【課題】大型化を伴わずに発光効率を向上する。
【解決手段】発光装置は、青色光を放射するＬＥＤチップ１０と、ＬＥＤチップ１０が実装された実装基板２０と、実装基板２０におけるＬＥＤチップ１０の実装面側でＬＥＤチップ１０を囲む枠体４０と、枠体４０の内側に透明樹脂材料を充填して形成されてＬＥＤチップ１０およびＬＥＤチップ１０に接続されたボンディングワイヤ１４，１４を封止し且つ弾性を有する封止部５０と、ＬＥＤチップ１０から放射された光によって励起されてブロードな黄色光を放射する黄色蛍光体を透明材料とともに成形した成形品であって光学部材６０の光出射面６０ｂ側に光学部材６０を覆い光出射面６０ｂおよび枠体４０との間に空気層８０が形成される形で配設されるドーム状の保護カバー７０とを備える。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長層との格子定数がマッチでき、歪みや欠陥の少ないIII-Ｖ族窒化物系デバイスを製造できるIII-Ｖ族窒化物系半導体基板、及びこの基板を安価に再現性良く製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉドープＧａＮ層１１上にＳｉドープＡｌＧａＮ層１２を形成し、ＡｌＧａＮ層１２の表面及びＧａＮ層１１の裏面を平坦に研磨して複合自立基板１０とする。 （もっと読む）

【課題】エッチング後の窒化物半導体の表面が清浄となり、変質層が形成されない窒化物半導体装置を得られるようにする。
【解決手段】窒化物半導体装置は、表面がエッチングされたｐ型ＧａＮからなるｐ型光ガイド層１０６と、該ｐ型光ガイド層１０６における被エッチング面の上に形成されたｐ型ＧａＮからなるｐ型コンタクト層１０８とを有している。ｐ型光ガイド層１０６とｐ型コンタクト層１０８との界面における酸素、炭素及びシリコンのうち少なくともシリコンの濃度は、ｐ型光ガイド層１０６におけるドーパント濃度の１０分の１以下である。 （もっと読む）

【課題】半導体多層ミラーが、エピキタシャル層の再成長が必要な埋め込み構造をとることなく、上側電極から直下に電流が流れることを阻止でき、かつ基板電極と発光素子との導通を確保できる発光素子アレイを提供する。
【解決手段】ｐ型基板５１上に、反射層２５、ｐ型の第１層２４、ｎ型の第２層２３、ｐ型の第３層２２、ｎ型の第４層２１が順次形成されている。第４層２１の上にはカソード電極３６が形成され、エッチングにより一部露出された第３層２２上にゲード電極３７が形成され、エッチングにより一部露出された第４層２４上とエッチングによって露出された基板５１との間を短絡電極６３で接続する。基板５１の裏面には、裏面共通電極５３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】劈開による端面発光部の形状異常を抑制して安定した高ＣＯＤレベルを有し、かつ低電圧動作可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】ｐ型クラッド層３０９と活性層３０５との間に電流注入用ストライプ状開口部が形成された電流狭窄層３０８を有し、電流狭窄層３０８は、劈開によって形成される端面近傍において発光部上部にも形成されている。 （もっと読む）

【課題】素子の動作を安定化することが可能な半導体素子を提供する。
【解決手段】この半導体素子は、少なくとも裏面の一部に転位の集中している領域８を有するｎ型ＧａＮ基板１と、ｎ型ＧａＮ基板１の表面上に形成された窒化物系半導体各層（２〜６）と、転位の集中している領域８上に形成された絶縁膜１２と、転位の集中している領域８以外のｎ型ＧａＮ基板１の裏面の領域に接触するように形成されたｎ側電極１３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】動作効率や静電耐圧性能の高い半導体光素子を提供する。
【解決手段】フラックス法により混合フラックスとIII族元素とを攪拌混合しながらIII族窒化物系化合物半導体結晶を結晶成長させて製造した光素子基板１０１はＳｉドープの厚さ約３００μｍのｎ型ＧａＮ結晶から成り、その上には、アンドープIn_0.1Ga_0.9N から成る層とアンドープGaN から成る層とを交互に２０ペア積層することによって構成された膜厚９０ｎｍの多重層１０５が形成されており、その上には、アンドープＧａＮから成る障壁層とアンドープIn_0.2Ga_0.8N から成る井戸層とが順次積層された多重量子井戸層１０６が形成されている。また、Ｍｇドープのｐ型Al_0.2Ga_0.8N から成るｐ型層１０７の上には、アンドープのAl_0.02Ga_0.98N から成る層１０８を形成した。ｐ側の電極は、ｐ型ＧａＮ層１１１の上に積層したＩＴＯからなるＩＴＯ電極１２０で構成した。 （もっと読む）

