【課題】生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えたＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、ＩＩＩ族元素としてＧａを含むＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる半導体層をスパッタ法によって成膜する工程を含む製造方法であり、半導体層をスパッタ法で成膜する際に、基板１１に印加するバイアス値を０．１Ｗ／ｃｍ^２以上とする。 （もっと読む）

【課題】 基板上にＺｎＴｅを成膜した半導体において、ドーパントとして一般的な不純物を用いた場合であっても、キャリア濃度が高い半導体の製造方法を提供するものである。
【解決手段】 基板１ａ上にｐ型ＺｎＴｅ薄膜１ｂを成膜した被処理基板１を、熱処理装置２の処理室３内で、ガス導入口５から導入したＺｎＴｅと反応しない気体の雰囲気中において、成膜処理工程における成膜温度以下で電気炉４によって熱処理する。 （もっと読む）

【課題】電流を発光層に均一に注入し、かつ光の取り出し効率を高くすることで、高い発光効率を得ることができる半導体発光ダイオードを得る。
【解決手段】発光波長に対し透明である導電性の基板と、基板上に形成され、発光層を含む半導体層と、半導体層上に形成された表面電極と、基板の裏面に形成され、開口を有する裏面電極とを備え、開口の幅をＬとし、裏面電極と発光層との距離をｔとすると、Ｌ≦２ｔであり、基板の裏面の面積に対して裏面電極の面積の割合が４０％以下である。 （もっと読む）

【課題】光の取出効率を高めることができるとともに、製造コストの低減に寄与することを可能にする。
【解決手段】半導体発光素子は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された第１のクラッド層と、前記クラッド層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成された第２のクラッド層と、前記第２のクラッド層上に形成された電流分散層と、前記電流分散層の表面の一部から前記活性層を含む深さまで形成された穴部と、その穴部の内面に形成された電流ブロック層と、前記電流ブロック層を覆って前記穴部の開口縁から前記電流分散層の表面の一部までかかるように前記電流分散層の表面に形成された上部電極と、前記半導体基板の裏面に形成された下部電極とを備える。 （もっと読む）

低温度（ＬＴ）でマグネシウム（Ｍｇ）をドーピングした窒化物半導体の薄膜を堆積させることによって、改善された品質のデバイスを成長させるための方法である。該低温度でＭｇドーピングした窒化物半導体の薄膜は、５０ｎｍより大きい厚さを有し得る。多重量子井戸（ＭＱＷ）の活性層は、成長温度において成長させられ得、該ＬＴ Ｍｇドーピング窒化物半導体の薄膜は、該成長温度を超え、１５０℃以下である基板温度において、該ＭＱＷ活性層に堆積され得る。
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【課題】発光効率が高く、かつ発光波長が安定した窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板(10)と、基板(10)の主面上に形成されたＡｌＮ層(11)と、ＡｌＮ層(11)上に形成された窒化物半導体多層膜(12)とを含む窒化物半導体発光素子(1)であって、ＡｌＮ層(11)は、無極性面を有し、ＡｌＮ層(11)における窒化物半導体多層膜(12)に接する主面には、規則的に配列した凹凸(11a)が形成されている窒化物半導体発光素子(1)とする。 （もっと読む）

【課題】傾斜面による応力が分散されるようにピラミッドの傾斜面を分離させることができる窒化物半導体の成長方法、これを用いた窒化物発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体の選択成長方法は、窒化物半導体層３３上に開口部を有するマスクを形成する段階と、上記マスクの開口部に露出された上記窒化物半導体層領域に上記窒化物半導体層の上面に対して傾斜した結晶面を有する六角ピラミッド構造窒化物半導体結晶３４を選択的に成長させる段階とを含み、上記六角ピラミッド構造の窒化物半導体結晶は、その上下部に位置した結晶面の傾斜角より大きい傾斜角の結晶面を有する少なくとも一つの中間分離領域を含む。また、上記の窒化物半導体の選択成長方法を用いて製造できる窒化物発光素子と、その製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板上にナノコラムやナノロッドなどと称される柱状結晶構造体が形成されて成る化合物半導体発光素子において、光取出し効率および光学特性を改善する。
【解決手段】シリコン基板１上にカタリスト材料層となるＮｉ薄膜３を５ｎｍ蒸着する（図１（ａ））。続いて、通常のリソグラフィ技術にＡｒイオンエッチング技術を用いて、Ｎｉ薄膜３を、直径１００ｎｍの柱径で、一片が２３０ｎｍの三角形を基本単位とする２次元フォトニック結晶による回折格子パターン状のＮｉ薄膜パターン４に形成する（図１（ｂ））。その後、再びＭＯＣＶＤ装置で成長させると、Ｎｉ薄膜パターン４の表面にＧａとＮとが吸着され、内部に取込まれて拡散しつつ基板１との界面に達し、ここで互いに結合してＧａＮ単結晶５を形成する（図１（ｃ））。この状態を維持することで、ＧａＮナノコラム６を形成する（図１（ｄ））。 （もっと読む）

