【課題】ｎ型ＺｎＯ系半導体層を得るための新規な技術を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体素子の製造方法は、基板上方に、第１のアンドープＺｎＯ系半導体層を、４００℃以下で成長する工程と、第１のアンドープＺｎＯ系半導体層を、８００℃以上でアニールして、ｎ型キャリア濃度が１×１０^１６ｃｍ^−３以上の第１のｎ型ＺｎＯ系半導体層とする工程と、第１のｎ型ＺｎＯ系半導体層上方に、ＺｎＯ系半導体活性層を成長する工程と、ＺｎＯ系半導体活性層上方に、ｐ型ＺｎＯ系半導体層を成長する工程とを有し、第１のｎ型ＺｎＯ系半導体層、ＺｎＯ系半導体活性層、及びｐ型ＺｎＯ系半導体層の積層が、ｐｎ接合構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】高出力・高効率で８５０ｎｍ以上、特に９００ｎｍ以上の発光ピーク波長の赤外光を発光する発光ダイオードを提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、組成式（Ｉｎ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１）Ａｓ（０≦Ｘ１≦１）からなる井戸層と組成式（Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２）Ａｓ（０≦Ｘ２≦１）からなるバリア層とを交互に積層した量子井戸構造の活性層と、該活性層を挟む、組成式（Ａｌ_Ｘ３Ｇａ_１−Ｘ３）Ａｓ（０≦Ｘ３≦１）からなる第１のガイド及び第２のガイドと、該第１のガイド及び第２のガイドのそれぞれを介して前記活性層を挟む第１のクラッド層及び第２のクラッド層とを有する発光部と、前記発光部上に形成された電流拡散層と、前記電流拡散層に接合された機能性基板と、を備え、前記第１及び第２のクラッド層が組成式（Ａｌ_Ｘ４Ｇａ_１−Ｘ４）_ＹＩｎ_１−ＹＰ（０≦Ｘ４≦１，０＜Ｙ≦１）からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光電半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による光電半導体素子は、基板と、前記基板に形成され、第一シート抵抗値と、第一厚みと、第一ドーパント濃度とを有する第一ウィンドウ層と、第二シート抵抗値と、第二厚みと、第二ドーパント濃度とを有する第二ウィンドウ層と、前記第一ウィンドウ層と前記第二ウィンドウ層との間に形成される半導体システムと、を含み、前記第二ウィンドウ層及び前記半導体システムは、異なる半導体材料を含み、前記第二シート抵抗値は、前記第一シート抵抗値より低く、前記第二厚みは、前記第一厚みより大きい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、新たな構造を有し、熱抵抗が低下した発光装置及び照明システムを提供するためのものである。
【解決手段】本発明による発光装置は、胴体と、上記胴体の上に突出パターンを有する第１電極と、上記胴体の上に上記第１電極と電気的に分離された第２電極と、上記突出パターンを含む第１電極の上の接合層と、上記接合層の上の発光素子と、を含む。 （もっと読む）

【課題】光半導体装置全体に亘って均一に電流拡散させて発光分布を均一にさせる機能を有するフェイスアップ型光半導体装置の提供。
【解決手段】Ｃ面サファイア基板１上にｎ型GaN層２、活性層３及びｐ型GaN層４の各半導体層を形成する。ｐ型GaN層４及び活性層３の一部を除去して残存したｐ型GaN層４の全面に透明電極層５を形成する。透明電極層５上にパッド部６１及び補助電極部６２ａ、６２ｂよりなるｐ側電極６を形成する。露出したｎ型GaN層２上にｎ側電極７を形成する。側方の弱発光領域に相当する領域の透明電極層５上の、ｎ側電極７を中心とする同心円の円周もしくはその接線上にこの円周もしくはその接線に沿うように外側独立電極８１ａ、８１ｂ、８２ａ、８２ｂ、８３ａ、８３ｂを設ける。 （もっと読む）