【課題】本発明は窒化物半導体単結晶基板、その製造方法及びこれを用いた垂直構造窒化物発光素子の製造方法に関する。
【解決手段】本発明の第１側面は、１００μｍ以上の厚みを有し、厚さ方向に上部領域２２ｂ及び下部領域２２ａに区分され、上部領域２２ｂのドーピング濃度は、下部領域２２ａのドーピング濃度の５倍以上であることを特徴とする窒化物単結晶基板２２を提供する。好ましくは、上部領域２２ｂに該当する基板２２の上面はＧａ極性を有する。また、具体的な実施形態において、下部領域２２ａは意図的にドープされていない領域で、上部領域２２ｂはｎ型不純物でドープされていてもよい。この場合、上部及び下部領域２２ｂ、２２ａは、各々厚さ方向にほぼ同じドーピング濃度を有することが好ましい。また、本発明は窒化物単結晶基板２２の製造方法とこれを用いた垂直構造窒化物発光素子の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】結晶性が良好で高品質なＡｌＮ層及びこれに類する高熱伝導率の層を表面に有するIII-Ｖ族窒化物系半導体基板、当該基板を使用した放熱性に優れた高出力のIII-Ｖ族窒化物系デバイス、及びこれらを安価に再現性良く製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ層１１上にＡｌＮ層１２を形成し、ＡｌＮ層１２の表面及びＧａＮ層１１の裏面を平坦に研磨して複合自立基板１０とする。発光デバイスは、この複合自立基板１０上にデバイス構造を形成した後、バックラップによりＧａＮ層１１の裏面からＡｌＮ層１２に到達するまでＧａＮ層１１を除去することにより形成する。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い発光装置を提供する。
【解決手段】 発光素子と、前記発光素子の電極の表面に分配して設けられた導電膜と、配線パターンを有する支持体と、を有し、前記導電膜は、前記配線パターンと接合しており、前記電極と前記導電膜との接合面積は、前記導電膜と前記配線パターンとの接合面積より大きいことを特徴とし、前記発光素子は、同一面側に平面積が異なる正負の電極を有し、前記導電膜は、前記正負の電極のうち少なくとも平面積の大きい電極の表面に形成されていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】歩留まりがよく、局所的な領域から光を放出する側面発光半導体素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る側面発光半導体素子は、Ｍｇの濃度が、５×１０¹⁹ｃｍ^-3以下にドープされたＡｌＧａＮ層と、ＡｌＧａＮ層及び活性層を含む積層構造の上部に形成されるストライプ状のリッジと、ＡｌＧａＮ層が露出するリッジ以外の積層構造の上面に形成されるショットキーバリアとを備える。 （もっと読む）

【課題】ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体およびこの半導体とオーミック接触を形成する新規な電極を有する、半導体素子を提供すること。
極を有する、半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体素子は、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体と、該半導体とオーミック接触する電極と、を有し、該電極が前記半導体と接するＴｉＷ合金層を有する。好適態様によれば、上記電極は接点用電極を兼ねることもできる。好適態様によれば、上記電極は耐熱性に優れる。さらに、上述の半導体素子の製造方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】ＡｌまたはＡｇからなる反射層を有する３族窒化物系発光ダイオードにおいて、ハンダなどから反射層への望ましくない金属成分の拡散が起こることによって反射層の反射率が低下する問題の発生を防止し、その発光輝度の向上を図ることを目的とする。
【解決手段】Ａｌ反射層またはＡｇ反射層を含む金属反射膜を備え、更に、金属反射膜とは別個に設けられるボンディング電極と、該ボンディング電極と該金属反射膜との間に設けられる、非金属材料からなる保護膜を有する。この保護膜が、ボンディング電極やそれに接合されるハンダからＡｌ反射層またはＡｇ反射層への、望ましくない金属成分の拡散を防止するので、この３族窒化物系発光ダイオードは発光輝度の優れたものとなる。 （もっと読む）

