【課題】前面発光型窒化物系発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に順次積層されたｎ型クラッド層３０、活性層４０、ｐ型クラッド層５０及び透明導電性薄膜層６０を備え、ここで、透明導電性薄膜層６０は、内部で発生した光の外部発光効率を高めるために別途のエッチングマスクなしに湿式エッチング方式とポスト熱処理によるナノメートルスケールでパターニングされた表面を有する窒化物系発光素子である。これにより、湿式エッチングとポスト熱処理法により形成されたパターニングされた表面を有する透明導電性薄膜層を介して素子の外部発光効率を極大化させることができ、高輝度発光ダイオードの具現を可能にする。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素基板の利点と共に窒化インジウムガリウムの発光特性を利用する、改良された輝度を有する発光ダイオードを提供する
【解決手段】縦型発光ダイオードは、導電性炭化珪素基板１１と、ＩnＧaＮ量子井戸１２と、基板と量子井戸との間の導電性緩衝層１３と、量子井戸の各表面上にある非ドープド窒化ガリウム層１４，１５と、緩衝層と非ドーピング窒化ガリウム層との間にあるドープド窒化ガリウム層２０と、基板及び緩衝層の反対側にある、量子井戸上の非ドープド窒化ガリウム層の表面上にある非ドープド窒化アルミニウムガリウム層２１と、該非ドープド窒化アルミニウムガリウム層の上にあるドープド窒化アルミニウムガリウム層２２と、縦型配向のオーミックコンタクト１６，１７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体膜を、窒化物半導体膜のエピタキシャル成長用の基板とは異なる、所望の材質の基板に形成する半導体ウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】第一の基板１に第一の窒化物半導体膜２を形成し、第一の窒化物半導体膜２の上に第一の窒化物半導体膜２よりも融点の高い第二の窒化物半導体膜３を形成する。次に、第二の窒化物半導体膜３の表面にキャリアー基板４を貼り合わせ、張り合わせられた第一の基板１、第一の窒化物半導体膜２、第二の窒化物半導体膜３及びキャリアー基板４を含むウェハを、第一の窒化物半導体膜２の融点より高く、かつ第二の窒化物半導体膜３の融点より低い温度で加熱処理して第一の窒化物半導体膜２を融解し、第一の基板１を除去する。更に、キャリアー基板４上に張り合わされた第二の窒化物半導体膜３の表面に第二の基板６を張り合わせ、キャリアー基板４を除去する。 （もっと読む）

【課題】デバイス品質の良好なＩｎＮ／ＧａＮヘテロ構造の半導体光素子を提供する。
【解決手段】基板１、ｎ型コンタクト層２、ｎ型クラッド層３、ｎ型ガイド層４、活性層５、ｐ型ガイド層６、ｐ型クラッド層７、ｐ型コンタクト層８を順に積層して構成されている。またｎ型コンタクト層３上には第一の電極９が、ｐ型コンタクト層９上には第二の電極１０が形成されており、第一と第二の電極の間に電圧を印加することで活性層５に正孔及び電子を注入し、発光させることが可能である。 （もっと読む）

垂直型発光素子を開示する、特に、発光効率および信頼性を向上するとともに大量生産を可能にする垂直型発光素子およびその製造方法を提供する。基板上に半導体層を形成する段階と、前記半導体層上に第１電極を形成する段階と、前記第１電極上に支持層を形成する段階と、前記基板と前記半導体層との間の界面にストレス性音波を発生させることで、前記基板を前記半導体層から分離する段階と、前記基板が分離されて露出された半導体層上に第２電極を形成する段階と、を含んで垂直型発光素子の製造方法を構成する。
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【課題】大量のウェハ貼り合わせを安価に行うことを可能とし、ウェハサイズが大きい場合においても、ウェハ貼り合わせの歩留まりを改善することが可能とする。
【解決手段】
半導体発光層が形成された第一基板と、第一基板とは別途準備された第二基板とを貼り合わせるために使用される基板接合用治具であって、第一基板と第二基板とを重ねてなる積層ウェハを両側から挟むための一対のプレートと、一対のプレートに両側から加えられる圧力を保持するための保持部材と、一対のプレートのうち少なくとも一方のプレートと積層ウェハとの間に設けられ、プレートに接する側の主表面に凸面を有し、積層ウェハに接する側の主表面が平坦面である半凸面板と、を備える。 （もっと読む）

