【課題】高い特性を維持するとともに、コストを低減できるＡｌＧａＡｓ基板、赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハおよび赤外ＬＥＤを提供する
【解決手段】本発明のＡｌＧａＡｓ基板１０は、主表面１１ａと、主表面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有するＡｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層（０≦ｘ≦１）と、裏面１１ｂに形成されたＧａＡｓ基板１３とを備える。Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層において、主表面１１ａのＡｌの組成比ｘは、裏面１１ｂのＡｌの組成比ｘよりも低い。ＧａＡｓ基板１３は、５×１０¹⁶ｃｍ^-3以上２×１０¹⁸ｃｍ^-3以下のｎ型キャリア濃度または５×１０¹⁸ｃｍ^-3以上３×１０¹⁹ｃｍ^-3以下のｐ型キャリア濃度を有する。 （もっと読む）

【課題】 配光特性を向上させた発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子１は、複数の半導体層が積層されてなる光半導体層11と、光半導体層11に電圧を印加し、光半導体層11を発光させる一対の電極12とを備え、一対の電極12は、光半導体層11で発光した光を反射する一方電極（第２電極）14を有しており、一方電極14は光半導体層11上に設けられた、光半導体層11を構成する最上層の半導体層よりも屈折率が小さい第１透明電極層14ａと、第１透明電極層14ａ上に設けられた、第１透明電極層14ａよりも屈折率が大きい第２透明電極層14ｂと、第２透明電極層14ｂ上に設けられた、第２透明電極層14ｂを透過した光を光半導体層11の方向へ反射させる反射性電極層14ｃとを具備している。光半導体層11で発光した光を光半導体層11の厚み方向と垂直な方向へ良好に拡散させることができ、発光素子１の配光特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】所望のパターンが形成でき、製造工程の迅速化を図ることが可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本実施形態のパターン形成方法は、下地１０の上に第１の膜１１を選択的に形成する工程と、前記第１の膜１１および前記第１の膜に覆われていない前記下地１０の上に、第２の膜１３を形成する工程と、前記第２の膜１３の平均結晶粒径を前記第２の膜１３の膜厚以上に調整する工程と、前記第１の膜１１のエッチャントを前記第２の膜１３の表面に晒し、前記第１の膜１１の上に形成された前記第２の膜１３を前記下地上から選択的に除去する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光ダイオードに関する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、基板と、第一半導体層と、第二半導体層と、活性層と、第一電極と、第二電極と、三次元ナノ構造体アレイと、を含む。前記第一半導体層、前記活性層、及び前記第二半導体層は、前記基板から離れる方向に順次的に前記基板に積層されている。前記第一電極は、前記第一半導体層に電気的に接続され、前記第二電極は、前記第二半導体層に電気的に接続される。前記三次元ナノ構造体アレイは、前記第二半導体層の前記活性層と隣接する表面とは反対の表面に配置される。前記三次元ナノ構造体アレイは複数のナノ構造体を含み、前記ナノ構造体は梯形三次元ナノ構造体である。 （もっと読む）

【課題】金合金電極と層間絶縁膜との密着性を向上させる。
【解決手段】化合物半導体素子は、ゲート半導体層１０と、カソード半導体層１２と、カソード半導体層１２上に形成されたＡｕ合金カソード電極１４と、ゲート半導体層１０上に形成されたＡｕ合金ゲート電極１６と、層間絶縁膜１８と、カソード電極１４及びゲート電極１６上のＡｌ配線２０と、保護膜２２を備える。カソード電極１４及びゲート電極１６と層間絶縁膜１８との界面に、酸化アニール処理により形成され、下地層の構成元素を主成分とする酸化膜１５，１７を備える。 （もっと読む）

【課題】高出力・高効率であって耐湿性に優れた発光ダイオード及び発光ダイオードランプを提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、基板上に、ＤＢＲ反射層と、発光部とを順に備える発光ダイオードであって、前記発光部は、組成式（Ａｌ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１）Ａｓ（０≦Ｘ１≦１）からなる井戸層とバリア層との積層構造を有する活性層と、該活性層を挟む、組成式（Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２）_ＹＩｎ_１−ＹＰ；０≦Ｘ２≦１，０＜Ｙ≦１）からなる第１のクラッド層及び第２のクラッド層とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低い電圧で駆動でき、優れた光取り出し効率を有する半導体発光素子、これを備えたランプ、電子機器及び機械装置を提供する。
【解決手段】基板１１の一面１１ａに、ｎ型半導体層１２と、発光層１３と、ｐ型半導体層１４と、結晶構造がアナターゼ型からなる酸化チタン系導電膜層１５とがこの順で積層されてなり、ｐ型半導体層１４と酸化チタン系導電膜層１５との間に、５ｍｇ／ｃｍ^３〜５ｇ／ｃｍ^３の濃度範囲のＺｒ元素を含む酸化物層が存在している半導体発光素子１とする。 （もっと読む）