【課題】ラテラル構造およびフリップチップ構造の問題を解決し、さらに発光層で発生した紫外光のうち、裏面に向かう光を効率的に反射して表面からの発光量を増大させることができるバーチカル型III族窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のバーチカル型III族窒化物半導体発光素子１００は、ｐ側電極層１１１と、導電性サポート部１０９と、接続層１０８と、反射電極層１０７と、ｐ型半導体積層体１０５、発光層１０４およびｎ型半導体積層体１０３からなるIII族窒化物半導体積層体と、ｎ側電極層１１０とを順に具え、前記反射電極層１０７は、前記ｐ型半導体積層体１０５に直接接合するロジウム、ロジウム含有合金、ルテニウム、ルテニウム含有合金のいずれかからなり、発光波長が２００〜４９５ｎｍの範囲であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光出力を維持しつつ逆耐圧Vrのウエハ面内ばらつきを抑え、高い歩留りを確保することができるAlGaInP系半導体発光装置を提供する
【解決手段】
AlGaInPからなる活性層と、活性層を挟むように設けられ活性層のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有するｎ型クラッド層およびｐ型クラッド層と、を含む半導体膜を有する。ｎ型クラッド層は、AlGaInPからなる第１のｎ型クラッド層とAlInPからなる第２のｎ型クラッド層とを含み、第２のｎ型クラッド層の層厚は４０〜２００ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】ｃ面に対して傾斜したｐ型主面において良好なオーミック接触を有する半導体素子を提供する。
【解決手段】ｐ型半導体領域１３の主面１３ａは該六方晶系III族窒化物のｃ軸（＜０００１＞軸）に対して傾斜した平面に沿って延在する。金属層１５はｐ型半導体領域１３の主面１３ａ上に設けられる。金属層１５とｐ型半導体領域１３とは界面１７を形成するように積層されてノンアロイ電極を構成する。六方晶系III族窒化物はIII族構成元素としてガリウムを含むので、六方晶系III族窒化物からなる主面１３ａは、六方晶系III族窒化物のｃ面に比べて酸化されやすい。金属層１５とｐ型半導体領域１３とは、界面１７を形成するように積層されてノンアロイ電極を構成する。電極のための金属層１５を形成した後のアロイによる酸化物増加を避ける。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上できる赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハおよび赤外ＬＥＤを提供する。
【解決手段】赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハ２０ｂは、主表面１１ａと、主表面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有するＡｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層１１（０≦ｘ≦１）を含むＡｌ_yＧａ_(1-y)Ａｓ基板（０≦ｙ≦１）１０と、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層１１の主表面１１ａ上に形成され、かつ活性層を含むエピタキシャル層２１とを備え、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層１１において、裏面１１ｂのＡｌの組成比ｘは、主表面１１ａのＡｌの組成比ｘよりも高く、かつ裏面１１ｂ側から主表面１１ａ側に向けてキャリア濃度が変化している。 （もっと読む）