【課題】特性のよい半導体デバイスの製造が可能なＧａＮ基板の保存方法、保存された基板ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ基板１を酸素濃度が１８体積％および／または水蒸気濃度が１２ｇ／ｍ³以下の雰囲気下で保存する。ＧａＮ基板の第１の主面の表面粗さＲａを２０ｎｍ以下、第２の主面の表面粗さＲａを２０μｍ以下とする。また、ＧａＮ基板の主面と（０００１）面とのなすオフ角が、＜１−１００＞方向に０．０５°以上２°以下であり、＜１１−２０＞方向に０°以上１°以下とする。 （もっと読む）

安熱法という成長技術を用いて、窒素面またはＭ面を有するＩＩＩ−Ｖ族窒化物薄膜を成長する方法が開示される。この方法は、耐圧釜を用いるステップと、耐圧釜を加熱するステップと、耐圧釜にアンモニアを導入するステップとを含み、平坦な窒素面またはＭ面の窒化ガリウムの薄膜及びバルクＧａＮを作製する。
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【課題】実用化が容易で、製造される製品間で色成分のバラツキが少なく、良好なホワイトバランスの白色光を得る。
【解決手段】青色領域の光を発する青色発光層と、緑色領域の光を発する緑色発光層と、を有するIII族窒化物系半導体の発光素子２と、青色光により励起されて黄色領域から赤色領域の光を発する蛍光体と、を備え、発光素子２から発せられた青色光及び緑色光と、青色光による励起により蛍光体から発せられた波長変換光と、の組み合わせにより白色光が得られるようにした。 （もっと読む）

【課題】光の取り出し効率の最大化を図ることができる発光ダイオード搭載基板を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系発光ダイオード１を形成するｎ型ＧａＮ層１１、活性層１２およびｐ型ＧａＮ層１３にｎ型ＧａＮ層１１の下面に対して傾斜している端面１４を形成する。ｐ型ＧａＮ層１３上にｐ側電極１５を形成する。端面１４およびｐ側電極１５の周囲の部分のｐ型ＧａＮ層１３の上面を覆うように透明樹脂１６を形成し、この透明樹脂１６およびｐ側電極１５の全体を覆うように反射膜１７を形成する。ｎ型ＧａＮ層１１の下面にｎ側電極１８を形成する。このＧａＮ系発光ダイオード１のｎ型ＧａＮ層１１側をエアギャップなどの低屈折率透明媒質層３を介して透明基板２上に搭載する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板を用いてｐ電極とｎ電極を対向させた窒化物半導体発光素子を構成するとともに、半導体層の界面に発生する自発分極やピエゾ分極によるキャリア空乏化を低減させて、駆動電圧を安定させることができる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体結晶７は、ＳｉＣ基板１のＭ面（１０−１０）上に、ＭＯＣＶＤ法等によって形成され、その成長表面がＭ面で成長する。Ｍ面は、Ｇａ極性面やＮ（窒素）極性面ではなく、無極性面となるので、自発分極やピエゾ分極により発生する電界の影響を非常に小さくすることができる。また、導電性のＳｉＣ基板１を用いているために、ｐ電極とｎ電極を対向させた窒化物半導体発光素子を形成できる。 （もっと読む）

