【課題】本発明は、大面積の面光源的発光に適した集積型化合物半導体発光装置の構造、およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】透明な基板２１上に形成された複数の発光ユニット１１を有する集積型化合物半導体発光装置であって、前記発光ユニットが、薄膜結晶成長層２４、２５、２６、第一および第二導電型側電極２７、２８を有し、光取り出し方向が基板側で、第一および第二導電型側電極が光取り出し方向と反対側に形成され、発光ユニット同士が、薄膜結晶成長層の表面から前記バッファ層２２の一部までを除去して形成された発光ユニット間分離溝１２により電気的に分離されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、青色または紫外発光が可能な発光素子であって、高出力、高効率なフリップチップマウント型の半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 透明な基板２１上に薄膜結晶層、第二導電型側電極２７、第一導電型側電極２８とを有し、光取り出し方向が基板側である化合物半導体発光素子であって、電極２８および電極２７が、互いに空間的に重なりを有さずかつ光取り出し方向とは反対側に形成されており、素子端において、前記薄膜結晶層の側壁面は前記基板２１の端より後退しており、絶縁層が、基板面の端から離れた位置より内側を覆い、薄膜結晶層の側面の全てを被覆し、第一導電型側電極の光取り出し方向側の一部に接し、第二導電型側電極の光取り出し方向と反対側の一部を覆っている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、比較的簡単なプロセスにより例えばＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体のようなエッチングが困難な半導体層でも容易にエッチングが可能な半導体エッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体層２上に形成されるエッチングマスク３の少なくとも一部として、金属フッ化物層を１５０℃以上の温度で形成する工程と、この金属フッ化物層をパターンニングする工程と、パターニングされた金属フッ化物層３をマスクとして、前記半導体層をエッチングする工程とを有する半導体層のエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光強度の面内均一性がすぐれた大面積の面光源的発光が可能な集積型の化合物半導体発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】透明な基板２１上に形成された複数の発光ユニット１１を有する集積型化合物半導体発光装置であって、前記発光ユニットが、薄膜結晶層２４、２５、２６、第一および第二導電型側電極２７、２８を有し、光取り出し方向が基板側で、第一および第二導電型側電極が光取り出し方向と反対側に形成され、発光ユニット同士は、発光ユニット間分離溝１２により電気的に分離され、さらに、基板と第一導電型クラッド層の間に、複数の発光ユニット間に共通して設けられ、複数の発光ユニットを光学的に結合して、光を集積型化合物半導体発光装置全体に分布させる光学結合層２３を有する。 （もっと読む）

【課題】井戸層を傷めることなく、発光波長４９０ｎｍ以上の緑色発光を呈し、且つ高出力の発光素子が得られる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法、及び窒化ガリウム系化合物半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】井戸層を成長温度Ｔ１で成長させ、障壁層を少なくとも成長温度Ｔ２で成長させることによって発光層を形成し、該発光層を形成した後、ｐ型半導体層を成長温度Ｔ３で成長させ、成長温度Ｔ１、Ｔ２、及びＴ３を、それぞれ６００℃＜Ｔ１＜８００℃、７５０℃＜Ｔ２＜１０００℃、９００℃＜Ｔ３＜１０５０℃の範囲とするとともに、Ｔ１≦Ｔ２≦Ｔ３（但し、Ｔ１≠Ｔ３）で表される関係としている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光強度の面内均一性がすぐれた大面積の面光源的発光が可能な集積型の化合物半導体発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】複数の発光ユニットを有する集積型化合物半導体発光装置であって、発光ユニットが、第一導電型半導体層２４、活性層構造２５および第二導電型半導体層２６を有する薄膜結晶層を少なくとも有し、主たる光取り出し方向が第一導電型半導体層２４側方向であり、第一および第二導電型側電極２７、２８がその反対側に形成されて、発光ユニット１１同士は発光ユニット間分離溝１２により電気的に分離され、発光ユニットは分断された活性層構造２５を含む複数の発光ポイントを有し、第一導電型半導体層２４より主たる光取り出し方向側に、複数の発光ユニット１１間に光学結合層２３とバッファ層２２が共通して設けられている。 （もっと読む）

