【課題】光取り出し効率を大幅に向上できる発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光波長に対して透明な基板８を有する半導体発光ダイオードチップ４が、支持体としてのカップ部２に形成された凸部３の上に設けられており、凸部３は、半導体発光ダイオードチップ４の底面４ａよりも狭い面積の上面３ａを有し、且つ上面３ａよりカップ部２の底壁面２ａに向かって次第に断面積が拡大した形状であって、傾斜した側面３ｂを有する。 （もっと読む）

【課題】更なる高輝度化及び省電力化を可能とした発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電極パッド９，１０が設けられた発光素子２と、電極リード１１，１２が設けられたリードフレーム３とを備え、電極パッド９，１０と電極リード１１，１２とがボンディングワイヤー１４，１５を介して電気的に接続された発光装置であって、発光素子２は、リードフレーム３との間に間隔Ｈを設けて配置されている。これにより、発光素子２のリードフレーム３と対向する面側から放出される光を有効に利用し、この発光素子２が発する光の利用効率を更に高めることができる。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型不純物元素の活性化率が高く、抵抗率の低いｐ型半導体層を有した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ｐ型ＧａＮ系化合物半導体層１５を堆積する工程と、禁制帯幅がｐ型ＧａＮ系化合物半導体層１５よりも小さいｎ型ＧａＮ系化合物半導体層１６を堆積する工程と、水素ガスを含む雰囲気中で原子状水素（Ｈ）をｐ型ＧａＮ系化合物半導体層１５に溶解させる温度範囲に存在する基板温度まで冷却する工程と、ｎ型ＧａＮ系化合物半導体層１５に接して、金属薄膜１８を堆積する工程とを少なくとも有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

本発明は、ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法を開示する。ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子は、溝が形成された基板、基板上に成長した、電子と正孔の再結合により光を生成する活性層を備える複数の窒化物半導体層、及び溝上に複数の窒化物半導体層に沿って形成された開口部を含むことを特徴とする。

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【課題】III族窒化物半導体を有する半導体発光素子において、動作電圧を低減するとともに発光効率を向上することが可能な技術を提供する。
【解決手段】ｎ型III族窒化物半導体から成るｎ型基板１上には、ｎ型クラッド層２と、ｎ型光ガイド層３と、不純物がドーピングされていない多重量子井戸（ＭＱＷ）活性層４と、ｐ型電子障壁層５と、ｐ型光ガイド層６と、ｐ型クラッド層７と、ｐ型コンタクト層８とがこの順で積層されている。ｐ型電子障壁層５はｐ型Ａｌ_x2Ｇａ_(1-x2)Ｎ（０＜ｘ２＜１）から成り、ｐ型クラッド層７はｐ型Ａｌ_x3Ｇａ_(1-x3)Ｎ（０＜ｘ３＜１）から成り、ｐ型コンタクト層８はｐ型ＧａＮから成る。ｐ型電子障壁層５、ｐ型クラッド層７及びｐ型コンタクト層８はそれぞれｐ型ドーパントとしてベリリウムを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】高品質の半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）基板３１を準備する。（ｂ）基板３１上にバッファ層３２を形成する。（ｃ）基板３１を第１の温度にして、バッファ層３２上または上方に第１導電型の第１の３族窒化物半導体層３３を形成する。（ｄ）基板３１の温度を第１の温度以下の温度範囲で下げながら、第１の３族窒化物半導体層３３上に第２の３族窒化物半導体層３４を形成する。（ｅ）基板３１を工程（ｄ）における温度以下の第２の温度にして、第２の３族窒化物半導体層３４上に、通電により発光が行われる第３の３族窒化物半導体層４１を形成する。（ｆ）第３の３族窒化物半導体層４１上に、第１導電型とは逆導電型の第２導電型を有する第４の３族窒化物半導体層３５を形成する。（ｇ）第１の３族窒化物半導体層３３に電気的に接続される電極３６、及び、第４の３族窒化物半導体層に電気的に接続される電極３７を形成する。 （もっと読む）

