【課題】発光出力性能が向上するように構造が改良された窒化物系半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に順次に積層されたｎ型半導体層、活性層およびｐ型半導体層を備え、前記活性層は、前記ｎ型半導体層上に第１障壁層、前記第１障壁層上に、窒素元素およびシリコン元素の少なくとも一方を含む欠陥抑制剤でドープされた第１拡散防止層、前記第１拡散防止層上に量子井戸層、前記量子井戸層上に、窒素元素およびシリコン元素の少なくとも一方を含む欠陥抑制剤でドープされた第２拡散防止層、および前記第２拡散防止層上に、第２障壁層を備え、前記第１拡散防止層および前記第２拡散防止層により、前記量子井戸層と、前記第１障壁層および前記第２障壁層との間のインジウム元素の相互拡散を抑制する。 （もっと読む）

【課題】III−Ｖ族化合物半導体層中のＮ組成比を、層厚方向において均一化することができるIII−Ｖ族化合物半導体層の形成方法及び半導体光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】III−Ｖ族化合物半導体層の形成方法は、III族元素及び砒素元素を含むIII−Ｖ族化合物半導体層３上に、III族元素を含むIII族原料ガスＧ１と、砒素元素を含む砒素原料ガスＧ２と、窒素元素を含む窒素原料ガスＧ３とを供給することによって、III族元素、砒素元素及び窒素元素を含むIII−Ｖ族化合物半導体層５を形成する工程Ｓ３を含む。工程Ｓ３は、窒素原料ガスＧ３の供給を開始する前に、III−Ｖ族化合物半導体層３上に、供給量Ｆ１の砒素原料ガスＧ２を供給する工程Ｓ３１と、窒素原料ガスＧ３の供給を開始してから所定時間経過するまでの期間、砒素原料ガスＧ２の供給量を変化させる工程Ｓ３２とを含む。 （もっと読む）

【課題】高輝度化が図れる発光ダイオード、発光ダイオード用エピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第一導電型基板(2)の上に、高屈折率膜と低屈折率膜とを交互に積層した多層膜からなる第一導電型の分布ブラッグ反射膜(3)と、第一導電型クラッド層(4)、活性層(5)及び第二導電型クラッド層(6)を有する発光部と、第一導電型基板(2)側及び第二導電型クラッド層(6)側にそれぞれ形成された電極(1,8)とを備えた発光ダイオードにおいて、分布ブラッグ反射膜(3)による反射が最大となる波長として、発光ダイオードの発光波長λ_０より所定量α（±２５ｎｍ以内）だけ最大視感度の波長（５５５ｎｍ）側にシフトさせた波長λ_０−αを用い、高屈折率膜と低屈折率膜の膜厚が設定されている。 （もっと読む）

【課題】活性層の劣化を抑えることができ、光取り出し効率を向上させることができる窒化物半導体発光素子の製造方法および窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第１導電型窒化物半導体層と、活性層と、第２導電型窒化物半導体層と、がこの順序で積層されている窒化物半導体発光素子を製造する方法であって、第１導電型窒化物半導体層の表面に凹凸を形成する工程と、第２導電型窒化物半導体層の表面に凹凸を形成する工程と、第１導電型窒化物半導体層側の第１電極と第２導電型窒化物半導体層側の第２電極とを活性層を挟んで対向する位置にそれぞれ形成する工程と、を含む、窒化物半導体発光素子の製造方法と窒化物半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】光取り出し面の反射率を低減して高輝度化を実現しながら、光出力のばらつきを抑制できる半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に、第１クラッド層１１、活性層１２及び第２クラッド層１３を含む半導体積層体ＳＴが形成されており、その上に、光取り出し面を有する凹凸形成層１６が形成されている。ここで、凹凸形成層１６に、半導体積層体ＳＴの最上層の表面に達する凹部１６ｒが形成されて凹凸が構成されている構成とする。 （もっと読む）

【課題】２方向に劈開性を示す酸化ガリウム基板を含むウエハを分離して素子化する際に、酸化ガリウム基板の劈開を防止する。
【解決手段】半導体層を積層した酸化ガリウム基板２をその第１の劈開面ｍにそって短冊状に分割してバー２０を形成し（第１の分割ステップ）、このバー２０を第１の劈開面側ｍから分割する（第２の分割ステップ）。 （もっと読む）

【課題】白色光を効率よく発光可能な半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】基板１と、基板１に積層されたｎ型半導体層３、活性層４、およびｐ型半導体層５とを備えており、活性層４は、その波長が４３０〜５７０ｎｍである青色光、青緑色光、または緑色光を発光する半導体発光素子Ａ１であって、基板１は、Ｃｒが添加されたサファイアからなり、基板１とｎ型半導体層３との間には、ＡｌＮからなるバッファ層２が介在しており、ｎ型半導体層３は、その組成がｎ−Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０≦ｘ≦１）で表され、かつバッファ層２側の端部よりも活性層４側の端部の方がＡｌの含有量が小とされている。 （もっと読む）

