【課題】耐薬品に優れた金属基板を用い、金属基板のレーザー切断時に生成するデブリの低減と金属基板に適したレーザー照射の位置決めの両方の目的を同時に果たす工程を含む発光ダイオードの製造方法、切断方法及び発光ダイオードを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る発光ダイオードの製造方法は、複数の金属板と該複数の金属板の少なくとも上面及び下面を覆う金属保護膜とからなる金属基板と、化合物半導体層とを備えたウェハを作製する工程と、化合物半導体層の切断予定ライン上の部分を、エッチングによって除去する工程と、金属保護膜のうち化合物半導体層を備えた面とは反対側の面の少なくとも一つの膜の少なくとも一部を、エッチングによって除去して位置決めマークを形成する工程と、位置決めマークに基づいて、化合物半導体層を備えた面とは反対側の面にレーザーを照射して金属基板を切断する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光吸収が低減された電極構造を有すると共に、耐薬品性に優れた金属基板を用いることにより収率が向上し、特性が安定した発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、金属基板１は一体とされた複数の金属層１ｂ、１ａ、１ｂと上面１ｂａ及び下面１ｂｂを覆うエッチャントに対して耐性を有する金属保護膜２とからなり、金属基板と化合物半導体層間には接合層４と反射層６とオーミックコンタクト電極７とが設けられ、化合物半導体層１０の金属基板の反対側１０ａにはオーミック電極１１と、パッド部１２ａ及び線状部１２ｂからなる表面電極１２とが設けられ、オーミック電極１１の表面１１ａは線状部により覆われ、オーミックコンタクト電極７及びオーミック電極１１はパッド部１２ａに重ならない位置に形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アモルファス状態の透明導電膜の光透過率を増加させ、シート抵抗を低下させ、ｐ型半導体層とのオーミックコンタクトを形成する技術を提供する。
【解決手段】
真空排気された真空槽３１内に、アモルファス状態の透明導電膜が表面に露出する処理対象物１が配置された状態で、真空槽３１内に不活性ガスと酸素ガスとを、不活性ガスに対する酸素ガスの流量比が１／２０以上３／７以下になるように導入して圧力を上昇させ、圧力が上昇した状態で処理対象物１を３００℃以上８００℃以下に加熱する（第一のアニール工程）。次いで、酸素ガスの導入を停止して、真空槽３１内の酸素ガスの分圧が第一のアニール工程での酸素ガスの分圧よりも低下した状態で、処理対象物１を３００℃以上８００℃以下に加熱する（第二のアニール工程）。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上させること。
【解決手段】平面視においてｎ電極１７の配線状部１７Ｂおよび、ｐ電極１８の配線状部１８Ｂに重なる領域には、ｐ型層１３表面からｎ型層１１に達する深さの溝１４が設けられている。溝１４の側面、底面、ｐ型層１３上、ＩＴＯ電極１５上に連続して、絶縁膜１６が設けられている。絶縁膜１６中であって、ｎ電極１７、ｐ電極１８の下側（サファイア基板１０側）にあたる領域には、反射膜１９が形成されている。そのうち、ｎ電極１７の配線状部１７Ｂ、ｐ電極１８の配線状部１８Ｂの下側にあたる領域の反射膜１９は、発光層１２よりも下側に位置している。ｎ電極１７、ｐ電極１８上は、絶縁膜２２によって覆われている。絶縁膜２２中であって、配線状部１７Ｂ、１８Ｂの上部にあたる領域には、反射膜２３が埋め込まれている。反射膜２３は、発光層１２よりも下側に位置している。 （もっと読む）

【課題】光取り出し面における局所的な電界集中を防止して光出力と静電気耐圧を向上できる半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】カウンタ電極構造の半導体発光素子は、第１半導体層の支持基板側に設けられ、第１半導体層とオーミック接触し、少なくとも１つの線状の第１電極片を含む第１電極と、第２半導体層の上に設けられ、第２半導体層とオーミック接触し、少なくとも１つの線状の第２電極片を含む第２電極と、第２の半導体層上に形成された複数の錐状突起と、を有する。第１電極片と第２電極片とは、半導体発光積層体の積層方向に重ならずに配置される。第１電極片と第２電極片とは、上面視において平行に配置される。複数の錐状突起のうち、上面視において、相互に平行に配置された第１電極片と第２電極片との間に位置する錐状突起は、その軸が、いずれも、該第一電極片と該第２電極片の伸長方向との成す角度が、±２６度の範囲内である。 （もっと読む）

