【課題】光抽出効率が改良されうる構造を有する窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に順次に積層されたｎ型クラッド層、活性層、およびｐ型クラッド層を備え、前記ｎ型クラッド層は、第１クラッド層と、第２クラッド層と、前記第１クラッド層と前記第２クラッド層との間に配置され、活性層内で発生する光を回折、散乱、または回折および散乱させるものであって、複数のナノ柱配列を含む光抽出層と、を備えることを特徴とする、窒化物半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】基板上にＧａＮ系半導体を形成してなる積層体に導電性基板を接合し、その後積層体側の基板を除去してＧａＮ系半導体発光素子を製造する際に、接合強度を高くできかつ接合界面の抵抗成分も十分に低くできるようにする。
【解決手段】本発明は、ＧａＮ系半導体からなる各層を備えるＧａＮ系半導体発光素子１において、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層のＧａＮ系半導体からなる各層１２が順に積層され、最上層に金属からなる第１の接合層１４を有する積層体１０Ａと、導電性基板３１上に形成されているとともに、その導電性基板３１が形成されている側とは反対側の面が第１の接合層１４と接合しその第１の接合層１４とは実質的に同一物質からなりかつ接合面直方向の結晶方位が互いに同一である第２の接合層３３と、を有するものである。 （もっと読む）

【課題】光り取り出し面とは逆の面に２つの電極を有する発光ダイオードにおいて、光取り出し効率が高く、高輝度の発光ダイオードを提供することを目的とする。
【解決手段】組成式（Ａｌ_XＧａ_1-X）_YＩｎ_1-YＰ（０≦Ｘ≦１，０＜Ｙ≦１）から成る発光層を含む発光部を有し、該発光部を含む化合物半導体層を透明基板と接合された発光ダイオードである。この発光ダイオードの主たる光取り出し面とは逆の面に第1の電極と、第１の電極と極性の異なる第２の電極とを有し、第１の電極側の表面には反射金属膜が形成され、第２の電極は第１電極と対向する側に露出させた化合物半導体層上の角の位置に形成されている。透明基板の側面は、発光層に近い側では発光層の発光面に対して略垂直である第１の側面と、発光層に遠い側では発光面に対して傾斜している第２の側面からなる。 （もっと読む）

【課題】半導体層間の格子歪を適切に緩和することが可能である半導体発光素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板１と、基板１に支持されたｎ−ＧａＮ層２と、ｎ−ＧａＮ層２よりも基板１に対して離間した位置に形成されたｐ−Ｇａｎ層７と、ｎ−Ｇａｎ層２およびｐ−ＧａＮ層７の間に形成されており、かつＩｎＧａＮを含む活性層４と、活性層４とｐ−ＧａＮ層７との間に形成されており、かつＩｎＧａＮを含む昇華防止層５と、昇華防止層５とｐ−ＧａＮ層７とに挟まれており、かつその厚さ方向においてＩｎの組成比が上記第２窒化物半導体層に近づくほど小となるように傾斜させられているＩｎ組成傾斜層６と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】発光強度の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１２上に組成式Ｉｎ_x（Ｇａ_1-yＡｌ_y）_1-xＰで表される化合物半導体の混晶をエピタキシャル成長させ、Ｎ型クラッド層１４（０．４５＜ｘ＜０．５０，０≦ｙ≦１）と活性層１５とＰ型クラッド層１６とカバー層１７とを有するエピウェーハを形成する工程と、カバー層１７をエッチングにて除去してＰ型クラッド層１６の表面を露出させる工程と、Ｐ型クラッド層１６の上に、鏡面加工されたＧａＰ基板１１を、被鏡面加工面がＰ型クラッド層１６に接するように載置して室温にて一体的に接合させる工程と、熱処理をする工程と、ＧａＡｓ基板１２側からエッチング処理を行いＮ型クラッド層１４を露出させる工程と、Ｎ型クラッド層１４の表面とＧａＰ基板１１の裏面に電極１９をそれぞれ形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は光取り出し面とは逆の面に２つの電極を有する発光ダイオードにおいて、光の取り出し効率が高く、高輝度の発光ダイオードを提供することを目的とする。
【解決手段】組成式（Ａｌ_XＧａ_1-X）_YＩｎ_1-YＰ（０≦Ｘ≦１，０＜Ｙ≦１）から成る発光層を含む発光部を有し、該発光部を含む化合物半導体層を透明基板と接合された発光ダイオードである。発光ダイオードの主たる光取り出し面とは逆の面に第1の電極と、第１の電極と極性の異なる第２の電極とを有し、第１の電極側の表面には反射金属膜が形成されている。第２の電極は第１の電極と対向する側に露出させた化合物半導体層上に形成されている。透明基板の側面は、発光層に近い側では発光層の発光面に対して略垂直である第１の側面と、発光層に遠い側では発光面に対して傾斜している第２の側面を有している。 （もっと読む）

