【課題】窒化物半導体に生じる自発分極を抑制して、例えば発光デバイスにおいては高輝度化及び高効率化を実現でき、また、電界効果トランジスタにおいてはノーマリオフ特性を実現できるようにする。
【解決手段】窒化物半導体装置は、第１主面及び該第１主面と対向する第２主面を有する窒化物半導体からなり、チャネル層１０４を含む半導体積層体１１０を有している。第１主面には、それぞれの面方位が｛０００１｝面である複数の凹凸部が形成され、第２主面は面方位が｛１−１０１｝面である。チャネル層１０４は面方位の｛１−１０１｝面に沿って形成されている。 （もっと読む）

【課題】 基板剥離における簡便化と剥離面のダメージの軽減を図った窒化物半導体ウエハないし窒化物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
出発基板上に出発基板表面を選択的に露出する端部から連続したパターンの犠牲膜を形成する。犠牲膜を含んだ出発基板上にボイド窒化物半導体層を形成する。ボイド窒化物半導体層の上に素子形成用窒化物半導体層を形成する。素子形成用窒化物半導体層上に支持基板を取り付けた後、犠牲膜を除去して出発基板をボイド窒化物半導体層から剥離させる。 （もっと読む）

【課題】水性条件、即ち湿気に関してより安定にするべくアルカリ土類及び鉄属元素を含む結晶混合ケイ酸塩ベースの蛍光体、およびこれを用いた発光装置を提供する。
【解決手段】フェラスメタルアルカリ土類金属混合ケイ酸塩系蛍光体の励起波長帯である青色光で波長変換部７Ｒおよび波長変換部７Ｇとが励起されることにより、演色性および色再現性に優れる白色光が得られるとともに、湿気に対して蛍光体の劣化を生じにくい発光装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体について、結晶欠陥を低減でき、反りが生じず、成長面に対する側面（光共振面）の垂直性が高く、さらにエッチング等の後加工によるダメージが無い、窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法及び発光素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 少なくとも表面が化学式ＸＢ_２（但し、ＸはＴｉ及びＺｒの少なくとも１種を含む。）で表される二硼化物単結晶から成る基体１０上に、第１の窒化ガリウム系化合物半導体層１４を形成する工程と、第１の窒化ガリウム系化合物半導体層１４を部分的に除去して平面視で島状の第１の窒化ガリウム系化合物半導体層１４の領域を多数形成する工程と、基体１０の露出した部位を窒化する工程と、多数の島状の第１の窒化ガリウム系化合物半導体層１４の領域上に、第２の窒化ガリウム系化合物半導体層１６を形成する工程を具備する。 （もっと読む）

【課題】 転位を集結した部分から転位が再び解き放たれず転位終結部以外の部分が低転位密度であり低転位である部分の面積を広くできるような窒化物半導体基板の製造方法と基板を提供すること。
【解決手段】下地基板の上に被覆部Υが閉曲線をなすマスクを付け窒化物半導体を気相成長させ、露呈部Πにファセット面で取り囲まれる凸型のファセット丘を形成し、露呈部Πの輪郭線をなす被覆部Υは窪みとし、露呈部Πのファセット丘と被覆部Υの窪みを維持しながら結晶成長させ転位をファセット面の作用で外側へ追い出して輪郭線である被覆部Υへ集結させ被覆部Υの上に欠陥集合領域Ｈを生成し露呈部Πの上ファセットの下には低欠陥単結晶領域Ｚを形成する。デバイスを製作したのち加熱したＫＯＨ、ＮａＯＨで欠陥集合領域Ｈを溶かし多角形のチップに分離できる。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れているとともに適切に製造することが可能である半導体発光素子を提供する。
【解決手段】支持基板１と、支持基板１に支持されたｐ−ＧａＮ層２と、支持基板１に対してｐ−ＧａＮ層２よりも離間した位置に配置されたｎ−ＧａＮ層４と、ｐ−ＧａＮ層２とｎ−ＧａＮ層４との間に配置された活性層３と、を備える半導体発光素子Ａであって、支持基板１は、その厚さｔ₁が２００μｍ以上、１０００μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】動作電圧低減が低く、高性能な窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に形成されたＰ型の導電型を有する窒化物半導体３の上に第一の金属膜４を形成し、次いでタングステン酸化物からなる膜（ＷＯ_Ｘ）５を重ねて形成した後、熱処理を行う。その後、タングステン酸化物からなる膜を除去し、Ｎ型およびＰ型の導電型を有する窒化物半導体層のそれぞれとオーミック接続を取るための電極を形成することにより、窒化物半導体発光素子を製造する。 （もっと読む）