【課題】ｐクラッド層の結晶性に起因する不良が生じにくく、かつ、高い出力の得られる半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第一有機金属化学気相成長装置において、基板上に第一ｎ型半導体層を積層する第一工程と、第二有機金属化学気相成長装置において前記第一ｎ型半導体層上に、前記第一ｎ型半導体層の再成長層と、第二ｎ型半導体層と、障壁層およびＧａ_１−ｘＩｎ_ｘＮ（０＜ｘ＜０．２）なる組成の井戸層からなる発光層と、Ａｌ_１−ｙＧａ_ｙＮ（０．１＜ｙ＜０．５）なる組成のｐクラッド層およびｐコンタクト層からなるｐ型半導体層と、を順次積層する第二工程とを具備し、前記第二工程において前記再成長層を基板温度７００℃〜１２００℃で形成し、前記ｐクラッド層を基板温度８００℃〜１２００℃で形成することを特徴とする半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を高めた半導体発光素子、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子は、基板と、該基板上に形成されたＩＩＩ族化合物半導体からなる発光層を含む半導体層と、該半導体層上の前記基板と接する側とは反対側の表面に配置された導電性薄膜と、該導電性薄膜の厚み方向に貫通して形成される電流阻止部と、該電流阻止部上に形成された第１の電極と、基板の半導体層と接する側とは反対側の表面上、または半導体層の露出面上に形成された第２の電極とを有し、導電性薄膜は、発光層が発光する光に対して透過性を有し、電流阻止部は、導電性薄膜と同一の材料からなり、かつ前記導電性薄膜よりも電気抵抗が高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高い信頼性を有するオーミック電極を備えた化合物半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】実施形態によれば、窒化物半導体層と、この窒化物半導体層上に設けられたオーミック電極と、を備え、前記オーミック電極は、前記窒化物半導体層との間で金属窒化物を形成する金属を含む第１電極層と、前記第１電極層上に設けられた、アルミニウム（Ａｌ）を含む第２電極層と、前記第２電極層の外面を被覆し、かつタングステン（Ｗ）を含む第３電極層と、前記第３電極層の外面を被覆し、かつ金（Ａｕ）を含む第４電極層と、を有することを特徴とする化合物半導体装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】 外部からの衝撃に対して優れた耐性構造を有し、各化合物半導体層および発光層の亀裂、損傷を抑制ないし防止することが可能な発光ダイオード素子を提供する。
【解決手段】 支持基板と、この支持基板表面に形成された第１導電型用電極と、この電極表面に順次形成された第１導電型化合物半導体層、発光層および第２導電型化合物半導体層と、この第２導電型化合物半導体層表面に形成された第２導電型用電極を備え、支持基板側と発光層を含む化合物半導体層側が第１導電型用電極で貼り合わされた発光ダイオード素子であって、前記第２導電型用電極直下に位置する前記支持基板表面と前記第１導電型用電極の界面に前記第２導電型用電極より広い面積を持つ絶縁層を形成し、かつ前記絶縁層上の前記第１導電型用電極領域に枠状空間を形成して空間内側の電極部と空間外側の電極部とを電気的に分離することを特徴とする発光ダイオード素子。 （もっと読む）

【課題】 光取り出し効率の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 （Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙ）_ｘＩｎ_１−ｘＰ（０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１）で構成される半導体層であって、第１導電型の第１半導体層、障壁層及び歪を有する井戸層を備える多重量子井戸構造の活性層、第２導電型の第２半導体層、第２導電型の第３半導体層がこの順に形成され、全体として平坦な積層である半導体層と、第１半導体層に電気的に接続された第１電極と、第３半導体層に電気的に接続された第２電極とを有し、活性層の第２半導体層側の一部は、活性層の面内方向から垂直方向に傾斜しており、第３半導体層は、Ｇａ_１−ｚＩｎ_ｚＰ（０≦ｚ≦０．３５）で形成されている半導体発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】シリコン等の半導体を用いた半導体発光素子を実現できるようにする。
【解決手段】半導体発光素子は、ｎ型不純物がドープされたｎ型半導体基板１１と、該ｎ型半導体基板１１の上に形成され、不純物が意図的にドープされていないｉ型半導体層１２と、該ｉ型半導体層１２の上に形成された金属周期構造を有する金属膜１３とを備えている。ｎ型半導体基板１１から金属膜１３にｉ型半導体層１２を通して電子を注入することにより、金属膜１３に励起された表面プラズモンが発光する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子をハンドリングする治具へのダメージが少なく、半導体発光素子自体の割れ・欠けも防ぐことが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板２０１と、前記基板２０１上に第一の導電型の第一クラッド層１０４、活性層１０５、前記第一クラッド層１０４とは異なる第二の導電型の第二クラッド層１０６を有する発光部を含む半導体積層部１０と、前記半導体積層部１０に電気的に接続する第一電極１２０および第二電極１２２と、を備え、前記半導体積層部１０は、前記基板２０１とは反対側の一方の面側を光取り出し面とし、前記半導体積層部１０のウェットエッチ側面の少なくとも一部に逆メサエッチング形状を有し、前記光取り出し面と前記ウェットエッチ側面とにより形成される角部２０を曲面をもって覆う透明絶縁膜１３０を有する。 （もっと読む）

