【課題】接合電極が絶縁部から剥離することを防止する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１は、発光部へ電流を供給する拡散電極５０と、拡散電極５０を覆い、拡散電極５０の一部を露出させる露出部を有する絶縁部８０と、この露出部において拡散電極５０と接触し、拡散電極５０へ電流を供給する中間電極６０と、絶縁部８０の拡散電極５０と反対側と接触し、中間電極６０より大きな絶縁部８０に対する密着力を有し、中間電極６０を介して拡散電極５０へ電流を供給する接合電極７０とを備える。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードを改良し、特に、高エネルギー、高周波数、可視スペクトルの短い波長の部分を発し、かつ、蛍光体と共に使用され、白色光を生成する発光ダイオードの改良をすること。
【解決手段】発光ダイオードであって、透明な炭化珪素基板と、該炭化珪素基板上にＩＩＩ族の窒化物材料系から形成される活性構造と、該ダイオードの上側のそれぞれのオーム接触とを備えており、該炭化珪素基板は、該炭化珪素と該ＩＩＩ族の窒化物との間のインタフェースに対して斜角を付けられている、発光ダイオード。 （もっと読む）

【課題】良好な基板貼合せを実現でき、半導体発光素子の歩留りを向上できる高出力の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】発光ダイオード１００は、発光層部を有する化合物半導体層１４と、化合物半導体層１４を支持する導電性支持基板１０と、化合物半導体層１４と導電性支持基板１０との間に設けられ、前記発光層部からの光を反射する金属光反射層９と、化合物半導体層１４と金属光反射層９との接合界面の一部に形成された界面電極８と、導電性支持基板１０の金属光反射層９側の主表面に接して形成されたＴｉ層１８と、Ｔｉ層１８の金属光反射層９側の主表面に接して形成されたＡｕからなる金属接合層１１と、化合物半導体層１４の光取出し面となる第一主表面側に形成された表面電極１２と、導電性支持基板１０のＴｉ層１８とは反対側の主表面側に形成された裏面電極１３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ＡｕＳｎ合金を蒸着源として発光素子の基板対向面へＡｕＳｎ層を蒸着させる際、ＡｕＳｎ合金蒸着源が突沸してＡｕＳｎ層の品質が低下する。
【解決手段】合金化したＡｕＳｎからなる蒸着源を準備し、蒸着源を第１の温度で加熱してＡｕＳｎ合金からＳｎを選択的に蒸発させて半導体発光素子へＳｎリッチな第１の層を形成し、蒸着源を第１の温度より高い第２の温度で加熱して蒸発源を全て蒸発させて第１の層の上へＡｕリッチな第２の層を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子端面での電流のリークやショートが防止された、新たな構造のIII −Ｖ族半導体素子。
【解決手段】III 族窒化物半導体からなる半導体層１０１は支持基板１０７に向かうにつれて断面積が漸減する逆テーパー状に形成され、半導体層１０１の下面には、ｐ電極１０２、低融点金属拡散防止層１０３が形成され、低融点金属層１０５、１０６を介して支持基板１０７に接合している。半導体層１０１の上面には、格子状にｎ電極１０８が形成されている。半導体層１０１の側端面には、イオン注入による高抵抗領域１１０が形成され、半導体層１０１上面の側端面近傍にも、イオン注入による高抵抗領域１１１が形成されている。この高抵抗領域１００、１１１によって、電流のリークやショートが防止される。 （もっと読む）

【課題】複数の種類の異なる半導体素子を使用するとき、複数の半導体素子の抵抗値を、部品数を増加することなく、揃えることができて、回路を単純化できる半導体素子を提供する。
【解決手段】ウエハボンディング型半導体素子１は、互いにウエハボンディングにより接合されている第１のウエハ１０および第２のウエハ２０を有し、上記第１のウエハ１０および上記第２のウエハ２０のボンディング界面３０は、抵抗を有する。上記ボンディング界面３０の抵抗の値が制御されて、全体の駆動電圧が、上記第１のウエハ１０の固有の電圧と上記第２のウエハ２０の固有の電圧とを加えた値よりも大きくなるように、調整されている。 （もっと読む）

【課題】 好ましい放熱効果と反射効果を具え、且つ発光面積を効率良く利用でき、透明導電層を電流分布用の接触導電層とする必要がなく、さらには透過性のパッシベーション層を保護層とする必要がなく、フリップチップパッケージに応用する発光ダイオードと、その製造方法、パッケージ方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 発光ダイオード構造を形成し、該発光ダイオード構造上に、該発光ダイオード構造のｐ側電極と、ｎ側電極とに電気的に接触する導体強化層を形成し、該導体強化層上に、バンプ形成領域層を形成し、かつ該バンプ形成領域に２つの電極領域を形成して該導体強化層を露出させ、該２つの電極領域にそれぞれ該導体強化層と、電気的に接続する金属バンプを形成し、該バンプ形成領域層を除去し、該導電強化層を選択的に除去して該２つのバンプの間の電気的接続を隔離させる。 （もっと読む）