【課題】良好なオーミックコンタクトを形成しつつ、容易に製造することが可能なＧａＮ系半導体素子の製造方法及びＧａＮ系半導体素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体発光素子１は、ｎ型のＧａＮ基板２上に、ｎ型半導体層３、活性層４、ｐ型半導体層５が順次積層されている。ｐ型半導体層５は、ｐ型電子バリア層２１、ｐ型ガイド層２２、ｐ型超格子クラッド層２３、ｐ型コンタクト層２４が順次積層されている。ｐ型コンタクト層２４は、ｐ側電極６と接続される約１００Åの接続層２５を含む約５００Åの厚みのｐ型ＧａＮ系半導体層からなる。接続層２５以外のｐ型コンタクト層２４は、水素ガスをキャリアガスとして成長させ、接続層２５は、キャリアガスのみを不活性ガスである窒素ガスに切り換えて成長させている。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧が低く、かつ発光効率の優れた両面電極タイプのＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体積層構造が、高濃度の不純物原子を含むＩＩＩ族窒化物半導体からなる高濃度層３ｂと、高濃度層３ｂよりも低濃度の不純物原子を含むＩＩＩ族窒化物半導体からなる低濃度層３ａとからなる不純物層３０と、ＩＩＩ族窒化物半導体層２とを少なくとも備えたものであり、ＩＩＩ族窒化物半導体層２上には低濃度層３ａと高濃度層３ｂとがこの順で連続して形成されているＩＩＩ族窒化物半導体発光素子とする。 （もっと読む）

ツェナーダイオードを備える発光素子及びその製造方法が開示される。この発光素子は、ツェナーダイオード領域及び発光ダイオード領域を有するＰ型シリコン基板を備える。第１のＮ型化合物半導体層が、前記Ｐ型シリコン基板のツェナーダイオード領域に接合され、前記Ｐ型シリコン基板と一緒にツェナーダイオードの特性を示す。また、第２のＮ型化合物半導体層が、前記Ｐ型シリコン基板の発光ダイオード領域上に位置する。前記第２のＮ型化合物半導体層は、前記第１のＮ型化合物半導体層から離隔する。一方、Ｐ型化合物半導体層が、前記第２のＮ型化合物半導体層の上部に位置し、前記第２のＮ型化合物半導体層と前記Ｐ型化合物半導体層との間に活性層が介在される。これにより、前記Ｐ型シリコン基板と第１のＮ型化合物半導体層を有するツェナーダイオードと、前記第２のＮ型化合物半導体層、活性層、及びＰ型化合物半導体層を有する発光ダイオードを、単一チップ内に有する発光素子を提供することができ、発光ダイオードの静電放電損傷を防止することができる。
（もっと読む）

【課題】実用上、発光特性を改善した発光装置を与え得る蛍光体を提供することにある。
【解決手段】式（１）、式（２）で表されることを特徴とする蛍光体用複合酸化物。
ａＭ¹Ｏ・ｂＭ²₂Ｏ₃・ｃＭ³₂Ｏ・ｄＭｏＯ₃ （１）
Ｍ¹₂Ｍ²₃Ｍ³₃Ｍｏ₈Ｏ₃₂ （２）
（式中のＭ¹はＢａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｍ²はＡｌ、Ｓｃ、Ｇａ、Ｙ、Ｉｎ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｔｍ、Ｌｕ、Ｍ³はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、ａは１以上３以下の範囲、ｂは１以上２以下の範囲、ｃは１以上２以下の範囲、ｄは７以上９以下の範囲。）
上記の蛍光体用複合酸化物に、付活剤としてＭ⁴が含有されてなる蛍光体。上記の蛍光体用複合酸化物中のＭ²の一部または全部をＭ⁴で置換されてなる蛍光体。
（Ｍ⁴は希土類元素、ＭｎおよびＢｉからなる群より選ばれる１種以上。） （もっと読む）