【課題】 半導体発光素子の、光学系による外観認識率を向上させる。
【解決手段】発光部を含む半導体積層部と、半導体積層部の第１の主表面側を光取り出し面とし、半導体積層部の第２の主表面側に形成され、発光部で発生した光を第１の主表面側へと反射させる金属反射層と、半導体積層部と金属反射層との間の一部分に配置され、半導体積層部にオーミックコンタクト接合するオーミックコンタクト接合部と、光取り出し面に形成され、外部からの照射光の反射を防止する反射防止膜と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】光透過性基板と、光透過性基板上面側に形成される第１導電型の窒化物半導体層と、第１導電型の窒化物半導体層上面に形成される窒化物半導体の活性層と、活性層上面に形成される第２導電型の窒化物半導体層と、光透過性基板下面に形成される光透過性基板よりも屈折率の低い誘電体層と、誘電体層下面に形成される金属層とを備え、光透過性基板と誘電体層との界面が凹凸面であり、誘電体層と金属層の界面が平坦面であることを特徴とする半導体発光素子 （もっと読む）

【課題】 高い生産効率で半導体発光素子を製造する。
【解決手段】 （ａ）成長基板を準備する。（ｂ）成長基板上に、成長基板側から、各々Ａｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ_ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で構成される、第１導電型の第１半導体層、活性層、第２導電型の第２半導体層を含む半導体膜を形成する。（ｃ）支持体を準備する。（ｄ）半導体膜上及び／または支持体上に金属層を形成し、金属層を介して半導体膜と支持体とを接合する。（ｅ）成長基板の外周部にレーザビームを照射し、外周部において、成長基板と半導体膜とを剥離する。（ｆ）成長基板の外周部の内側領域に、レーザビームが照射されない未照射領域を設けながら、レーザビームを照射し、成長基板を半導体膜から剥離除去する。（ｇ）成長基板が剥離除去された半導体膜の一部を除去し、半導体発光素子が形成される領域を区画する。 （もっと読む）

【課題】改善された輝度特性を有する半導体発光素子、およびそれを用いた照明装置、ならびにその半導体素子の製造方法の提供。
【解決手段】化合物半導体層と、その上に形成された複数の開口部を有する金属電極層と、さらにその上に形成された特定の光取り出し層を具備する半導体発光素子。金属電極層は特定の大きさの開口部を有している。また、光取り出し層は、金属電極層を被覆する２０〜７０ｎｍの厚さのもの、または表面に凹凸構造が形成されており、金属電極層の表面から凸部頂点までの高さが２００ｎｍ以上７００ｎｍ以下のものとされる。 （もっと読む）

【課題】発光効率を向上し、駆動電圧を低減した半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体を含むｎ形半導体層と、窒化物半導体を含むｐ形半導体層と、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられ、窒化物半導体を含む井戸層４２及び窒化物半導体を含む障壁層４１を有する発光部４０と、発光部４０とｎ形半導体層との間に設けられ、Ｉｎの組成比が異なる第１層３１及び第２層３２を含む積層体３０と、を備え、障壁層４１の層厚が１０ｎｍ以下であり、積層体３０の平均Ｉｎ組成比をｐ、発光部４０の平均Ｉｎ組成比をｑとした場合、ｐ＞０．４ｑである。 （もっと読む）

【課題】ｎ型ＺｎＯ系半導体層を得るための新規な技術を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体素子の製造方法は、基板上方に、第１のアンドープＺｎＯ系半導体層を、４００℃以下で成長する工程と、第１のアンドープＺｎＯ系半導体層を、８００℃以上でアニールして、ｎ型キャリア濃度が１×１０^１６ｃｍ^−３以上の第１のｎ型ＺｎＯ系半導体層とする工程と、第１のｎ型ＺｎＯ系半導体層上方に、ＺｎＯ系半導体活性層を成長する工程と、ＺｎＯ系半導体活性層上方に、ｐ型ＺｎＯ系半導体層を成長する工程とを有し、第１のｎ型ＺｎＯ系半導体層、ＺｎＯ系半導体活性層、及びｐ型ＺｎＯ系半導体層の積層が、ｐｎ接合構造を形成する。 （もっと読む）