エピタキシャルに成長した金属鏡である第１鏡と、第２鏡と、前記第１鏡と前記第２鏡の間の少なくとも１つの波腹に位置する又は波腹近くに位置するエピタキシャルに成長した活性領域を備えることを特徴とする発光素子。
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【課題】
発光素子において、電力効率に優れた特性を得ることは、照明分野などへの応用に重要な要因である。
【解決手段】
第１，２導電型の半導体層22,23と、該第１，２導電型の半導体層の同一面側に各々設けられた第１，２電極30,40と、該第２電極40が設けられ該第１，２導電型の半導体層を含む発光構造25と、を有し、前記第１導電型半導体層22の露出表面22sに設けられた第１電極30が、透光性の第１層31と、反射性の第２層32と、を少なくとも有し、前記発光構造25と前記第１電極10を横断する素子100の断面において、前記第１層31が、前記第２層32の両側から突出した突出部(32a,e)を有する半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】高輝度の発光素子に対応して、耐光性、耐熱性が良好な封止部材を用いて、光取出し効率を良好にした発光装置を提供する。
【解決手段】発光素子に駆動電流を印加して発光させる構成の発光装置において、発光素子を封止する封止部材が透光性を有し、前記発光素子により近接して配置される内側の層と内側の層よりも外側に配置される外側の層が内側から外側に屈折率を低く、内側の層のガラス転移点が外側の層のガラス転移点より低い材料とする発光装置。 （もっと読む）

【課題】基板上にナノコラムやナノロッドなどと称される柱状結晶構造体が形成されて成る化合物半導体発光素子において、柱状結晶構造体の柱径を高精度に制御可能とする。
【解決手段】発光ダイオードを形成するナノコラム６において、その作成後、フォトルミネッセンス法などで実際の発光波長を測定し、所望とする波長からずれていれば、該ナノコラム６を熱酸化し、表面に径調整層１０を形成する。したがって、径調整層１０の部分は発光動作に寄与せず、実質的にナノコラム６の外径が細くなった場合と同様の動作を行うことになり、従来では全く不可能であった形成後の外径の微調整を、容易かつ高精度に行うことができ、発光波長を調整することができる。また、径調整層１０はナノコラム６の表面を保護するので、ＳＯＧの埋め込みによる表面保護の場合に問題になる埋め込みの均一性は一切問題にならず、制御性、再現性に優れた表面保護を実現することもできる。 （もっと読む）

【課題】ウェハの面内でピーク波長のばらつきを小さくしたIII族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ピーク波長が４９０〜５５０ｎｍの光を発するIII族窒化物半導体発光素子の製造方法であって、少なくとも基板２上にスパッタ法を用いてIII族窒化物半導体からなるバッファ層３を形成し、その上に有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ）法を用いて発光領域を含むIII族窒化物半導体からなる半導体積層構造１ａを形成する。 （もっと読む）