【課題】素子封止樹脂層の切削屑の固着を十分に抑制することができ、信頼性、歩留り、光の取り出し効率の低下を防止し得る発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＬＥＤチップ２が上面に搭載されて樹脂層３により封止された状態の基板１上の全面に親水化処理を施す第１の工程と、親水化処理後に樹脂層の表面および基板に洗浄水を流しながらＬＥＤチップを避けた位置で樹脂層および基板をダイシング・ブレードにより切断する第２の工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 再成長Ｐ型ＧａＮコンタクト層とＰ型ＡｌＧａＮクラッド層の再成長界面近傍が高抵抗化するという問題が発生し、発光素子の直列抵抗が大きくなるため、駆動電圧の増加及び発光素子の信頼性が悪化する。
【解決手段】 本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、凹凸状加工領域を備えたサファイヤ基板と、バッファ層と、前記バッファ層の上方に形成された第１の窒化ガリウム系化合物半導体層と、前記第１の窒化ガリウム系化合物半導体層の上方に形成された活性層とを備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、前記バッファ層は、前記凹凸状加工領域の上方に凹凸を有し、前記凹凸状加工領域の上方における前記第１の窒化ガリウム系化合物半導体層の抵抗率は、凹凸状に加工されていない部分の上方における第１の窒化ガリウム系化合物半導体層の抵抗率より低いことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮバッファ層を有する発光ダイオード及びその製造方法に関し、特に、基板からＧａＮ系半導体層に行くほど、Ａｌの組成比ｘが減少するＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）バッファ層を介在させ、基板とＧａＮ系半導体層との間の格子不整合を緩和した発光ダイオード及びその製造方法に関する。
このため、本発明は、基板と、前記基板の上部に位置する第１の導電型半導体層と、前記基板と第１の導電型半導体層との間に介在され、前記基板から前記第１の導電型半導体層に行くほど、Ａｌの組成比ｘが減少するＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）バッファ層と、を備える発光ダイオードを提供する。
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【課題】窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子は、第１導電型の下側窒化物半導体層４と、前記第１導電型の下側窒化物半導体層４上に電流拡散層５と、前記電流拡散層５上に第１導電型の上側窒化物半導体層６と、前記第１導電型の上側窒化物半導体層６上に活性層７と、前記活性層７上に第２導電型の窒化物半導体層８と、が含まれる。 （もっと読む）

本発明はＩＩＩ−Ｖ族半導体の製造方法に関するものである。本発明によれば、前記方法は、電子アクセプタであるｐ型ドーパントで、原子価ｘが０と１の間に含まれる数を表す、一般式Ａｌ_xＧａ_1-xＮの半導体をドーピングする、少なくとも一つのドーピング過程と、価電子帯の構造を変えることのできる共ドーパントによる共ドーピング過程とから成る。本発明は、半導体、ならびに電子産業または光電子産業におけるその使用にも関するものである。本発明はさらに、かかる半導体を使用するデバイスならびにダイオードに関するものである。 （もっと読む）

【課題】高品質の自立３−５族窒化物半導体基板を低コストで容易に得る。
【解決手段】下地基板１上に配置された無機粒子２をエッチングマスクとして下地基板１をドライエッチング処理して下地基板１の表面に無機粒子２の形状に対応した凸部１Ｂを形成した後、下地基板１上にエピタキシャル成長マスク用の被膜３を形成する。しかる後、凸部１Ｂの上に残留している無機粒子２を除去することによって凸部１Ｂの各頂部において下地基板１を露出させ、各頂部の下地基板露出面から３−５族窒化物半導体を成長させて３−５族窒化物半導体層５を形成した後、３−５族窒化物半導体層５を下地基板１から分離して、自立３−５族窒化物半導体基板を得る。 （もっと読む）

本発明は、ワイドバンドギャップ半導体材料で作製され、ワイドバンドギャップ半導体デバイス内にトンネル接合を有する低抵抗ｐ型閉じ込め層を備えるＬＥＤである。異種材料は、この材料が生来の双極子を発生させるトンネル接合の所に配置される。この生来の双極子が使用されて、異種材料が無い状態での幅より小さいトンネル幅を有する接合を形成する。ワイドバンドギャップ半導体デバイス内にトンネル接合を有する低抵抗ｐ型閉じ込め層は、閉じ込め層の接合中に分極電荷を発生させることによって、また分極電荷が無い状態での幅より小さいトンネル幅を接合中に形成することによって作製できる。閉じ込め層中のトンネル接合を介するトンネリングは、接合内に不純物を追加することによって向上させることができる。これらの不純物は接合中にバンドギャップ状態を形成できる。
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