本出願は、成長の媒体としての希ガスの存在下でMOVPEによって基板上に窒化インジウムを成長させるための方法に関する。 （もっと読む）

【課題】ｐ型オーミック電極と高反射膜とが透光性絶縁膜で隔てられたフリップチップ型窒化物ＬＥＤにおいて、発光層における発光の面内均一性が低くなる傾向を改善すること。
【解決手段】透明基板１上に形成され、発光層を挟んでｎ型層およびｐ型層を積層してなる発光素子構造を備えるとともに、ｐ型コンタクト層を最上層として含む、３族窒化物系化合物半導体層２の上面に、ｐ型オーミック電極３を開口部を有するパターンに形成する工程と、３族窒化物系化合物半導体層２とでｐ型オーミック電極３を挟む位置に、発光層で生じる光の波長においてｐ型オーミック電極３よりも高い反射率を示す高反射膜５を形成する工程と、ｐ型オーミック電極３と高反射膜５とを隔てる透光性絶縁膜４を形成する工程とを有し、透光性絶縁膜４の形成に電子ビーム蒸着法を用いる、３族窒化物系発光ダイオード素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】搭載する発光素子によって発生された光を、含有する蛍光体によって所望とする色の光に変換して出射する半導体発光素子用基板において、前記発光素子が窒化物半導体から成る場合に高い発光効率を得られるようにする。
【解決手段】ｎＧａＮ層４、発光層５およびｐＧａＮ層６から成る発光素子３を搭載する基板２において、該基板２をＩｎＧａＮ結晶から構成し、ユーロピウム（Ｅｕ）およびテルビウム（Ｔｂ）から成る蛍光体Ａ１，Ａ２を含有させる。したがって、Ｅｕの蛍光体Ａ１からは参照符号α１で示すような赤色光が出射され、Ｔｂの蛍光体Ａ２からは参照符号α２で示すような緑色光が出射され、基板２に吸収されなかった参照符号α３で示す青色の成分と、白色光を発生することができる。したがって、発光素子３の結晶欠陥が少なくなり、高い発光効率を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】構造が簡易であり、照射面において色や輝度にムラやリングを生じることなく、発光の均一性に優れ、演色性に優れる照明装置を提供する。
【解決手段】３８０ｎｍ〜４２０ｎｍの発光ピークを有する半導体発光素子と、該半導体発光素子からの発光を青、緑、赤の領域に波長変換する３種類の蛍光体とシリコーン樹脂とを含む発光部とを有し、該発光部の周囲をエポキシ樹脂でモールドした砲弾型ＬＥＤを複数個集積してなる照明装置。該ＬＥＤの構造軸上での発光色が、ＣＩＥ１９７６ＵＣＳ色度座標（ｕ’，ｖ’）で（０．２１，０．４７）を中心とする半径０．１以内領域の色。該ＬＥＤの先端部から構造軸方向で１（ｍ）離した該軸に垂直に立てた白色スクリーンにおいて、構造軸から距離（半径）ｓｉｎ（ＬＥＤの１／２指向角θ_１／２／２）（ｍ）以内の円内における色度座標と構造軸上の色度座標との色差が０．０１以内。 （もっと読む）

【課題】改善された光抽出効率を有する発光ダイオードと、該発光ダイオードの形成方法を提供する。
【解決手段】発光ダイオードは、その多層構造に統合される実質的に等距離の光抽出スポットの該配列中に形成される光学層を含む。光抽出スポットの該配列は、並列六角形パターンの分散を含む。光抽出スポットの該層の厚さは８００Ａ未満であり、好ましくは約５００Ａである。 （もっと読む）

【課題】光の取り出し効率を向上させることができる上、半導体多層膜に接する電極の変質を防ぐことができる半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板(10)と、基板(10)上に形成された金属接合層(11)と、金属接合層(11)上に配置された、凹部(12a)を有する金属層(12)と、凹部(12a)内に形成された電極(13)と、電極(13)に接し、かつ凹部(12a)内に形成された半導体多層膜(14)と、半導体多層膜(14)の側面と凹部(12a)との間に配置された電気絶縁膜(15)とを含み、凹部(12a)は、半導体多層膜(14)の光出射側に向かって広がっており、半導体多層膜(14)の側面は、凹部(12a)の内壁に沿って形成されており、金属接合層(11)と金属層(12)との間に介在する金属拡散防止層(17)を含む半導体発光装置(1)とする。 （もっと読む）