【課題】六方晶系のＳｉＣ基板上に形成された窒化物半導体において、半導体層間の界面に発生する自発分極やピエゾ分極によるキャリア空乏化を低減させて、駆動電圧を安定させることができるとともに、平坦な窒化物半導体層を成長させることができる窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体素子は、ＳｉＣ基板１上に窒化物半導体結晶２をエピタキシャル成長させた構造となっている。Ｍ面（１０−１０）を露出させたＳｉＣ基板１上に窒化物半導体結晶２を成長させ、ＳｉＣ基板１のｍ軸方向と、窒化物半導体結晶２のｍ軸方向とがオフ角を生じるように形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光強度の面内均一性がすぐれた大面積の面光源的発光が可能な集積型の化合物半導体発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】透明な基板２１上に形成された複数の発光ユニット１１を有する集積型化合物半導体発光装置であって、前記発光ユニットが、薄膜結晶層２４、２５、２６、第一および第二導電型側電極２７、２８を有し、光取り出し方向が基板側で、第一および第二導電型側電極が光取り出し方向と反対側に形成され、発光ユニット同士は、発光ユニット間分離溝１２により電気的に分離され、発光ユニットは分断された活性層構造２５を含む複数の発光ポイントを有し、さらに、基板と第一導電型クラッド層の間に、複数の発光ユニット間に共通して設けられ、複数の発光ユニットを光学的に結合して、光を集積型化合物半導体発光装置全体に分布させる光学結合層２３を有する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、青色または紫外発光が可能な発光素子であって、高出力、高効率なフリップチップマウント型の半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 薄膜結晶層、第二導電型側電極２７および第一導電型側電極２８とを有し、主たる光取り出し方向が前記活性層構造から見てバッファ層側であり、電極２８および電極２７が、互いに空間的に重なりを有さずかつ光取り出し方向とは反対側に形成されており、電極２８および電極２７が接続され、発光素子を支持する支持体を有し、さらに、絶縁層、即ち（ａ）前記第一導電型側電極の主たる光取り出し方向側の一部に接し、前記第二導電型側電極の主たる光取り出し方向と反対側の一部を覆い、（ｂ）前記薄膜結晶層の側壁面のうち、少なくとも前記第一導電型半導体層、活性層構造、および第二導電型半導体層の側壁面を被覆している絶縁層を有する化合物半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層の新規なエッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層上に、エッチングマスクの少なくとも一部として、２価または３価の金属元素を含む金属フッ化物層を形成する工程と、この金属フッ化物層をウェットエッチングによりパターンニングする工程と、パターニングされた金属フッ化物層をマスクとして、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層をドライエッチングする工程とを有することを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層のエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、大面積の面光源的発光に適した集積型化合物半導体発光装置の構造、およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】複数の発光ユニットを有する集積型化合物半導体発光装置であって、発光ユニットが、第一導電型半導体層２４、活性層構造２５および第二導電型半導体層２６を有する薄膜結晶層を少なくとも有し、主たる光取り出し方向が第一導電型半導体層２４側方向であり、第一および第二導電型側電極２７、２８がその反対側に形成されて、発光ユニット１１同士が、薄膜結晶層の表面から前記バッファ層２２の一部までを除去して形成された発光ユニット間分離溝１２により電気的に分離されている。 （もっと読む）

【課題】低抵抗、かつ抵抗率の面内均一性に優れたｐ型窒化物系半導体層を備える半導体積層体、特に窒化物系半導体発光素子を量産製造することを目的とする。
【解決手段】基板に複数の窒化物系半導体層を成長してなる半導体積層体を、５０℃以上、４００℃未満で液体処理する半導体積層体の処理方法を提供する。また、前記液体処理のである半導体積層体の処理方法。また、前記処理方法を製造工程に含む窒化物系半導体発光素子の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】電極と窒化物系化合物半導体層の密着性が得られ、かつコンタクト抵抗を低減することのできる電極形成方法、発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎｉ層とＡｕ層からなるｐ側電極１８を加熱して層転換させる際に、ＧａＮ系半導体層との界面部分にＮｉと酸素が残るように不完全な層転換状態を形成することで、Ａｕ層とＮｉ層の３層構造を成すｐ側電極１８が形成され、ＧａＮ系半導体層とｐ側電極１８との密着性の確保及びコンタクト抵抗の低減が可能となる。 （もっと読む）

【課題】側面発光効率が高い発光ダイオードの製造方法を提供する。
【解決手段】基板を用意する段階と、前記基板上に、下部半導体層、活性層及び上部半導体層を順次形成する段階と、前記上部半導体層上に、その側壁が前記基板の上部面に対して傾斜するように、フォトレジストパターンを形成する段階と、前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして使用し、前記上部半導体層、活性層及び下部半導体層を順次にエッチングする段階とを有する。 （もっと読む）