【課題】複数の光出射部の間隔を大きくすることができ、発光装置がライトバルブの直下に配置された方式のプロジェクターに適用できる発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００は、電極により得られる光の導波路は、帯状の第１領域１６０および帯状の第２領域１６２を有し、第１領域１６０は曲率を備える第１部分１６２を有し、第２領域１７０は曲率を備える第２部分１７２を有し、第１領域１６０と第２領域１７０とは、第１層の側面１３０に設けられる反射部１８０，１８４にて接続され、反射部１８０，１８４が設けられる側面１３０に対向し、出射面となる第１層の側面１３２において第１領域１６０から出射される第１の光２０と、出射面１３０において第２領域１７０から出射される第２の光２２とは、同じ方向に出射される。 （もっと読む）

【課題】高速応答性と高出力性とを兼ね備えた赤色光及び／又は赤外光を発光する発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置を提供することである。
【解決手段】本発明に係る発光ダイオードは、基板上に、ＤＢＲ反射層と、発光部とを順に備える発光ダイオードであって、発光部は、組成式（Ａｌ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１）Ａｓ（０≦Ｘ１≦１）の化合物半導体からなる井戸層及びバリア層を交互に積層した量子井戸構造の活性層と、該活性層を挟む、組成式（Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２）_Ｙ１Ｉｎ_１−Ｙ１Ｐ（０≦Ｘ２≦１，０＜Ｙ１≦１）の化合物半導体からなる第１のクラッド層及び第２のクラッド層とを有し、井戸層及びバリア層のペア数が５以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体層に接するコンタクト電極の信頼性を高めた半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、絶縁膜と、ｐ側コンタクト電極と、ｎ側コンタクト電極と、ｐ側金属保護膜と、ｎ側金属保護膜とを備えている。半導体層は、発光層と、第１の面と、第１の面の反対側に形成された第２の面とを有する。ｐ側コンタクト電極は、絶縁膜に形成された第１の開口の内側で、第２の面における発光部に接して設けられている。ｎ側コンタクト電極は、第２の開口の内側で、第２の面における非発光部に接して設けられている。ｐ側金属保護膜は、ｐ側コンタクト電極の表面及び側面を覆っている。ｎ側金属保護膜は、ｎ側コンタクト電極の表面及び側面を覆っている。 （もっと読む）

【課題】レーザー光で切削して半導体素子用ウェハをチップ化するときのデブリの飛散による汚染を防止する。
【解決手段】半導体積層部と、前記半導体積層部の第二の面側に設けられる金属層と、前記金属層の前記半導体積層部とは反対側に設けられる支持基板と、前記半導体積層部の第一の面側に設けられ前記半導体積層部に電気的に接続される第一電極と、前記支持基板の前記金属層とは反対側に設けられ前記半導体積層部に電気的に接続される第二電極と、前記半導体積層部の前記第一の面側および前記半導体積層部における素子加工により露出した前記半導体積層部の表面を被覆する絶縁性保護膜と、を備える半導体素子用ウェハにおいて、前記絶縁性保護膜は、前記半導体素子用ウェハをチップ化するレーザー光が照射される切削領域上には形成されず、前記半導体積層部の表面の一部が露出していることを特徴とする半導体素子用ウェハである。 （もっと読む）

【課題】単位ＬＥＤ素子を連結して構成したブロック型のＬＥＤ素子は、電極数が多くなるうえ負電極が小さいため実装性が悪い。
【解決手段】単位ＬＥＤ素子のｐ型半導体層１６ａ，１６ｂから露出するｎ型半導体層１７ａ，１７ｂの露出部１７ｃ，１７ｄは、ｐ型半導体層１６ａ，１６ｂの中央部にあり、負電極配線１９を介して第２保護膜１３上に形成されたカソード用バンプ電極１２と接続している。同様にｐ型半導体層１６ａ，１６ｂは、ｐ型半導体層１６ａ，１６ｂの４隅に形成された第１保護膜の開口部１５ａ〜ｄ、正電極配線１４を介して第２保護膜１３上に形成されたアノード用バンプ電極１１と接続している。 （もっと読む）