【課題】薄型でかつ発光効率の高い半導体発光素子及びＬＥＤランプ、並びに半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＡｌＧａＩｎＰ系あるいはＡｌＧａＡｓ系の活性層を含む半導体積層部と、半導体積層部の第一の面側を光取り出し面とし、半導体積層部の第二の面側に形成され、活性層からの光を反射させる金属反射層と、半導体積層部に金属反射層を介して結合された支持基板と、半導体積層部と金属反射層とに挟まれる透明誘電体層と、透明誘電体層を貫通し透明誘電体層の一部分に配置されたオーミックコンタクト接合部と、半導体積層部の第一の面側に形成された第一電極と、金属反射層に対して第一電極と同一面側に、半導体積層部と非接触に形成され、オーミックコンタクト接合部に電気的に接続する第二電極と、を備え、支持基板は厚さ６０μｍ以上１２０μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】発光強度の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 発光層を挟んで第１導電型層、第２導電型層が設けられた積層構造を有し、前記第２導電層が、前記第１導電型層の露出部を形成する溝構造により、大小２部分に分断されており、当該分断された大きい方の第２導電型層上に第２導電型の電極パッドを有し、当該分断された小さい方の第２導電型層上に第１導電型の電極パッドを有し、当該第１導電型の電極パッドは、当該第１導電型の電極パッドを起点とし、前記露出した第１導電型へ互いに独立してコンタクトする２本以上の導電配線により、前記第１導電型層の露出部に設けられた互いに独立した２箇所以上と、それぞれ電気的にコンタクトしている発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】ウエットエッチング法にて加工するときに問題が生じることがなく、しかも、駆動電圧が上昇することのない半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、（Ａ）第１導電型を有し、下から第１ＧａＡｓ層１１Ａと第１ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体層１１Ｂとが積層された第１化合物半導体層１１、ＧａＩｎＰ系化合物半導体層から成る活性層１３、及び、第２導電型を有し、下から第２ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体層１２Ｂと第２ＧａＡｓ層１２Ａとが積層された第２化合物半導体層１２から構成された積層構造体１０Ｂ、（Ｂ）第１電極１４、（Ｃ）第２ＧａＡｓ層１２Ａ上に形成された第２電極１５を備えており、活性層１３には不純物がドーピングされており、第２ＧａＡｓ層１２Ａの大きさは、第２ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体層１２Ｂの大きさよりも小さく、且つ、第２電極１５と実質的に同じ大きさである。 （もっと読む）

【課題】半導体積層体における電流の拡散性を損なうことなく、素子の光取り出し効率を向上させることのできる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第１導電型層上に形成されるｎ側電極１０と、第２導電型層上に形成される透明電極２１及び透明電極２１上に形成される補助電極２２を有するｐ側電極２０と、を備えた発光素子１において、補助電極２２はｎ側電極１０の本体１１を半分以上包囲しｎ側電極１０の本体１１との平面視の距離が最小となる最小距離部２５を延在方向について複数有する線状の包囲部２４と、包囲部２４の外側に形成されワイヤを接続するためのパッド部２３と、を含み、ｎ側電極１０は本体１１から包囲部２４の両端の間へ延びる線状の突出部１２を有する。 （もっと読む）

【課題】電極の形状の安定性に優れた窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法に関する。
【解決手段】基板上に、少なくとも第１導電型半導体層と活性層と第２導電型半導体層とをこの順に含む窒化物系化合物半導体の積層体を形成する工程と、積層体上にフォトレジストを塗布する工程と、フォトレジストが塗布された積層体をステージ上に載置して、ステージの上方からフォトレジストに向けて光を照射することによってフォトレジストを上方から露光するとともに、該照射された光をステージから反射させることによってフォトレジストを下方から露光する工程と、露光されたフォトレジストを現像することによってフォトレジストに開口部を形成する工程と、開口部が形成されたフォトレジスト上および開口部が形成されることによって露出した積層体上に金属膜を形成する工程と、金属膜が形成されたフォトレジストを除去する工程と、を有する窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層と良好なオーミック接触を得ることができ、且つ、加熱による特性劣化に耐性を有する負極を備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】基板上に窒化ガリウム系化合物半導体からなるｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層をこの順序で含み、負極および正極がそれぞれｎ型半導体層およびｐ型半導体層に設けられている発光素子において、該負極が少なくともｎ型半導体層と接するコンタクトメタル層およびボンディングパッド層を含み、該コンタクトメタル層がＣｒ−Ａｌ合金であることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】光が外部に放出される領域を略同一とすることが可能なＬＥＤアレイを提供する。
【解決手段】複数の発光部１Ａ〜１Ｊを半導体基板上に配置したＬＥＤアレイであって、複数の発光部１Ａ〜１Ｊを、ＬＥＤアレイの一方の端部から他方の端部へＬＥＤアレイの長手方向と垂直な方向に交互に配置させ、奇数番目の発光部（１Ａ、１Ｃ、１Ｅ、１Ｇ、１Ｉ）の一端を電極（２Ａ、２Ｃ、２Ｅ、２Ｇ、２Ｉ）を介して一方のドライバＩＣと接続させると共に他端をダミー電極（３Ａ、３Ｃ，３Ｅ、３Ｇ、３Ｉ）と接続させ、偶数番目の発光部（１Ｂ、１Ｄ、１Ｆ、１Ｈ、１Ｊ）の一端を電極（２Ｂ、２Ｄ，２Ｆ、２Ｈ、２Ｊ）を介して他方のドライバＩＣと接続させると共に他端をダミー電極（３Ｂ、３Ｄ、３Ｆ、３Ｈ、３Ｊ）と接続させ、夫々の発光部（１Ａ〜１Ｊ）は、ダミー電極（３Ａ〜３Ｊ）が接続されている領域よりもドライバＩＣが接続されている領域の方を広くした。 （もっと読む）

