【課題】電流分散層としてＧａＰを用いた場合であっても、順方向電圧の上昇を抑制し、電流分散層からの添加物の拡散を抑制し、高輝度及び高信頼性の半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１は、第１導電型の第１クラッド層と、活性層２４と、Ｍｇが添加されたＡｌＧａＩｎＰ系の半導体材料からなり、第１導電型と異なる第２導電型の第２クラッド層と、Ｍｇが添加されたＧａＰからなる第２導電型の電流分散層２８とをこの順に有する半導体積層部２０を備え、半導体積層部２０は、第２クラッド層と電流分散層２８との間に形成され、第２クラッド層及び電流分散層２８の間のバンドギャップエネルギーを有する介在層２６と、介在層２６と電流分散層２８との間に形成され、Ｃ原子の濃度が５×１０^１６ｃｍ^−３以下で、厚さが２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の拡散抑制アンドープ層２７とを有する。 （もっと読む）

【課題】良好な断面形状を有する光を得ることができる発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００は、第３上面１０２ｃは、第１上面１０２ａに対して傾いた面であって、かつ第１上面と段差側面１０３を介して第１上面よりも上方に位置し、活性層１０６は、平面的に見て、第１上面側の第１側面１０５と、第１側面と平行な第２上面１０２ｂ側の第２側面１０７と、を有し、第１側面は、第２側面より上方に位置し、活性層の少なくとも一部は、利得領域１４０を構成し、利得領域は、第１側面側の端面１５０と、第２側面側の端面と、を有し、利得領域に生じる光の波長帯において、第２側面の反射率は、第１側面の反射率よりも高い。 （もっと読む）

【課題】垂直構造窒化ガリウム系発光ダイオ−ド素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にｎ型窒化ガリウム系半導体層と活性層とｐ型窒化ガリウム系半導体層とが順次積層されている発光構造物を形成し、発光構造物をエッチングして単位ＬＥＤ素子の大きさに分離し、分離された発光構造物上にｐ型電極を形成し、分離された各発光構造物の間に非導電性物質を充填し、前記結果の構造物上に金属シ−ド層を形成し、各発光構造物の間の領域を除いた金属シ−ド層上に第１メッキ層を形成し、第１メッキ層及び各第１メッキ層の間の金属シ−ド層の表面に第２メッキ層を形成し、基板を発光構造物から分離し、基板が分離されて露出した各発光構造物の間の非導電性物質を除去し、ｎ型窒化ガリウム系半導体層上にｎ型電極を形成し、各発光構造物の間の金属シ−ド層及び第２メッキ層部分を除去することにより垂直構造窒化ガリウム系発光ダイオ−ド素子を製作する。 （もっと読む）

【課題】レーザーリフトオフ時に支持基板やIII 族窒化物半導体層にクラックが生じるのを抑制すること。
【解決手段】第１金属層１６と、第２金属層１８とを約３００℃で圧着させ、貼り合わせる。これにより、ｐ電極１５とＳｉ基板１７とを第１金属層１６、第２金属層１８を介して接合する。次に、Ｓｉ基板１７を約２５０℃まで加熱した状態でレーザーリフトオフを行い、サファイア基板１０を分離する。加熱によりＳｉ基板１７の内部応力が緩和されているため、Ｓｉ基板１７やIII 族窒化物半導体層１４にクラックが生じるのを抑制することができる。 （もっと読む）

薄膜ＬＥＤは、絶縁基板と、絶縁基板上の電極と、電極上のエピタキシャル構造とを備える。
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【課題】光の取出効率の向上が図れる半導体発光素子を提供。
【解決手段】発光層５を有するIII−Ｖ族化合物半導体層２１の第二主表面側に反射金属膜１０が形成され、反射金属膜を介して半導体層２１と支持基板１１とが接合され、半導体層の第一主表面上に表面電極１３が形成され、反射金属膜の半導体層側の面の一部にオーミックコンタクト接合部９が表面電極の直下以外の領域に配置された発光素子２０おいて、表面電極は、表面側コンタクト部３ｂ及び透明誘電体反射部３ａを有し、発光素子は１辺が３２０μｍ以下、表面電極は多角形状又は丸形状、表面電極の外周の長さが２３５μｍ以上７００μｍ以下、コンタクト接合部９が発光素子の外周側又は外周近傍に配置され、表面電極側からコンタクト接合部をみたときに、コンタクト接合部が表面電極を包囲し、且つ表面電極の外縁部の各位置から最も近いコンタクト接合部までの距離Ｌが等しくなるように配置される。 （もっと読む）