【課題】光の取り出し効率を向上することができるとともに光の取り出しに寄与しない無効電流量を減少させて電流の注入効率を向上することができる窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】導電性基板と、導電性基板上に形成された導電性接着層と、導電性接着層上に形成された窒化物半導体層積層構造体と、を含み、窒化物半導体層積層構造体は、導電性基板側から、第１導電型窒化物半導体層、発光層および第２導電型窒化物半導体層をこの順序で含んでおり、窒化物半導体層積層構造体の表面の一部に非導電体層が形成されており、非導電体層の表面を被覆するようにして電極層が窒化物半導体層積層構造体の表面上に形成されている窒化物半導体発光素子およびその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ドナーを高濃度にドープした窒化物半導体層を、それよりも低いドナー濃度を有する窒化物半導体層の上に成長する際の、異常成長の発生を防止し、それによって、ドナーをドープしたｎ型コンタクト層を備えた窒化物半導体素子を効率よく製造することのできる方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態では、コンタクト層３を、ドナーを意図的にドープしていない窒化物半導体層２を下地層として、その上に、有機金属化合物気相成長法によって形成するにあたり、まず、該下地層２の上に窒素原料を連続的に供給しつつ３族原料とドナー原料とを交互に供給して、ドナーがドープされた第１の部分３１を形成し、続いて、該第１の部分の上に、窒素原料と３族原料とドナー原料とを同時に供給して、ドナーがドープされた第２の部分３２を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ＩｎＧａＡｌＮなどの窒化物半導体材料を用いた半導体発光素子を、より特性が良くより製造しやすい状態で提供できるようにする。
【解決手段】 クラッド層１０４の上に、活性層１０５が形成されている。活性層１０５は、ＩｎＮからなる複数の島状部分１０５ａが同一平面に配列された構造の層であり、島状部分１０５ａは、例えば、径が２ｎｍ程度高さ１ｎｍ程度の大きさに形成されている。このように、島状部分１０５ａの寸法を電子の波動関数の広がり以下とすることで、量子効果が得られるようになる。また、この島状部分１０５ａの寸法によって、活性層１０５による半導体発光素子の発光波長がほぼ決定される。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上することができる窒化物半導体発光素子およびその窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に積層された、第１のｎ型窒化物半導体層と、発光層と、ｐ型窒化物半導体層と、第２のｎ型窒化物半導体層と、を含み、第１のｎ型窒化物半導体層、発光層、ｐ型窒化物半導体層および第２のｎ型窒化物半導体層が基板側からこの順序で積層されている窒化物半導体発光素子およびその窒化物半導体発光素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】Ａｌを含むｐ型のIII−Ｖ属化合物半導体であって、該半導体層上に触媒層に用いる方法において、高いｐ型の導電性を発揮させることができ、さらに低コストで作製でき、電極との良好なオーミック接触をも実現することができるｐ型III−Ｖ属化合物半導体の作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ｐ型不純物を添加したｐ型III−Ｖ族化合物半導体層を作製する第１の工程と、上記ｐ型III−Ｖ族化合物半導体層上に触媒層を作製する第２の工程と、上記触媒層を付けた状態でのｐ型III−Ｖ族化合物半導体層を熱処理する第３の工程とを含むｐ型III−Ｖ族化合物半導体の作製方法である。この方法において、本発明の特徴は前記ｐ型III−Ｖ族化合物半導体層がＡｌを含んでおり、かつ、触媒層がＮｉ、ＡｇまたはＣｕのうちの少なくとも１種類を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体発光素子の発光寿命と発光強度を改善するとともにクラックの発生を防止する。
【解決手段】 表面に凹部と凸部を有し、該凹部と凸部が単一材料からなる基板と、前記基板上に結晶成長させられた窒化物半導体多層膜構造とを備え、該窒化物半導体多層膜構造は、前記凸部の上方において発光部を有するとともに、前記凹部の上方において結晶成長により完全に埋まらない窪みを表面に形成した窒化物半導体発光素子であって、前記凹部と凸部が単一材料からなる基板は、窒化物半導体以外の基板上に窒化物半導体層が成長されてなり、前記窪みの幅は前記凹部の幅よりも狭いことを特徴とする。 （もっと読む）