【課題】発光効率の向上に有利な半導体部材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体部材の製造方法は、凸部１０ａを有する下地基板１０の凸部１０ａの上に複数の半導体層２１、２２、２３、２４を含む積層構造体２０を形成する積層工程と、積層構造体２０から下地基板１０を除去する除去工程とを含み、積層工程は、凸部１０ａの上に断面において末広がりに第１半導体を２１成長させる工程を含む。 （もっと読む）

半導体材料の活性領域と、該活性領域の対向する側にある、１対の、半導体材料の、反対極性にドープされた層とを有する発光体構造を備えた固体発光デバイスを提供する。活性領域は、ドープされた層の両端に印加された電気的バイアスに応じて所定の波長で発光する。発光体構造と集積化され、少なくとも１つの希土類または遷移金属元素がドープされた、半導体材料の吸収層が含まれている。吸収層は、活性領域からの発光の少なくともいくらかを吸収し、少なくとも１つの異なる波長の光を再放出する。基板が含まれ、その上に発光体構造と吸収層とが配置されている。
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【課題】活性層にＭｇ等の不純物が拡散することなく、結晶性を向上させる窒化物系半導体素子を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体素子は、ｎ−ＧａＮ層１０３と、ｎ−ＧａＮ層１０３上に形成された活性層１０４と、活性層１０４上に、ドーピング濃度５×１０¹⁹〜２×１０²⁰個／cm³でＭｇをドーピングし、９００〜１２００℃の範囲の成長温度で形成された第１のＡｌＧａＮ層１０５と、第１のＡｌＧａＮ層１０５上に、９００〜１２００℃の範囲の成長温度で形成された第２のＡｌＧａＮ層１０６と、第２のＡｌＧａＮ層１０６上に形成された、ｐ−ＧａＮ層１０７とを備える。 （もっと読む）

【課題】電源ラインの配線が容易で発光強度の面内均一性が良好な化合物発光素子を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を含んでそれぞれ構成された第１導電型クラッド層、活性層構造、第２導電型クラッド層を有し、前記第１導電型クラッド層と前記第２導電型クラッド層とによって活性層構造が挟まれた発光素子が提供される。発光素子は、第１導電型クラッド層にキャリアを注入する第１導電型側電極７と、第２導電型クラッド層にキャリアを注入する第２導電型側電極６とを備える。第１導電型側電極７は、開口部７ｐを有する。第２導電型側電極６は、第１導電型側電極７によって部分的に取り囲まれる主電極部６−０と、開口７ｐを通して主電極部６−０を第１導電型側電極７の外側に引き出す引出部６−１、６−２とを有する。主電極部６−０は、定幅図形の一部で構成され、主電極部６−０の外縁と第１導電型側電極７の内縁との間の間隔は、ほぼ一定である。 （もっと読む）

【課題】転位密度が低い窒化物系半導体基板を安価かつ生産性良く製造する方法、及び低転位密度の窒化物系半導体基板、並びに当該基板を用いて形成した発光出力の高い窒化物系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板上に、第１のＧａＮ層を成長速度が５００μｍ／時以下で膜厚が１０μｍ以上になるように成長させた後、第１のＧａＮ層上に、第２のＧａＮ層を成長速度が６００μｍ／時以上で成長させて窒化物系半導体基板を製造し、この基板を用いて、窒化物系半導体発光素子を作製する。 （もっと読む）

【課題】半導体材料の応力及び亀裂のない堆積のための基板と、かかる基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層構造の製造方法にあたり、ａ）半導体材料からなる基板を準備し、ｂ）前記基板上に第二の半導体材料からなる層を施与して、半導体構造を作製し、ｃ）該半導体層構造中に軽ガスイオンを注入して、半導体層構造内に空洞を含む層を作製し、ｄ）前記空洞を規定種の不純物原子によって安定化し、ｅ）該半導体層構造上に少なくとも１層のエピタキシャル層を施与する。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜と半導体間のオーミック接続を効率よく確保し、発光体から発生する光を効率的に外部に取り出すことを可能とした半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体発光素子１は、発光部６を介して第一導電型層５と第二導電型層７を配してなる積層体と、該積層体上に設けた透明導電体１１とを備える半導体発光素子であって、前記透明導電体１１は、少なくとも２層以上の透明導電膜１０からなり、仕事関数において、透明導電体の最表層αと積層体の最表層γとの間に位置する透明導電体の中間層βは、α＞β＞γまたはα＜β＜γの関係にあることを特徴とする。 （もっと読む）