【課題】基板面積に対する発光面積の比率が高く、且つ反射層の耐湿性を向上した半導体発光装置を提供する。
【解決手段】ｎ型半導体層２１、活性層２２及びｐ型半導体層２３がこの順で積層された積層体２０と、ｐ型半導体層２３上に配置された透明電極３０と、透明電極３０上に配置された電極絶縁膜４０と、電極絶縁膜４０上に配置され、電極絶縁膜４０、透明電極３０、ｐ型半導体層２３及び活性層２２を貫通して設けられたｎ側開口部４１でｎ型半導体層２１に接するｎ側電極５１と、電極絶縁膜４０上にｎ側電極５１と離間して配置され、電極絶縁膜４０に設けられたストライプ状のｐ側開口部４３で透明電極３０に接するｐ側電極５３と、電極絶縁膜４０内部に、又は透明電極３０と電極絶縁膜４０との間に、積層体２０の上面に対向して配置され、活性層２２から出射された光を反射する反射層７０とを備える。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、製造の容易な発光デバイス、及び、その製造方法を提供するこを提供すること。
【解決手段】透明結晶基板２は、一面が光出射面２１であり、発光素子１は透明結晶基板２の光出射面２１とは反対側の他面２２に積層されている。透明結晶基板の側に位置するＮ型半導体層３１は、Ｐ型半導体層３２と重ならない部分３３を有している。Ｎ型半導体層３１の第１半導体面電極５１は、重ならない部分３３の表面に設けられており、Ｐ型半導体層３２の第２半導体面電極５２は、第１半導体面電極５１と同じ側の面に設けられている。発光素子１は絶縁層６によって覆われており、絶縁層６には支持基板９が積層されている。絶縁層６を通って第１及び第２半導体面電極５１、５２に接続された第１及び第２縦導体７１、７２が、支持基板９を貫通する第１及び第２貫通電極９４、９５と接続されている。 （もっと読む）

【課題】電流密度分布の分散化を図り、発光分布の均質化を図ることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、第１導電型の第１半導体層と、第２導電型の第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光部と、を有する積層構造体と、積層構造体の第１半導体層の第１主面において、第２半導体層及び発光部が選択的に除去され、第１主面の側において第１半導体層が露出した面に設けられた第１電極と、第１主面の側において、第２半導体層の一部に設けられた第２電極と、を備える。第１電極は、パッド部と、パッド部から延出する延出部と、を有し、延出部の延出方向に対して直交する方向に沿った幅は、延出部における延出方向に沿った中央の位置よりパッド部側の位置から先端にかけて漸減する。第２電極におけるパッド部に最も近い端部の位置は、延出部における前記中央の位置よりもパッドから遠い。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上させることのできる半導体発光素子を提供することを可能にする。
【解決手段】本実施形態の半導体発光素子は、ｐ型窒化物半導体層と、前記ｐ型窒化物半導体層上に設けられ窒化物半導体の多重量井戸構造を有する活性層と、前記活性層上に設けられたｎ型窒化物半導体層と、を有する積層膜と、前記ｎ型窒化物半導体層に接続するｎ電極と、前記ｐ型窒化物半導体層に接続するｐ電極と、前記ｎ型窒化物半導体層の上面の表面に形成された凹凸領域と、を備え、前記凹凸領域は、高低差が１μｍ〜３μｍの第１の凹凸と、高低差が３００ｎｍ以下の第１の凹凸より小さな第２の凹凸が混在している。 （もっと読む）

【課題】光の高出力化及び取出効率並びに低動作電圧化を向上させることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子１は、活性層を有する半導体積層体１４の一方の表面に設けられる複数の分配電極１２と、半導体積層体１４の一方の表面側に設けられ、複数の分配電極１２を覆う透明導電膜２１と、半導体積層体１４の他方の表面側に設けられる導電反射層９と半導体積層体１４との間に位置する誘電体層１５と、誘電体層１５の内部で導電反射層９と半導体積層体１４とを電気的に接続し、平面視にて複数の分配電極１２に重ならない位置に設けられる界面電極８と、透明導電膜２１を介して複数の分配電極１２に電気的に接続し、平面視にて分配電極１２及び界面電極８に重ならない位置に設けられる表面電極１７とを備える。 （もっと読む）

