【課題】半導体素子内の貫通転移の密度を低減して、発光層の内部量子効率が高く且つ半導体素子の光取り出し効率が高い半導体素子を実現できるようにする。
【解決手段】半導体素子は、主面に周期性を有する凹部又は凸部を設けた基板を用いて形成された半導体超格子層７と、半導体超格子層７の上に形成された活性層５を含む半導体多層膜１０１とを備えている。 （もっと読む）

【課題】化学的、物理的に安定であり、使用に際しての外乱要因（例えば熱）に対しても性能が安定しており、更には、トランジスタとしての機能、発光素子としての機能、太陽電池として機能を融合し得る構成、構造を有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】３端子型の電子デバイスは、制御電極１４、第１電極及び第２電極１６、並びに、第１電極と第２電極の間であって絶縁層１５を介して制御電極１４と対向して設けられた能動層２０を備え、能動層２０は、保護層で被覆された無機半導体微粒子から構成された複合材料の集合から成り、保護層は、無機半導体微粒子に結合した官能基を一端に有するアルキル鎖、及び、アルキル鎖の他端に結合した有機半導体分子から成る。 （もっと読む）

【課題】垂直構造窒化ガリウム系発光ダイオード素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にｎ型窒化ガリウム系半導体層と活性層とｐ型窒化ガリウム系半導体層とが順次積層されている発光構造物を形成し、発光構造物をエッチングして単位ＬＥＤ素子の大きさに分離し、分離された発光構造物上にｐ型電極を形成し、分離された各発光構造物の間に非導電性物質を充填し、前記結果の構造物上に金属シード層を形成し、各発光構造物の間の領域を除いた金属シード層上に第１メッキ層を形成し、第１メッキ層及び各第１メッキ層の間の金属シード層の表面に第２メッキ層を形成し、基板を発光構造物から分離し、基板が分離されて露出した各発光構造物の間の非導電性物質を除去し、ｎ型窒化ガリウム系半導体層上にｎ型電極を形成し、各発光構造物の間の金属シード層及び第２メッキ層部分を除去することにより垂直構造窒化ガリウム系発光ダイオード素子を製作する。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率が向上する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】発光層２を含む複数の層を積層形成してなる半導体３と、該半導体３の一方の主表面Ｓ２側を覆う反射金属層４と、この反射金属層４と上記半導体３との界面に形成され上記反射金属層４の面に離散させて配置されたオーミックコンタクト接合部５と、上記発光層２中の上記オーミックコンタクト接合部５に重なる箇所に形成された空隙６とを備えた。 （もっと読む）

【課題】電流を発光層に均一に注入し、かつ光の取り出し効率を高くすることで、高い発光効率を得ることができる半導体発光ダイオードを得る。
【解決手段】発光波長に対し透明である導電性の基板と、基板上に形成され、発光層を含む半導体層と、半導体層上に形成された表面電極と、基板の裏面に形成され、開口を有する裏面電極とを備え、開口の幅をＬとし、裏面電極と発光層との距離をｔとすると、Ｌ≦２ｔであり、基板の裏面の面積に対して裏面電極の面積の割合が４０％以下である。 （もっと読む）

【課題】低抵抗なオーミック特性および高い密着性を実現できる窒化物半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体装置は、半導体素子が形成されるｎ型ＧａＮ基板１と、当該ＧａＮ基板１の裏面に形成された金属電極であるｎ電極１０とを備える。ＧａＮ基板１とｎ電極１０との間には、表面変性層２０および反応層３１が設けられる。表面変性層２０はキャリア供給層として機能するものであり、ＧａＮ基板１の裏面をＳｉ含有プラズマと反応させ変性させることにより形成される。反応層３１は、表面変性層２０上に堆積されたデポ物を洗浄により部分的に除去しデポ層とした後に、第１金属層１１に含まれるＴｉとデポ層とが熱処理により部分的に反応し形成される。 （もっと読む）

【課題】 半導体発光素子において高い外部量子効率を安定に確保する。
【解決手段】 基板（１０）の表面部分には活性層（１２）で発生した光を散乱又は回析させる少なくとも１つの凹部（２０）及び／又は凸部（２１）を形成する。凹部及／又は凸部は半導体層（１１、１３）に結晶欠陥を発生させないように、第１の傾斜面（２２）、第２の傾斜面（２３）、又は第１，２の傾斜角θ_１、θ_２を有する側面形状とする。好ましくは、θ_１＞θ_２となるような第１，２の傾斜面（２２，２３）もしくは突出した曲面の側面（２６）で構成する。 （もっと読む）

【課題】活性層から放出された発光出力を向上することができ、かつ、歩留まりよく製造できる半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に、ｎ型半導体層とｐ型半導体層と該ｐ型半導体層の少なくとも一部に接続されてなるｐ側電極とを有する第１領域と、ｎ型半導体層とｎ型半導体層の少なくとも一部に接続されてなるｎ側電極とを有する第２領域と、第３領域とからなる半導体発光素子であって、前記第３領域は、前記基板が露出してなるとともに、半導体からなる複数の凸部を有する。 （もっと読む）