【課題】パッケージ内においてＬＥＤチップからの発光のロスを低減すると共に、パッケージからの光取り出し効率を向上することが可能な高輝度の発光ダイオードを提供する。
【解決手段】化合物半導体層２と透明基板４とが、接続層３を介して接合されており、化合物半導体層２の底面と接続層３の上面との間には、第１の反射面３ａが設けられ、接続層３の底面と透明基板４の上面との間には、第２の反射面３ｂが設けられていることを特徴とする発光ダイオード１を採用する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤーボンダビリティが良好な電極を形成することのできる発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、ｎ型半導体結晶と、発光層と、ＧａまたはＩｎを含みキャリア濃度が１×１０^１７／ｃｍ^３以上１×１０^１９／ｃｍ^３以下であるｐ型半導体結晶とが、この順で形成された半導体結晶の前記ｐ型半導体結晶の表面に、オーミック電極材料として、少なくとも、ＡｕＢｅを含む層、Ｔｉ層、Ａｕ層を形成し、その後熱処理を行ってオーミック電極を形成し、その後前記半導体結晶をダイシングする発光素子の製造方法であって、前記Ａｕ層形成後かつ前記熱処理前に、第一の硫酸過水洗浄液で洗浄を行い、かつ前記熱処理後に、第二の硫酸過水洗浄液で洗浄を行うことを特徴とする発光素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】発光素子表面を異方性エッチング液に浸漬して粗面化する際に、電極周辺のＧａＰ等のエッチングを防止することで、電極剥がれによる発光強度の低下を防止することができ、また安定した電極を歩留りよく製造することのできる発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、光を取り出す第一主表面がＧａＰ、ＧａＡｓＰ、ＧａＡｌＡｓのいずれかからなる発光素子基板に電極を形成する工程と、少なくとも該電極を覆う金属製保護膜を前記第一主表面に形成する工程と、該金属製保護膜形成後に、エッチングによって前記発光素子基板の表面を粗面化する粗面化工程と、該粗面化後に、前記金属製保護膜を除去する工程と、を有することを特徴とする発光素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ｐ型非極性GaN面と電極との間に良好なオーミック接触を提供できる、電極を作製する方法を提供する。
【解決手段】半導体領域１３の非極性主面１３ａの酸化物１５上にニッケルを含む金属層１７及び金を含む金属層１９を順に堆積した後に、基板生産物Ｐ２の熱処理を行う。この熱処理によって、金属層１７のニッケルが非極性主面１３ａの自然酸化物中の酸素の少なくとも一部分が除かれる。第１の層２１ａはニッケルを含み、第２の層２１ｂは金を含む。第２の層２１ｂが半導体領域１３に接合を成す。第２の層２１ｂが第１の層２１ａと半導体領域１３との間に移動する。ニッケルと酸素の化合物２３は、基板生産物の表面近傍に形成される。ニッケルと酸素の化合物２３を除去して、基板生産物Ｐ３が得られる。ｐ型ドーパントを含む半導体領域１３に接触を成す金属電極２１を作製できる。 （もっと読む）

【課題】安価に作製できて、空隙の発生を抑止可能な半導体素子の構成と製造方法とを提供する。
【解決手段】化合物半導体結晶層２の一方の主表面に形成された第１金属層５１と、導電性基板６の一方の主表面に形成された第２金属層５３とを、液状またはペースト状の物質中に分散された酸化銀粒子を還元処理することにより得られる銀系接合層５２を介して接合する。 （もっと読む）

【課題】蒸着の回数などの工程数増加によるコストも抑えることができ、また電極のめくれ、ハガレの不良の発生を防ぐことを考慮しつつ、ＬＥＤランプ組立工程でのワイヤーボンド部のワイヤーと電極と間の圧着部分の密着強度の強い電極の形成方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、ｎ型半導体結晶と発光層とｐ型半導体結晶とがこの順で形成された半導体結晶にオーミック電極を形成する方法であって、半導体結晶のｐ型半導体結晶の表面上に、少なくとも、第一金属層としてＡｕを蒸着させ、第一金属層上に第二金属層としてＡｕＢｅ合金材料とＡｕの混合物を蒸着させてＡｕＢｅ合金を形成し、第二金属層上に第三金属層としてＡｕを蒸着させ、その後熱処理を行ってオーミック電極を形成することを特徴とする電極の形成方法。 （もっと読む）

本発明は、ＵＶＬＥＤ装置及びその製造方法を提供する。この装置は、基板（１）上に下から上への順で設けられたＡｌＮ核層（２、３）、真性ＡｌＧａＮエピタキシャル層（４）、ｎ−型ＡｌＧａＮバリア層（５）、活性領域（６）、第１のｐ−型ＡｌＧａＮバリア層（７）、第２のｐ−型ＡｌＧａＮバリア層（８）、及びｐ−型ＧａＮキャップ層（９）を含備える。ｐ−型ＧａＮキャップ層には、発生した光を発するためのウインド領域（１０、Ｗ、Ａ）をエッチングしている。 （もっと読む）

【課題】 電極の断線等を抑制するとともに、発光部の上面からの電極の引き出し方向の制約を低減することができる発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る発光装置１は、基板３と、基板３の上に複数の半導体層を積層して形成されており、Ｇａを含む燐化物半導体からなるコンタクト層１５が最上層に設けられている発光部５と、コンタクト層１５の上面に接続されている電極７と、を備えている。そして、コンタクト層１５は、上面と底面とを結ぶ側面がコンタクト層１５の上面から底面に向かうにつれて広がるように全周に亘って傾斜している。この電極７は、コンタクト層１５の上面から側面の上を介して基板３の上に引き出されている。 （もっと読む）

