【課題】 エピタキシャル層と基板との界面における電気抵抗の低減が図られた化合物半導体基板及び半導体デバイスを提供する。
【解決手段】 本発明に係る化合物半導体基板１０は、ＩＩＩ族窒化物で構成され、Ｃｌ換算で２００×１０^１０個／ｃｍ^２以上１２０００×１０^１０個／ｃｍ^２以下の塩化物及びＯ換算で３．０ａｔ％以上１５．０ａｔ％以下の酸化物を含む表面層１２を表面に有する。発明者らは、鋭意研究の末、化合物半導体基板１０の表面の表面層１２に、Ｃｌ換算で２００×１０^１０個／ｃｍ^２以上１２０００×１０^１０個／ｃｍ^２以下の塩化物及びＯ換算で３．０ａｔ％以上１５．０ａｔ％以下の酸化物が含まれるときに、化合物半導体基板１０とその上に形成されるエピタキシャル層１４との間の界面のＳｉが低減され、その結果界面における電気抵抗が低減されることを新たに見出した。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子製造時のダイシング工程における裏面チッピングの発生を抑制することができる半導体発光素子用ウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】貼り合わせの工程および出発基板１除去後に、ダイシング加工により研削を受ける研削領域のうち、支持基板１０とは反対側から、ダブルへテロ構造を含む積層構造１４、金属光反射層９、第１金属接合層１１ａの少なくとも一部まで、もしくは第２金属接合層１１ｂの少なくとも一部までウェットエッチングまたはドライエッチングによって除去する方法である。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体層と接続電極との接合性および電極の信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体発光素子１は、基板１１０と、発光層１５０を含み基板１１０上に積層される積層半導体層１００と、インジウム酸化物を含み積層半導体層１００上に積層される透明電極１７０と、透明電極１７０上に積層される第１の接合層１９０と、第１の接合層１９０上に積層されて外部との電気的な接続に用いられる第１のボンディングパッド電極２００とを備える。また、半導体発光素子１は、弁作用金属の一種であるタンタルを含むとともにｎコンタクト層の半導体層露出面１４０ｃと接する側がタンタル酸化物あるいはタンタル窒化物層となるように積層される第２の接合層２２０と、第２の接合層２２０上に積層されて外部との電気的な接続に用いられる接続電極の一例としての第２のボンディングパッド電極２３０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】出射光を上方に出射させる発光装置において、簡易なプロセスで反射防止膜を形成することができる発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００の製造方法は、第１クラッド層１０４および第２クラッド層１０８によって挟まれた活性層１０６を含み、活性層１０６内で生じる光を、活性層１０６の側面１０６ａ，１０６ｂにおいて反射させて、上方に出射させる発光装置１００の製造方法であって、エピタキシャル成長法によって、基板１０２の上方に、第１クラッド層１０４、活性層１０６、第２クラッド層１０８、および反射防止膜１１８を順次形成する工程と、反射防止膜１１８をパターニングして、光の出射部を形成する工程と、活性層１０６をエッチングして、少なくとも活性層１０６の側面１０６ａ，１０６ｂを上下方向に対して４５度傾斜させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】小型化が容易であり、量産性が改善された発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光層を有する積層体を、その第１の面が透光性基板の第１の面に隣接するように形成する工程と、前記積層体の前記第１の面とは反対側の第２の面側に設けられたｐ側電極及びｎ側電極上に、第１及び第２の開口を有する絶縁膜を前記第２の面側に形成する工程と、前記絶縁膜と前記第１及び第２の開口とを覆うシード金属を形成する工程と、前記シード金属の上にｐ側金属配線層及びｎ側金属配線層をそれぞれ形成する工程と、前記ｐ側金属配線層の上にｐ側金属ピラーを、前記ｎ側金属配線層の上にｎ側金属ピラーを、それぞれ形成する工程と、前記ｐ側金属配線層と前記ｎ側金属配線層との間に露出した前記シード金属を除去し、ｐ側シード金属とｎ側シード金属とに分離する工程と、前記シード金属を除去した空間の少なくとも一部に樹脂を形成する工程と、を備えたことを特徴とする発光装置の製造方法及び発光装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の光取出効率を向上する。
【解決手段】発光層５を有するIII−Ｖ族化合物半導体層２１の第一の主表面上に表面電極１３が形成され、第二の主表面側には反射金属膜１０が形成され、反射金属膜１０を介して半導体層２１と支持基板１１とが接合され、反射金属膜１０の半導体層２１側の面の一部にオーミックコンタクト接合部９が表面電極１３の直下以外の領域に配置された半導体発光素子２０において、半導体発光素子２０は１辺が３２０μｍ以下であり、表面電極１３は多角または丸形状で外周の長さが２３５μｍ以上７００μｍ以下であり、オーミックコンタクト接合部９が半導体発光素子２０の外周側又は外周近傍に配置され、表面電極１３側からみたときに、オーミックコンタクト接合部９が表面電極１３を包囲し、且つ表面電極１３の外縁部の各位置から最も近いオーミックコンタクト接合部９までの距離Ｌが等しくなるように配置される。 （もっと読む）