【課題】白色の演色性に優れたＧａＮ系化合物半導体からなる白色発光ダイオード素子を実現できるようにする。
【解決手段】青色発光ダイオード部１０と、該青色発光ダイオード部１０の上にエピタキシャル成長してなる赤色発光層１５と、ＹＡＧ蛍光体を含む絶縁材１９とから構成されている。赤色発光層１５は、例えば禁制帯幅が１．９ｅＶであるアンドープのＩｎ_０．４Ｇａ_０．６Ｎからなり、ｐ型半導体層１４の上に互いに間隔をおいた複数の島状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 発光素子において、電力効率に優れた発光構造とする。
【解決手段】第１，２導電型半導体層21,23を含む半導体構造20に、発光構造部25と、第１導電型半導体層21が露出された露出部21sと、を備え、前記半導体素子構造の同一面側において前記第１導電型半導体層21、第２導電型半導体層23に各々設けられた第１電極30、第２電極40と、を有し、前記第１電極が、前記第１導電型半導体層21の露出部21sに設けられ、透光性導電膜で第１導電型半導体に導通する第１層31と、該第１層上に第１層に導通するように設けられた第２層32と、を少なくとも有すると共に、前記露出部の第１導電型半導体層と第２層32との間に、第１の透光性の絶縁膜17が前記第２層の少なくとも一部と重なるように設けられている。これにより、好適な電流注入と、外部電源との接続部を備えた構造とでき、光損失を低く抑えた構造とできる。 （もっと読む）

【課題】発光出力を向上させることが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】このＬＥＤ素子（半導体発光素子）は、ＭＱＷ構造を有するｎ型活性層４と、活性層４上に形成された拡散抑止層５と、拡散抑止層５上に形成された半絶縁性の第２クラッド層６とを備えている。また、第２クラッド層６は、Ｚｎが選択拡散されることによって形成されたｐ型の不純物選択拡散領域７を有している。この不純物選択拡散領域７は、コンタクト部７ａ（ｐ側電極１１）の下方に形成された第１領域７ｂと、第１領域７ｂ以外の第２領域７ｃとから構成されている。また、第１領域７ｂと活性層４との間には、高抵抗の半絶縁性領域９ａが形成されている。さらに、コンタクト部７ａ上にはコンタクト層８ａが形成されており、拡散抑止層５は、このコンタクト層８ａの厚みよりも小さい厚み（約０．０５ｎｍ）に構成されている。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤランプの外部出力を増加させる、改良点を提供すること。
【解決手段】発光ダイオードであって、４毎センチメートル未満の吸収係数を有する透明な基板と、複数の活性放射層以外の層において５００毎センチメートル未満の吸収係数を有する複数のエピタキシャル層と、該複数のエピタキシャル層上のうちの少なくとも１つの上のオーム接触および金属被覆層であって、該オーム接触および該金属被覆層は、少なくとも約８０パーセントの透過率を有する、オーム接触および金属被覆層とを備えている、発光ダイオード。 （もっと読む）

【課題】発光素子と一体化（１チップ化）され、構造上、化合物半導体層の再成長工程が不要であり、しかも、順・逆方向の過電流が流れることによって生じる破壊に対して有効な防護手段を有する発光素子組立体を提供する。
【解決手段】発光素子組立体は、基板１０上に形成されたバイパス・ダイオード２０、その上に形成された発光素子３０、及び、基板１０の上方に発光素子３０と分離して形成された逆方向ダイオード４０を備えている。 （もっと読む）