【課題】バリア金属層を形成することの問題を少なくする。
【解決手段】半導体層５１と、この半導体層５１上に形成され、前記半導体層５１との電気的に接続される金電極層５２を有する。そして、絶縁膜５４が半導体層５１を覆うとともに、この絶縁膜５４の前記金電極層５２の少なくとも一部を露出するコンタクト開口が形成される。金電極層５２上から前記絶縁膜５４上のコンタクト開口の周辺までの限定された範囲を覆うバリア金属層５５が形成され、このバリア金属層５５上にバリア金属層５５と電気的に接続されるとともに、絶縁膜５４上を前記コンタクト開口から離れる方向に伸び、アルミニウムを含む金属で形成されるアルミニウム配線層５７が形成される。 （もっと読む）

【課題】小型化を図ることができ、かつ高出力である新規な発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子１００は、第１利得領域１４０ａと第２利得領域１４０ｂとは、第１利得領域１４０ａの端面と、第２利得領域１４０ｂの端面とが第１の面１０５に設けられた第１の重なり面１６０で重なる第１のＶ型利得領域１４０を構成し、第３利得領域１４２ａと第４利得領域１４２ｂとは、第３利得領域１４２ａの端面と、第４利得領域１４２ｂの端面とが第２の面１０７に設けられた第２の重なり面１６２で重なる第２のＶ型利得領域１４２を構成し、第１のＶ型利得領域１４０に生じる光は、第２の面１０７側から出射され、第２のＶ型利得領域１４２に生じる光は、第１の面１０５側から出射される。 （もっと読む）

【課題】 ワイヤーボンダビリティが良好な電極を形成することのできる発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 少なくとも、ｎ型半導体結晶と、発光層と、ＧａまたはＩｎを含みキャリア濃度が１×１０^１７／ｃｍ^３以上１×１０^１９／ｃｍ^３以下であるｐ型半導体結晶とが、この順で形成された半導体結晶の前記ｐ型半導体結晶の表面に、オーミック電極材料として、少なくとも、ＡｕＢｅを含む層、Ｔｉ層、Ａｕ層を形成し、その後熱処理を行ってオーミック電極を形成し、その後前記半導体結晶をダイシングする発光素子の製造方法であって、少なくとも、前記形成されたオーミック電極の表面を、ヨウ素ヨウ化カリウム溶液を用いて洗浄する工程を含むことを特徴とする発光素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】赤色発光の略全てをＭｎ^４＋付活フッ化物錯体蛍光体が担うように構成され、照明用途への適用が可能な程度に良好な演色性を有する、ＮＵＶ−ＬＥＤベースの３波長型白色ＬＥＤを提供すること。
【解決手段】ピーク波長４４０ｎｍ〜４７０ｎｍかつ半値幅５０ｎｍ〜７０ｎｍの主発光ピークを有し青色発光する第１蛍光体と、ピーク波長５２５ｎｍ〜５５０ｎｍかつ半値幅５５ｎｍ〜７５ｎｍの主発光ピークを有し緑色発光する第２蛍光体と、赤色発光するＭｎ^４＋付活フッ化物錯体蛍光体である第３蛍光体と、近紫外または紫色の光を主として出すＬＥＤ素子とを備え、上記ＬＥＤ素子が出す光を直接的または間接的な励起源に用いて上記第１蛍光体、第２蛍光体および第３蛍光体を発光させる。 （もっと読む）