微傾斜ＩＶ族基板上にエピタキシャル蒸着させたＩＩＩ／Ｖ化合物を有する電子及び光電子デバイス並びにその製造方法。このデバイスは、Ｇｅ基板上にＡｌＡｓ核形成層を含む。ＩＶ族基板は、Ａｓ含有層のエピタキシャル成長時にＡｌＡｓ核形成層によって特性の変化が最小限に抑えられるｐ−ｎ接合を含む。ＡｌＡｓ核形成層は、デバイスの改善された形態を提供するとともに、Ａｓ及び／又はＰの拡散によりＩＶ族基板の表面近く、並びにＩＶ族元素の拡散を最小限に抑えることによりＩＩＩ／Ｖ構造の底部近くのｐ−ｎ接合の位置を制御する手段を提供する。 （もっと読む）

【目的】 基板となる窒化物半導体の成長方法と、窒化物半導体基板を有する新規な構造の素子を提供する。
【構成】 窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板１あるいは異種基板１上に成長された窒化物半導体層２の表面に、第１の保護膜１１を部分的に形成し、その保護膜を介して第１の窒化物半導体３を成長させる。第１の窒化物半導体３は保護膜上に最初は選択成長されるが、成長を続けるに従って、保護膜上で隣接する窒化物半導体がつながる。第１の保護膜１１上の第１の窒化物半導体３は格子欠陥が少ないので、保護膜を介して窒化物半導体を厚膜で成長させると、非常に結晶性の良い窒化物半導体基板が得られる。窒化物半導体基板を特定膜厚で成長させ、この上に素子構造を形成すると、特性の向上した良好な素子が得られる。 （もっと読む）

【課題】光の射出効率が向上した発光素子を提供する。
【解決手段】表面に凹凸を有する活性層６と、活性層６の上方に位置し、活性層６の表面の凹凸に沿った凹凸を表面に有するコンタクト層８を具備する。活性層６とコンタクト層８の間には、活性層６の表面の凹凸に従った凹凸を表面に有する第１クラッド層７が形成されている。コンタクト層８の膜厚は、１３０ｎｍ未満であるのが好ましい。また、第１クラッド層７の膜厚は１５０ｎｍ以下であるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えたＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、少なくともＩＩＩ族窒化物化合物からなる中間層１２が積層され、該中間層１２上に、ｎ型半導体層１４、発光層１５、及びｐ型半導体層１６が順次積層されてなり、中間層１２が、金属原料とＶ族元素を含んだガスとがプラズマで活性化されて反応することによって成膜されたものとして構成されている。 （もっと読む）

蛍光ミクロスフェア被覆を含む発光ダイオードが提案される。被覆は、短波長ＬＥＤにより励起されて緑色および赤色の波長で蛍光発光する蛍光ミクロスフェアからなる。スフェアのミクロンスケールの寸法により、これらは人間の眼に解像不能であり、光出力全体では混合された色として見える。緑色蛍光ミクロスフェアと赤色蛍光ミクロスフェアの比率、および励起源の波長を変えることによって、光出力の色を調整することができる。光出力が正しい比率で青、緑および赤の成分を有する場合には、白色の放射を得ることができる。発光ダイオードは、複数の個々にアドレス指定可能な領域に分けることができる。各部分は、コーティングされた蛍光ミクロスフェアの種類に応じて異なる波長で発光することができる。電圧バイアスを変えて青色、緑色および赤色の領域の輝度を変化させることで、出力波長（色）を連続的に調整（変更）することができる。
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【課題】低欠陥の半導体基板、半導体発光素子、およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】上面に非晶質構造を有する非晶質領域１２ｂと結晶構造を有する結晶質領域１２ａとが形成されたIII−Ｖ族半導体またはII−IV族半導体からなる第１半導体層１２と、結晶質領域から結晶成長されることにより第１半導体層上に形成された第２半導体層２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 Iｎを含む窒化ガリウム系化合物半導体からなる多重量子井戸構造の発光層の発光効率向上が図れる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 Iｎを含む窒化ガリウム系化合物半導体からなる多重量子井戸構造の発光層を有する半導体発光素子の製造方法において、多重量子井戸構造の障壁層と井戸層の成長界面で、III族原料ガスの供給を停止する成長中断工程を有し、障壁層成長終了から井戸層成長開始に至るまでの成長中断工程の時間ｔ_１と、井戸層成長終了から障壁層成長開始に至るまでの成長中断工程の時間ｔ_２が、ｔ_１＜ｔ_２を満たす。 （もっと読む）