【課題】III族窒化物半導体上の素子の信頼性を向上するため、従来ＴＥＭによる観察同定を必要とした転位や積層欠陥等の結晶欠陥の同定を、光学顕微鏡等の簡便な手段を用いて行うことが出来るようにすること。
【解決手段】III族窒化物半導体素子の結晶欠陥部分はエッチングによりピットが生じ、それが光学顕微鏡で観察出来るようになる。この発明はこのことに基づくもので製造工程中に、半導体の表面をエッチング等の処理を行うことにより、半導体の結晶欠陥を光学顕微鏡等でも見える状態にする工程（顕現化工程）及びそれを観察する工程、さらに必要により観察結果に基づく分別工程を含むIII族窒化物半導体素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】より高品質のＩＩＩ族窒化物半導体薄膜およびそれを用いたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】縞状に複数の溝が形成された（１−１０２）面（いわゆるｒ面）のサファイア基板１１０上に、ＡｌＩｎＮからなるバッファ層１２０を、ＭＯＣＶＤ装置を用いて常圧のもとで形成し、該バッファ層１２０上に、Ａｌ／Ｉｎ／Ｇａ／Ｎからなる中間層１３０を、パルス原子層エピタキシー法によって形成し、その中間層１３０の上に（１１−２０）面（いわゆるａ面）のＧａＮ層を高温でエピタキシャル成長する。これによりＩＩＩ族窒化物半導体薄膜を得る。また、そのＩＩＩ族窒化物半導体薄膜を基板としてＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を作成する。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＧａＡｌＰ系半導体を発光部に用いた半導体発光素子において、発光部で発光した光の取り出し効率を向上させ、加えて発光効率の向上を実現しうる発光素子を提供する。
【解決手段】導電性基板と、前記導電性基板の上に設けられた第一導電型のＩｎＧａＡｌＰ系半導体からなる第一のクラッド層と、前記第一のクラッド層の上に設けられたＩｎＧａＡｌＰ系半導体からなる発光層と、前記発光層の上に設けられた第二導電型のＩｎＧａＡｌＰ系半導体からなる第二のクラッド層と、前記第二のクラッド層の上に設けられた第二導電型の半導体からなる電流拡散層とを備える構成とし、前記電流拡散層上のオーミック電極形状と、前記第一導電型のＩｎＧａＡｌＰ系半導体からなる第一のクラッド層下のオーミック配線電極部を同形状にし、また光取り出し面側の周辺部に設ける構成とした。 （もっと読む）

【課題】波長２００ｎｍから３００ｎｍの間の光を高効率で発光する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体発光素子は、発光層をＡｌ_ＸＧａ_ＹＩｎ_ＺＢ_{1-Ｘ-Ｙ-Ｚ}Ｎ層６０８とし、Ａｌ_ＸＧａ_ＹＩｎ_ＺＢ_{1-Ｘ-Ｙ-Ｚ}Ｎ層の各組成を０．３≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦０．７、０≦Ｚ≦０．１５の範囲とし、光取出し方向をＡｌ_ＸＧａ_ＹＩｎ_ＺＢ_{1-Ｘ-Ｙ-Ｚ}Ｎ層６０８の＜０００１＞方位から傾斜させている。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体を大面積で且つ膜割れを生じさせることなく異種基板から分離することができるようにする。
【解決手段】波長が３５５ｎｍのパルス状に発振するＹＡＧレーザの第３高調波光を基板１０における窒化ガリウムを含む半導体膜１１の反対側の面からその面内をスキャンするように照射する。レーザ光は基板１０では吸収されず、半導体膜１１の基板１０との界面の近傍で吸収される。このとき、レーザ光のパワー密度を約２８０ｍＪ／ｃｍ^２に設定することにより、第１コンタクト層５１を構成する窒化ガリウムにおけるガリウムの組成がその化学量論比と比べて大きい、ガリウムリッチな状態に変質した変質層１１ａが界面近傍に形成する。 （もっと読む）

本発明の実施形態による窒化物半導体発光素子は、基板と、第１半導体層、第２半導体層を含みながら上記基板の一側上に形成された発光素子と、第４半導体層、第５半導体層を含みながら上記基板の他側上に形成された保護素子と、上記発光素子と上記保護素子とを電気的に連結する連結配線とを含むことができる。 （もっと読む）

【課題】紫外領域または青色−紫色の可視領域の長波長光源によって励起し、主として
、紫色−青色−黄色−赤色の可視領域で発光する蛍光体を提供する。また、実装が容易で
、演色性に優れた低コストの発光ダイオードであって、放射角による色合変化の少ない発
光ダイオードを提供する。
【解決手段】 本発明のＳｉＣ製蛍光体は、外部光源により励起して発光し、ＢまたはＡ
ｌのうちいずれか１種類以上の元素と、Ｎとによりドーピングされたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】活性層を含む部分から厚さ方向と垂直な方向に向けて集中的に高輝度な光を出射可能な半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】基板１と、基板１上に積層されたｎ−ＧａＮ層２、活性層５、およびｐ−ＩｎＧａＮ層６とを備えており、活性層５には、ＩｎＧａＮが含まれている半導体発光素子Ａであって、ｐ−ＩｎＧａＮ層６は、ｐ型不純物がドープされており、かつその組成がＩｎ_xＧａ_(1-x)Ｎ（０＜ｘ＜１）とされており、ｐ−ＩｎＧａＮ層６と活性層５とは、直接接している。 （もっと読む）

【課題】劈開による端面発光部の形状異常を抑制して安定した高ＣＯＤレベルを有し、かつ低電圧動作可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】ｐ型クラッド層３０９と活性層３０５との間に電流注入用ストライプ状開口部が形成された電流狭窄層３０８を有し、電流狭窄層３０８は、劈開によって形成される端面近傍において発光部上部にも形成されている。 （もっと読む）