【課題】高輝度化を図ることができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、第１導電形の第１半導体層と、第１電極層と、発光層と、第２導電形の第２半導体層と、第２導電形の第３半導体層と、第１半導体層に接続される第２電極層と、を備える。第１電極層は、第１半導体層から第１電極層に向かう方向に沿った厚さが１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下である金属部と、前記方向に沿って金属部を貫通し、前記方向に沿ってみたときの形状の円相当直径が１０ｎｍ以上、５マイクロメートル（μｍ）以下である複数の開口部と、を有する。発光層は、第１半導体層と第１電極層との間に設けられる。第３半導体層は、第２半導体層と第１電極層との間に設けられ、シート抵抗値が１０^３Ω／□以上、１０^６Ω／□以下である。 （もっと読む）

【課題】良好なオーミック接触を有するIII族窒化物半導体発光素子が提供される。
【解決手段】このIII族窒化物半導体発光素子では、接合ＪＣが窒化ガリウム系半導体層のｃ軸に直交する基準面に対して傾斜しており、電極がこの窒化ガリウム系半導体層の半極性面に接合する。しかしながら、この窒化ガリウム系半導体層における酸素濃度が、接合ＪＣを形成するように成長された窒化ガリウム系半導体層における酸素濃度は低減される。この窒化ガリウム系半導体層の半極性面に電極が接合を成すので、金属／半導体接合は良好なオーミック特性を示す。 （もっと読む）

【課題】構造を複雑化することなく光取り出し効率に優れた半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光装置は、透明層１上に縦横に列設される複数の発光部２と、これ
ら発光部２とは反対側の透明層１上に配置される複数のコンタクト部３とを備えている。
複数の発光部２のそれぞれは、光を発光する活性層５と、この活性層５から発光された光
の一部を反射するテーパ状に加工されたテーパ部７と、テーパ部７の底面に設けられる平
坦部８とを有する。コンタクト部３を発光部２からの光の通過を妨げない場所に配置する
ため、発光効率の向上が図れる。 （もっと読む）

【課題】半導体層中の特定領域に電流が集中することを抑制した発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、支持層と、支持層の上方に形成され、第１の導電型を有し、支持層よりも抵抗率が低い下側半導体層と、下側半導体層の上に形成された発光層と、発光層の上に形成され、第１の導電型と反対の第２の導電型を有する上側半導体層と、上側半導体層上に形成された上側電極とを含む第１の領域と；支持層と、支持層の上方に形成された下側半導体層と、下側半導体層上に形成された下側電極の第１の部分とを含む第２の領域と；支持層と、支持層上に形成された下側電極の第２の部分とを含む第３の領域とを有する。 （もっと読む）

【課題】光取り出し面側の電極の面積の増加や半導体膜の厚さの増加を抑えつつ、局所的な電流集中を防止して均一な発光分布を得ることができる半導体発光装置を提供すること。
【解決手段】支持体上であって支持体の外縁の一辺に対して平行となるように設けられて反射面を形成する線状のライン電極と、ライン電極の上に設けられた第１クラッド層と、第１クラッド層の上に設けられたAlGaInP系の発光層と、発光層の上に設けられた第２クラッド層と、第２クラッド層上に設けられた複数の表面電極片からなる表面電極と、を有し、ライン電極及び表面電極片は、同一平面に投影した場合に、平行且つ交互であるように配置され、ライン電極と表面電極片との間の距離をＬ、第１クラッド層及び第２クラッド層の合計層厚をＤとしたとき、Ｌ／Ｄ≦８．０が成り立ち、第１クラッド層内における電流経路上の抵抗をＲ_１、第２クラッド層内における電流経路上の抵抗をＲ_２としたときに、０．７≦Ｒ_１／Ｒ_２≦１．３が成り立つこと。 （もっと読む）