【課題】大量のウェハ貼り合わせを安価に行うことを可能とし、ウェハサイズが大きい場合においても、ウェハ貼り合わせの歩留まりを改善することが可能とする。
【解決手段】
半導体発光層が形成された第一基板と、第一基板とは別途準備された第二基板とを貼り合わせるために使用される基板接合用治具であって、第一基板と第二基板とを重ねてなる積層ウェハを両側から挟むための一対のプレートと、一対のプレートに両側から加えられる圧力を保持するための保持部材と、一対のプレートのうち少なくとも一方のプレートと積層ウェハとの間に設けられ、プレートに接する側の主表面に凸面を有し、積層ウェハに接する側の主表面が平坦面である半凸面板と、を備える。 （もっと読む）

【課題】青色または紫外発光が可能で、高出力、高効率、明るさの均一性が高いフリップチップマウント型の半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】薄膜結晶層、第二導電型側電極２７および第一導電型側電極２８とを有し、光取り出し方向がバッファ層側であり、電極２８および電極２７が、空間的に重なりを有さずかつ光取り出し方向とは反対側に形成されており、支持体、（ａ）前記第一導電型側電極の主たる光取り出し方向側の一部に接し、前記第二導電型側電極の主たる光取り出し方向と反対側の一部を覆い、（ｂ）前記薄膜結晶層の側壁面のうち、少なくとも前記第一導電型半導体層、活性層構造、および第二導電型半導体層の側壁面を被覆している絶縁層、およびバッファ層と第一導電型半導体層の間に、光を光取り出し面全体に分布させる光均一化層を有する化合物半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】窒化物系半導体素子構造が形成された半導体ウエハを歩留よく各素子チップへ分断する新たな方法を含む窒化物系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体素子の製造方法において、結晶構造に由来してレーザ光が進入し易い方向とレーザ光が進入し難い方向を有する支持基板１１の第１主面上に複数の窒化物系半導体層３，６を含む半導体素子構造形成し、その支持基板１１の第１主面に対向する第２主面側からレーザ光を照射して、支持基板１１のブレーキングに利用可能な改質領域をその基板内部に形成し、この際に、レーザ光が侵入し易い方向に比べて侵入し難い方向においてレーザ光の強度を高めて照射し、これによってレーザ光が侵入し易い方向と侵入し難い方向において改質領域の深さが同等になり、その後に改質領域に沿って支持基板１１をブレーキングして窒化物系半導体素子を得る。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、青色または紫外発光が可能な発光素子であって、高出力、高効率なフリップチップマウント型の半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 薄膜結晶層、第二導電型側電極２７および第一導電型側電極２８とを有し、主たる光取り出し方向が前記活性層構造から見てバッファ層側であり、電極２８および電極２７が、互いに空間的に重なりを有さずかつ光取り出し方向とは反対側に形成されており、電極２８および電極２７が接続され、発光素子を支持する支持体を有し、さらに、絶縁層、即ち（ａ）前記第一導電型側電極の主たる光取り出し方向側の一部に接し、前記第二導電型側電極の主たる光取り出し方向と反対側の一部を覆い、（ｂ）前記薄膜結晶層の側壁面のうち、少なくとも前記第一導電型半導体層、活性層構造、および第二導電型半導体層の側壁面を被覆している絶縁層を有する化合物半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】青色または紫外発光が可能であって、高出力、高効率のフリップチップマウント型の半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）基板上にバッファ層および薄膜結晶層を成膜する工程と、（ｃ）第二導電型側電極を形成する工程と、（ｄ）第一導電型半導体層の一部を表面に露出させる工程と、（ｅ）表面から、（ｉ）バッファ層の一部を除去するまで、または（ｉｉ）基板に達するまでエッチングを行って装置間分離溝を形成する工程と、（ｆ）全面に絶縁層を形成する工程と、（ｇ）装置間分離溝内の基板面の溝中央領域の絶縁層を除去する工程と、（ｈ）第一導電型半導体層面上に第一電流注入領域を形成する工程と、（ｉ）第二導電型側電極の表面に第二導電型側電極の一部を露出させる工程と、（ｊ）第一電流注入領域に接して第一導電型側電極を形成する工程（ｊ）とを有する発光素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、簡単な構成により、チップ毎にダイシングにより分離する際に、発光層を構成する半導体と絶縁膜や金属層とが剥離したり、あるいはダイシングブレードの目詰まりを低減するようにした、半導体発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 実装面側に発光層１２を備えた半導体基板１１と、この発光層の表面に形成されたパターンニングされた絶縁膜１３と、この絶縁膜の上に形成され且つ絶縁膜のない領域にて上記発光層に対して部分的にオーミック接触する第一の電極層１４と、この第一の電極層の上にバリアメタル層１５を介して形成された接合層１７と、上記半導体基板の発光層とは反対側の表面に形成された第二の電極層１６と、を含むジャンクションダウン構造の半導体発光装置１０であって、上記絶縁膜または金属層，バリアメタル層及び接合層が、半導体基板及び発光層よりも小さく形成されるように、半導体発光装置１０を構成する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤーボンド工程において、パッド層とワイヤーの接着強度が弱い、あるいはパッド層とワイヤーが接着しない等の不具合が生じない半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｐ型ＧａＰ層を光取り出し面側に有し、ｐ型ＧａＰ層の上に低抵抗オーミック接触を実現するためのオーミック層と、ワイヤーボンドのためのパッド層をこの順に積層したｐ側電極を有する半導体発光素子において、前記オーミック層が形成された後、低抵抗オーミック接触を実現するための合金化熱処理工程が行われ、しかる後にパッド層を形成する。このような構成とすることにより、ｐ型ＧａＰ層とのオーミック接触を確保しつつパッド層形成後の熱処理が不要となり、合金化熱処理工程によりオーミック層の電極材料がパッド層の表面に析出することがなくなるので、パッド層とワイヤーとの接着強度が確保される。 （もっと読む）