【目的】
ｐ型ＺｎＯ系化合物半導体の電極の剥離や金属の凝集が生じず高い接着性を有するとともに良好なオーミック接触を有するコンタクト電極の形成方法及び当該電極が形成されたＺｎＯ系化合物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
基板上にｎ型ＺｎＯ系半導体層及びｐ型ＺｎＯ系半導体層を含む積層体をｐ型ＺｎＯ系半導体層が表面に形成されるように形成する工程と、ｐ型ＺｎＯ系半導体層をその表面温度が２５０℃ないし５００℃の範囲内で熱処理する工程と、５５０℃未満の温度で、ｐ型ＺｎＯ系半導体層上にｐ側電極金属を上記熱処理の後に形成する工程と、ｎ型ｎ型ＺｎＯ系半導体層上にｎ側電極金属を形成してＺｎＯ系半導体素子を形成する工程と、からなる。 （もっと読む）

【課題】発光特性、及び光取り出し効率に優れた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法およびランプを提供する。
【解決手段】凸部が形成された透光性を有する基板１０１上に、少なくともバッファー層１０２、ｎ型半導体層１０３、発光層１０４、ｐ型半導体層１０５を有するＧａＮ系半導体発光素子を製造する方法であり、前記凸部は、底面の直径あるいは対角線の長さが０．１〜２μｍの範囲であるとともに、高さが０．１〜２μｍの範囲であり、バッファー層１０２をスパッタ法により成膜する。 （もっと読む）

【課題】高い発光効率を備えるとともに、降伏電圧の経時変化の抑制及び順方向電圧の低減を図ることができ、高輝度、且つ、高い信頼性を備える半導体発光装置を製造すること。
【解決手段】
本発明の半導体発光装置の製造方法によれば、成長用基板の上に第１導電型クラッド層、アンドープの活性層、平均キャリア濃度が１×１０¹⁷ｃｍ^-3乃至１×１０¹⁸ｃｍ^-3の第２導電型拡散制御層及び第２導電型クラッド層を順次成長して積層構造体を形成する工程と、積層構造体の成長温度より高い成長温度で第２導電型半導体層を成長し、第２導電型拡散制御層から活性層に第２導電型不純物を拡散させて活性層の平均キャリア濃度を２×１０¹⁶ｃｍ^-3乃至４×１０¹⁶ｃｍ^-3に制御する第２導電型半導体層形成工程と、を有すること。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れ、接合の際の基板の割れを抑制でき、高電圧を印加して、高輝度で発光させることのできる発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び発光ダイオードの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】発光層２を含む発光部３にヒートシンク基板５が接合された発光ダイオード１であって、ヒートシンク基板５は、第１の金属層２１と第２の金属層２２とが交互に積層されてなり、第１の金属層２１は、熱伝導率が１３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であって、熱膨張係数が発光部３の材料と略等しい材料からなり、第２の金属層２２は、熱伝導率が２３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である材料からなる発光ダイオード１を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】光取出し側の電極部である上側電極部と、この電極部と対になる電極部である中間電極部とを適切な位置関係で配設することにより、低順方向電圧を維持したままで、発光出力を向上させた半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板２の上面側に、中間電極部３ａを含む中間層３、第２導電型半導体層４、活性層５、第１導電型半導体層６および上側電極部７を順次具え、支持基板の下面側に下側電極層８を具える半導体発光素子であって、中間層は、線状または島状に延在する少なくとも１つの中間電極部３ａを有し、上側電極部と中間電極部とを支持基板の上面と平行な仮想面上に投影したとき、上側電極部と中間電極部とは、相互にずれた位置関係にあり、かつ上側電極部および中間電極部の少なくとも一方の輪郭線を、所定の振れ幅で延在させて、上側電極部と上側電極部に対向する中間電極部との間の輪郭線間距離ｄを部分的に短くする。 （もっと読む）

【課題】光取出し側の電極部である上側電極部と、この電極部と対になる電極部である中間電極部とを適切な位置関係で配設することにより、低順方向電圧を維持したままで、発光出力を向上させた半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板の上面側に、中間電極部を含む中間層、第２導電型半導体層、活性層、第１導電型半導体層および上側電極部を順次具え、前記支持基板の下面側に下側電極層を具える半導体発光素子であって、前記中間層は、線状または島状に延在する少なくとも１つの中間電極部を有し、前記上側電極部と前記中間電極部とを前記支持基板の上面と平行な仮想面上に投影したとき、前記上側電極部と前記中間電極部とは、平行かつ相互にずれた位置関係にあり、前記上側電極部と前記中間電極部との間の距離は、10〜50μmの範囲であることを特徴とする。 （もっと読む）