【課題】高輝度の白色発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子は、電流注入により第１の波長の光を放射する活性層を含む半導体発光チップと、前記半導体発光チップの基板の表面に接着され、前記第１の波長の光により励起されて第２の波長の光を放射する発光層と、を備え、前記発光層が前記基板の表面の１／３〜２／３の面積に複数に分かれて形成され、且つ、前記発光層が、前記発光層のバンドギャップよりもバンドギャップの大きなｐ型とｎ型の一対のクラッド層に、挟まれている、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、シリコン基板上にＡｌＮを成長させるための改良された方法、さらに、シリコン基板上に、例えばIII族窒化物材料等のワイドギャップ材料を成長させるための改良された方法、さらには、シリコン基板上にＳｉＣを成長させるための改良された方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、半導体プロセス技術及び装置に関する。特に、本発明は、シリコン基板上に高品質のIII族窒化物層を形成する方法、及びそれにより得られる装置に関する。本発明では、シリコン基板に対してプレドージング工程が適用される。当該プレドージング工程では、基板を、少なくとも０．０１μｍｏｌ／ｃｍ^２の、Ａｌを含む１以上の有機金属化合物に、５μｍｏｌ／分未満の流速でさらす。本発明は、また本発明により得られる半導体構造、並びに当該構造を備える装置に関する。 （もっと読む）

【課題】良好な色純度を得ることができるとともに、発光強度を高めることができるIII族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体を用いたＭＱＷ１４を備えたIII族窒化物半導体発光素子１において、ＭＱＷ１４を構成する第１井戸層２１〜第４井戸層２４は、各発光波長を互いに合致させるような成長条件をもってそれぞれ形成されている。これにより、ＭＱＷ１４を構成する第１井戸層２１〜第４井戸層２４の各発光波長が互いに合致することになる。 （もっと読む）

【課題】高輝度化を図ることが可能な半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】ＩｎＧａＮを含む活性層３と、活性層３を挟んで積層されたｎ−ＧａＮ層２およびｐ−ＧａＮ層４と、を備える半導体発光素子Ａであって、ｐ−ＧａＮ層４は、活性層３に直接接しているとともに、ＧａＮにｐ型不純物がドープされており、かつその少なくとも一部にドープ濃度１×１０¹⁶〜１×１０²¹ａｔｏｍｓ／ｃｍ³でＩｎがさらにドープされている。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上に、３Ｃ−ＳｉＣ層を形成することなく、優れた結晶性で成膜されたＡｌＮまたはＧａＮからななり、発光ダイオード、レーザ発光素子、高速高温動作可能電子素子等の他、高周波デバイスにも好適に用いることができる窒化物半導体単結晶を提供する。
【解決手段】Ｓｉ（１１０）基板上に、２Ｈ−ＡｌＮバッファー層を介して、ＧａＮ（０００１）もしくはＡｌＮ（０００１）単結晶膜、または、ＧａＮ（０００１）およびＡｌＮ（０００１）の超格子構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】第１のブラッグ反射膜と第２のブラッグ反射膜を積層させたときの格子定数差を解消することにより耐久性が向上し、かつ反射効率が高い反射層を提供する。
【解決手段】本発明に係る反射層は、第１の屈折率を有する第１のブラッグ反射膜２１と、第１のブラッグ反射膜２１上に形成された格子歪み緩衝膜２２と、格子歪み緩衝膜２２上に形成され、第２の屈折率を有する第２のブラッグ反射膜２３とを具備し、格子歪み緩衝膜２２は、第１のブラッグ反射膜２１から第２のブラッグ反射膜２２に近づくにつれて、屈折率が、第１の屈折率から第２の屈折率に近づく方向に変化しているものである。 （もっと読む）