【課題】電流拡散層として金属酸化物透明導電膜を用いた構造の半導体発光素子において、金属酸化物透明導電膜と発光素子表面の半導体との反応を抑制し、透光率を向上させ、かつ抵抗を低下させて生成させ、金属酸化物透明導電膜の使用を可能として、高輝度の半導体発光素子を低コストにて製造できるようにすることにある。
【解決手段】本発明の半導体発光素子は、半導体基板と、半導体基板上に設けられた発光層形成部と、発光層形成部上部に設けられ、光取り出し面を構成するウインドウ層と、ウインドウ層上に設けられた第１の光透過性層と、第１の光透過性層上に設けられた、導電性を有する膜である第２の光透過性層とを有し、第１の光透過性層が第２の光透過性層の構成原子がウインドウ層側に拡散することを阻止する拡散防止膜として設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮなどの窒化物半導体またはＺｎＯなどの酸化物半導体から成る半導体発光素子を製造するにあたって、均一な波長の光を発生可能とする。
【解決手段】基板上に、ｎＧａＮ層、発光層およびｐＧａＮ層の順に積層され、或いはｐＧａＮ層、発光層およびｎＧａＮ層の順に積層されて成る発光ダイオードを作成するにあたって、それらの積層を行う反応炉１２とは別途に、粒子形成部１５を設け、発光層の積層工程では、その粒子形成部１５で作成した窒化物半導体の微結晶粒子を搬送用ガスによって前記反応炉１２へ搬送し、下地層上に散布することで前記発光層を形成する。したがって、下地層の影響を受けることなく、サイズが揃った微結晶粒子によって前記発光層を形成することができ、所望とする均一な波長の光を発生する発光ダイオードを実現することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスに用いることができる窒化物結晶基板を効率的に得るため、効率よく窒化物結晶に平滑で品質のよい表面を形成する窒化物結晶の表面処理方法を提供する。
【解決手段】本窒化物結晶の表面処理方法は、窒化物結晶１の表面を化学機械的にポリシングする表面処理方法であって、酸化物の砥粒１６が用いられ、砥粒１６の標準生成自由エネルギーが酸素分子１ｍｏｌ当たりの換算値で−８５０ｋＪ／ｍｏｌ以上であり、かつ、砥粒１６のモース硬度が４以上である。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を高めることができる照明器具を提供する。
【解決手段】ＬＥＤチップを用いた複数の発光装置１がベース基板２００の一表面側に配置されたＬＥＤモジュール２と、ベース基板２００を収納する凹所３１１を有するとともに各発光装置１からの光を取り出すための窓孔３１４を有するカバー部材３とを備える。ＬＥＤモジュール２とカバー部材３との間には、隣り合う発光装置１の一方からの光が他方の発光装置１へ到達するのを阻止して反射する反射用構造体５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体デバイスの製造コストを低減するために、ＧａＮと化学組成の異なる異種基板にＧａＮ薄膜が強固に貼り合わされているＧａＮ薄膜貼り合わせ基板およびその製造方法、ならびに、ＧａＮ薄膜上に形成されている少なくとも１層のＧａＮ系半導体層を含むＧａＮ系半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ薄膜貼り合わせ基板１の製造方法は、ＧａＮバルク結晶１０にＧａＮと化学組成の異なる異種基板２０を貼り合わせる工程と、異種基板２０との界面から０．１μｍ以上１００μｍ以下の距離を有する面１０ｔでＧａＮバルク結晶１０を分割して異種基板２０上にＧａＮ薄膜１０ａを形成する工程とを含み、ＧａＮバルク結晶の貼り合わせ面の最大表面粗さＲmaxが２０μｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】活性層の輝度の向上を図ることができる、半導体発光素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】この半導体発光素子１では、ｐ型ＧａＮ層５およびｐ型ＡｌＧａＮ層６がｐ型クラッド層をなす。そして、ｐ型クラッド層上にＭＱＷ活性層７が設けられ、ＭＱＷ活性層７上にｎ型クラッド層としてのｎ型ＧａＮ層８が設けられている。ｐ型ＧａＮ層５を成長させる工程の初期の段階では、成長室の内面などにｐ型不純物であるＭｇが付着して奪われるが、それ以降は、成長室の内面などへのＭｇの新たな付着はない。したがって、ｐ型クラッド層の上層部には、十分な量のＭｇが取り込まれる。ｐ型クラッド層上にＭＱＷ活性層７が設けられるので、ｐ型クラッド層のＭＱＷ活性層７との界面付近のＭｇ濃度を十分に高くすることができる。その結果、ＭＱＷ活性層７の輝度の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素基板の利点と共に窒化インジウムガリウムの発光特性を利用する、改良された輝度を有する発光ダイオードを提供する
【解決手段】縦型発光ダイオードは、導電性炭化珪素基板１１と、ＩnＧaＮ量子井戸１２と、基板と量子井戸との間の導電性緩衝層１３と、量子井戸の各表面上にある非ドープド窒化ガリウム層１４，１５と、緩衝層と非ドーピング窒化ガリウム層との間にあるドープド窒化ガリウム層２０と、基板及び緩衝層の反対側にある、量子井戸上の非ドープド窒化ガリウム層の表面上にある非ドープド窒化アルミニウムガリウム層２１と、該非ドープド窒化アルミニウムガリウム層の上にあるドープド窒化アルミニウムガリウム層２２と、縦型配向のオーミックコンタクト１６，１７とを備えている。 （もっと読む）