【課題】発光出力が高く、かつ駆動電圧が低い窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】基板上に、窒化ガリウム系化合物半導体からなる、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層をこの順序で有し、該ｎ型半導体層および該ｐ型半導体層に負極および正極がそれぞれ設けられ、該正極が導電性と透光性を持つ酸化物材料からなる発光素子において、該ｐ型半導体層と該正極との間にＧａ−Ｏ結合および／またはＮ−Ｏ結合を有する化合物を含む層が存在することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】低い動作電圧と高い発光効率とを有する、深紫外光発光素子を実現する。
【解決手段】発光素子１０を、紫外領域に発光波長を有する第１のIII族窒化物で形成された発光部４と、第１のIII族窒化物よりもバンドギャップが大きい第２のIII族窒化物からなる第１クラッド部３と、第２のIII族窒化物よりもバンドギャップが小さい第３のIII族窒化物からなる第１コンタクト部２と、第１コンタクト部２に隣接するカソード電極部７と、第１のIII族窒化物よりもバンドギャップが小さい第４のIII族窒化物からなる第２クラッド部５と、第４のIII族窒化物よりもバンドギャップが小さい第５のIII族窒化物からなる第２コンタクト部６と、第２コンタクト部６に隣接するアノード電極部８と、によって構成し、第２コンタクト部６に紫外光の吸収不能部としての溝部６ａを設け、該溝部６ａを出射部として、発光部４からの励起発光を取り出すようにした。 （もっと読む）

【課題】周辺部にある発光層構成部を有効に発光させることが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】特定の波長λで発光可能なｐｎ接合を有し、側部に形成された透光性の樹脂膜４３を介して分離された複数の発光層構成部３０と、発光層構成部３０の第１面に配設されたオーミック接続部及び反射部を有する金属膜２８と、金属膜２８に接合された導電性基板１１と、金属膜２８が接合された面に対向する導電性基板１１の面に形成された下部電極５５と、発光層構成部３０の第１面に対向する第２面に接続された、波長λに実質透明な透明電極５１と、透明電極５１を介して発光層構成部３０の第２面の上部に形成された上部電極５３とを備えている。 （もっと読む）

本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ）に関する。特に本発明は、ナノワイヤを活性部分として有するＬＥＤに関する。本発明にかかるナノ構造のＬＥＤは、基板と、該基板から突出した直立したナノワイヤとを含む。活性領域(120)に光を生成する能力を与えるｐｎ接合は、この構造内に存在する。前記ナノワイヤ(110)、または、前記ナノワイヤから構成される構造は、前記活性領域で生成された光の少なくとも一部を、前記ナノワイヤ(110)により与えられる方向に向ける導波管(116)を形成する。
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【課題】ｃ面以外の成長主面を持ち、かつ結晶欠陥が少ないIII族窒化物半導体層を有する窒化物半導体積層構造およびその製造方法、ならびにそのような窒化ガリウム半導体積層構造を備えた窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】ＧａＮ基板１は、ｃ面以外の主面（たとえばｍ面）を持つ。このＧａＮ基板１上に、有機金属化学気相成長法によって、ＧａＮ半導体層２が形成される。ＧａＮ半導体基板１の主面には、ｃ面に平行なストライプ状に複数の凸条６０が形成されている。この凸条６０の−ｃ軸側側面６２に沿って、ｃ面に平行な成長規制面６６を有するマスク６０が形成されている。Ｎ型コンタクト層２１は、マスク６０の間の領域から当該マスクを覆うように、＋ｃ軸方向への異方的な横方向選択成長によって形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は垂直構造ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ＬＥＤ素子及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の垂直構造ＬＥＤ素子の製造方法は、成長用基板上に第１導電型ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層、活性層及び第２導電型ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を順次に形成する段階と、上記第２導電型ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層上に導電性基板を接合する段階と、上記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層から上記成長用基板を除去する段階と、上記成長用基板の除去により露出された面側の上記第１導電型ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層に電極を形成する段階とを含む。上記導電性基板の接合段階は、金属接合層を接合界面に接触させた状態で上記接合界面にマイクロ波を印加して上記金属接合層を局部的に加熱する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】トンネル接合を有する窒化物半導体発光素子において、駆動電圧を低減することができる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成された、第１のｎ型窒化物半導体層と、発光層と、第１のｐ型窒化物半導体層と、第２のｐ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体トンネル接合層と、ｎ型窒化物半導体トンネル接合層と、第２のｎ型窒化物半導体層と、を含み、ｐ型窒化物半導体トンネル接合層とｎ型窒化物半導体トンネル接合層とはトンネル接合を形成しており、ｐ型窒化物半導体トンネル接合層のインジウムの組成比が第２のｐ型窒化物半導体層のインジウムの組成比よりも大きい窒化物半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】電極形成工程を複雑化することなく、ＢｅＯ膜を除去し優れた接合性を有するｐ側電極を形成することが可能な半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体素子の製造方法によれば、ＡｕＢｅ層５を有するｐ側電極１８、１８ａ、１８ｂの表面にオーミック特性付与時の熱により生成されるＢｅＯをエッチングにより除去するため、電極形成工程を複雑化することなく、優れた接合性を有するｐ側電極１８、１８ａ、１８ｂを形成することができる。 （もっと読む）