【課題】放熱性の優れた窒化物半導体素子及び窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化物半導体素子は、少なくともＭＱＷ活性層１３０を備える窒化物半導体層と、窒化物半導体層の主面上に設けられ、且つ、金層又は金と錫との合金層からなる第１接合層１５５と、第１接合層１５５と接合され、且つ、金層又は金と錫との合金層からなる第２接合層１５６と、第２接合層１５６に接合され、且つ、１００Ｗ/ｍＫ以上の熱伝導率を有する支持基板１７０とを備え、第１接合層１５５及び第２接合層１５６の合計の厚みｔが、５μｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】カラーバランス調節が容易な高品質の白色発光素子を提供する。
【解決手段】本発明による白色発光素子は、基板と、上記基板上に順次形成されたｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層を有して第１放出光を出す発光構造物と、上記第１放出光の一部を吸収して他の波長の第２放出光に変換させるよう配置された波長変換用薄膜パターンとを含み、上記波長変換用薄膜パターンは第１放出光を選択的に通過させるオープン領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】 光出射側の反射層の構造をより簡単にし、高温側でも発光出力の低下し難い、新規な垂直共振器型発光ダイオードを提供する。
【解決手段】 発光層となる活性層５と、活性層５を挟んで形成された光反射側の第１反射層３及び光出射側の第２反射層９とを有する垂直共振器型発光ダイオード１であって、第１及び第２反射層３，９は、互いに屈折率が異なる半導体交互層を１対として、この対を複数積層した構造を有し、第２反射層９の対数が、第１反射層３の対数の１／１０以上、かつ、１／３以下とする。第１反射層の対数を、１１対以上、かつ、４１対以下とすれば、より発光出力を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】生産性が高く、発光出力及び応答特性が良く、かつ発光に必要な順方向電圧の上昇を抑制することができる面発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る面発光素子は、量子井戸層５１及びバリア層５２を交互に積層させた活性層５と、活性層５の上方及び下方それぞれに配置された反射層とを具備する垂直共振型の面発光素子であって、複数の量子井戸層５１の中心間距離をＬ、面発光素子の発光波長をλ、反射層間の距離である共振器の光学長の平均屈折率をｎとした場合に、λ／（１５×ｎ）≦Ｌ≦λ／（１０×ｎ）であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基板剥離における簡便化と剥離面のダメージの軽減を図った窒化物半導体ウエハないし窒化物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
出発基板上に出発基板表面を選択的に露出する端部から連続したパターンの犠牲膜を形成する。犠牲膜を含んだ出発基板上にボイド窒化物半導体層を形成する。ボイド窒化物半導体層の上に素子形成用窒化物半導体層を形成する。素子形成用窒化物半導体層上に支持基板を取り付けた後、犠牲膜を除去して出発基板をボイド窒化物半導体層から剥離させる。 （もっと読む）

【課題】水性条件、即ち湿気に関してより安定にするべくアルカリ土類及び鉄属元素を含む結晶混合ケイ酸塩ベースの蛍光体、およびこれを用いた発光装置を提供する。
【解決手段】フェラスメタルアルカリ土類金属混合ケイ酸塩系蛍光体の励起波長帯である青色光で波長変換部７Ｒおよび波長変換部７Ｇとが励起されることにより、演色性および色再現性に優れる白色光が得られるとともに、湿気に対して蛍光体の劣化を生じにくい発光装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体について、結晶欠陥を低減でき、反りが生じず、成長面に対する側面（光共振面）の垂直性が高く、さらにエッチング等の後加工によるダメージが無い、窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法及び発光素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 少なくとも表面が化学式ＸＢ_２（但し、ＸはＴｉ及びＺｒの少なくとも１種を含む。）で表される二硼化物単結晶から成る基体１０上に、第１の窒化ガリウム系化合物半導体層１４を形成する工程と、第１の窒化ガリウム系化合物半導体層１４を部分的に除去して平面視で島状の第１の窒化ガリウム系化合物半導体層１４の領域を多数形成する工程と、基体１０の露出した部位を窒化する工程と、多数の島状の第１の窒化ガリウム系化合物半導体層１４の領域上に、第２の窒化ガリウム系化合物半導体層１６を形成する工程を具備する。 （もっと読む）

【課題】テクスチャ構造を有しながらも、封止時に封止材料中にボイドが生じ難いＬＥＤチップと、その製造方法、および、かかるＬＥＤチップを透光性材料で封止してなる発光装置を提供すること。
【解決手段】ＬＥＤチップ１０は、発光層１２２に積層された、光取出し方向側にテクスチャ化表面Ｔを有する透光性層１３を備え、テクスチャ化表面Ｔは透光性層１３との間にボイドを残すことなく形成された平滑化層１４により覆われており、平滑化層１４は透光性層１３よりも低い屈折率を有し、かつ、その露出した表面がテクスチャ化表面Ｔよりも平滑である。 （もっと読む）