ＡｌＧａＩｎＮシステムにおける化合物及びアロイに基づいてレーザー及び白色光を生成する発光ダイオードのための非極性エピタキシャルヘテロ構造体を成長させる方法が、一般式のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）に表現される一つまたは多重のヘテロ構造体層の気相蒸着段階を含み、ここで（a）‐ランガサイト（Ｌａ_３Ｇａ_５ＳｉＯ_１４）基板を使用してＡ^３Ｎ構造体を成長させる段階が、ヘテロ構造体において欠陥密度及び機械的ストレスを減少させる目的に適用される。
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【課題】ＡｌＧａＩｎＰからなる発光層部の両面にＧａＰ光取出層がエピタキシャル成長されているにも拘わらず、発光層部への結晶欠陥の導入が効果的に抑制され、ひいては発光輝度や素子ライフに優れた発光素子を提供する。
【解決手段】 発光素子１００は、ＡｌＧａＩｎＰからなるダブルへテロ構造を有する発光層部２４と、発光層部２４の一方の主表面側にエピタキシャル成長された発光層部２４よりも厚い第一のＧａＰ光取出層２０と、発光層部２４の他方の主表面側にエピタキシャル成長された発光層部２４よりも厚い第二のＧａＰ光取出層９０とを備える。そして、第二のＧａＰ光取出層９０と発光層部２４との間に、ＧａＡｓ_ＸＰ_１−Ｘ（ただし、ＸはＧａＡｓ混晶比：０＜Ｘ＜１）からなる接続層９１を設ける。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜のエッチングの際に半導体に与える悪影響を低減し、発光部から発生する光を効率的に外部に取り出すことを可能とした半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の発光素子は、発光部を介して第一導電型層と第二導電型層を配してなる積層体と、該積層体上に設けた透明導電性基板とを備え、前記透明導電性基板は、透明基材と、該透明基材上に形成された透明導電膜とから構成され、前記透明導電性基板は、透明導電性高分子を介して、前記透明導電膜側が前記積層体に対向するように配設されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上させることができ、チップ分離溝を形成する際に発生する活性層のダメージを取り除くことができるとともに製造工程を複雑化、長時間化させない窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】活性層３を挟むようにしてｎ型窒化物半導体層２とｐ型窒化物半導体層４が形成されており、ダブルへテロ構造を有する。活性層３は、ｎ型窒化物半導体層２とｐ型窒化物半導体層４と横幅が揃っておらず、少し削られたような形状となっている。チップに分離するための分離溝をドライエッチングで形成した後、ｎ型窒化物半導体層２が露出した表面の粗面加工を行う工程で、活性層３の側面が溶けて幅が狭くなったものである。この活性層３側面の溶解により、ドライエッチングでのダメージが除去される。 （もっと読む）

【課題】電極に使用する金属の反射率に関係なく、光の取り出し効率を高めて、出射光の照射角度が広がりを持つような窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】発光領域としてのＭＱＷ活性層３を挟むようにしてｎ側反射防止層２とｐ側ブラッグ反射層４が形成されており、ダブルへテロ構造を有する。ｎ側反射防止層２の上には、ｎ電極１が形成され、ｐ側ブラッグ反射層４の下側には、ｐ電極５、反射膜７、パッド電極８が形成され、導電性接合層９を介して支持基板１０に接合されている。ｎ側反射防止層２及びｐ側ブラッグ反射層４は、コンタクト層の役割も兼ねている。光の取り出し方向には、ｎ側反射防止層２が配置され、光の取り出し方向と反対側にはｐ側ブラッグ反射層４が配置されているので、光の取り出し効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体と格子整合性の高い二硼化物単結晶からなる、化学式ＸＢ_２（ＸはＴｉ，Ｚｒの少なくとも１種を含む）で表される基板表面の窒化を抑制し、基板表面からのＸ元素，Ｂ元素の抜けによる表面荒れを抑制して、成長初期から２次元の層状成長を実現し、反位領域境界や積層欠陥を低減した平坦性に優れた低転位の窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 化学式ＸＢ_２で表される基板１０の一主面に、Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎの少なくとも１種を含む３族元素原料を供給して金属層１１を堆積する工程１、窒素源を供給し金属層１１を窒化する工程２、基板１０の一主面に化学式Ｇａ_{１−ｘ−ｙ}Ｉｎ_ｙＡｌ_ｘＮ（０≦ｘ＋ｙ≦１、ｘ≧０、ｙ≧０）で表される窒化ガリウム系化合物半導体１３を堆積する工程３を具備し、工程１での基板１０の温度が工程２及び３での基板１０の温度より低い。 （もっと読む）

【課題】デバイス特性を悪化させずに短時間で窒化物半導体層を得ることのできる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザの製造方法は、基板１の主面１ａ上に第１窒化物半導体層を形成する工程と、基板１１の主面１１ａ上にリフトオフ層１３を形成する工程と、リフトオフ層１３上に発光層１７を含む第２窒化物半導体層を形成する工程と、基板１の主面１ａと基板１１の主面１１ａとが互いに対向した状態で第１窒化物半導体層と第２窒化物半導体層とを貼り合わせる貼合わせ工程と、リフトオフ層１３をウエットエッチングすることにより、基板１１と第２窒化物半導体層とを分離する分離工程とを備えている。 （もっと読む）