【課題】側面発光効率が高い発光ダイオードの製造方法を提供する。
【解決手段】基板を用意する段階と、前記基板上に、下部半導体層、活性層及び上部半導体層を順次形成する段階と、前記上部半導体層上に、その側壁が前記基板の上部面に対して傾斜するように、フォトレジストパターンを形成する段階と、前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして使用し、前記上部半導体層、活性層及び下部半導体層を順次にエッチングする段階とを有する。 （もっと読む）

【課題】 ボンディングワイヤを接続する工程において損傷を与えることを抑制する電子装置、発光装置およびこれを備える画像形成装置を提供する。
【解決手段】 発光素子３は、基板２の厚み方向Ｚの一表面２ａ上に形成される。台座部４は、基板２の厚み方向Ｚの一表面２ａ上で、発光素子３が形成される領域とは異なる領域に形成される。台座部４には、発光素子３の第１〜第３電極１２，１３，１４に配線を介して電気的に接続されるボンディングパッド８が形成される。ボンディングパッド８の厚み方向Ｚの一表面８ａの厚み方向Ｚにおける位置は、発光素子３の厚み方向Ｚの一方Ｚ１の表面と等しい。 （もっと読む）

【課題】 半導体発光素子の信頼性を低下させることなく、光取り出し効率を向上させることができ、大掛かりな装置を必要とせずに低コストで作製することができる半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 発光素子本体２０からの光は、針状結晶配列体２１に入射し、針状結晶配列体２１を透過して、外部に放射される。針状結晶配列体２１は、液相法によって結晶成長させて形成される。発光素子本体２０のうち光取り出し面が形成される部分の屈折率よりも屈折率が小さく形成され、針状結晶体２２は、光取り出し面に垂直な方向に配向して形成される。複数の針状結晶体２２は、回折格子として機能し、臨界角度以上の角度で前記針状結晶配列体２１と、針状結晶配列体２１から光が放射される側の媒体との界面に入射する光の、＋１次または−１次の回折光を出射することができる。 （もっと読む）

【課題】不整合転位や不純物をほとんど含まず良質であり、光デバイスとして利用可能なＧｅＳｎ半導体デバイスを得る。
【解決手段】シリコン基板１に形成した極薄酸化膜２上に分子線エピタキシャル法を用いてＧｅ５とＳｎ６とを蒸着することで、ＧｅＳｎ半導体のナノメーターサイズの微結晶（ナノドット）３を超高密度に形成して、ＧｅＳｎ半導体デバイスを得る。該半導体のドット３は不整合転位や不純物をほとんど含まず良質であり、光デバイスとして利用することができる。 （もっと読む）

【課題】接合強度が高く接合界面の抵抗成分を充分に低くすることができるＧａＮ系半導体発光素子の製造方法及びＧａＮ系半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】第１の基板上に少なくともｎ型半導体層、発光層、及びｐ型半導体層のＧａＮ系半導体からなる各層を順に積層し、次いで、前記ｎ型半導体層、発光層、及びｐ型半導体層を覆う保護膜を形成し、前記ｐ型半導体層上あるいは該ｐ型半導体層上に形成される電極層上に、前記保護膜よりも突き出るようにして第１の接合層を積層することにより、第１の積層体を形成する工程と、導電性を有する第２の基板上に少なくとも導電体からなる第２の接合層を積層することにより、第２の積層体を形成する工程と、前記第１の積層体と第２の積層体とを、前記第１の接合層と第２の接合層とを接合させることにより一体化させる工程と、前記第１の積層体から第１の基板を除去する工程とを備えている。 （もっと読む）