本開示は、３族窒化物半導体発光素子に関し、より詳細には、第１の導電性を有する第１の３族窒化物半導体層、第１の導電性とは異なる第２の導電性を有する第２の３族窒化物半導体層、及び第１の３族窒化物半導体層と第２の３族窒化物半導体層との間に位置し、電子と正孔の再結合により光を生成する活性層を備える複数の３族窒化物半導体層と、複数の３族窒化物半導体層と電気的に接続されるボンディングパッドと、ボンディングパッド上に位置する保護膜と、ボンディングパッドと保護膜との間に位置し、ボンディングパッドが露出するように形成されるバッファパッドとを含むことを特徴とする３族窒化物半導体発光素子に関する。

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【課題】生産性に優れるとともに、光取り出し効率に優れ、高い輝度を備える発光ダイオード及びその製造方法、並びに発光ダイオードが用いられてなるランプを提供する。
【解決手段】基板１１上の化合物半導体層２０の上面に形成されるｎ型電極（第１の電極）８と、化合物半導体層２０の一部が除去されて露出したｐ型半導体層１６又は基板１１上に形成されるｐ型電極（第２の電極）９とを具備し、ｎ型電極８は、化合物半導体層２０上に接して設けられる配線電極８１と、化合物半導体層２０上に接して設けられるオーミック電極８２と、化合物半導体層２０上において配線電極８１及びオーミック電極８２を覆うように形成される透光性電極８３と、配線電極８１に接続されるとともに、少なくとも一部が透光性電極８３の開口部８３ａから外部に露出して設けられるボンディングパッド電極８４とからなる。 （もっと読む）

【課題】AlGaInP半導体層を有する光半導体装置の全反射成分及びフレネル反射成分の抑制が不充分であり、光取り出し効率が低かった。
【解決手段】ｎ型AlGaInPクラッド層１１’の光取り出し面側を、側面が波状斜面であるライン状凸部よりなる波状斜面２次元周期凸構造Ｓとした。 （もっと読む）

【課題】カソード電極およびアノード電極をアニールする際の熱が多層半導体層に悪影響を与えるのを抑制することが可能な半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】バッファ層２とｎ形半導体層３と発光層４とｐ形半導体層５とで構成される多層半導体層１０（図１（ａ））をパターニングし（図１（ｂ））、透明結晶基板１の上記一表面側の多層半導体層１０における透明結晶基板１側とは反対側である一面側にアノード電極７およびカソード電極６を形成する電極形成工程を行う（図１（ｃ））。その後、図１（ｄ）に示すように、透明結晶基板１の他表面側から多層半導体層１０のバンドギャップエネルギよりも小さなエネルギの光として単色光のレーザ光ＬＢを多層半導体層１０を通してカソード電極６およびアノード電極７それぞれに照射することでカソード電極６およびアノード電極７をアニールするアニール工程を行う。 （もっと読む）

【課題】蛍光体を備え、搭載形態を問わずに採用できると共に光損失を低下させることができ、かつ、化合物半導体薄膜から発する光を効率良く蛍光体に照射することができる発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の発光素子は、基板１０と、基板１０の表面上に設けられ発光層２４を有する化合物半導体層２０と、基板１０の裏面に形成される凹部１２と、凹部１２の内部に配置され発光層２４が発する光により励起されると当該光と異なる波長の光を発する蛍光体４０と、凹部１２を覆い蛍光体４０が発する光に対して透過性を有し無機材料からなる透明層３０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、照射面に発生する色むらを低減することのできる発光体等を提供することを目的とする。
【解決手段】
発光体４は、発光層５ｆに給電するための一対の電極パターン５ａ，５ｈのうち少なくとも一方の電極パターン５ｈが光出射表面上に設けられているＬＥＤ５と、前記光出射表面に設けられた波長変換部材７とを備え、ＬＥＤ５から出射された光と波長変換された光との合成色の光を外部に出力する。波長変換部材７は、光出射表面から出射された光の波長を変換させる波長変換性能の高い被覆部（高性能部）７ａ，７ｄと、被覆部（高性能部）７ａ，７ｄよりも波長変換性能の低い非被覆部（低性能部）７ｅとを有し、被覆部（高性能部）７ａ，７ｄが電極パターン５ｈの形成領域を除く前記光出射表面上に存在し、非被覆部（低性能部）７ｅが電極パターン５ｈ上に存在している。 （もっと読む）