【課題】発光層の結晶性を良好に維持しつつ、ｐ型層の結晶性を良好にし、発光出力を低下させることなく、順方向電圧（駆動電圧）が低く、且つ、順方向電圧の時間的な変化量が少ない信頼性の良好なＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造に有用なＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上にＩＩＩ族窒化物半導体からなる、ｎ型下地層、活性層、ｐ型クラッド層およびｐ型コンタクト層をこの順序で有するＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法において、ｐ型コンタクト層成長時の基板温度を２つ以上の温度域で成膜し、後の温度域が最初の温度域より高いことを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】青色または紫外発光が可能で、高出力、高効率、明るさの均一性が高いフリップチップマウント型の半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】薄膜結晶層、第二導電型側電極２７および第一導電型側電極２８とを有し、光取り出し方向がバッファ層側であり、電極２８および電極２７が、空間的に重なりを有さずかつ光取り出し方向とは反対側に形成されており、支持体、（ａ）前記第一導電型側電極の主たる光取り出し方向側の一部に接し、前記第二導電型側電極の主たる光取り出し方向と反対側の一部を覆い、（ｂ）前記薄膜結晶層の側壁面のうち、少なくとも前記第一導電型半導体層、活性層構造、および第二導電型半導体層の側壁面を被覆している絶縁層、およびバッファ層と第一導電型半導体層の間に、光を光取り出し面全体に分布させる光均一化層を有する化合物半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】六方晶窒化ホウ素単結晶膜を有する半導体積層構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体積層構造は、ＳｉＣ単結晶基板と、その基板の表面に形成されたグラファイト層と、そのグラファイト層上に形成された六方晶窒化ホウ素単結晶膜とを備える。また、この半導体積層構造は、ＳｉＣ単結晶基板の所定の面の、少なくとも最表面のＳｉを蒸発させて、前記ＳｉＣ単結晶基板とグラファイト層との積層を形成する工程と、前記グラファイト層上に六方晶窒化ホウ素単結晶膜をヘテロエピタキシャル成長させる工程とを有する製造方法により製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、青色または紫外発光が可能な発光素子であって、高出力、高効率なフリップチップマウント型の半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 透明な基板２１上に薄膜結晶層、第二導電型側電極２７、第一導電型側電極２８とを有し、光取り出し方向が基板側である化合物半導体発光素子であって、電極２８および電極２７が、互いに空間的に重なりを有さずかつ光取り出し方向とは反対側に形成されており、素子端において、前記薄膜結晶層の側壁面は前記基板２１の端より後退しており、絶縁層が、基板面の端から離れた位置より内側を覆い、薄膜結晶層の側面の全てを被覆し、第一導電型側電極の光取り出し方向側の一部に接し、第二導電型側電極の光取り出し方向と反対側の一部を覆っている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、比較的簡単なプロセスにより例えばＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体のようなエッチングが困難な半導体層でも容易にエッチングが可能な半導体エッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体層２上に形成されるエッチングマスク３の少なくとも一部として、金属フッ化物層を１５０℃以上の温度で形成する工程と、この金属フッ化物層をパターンニングする工程と、パターニングされた金属フッ化物層３をマスクとして、前記半導体層をエッチングする工程とを有する半導体層のエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光強度の面内均一性がすぐれた大面積の面光源的発光が可能な集積型の化合物半導体発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】透明な基板２１上に形成された複数の発光ユニット１１を有する集積型化合物半導体発光装置であって、前記発光ユニットが、薄膜結晶層２４、２５、２６、第一および第二導電型側電極２７、２８を有し、光取り出し方向が基板側で、第一および第二導電型側電極が光取り出し方向と反対側に形成され、発光ユニット同士は、発光ユニット間分離溝１２により電気的に分離され、さらに、基板と第一導電型クラッド層の間に、複数の発光ユニット間に共通して設けられ、複数の発光ユニットを光学的に結合して、光を集積型化合物半導体発光装置全体に分布させる光学結合層２３を有する。 （もっと読む）

【課題】井戸層を傷めることなく、発光波長４９０ｎｍ以上の緑色発光を呈し、且つ高出力の発光素子が得られる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法、及び窒化ガリウム系化合物半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】井戸層を成長温度Ｔ１で成長させ、障壁層を少なくとも成長温度Ｔ２で成長させることによって発光層を形成し、該発光層を形成した後、ｐ型半導体層を成長温度Ｔ３で成長させ、成長温度Ｔ１、Ｔ２、及びＴ３を、それぞれ６００℃＜Ｔ１＜８００℃、７５０℃＜Ｔ２＜１０００℃、９００℃＜Ｔ３＜１０５０℃の範囲とするとともに、Ｔ１≦Ｔ２≦Ｔ３（但し、Ｔ１≠Ｔ３）で表される関係としている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光強度の面内均一性がすぐれた大面積の面光源的発光が可能な集積型の化合物半導体発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】複数の発光ユニットを有する集積型化合物半導体発光装置であって、発光ユニットが、第一導電型半導体層２４、活性層構造２５および第二導電型半導体層２６を有する薄膜結晶層を少なくとも有し、主たる光取り出し方向が第一導電型半導体層２４側方向であり、第一および第二導電型側電極２７、２８がその反対側に形成されて、発光ユニット１１同士は発光ユニット間分離溝１２により電気的に分離され、発光ユニットは分断された活性層構造２５を含む複数の発光ポイントを有し、第一導電型半導体層２４より主たる光取り出し方向側に、複数の発光ユニット１１間に光学結合層２３とバッファ層２２が共通して設けられている。 （もっと読む）

【課題】六方晶系のＳｉＣ基板上に形成された窒化物半導体において、半導体層間の界面に発生する自発分極やピエゾ分極によるキャリア空乏化を低減させて、駆動電圧を安定させることができるとともに、平坦な窒化物半導体層を成長させることができる窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体素子は、ＳｉＣ基板１上に窒化物半導体結晶２をエピタキシャル成長させた構造となっている。Ｍ面（１０−１０）を露出させたＳｉＣ基板１上に窒化物半導体結晶２を成長させ、ＳｉＣ基板１のｍ軸方向と、窒化物半導体結晶２のｍ軸方向とがオフ角を生じるように形成される。 （もっと読む）