む）

【課題】電流密度を高めても波長変化の発生を抑制でき、通信用途に適した応答性に優れる光通信に用いる発光素子およびこれを用いた通信装置を提供する。
【解決手段】光通信用途においては波長変化を抑制しながら、遮断周波数の低下を抑え、かつ透光性電極１０７の通電部分と非通電部分の割合を適切化するには、非通電部分の総面積として２０％以下、好ましくは９〜１７％の開口率で透光性電極１０７に開口部１０７Ａを設けることが望ましく、このような構成とすることで電流密度を高めながらも放射される光のブルーシフトを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】安価で色目の安定性に優れながらも、色目を調整可能で微細化に適したモノシリック発光デバイス及びそれを用いた照明装置及びその駆動方法の提供。
【解決手段】活性層５、６により形成されるｐｎ接合から光を出力すると共に、該光の一部又は全部を吸収して異なる波長の光に変換するための蛍光体層８１が設けられている発光ダイオードが半導体基板３上にモノリシックに複数個アレイ配置されて成る照明用のモノリシック発光デバイス１において、アレイをｍ個（ｍ≧２）の発光ダイオードから成る発光ダイオード群Ｇにより構成し、発光ダイオード群Ｇは、それぞれが予め定められたＮ種類（Ｎ≧２、ただしＮ≦ｍ）の白色系発光スペクトル形状のいずれかを有するＮ種類の発光ダイオードにより構成されるようにし、発光ダイオードへの供給電力量を、白色系発光スペクトル形状の種類によってグループ分けした発光ダイオードグループ毎に変えるようにする。 （もっと読む）

【課題】紫外光を効率よく出力できる半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型半導体層１４を含み、少なくとも紫外領域に発光波長を有する半導体層と、前記ｐ型半導体層１４上に設けられた透光性電極１５とを備え、前記透光性電極１５が、結晶化されたＩＺＯ膜を含むものである半導体発光素子１とする。 （もっと読む）

【課題】電極との接触抵抗が小さく、熱処理を不要とし得るｐ型コンタクト層を有する発光素子用エピタキシャルウエハ及び発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子用エピタキシャルウエハは、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３、活性層４及びｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層５からなる発光部を有し、ｐ型ＡｌＧａＡｓ型クラッド層５の上に、電極形成層として、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６が形成されている。発光素子は、この発光素子用エピタキシャルウェハを用いて作製され、ｎ型ＧａＡｓ基板１側にｎ電極７が、またｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６側にノンアロイ系のｐ電極８が形成されている。 （もっと読む）