【課題】 金属ワイヤとの密着性が高く、かつ透明導電膜との界面における接触抵抗を低減させた、導電接続部としての金属複合膜を有する電極膜およびその製造方法、ならびに、この半導体素子用電極膜を具える発光素子を提供する。
【解決手段】 被成膜体上にチタンドープ酸化インジウムからなる透明導電膜を形成する工程と、該透明導電膜上に、外部との導電接続部としてＮｉ含有膜およびＡｕ含有膜を有する金属複合膜を形成する工程とを具えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アクセプタドープ層を含む積層体を形成する場合に、アクセプタドープ層におけるアクセプタ濃度の増大を図らなくても、ホール濃度を十分な濃度とし、ｐ型化を容易に実現できる半導体素子を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板１上に、アンドープＺｎＯ層２、共ドープＭｇＺｎＯ層３、透明導電膜４が順に積層されている。ここで、共ドープＭｇＺｎＯ層３は、アクセプタ元素とドナー元素とが共に含まれている共ドープ層である。共ドープＭｇＺｎＯ層３のバンドギャップは、共ドープ層以外の半導体層中で最も小さいバンドギャップとなるアンドープＺｎＯ層２のバンドギャップよりも大きくなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子製造時のダイシング工程における裏面チッピングの発生を抑制することができる半導体発光素子用ウェハを提供する。
【解決手段】少なくとも第一のクラッド層４、活性層５及び第二のクラッド層６から成るダブルへテロ構造を含み、ダブルへテロ構造の第一主表面側は光取出し面であって、第一主表面側には第一電極１２が形成されており、ダブルへテロ構造の相対する第二主表面側にはダブルへテロ構造側から順次金属光反射層９及び金属接合層１１が形成されており、さらに金属接合層１１を介して、支持基板１０の一方の主表面が結合されておりかつ他方の主表面には第二電極１３が形成されている半導体において、支持基板１０の第二電極１３は、ダイシング加工されるべき所定の位置に第二電極１３が形成されていないものである。 （もっと読む）

【課題】長期信頼性に優れた発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子１は、第１導電型の第１半導体層と、第１導電型とは異なる第２導電型の第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層とに挟まれる活性層１０５とを有する半導体積層構造１０と、第１半導体層の活性層１０５と接している側の反対側に設けられ、第１半導体層に電流を供給する第１電極、及び第１電極から離れた位置に設けられ、第１半導体層に電流を供給する第２電極とを備え、活性層１０５は、第１電極及び第２電極の双方に電流が供給された時に、供給された電流が活性層１０５の水平の方向に向かって広がることにより発光する。 （もっと読む）

【課題】発光層で生じた光を効率良く外部に取り出すことができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１半導体層と第２半導体層と第１及び第２半導体層の間に設けられた発光層とを有し、第２半導体層と発光層が選択的に除去されて第２半導体層の側の第１主面に第１半導体層の一部が露出した積層構造体と、第１主面上の第１半導体層上に設けられた第１金属膜を含む第１領域と、第１半導体層上に設けられ、発光層から放出される光に対する反射率が第１金属膜よりも高く、第１半導体層に対する接触抵抗が第１金属膜よりも高い第２金属膜を含む第２領域と、を有し、第１及び第２半導体層にそれぞれ接続された第１及び第２電極と、第１及び第２電極に覆われていない第１及び第２半導体層上に設けられ、屈折率の異なる誘電体膜が複数積層された誘電体積層膜と、を備えた半導体発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】 光取り出し効率を十分に向上させた発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子の製造方法は、第１の主面１ａと第２の主面１ｂとを有する単結晶基板１の第１の主面１ａ上に、第１導電型ＩＩＩ族窒化物半導体層４ａと、発光層４ｂと、第２導電型ＩＩＩ族窒化物半導体層４ｃと、を積層して光半導体部４を形成する工程と、第２の主面１ｂ上に、極性反転層２をエピタキシャル成長により形成する工程と、角錐体状のＩＩＩ族窒化物半導体３を極性反転層２上に形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体量子ドットへの電流注入と、十分な光子取り出し効率の両方を兼ね備える単一光子発生装置を提供する。
【解決手段】量子ドット７を含む活性層６がｐ型半導体層４とｎ型半導体層５の間に埋め込まれ、その上部のオーミック電極１１に、円形開口から金属突起１２、１３が張り出した構造を持つ突起付開口９が形成されている。ｐ型半導体層４およびｎ型半導体層５からの電流注入により生成された光子は、突起付開口９の中心部に存在する強い電磁場モードに優先的に結合し、同心円状に形成されたグレーティング１４を通して高い効率で外部へと取り出される。 （もっと読む）

【課題】上下電極構造を採り得る窒化物半導体発光素子であって、内部量子効率、光取り出し効率および駆動電圧に優れ、量産性にも優れる窒化物半導体発光素子、ならびにその製造方法を提供する。
【解決手段】誘電体からなる反射層１０５、透明導電層１０６、ｐ型窒化物半導体層１０９、発光層１１０およびｎ型窒化物半導体層１１１をこの順で含む窒化物半導体発光素子およびその製造方法である。透明導電層１０６は、導電性金属酸化物またはｎ型窒化物半導体からなることが好ましく、誘電体からなる反射層１０５は、高屈折率を有する誘電体からなる層と低屈折率を有する誘電体からなる層とを交互に積層させた積層構造を有することが好ましい。 （もっと読む）