【課題】ＬＥＤ用の半導体装置において、発光効率を向上する。
【解決手段】ＬＥＤ用の半導体装置は、基板１０上に形成されたオーミック電極１１と、このオーミック電極１１上に接合され、電気を光に変換して出射するＬＥＤ用の半導体薄膜２０と、オーミック電極膜１１の開口部内に形成され、半導体薄膜２０の裏面側から漏れる光を反射する反射部１２とを有している。反射部１２は、高反射金属膜により形成され、半導体薄膜２０の裏面側から漏れる光をその半導体薄膜２０の方向へ反射する機能を有している。そのため、反射部１２の光反射により、光出力を向上できる。 （もっと読む）

【課題】ＰＮ接合部分のショートや電流リークが低減され、光取り出し効率が高く、製造歩留まりが高く、かつ信頼性の高い窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】導電性基板と接合層と窒化物半導体層とをこの順に含む窒化物半導体発光素子であって、上記接合層と上記窒化物半導体層との間にはさらに絶縁層を有し、上記絶縁層の表面内に、上記窒化物半導体層の上記接合層側の面の外周部が接していることを特徴とする窒化物半導体発光素子であって、上記窒化物半導体層は、少なくとも、第二ｎ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層と、発光層と、第一ｎ型窒化物半導体層とを導電性基板側からこの順に含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
光取り出し効率の向上した窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】
窒化物半導体発光素子は、六方晶系構造の窒化物半導体成長用の基板と、基板上方に形成された、第１導電型の第１の窒化物半導体層と、第１の窒化物半導体層の上に形成された、電流が流れることにより発光する活性層と、活性層の上に形成された、第２導電型の第２の窒化物半導体層とを含んだ半導体層と、第２の窒化物半導体層の上方の少なくとも一部に形成され、窒化物半導体の六方晶系構造由来の六角錐形状を有する構造体と、第２の窒化物半導体層と前記構造体の表面を覆う透光性電極とを有し、構造体は、第２導電型の窒化物半導体からなる下層と、意図的に不純物をドープしない窒化物半導体からなる上層とで構成される。 （もっと読む）

【課題】光吸収が低減され、高輝度が可能な発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体からなる発光層と、ワイヤを接続可能なボンディング電極と、前記ボンディング電極を取り囲むようにその周囲に離間して設けられ且つ前記ボンディング電極との連結部を有する細線電極と、を有する上側電極と、前記発光層と前記上側電極との間に設けられた電流拡散層であって、前記上側電極の非形成領域に形成され前記発光層から放出された光を出射可能な凹部を有する電流拡散層と、を備えたことを特徴とする発光装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、窒化物系化合物半導体のクラックの発生を防止することのできる発光素子の提供を課題とする。
【解決手段】本発明の窒化物系化合物半導体を用いた発光素子は、支持基板上に、支持基板側から順に、金属膜、開口部を有する保護膜、オーミック性電極、窒化物系化合物半導体層、負電極が設けられ、該負電極と反対側の支持基板表面に正電極が配置された発光素子であって、該窒化物系化合物半導体層は支持基板側から順にｐ型層、活性層およびｎ型層を有しており、前記保護膜とオーミック性電極は少なくとも負電極と重なる領域に配置されており、前記保護膜の開口部は前記負電極と重ならない領域だけに設けられることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電極配線の断線が起こり難く、更に発光部からの光が電極配線で反射され難い構造の発光ダイオードアレイを提供する。
【解決手段】発光ダイオードアレイ１は、基板上に積層される半導体層と、半導体層をエッチングすることにより形成され、一方向に配列される複数の発光部４と、発光部４の上部から延び出し、前記エッチングによって形成されて前記一方向と平行な方向に延びる溝１０を横切り、溝１０の外へと引き出される複数の電極６と、を備える。複数の電極６の各々は、発光部４に形成される発光部側電極部６１と、溝１０の横に形成される電極パッド部６３と、発光部側電極部６１と電極パッド部６３とを接続する配線部６２と、から成り、配線部６２は、溝１０の外へと引き出される側の段差の肩１３部において、配線の太さが他に比べて太くなっている。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置としての発光ダイオードアレイ１０００を構成する半導体チップは、所定の半導体ウエハ上に同時に多数個形成され、スクライバーやダイシングソーなどにより半導体ウエハが切断され半導体チップが生成される。このときに欠陥の発生する確率を低減させること。
【解決手段】 半導体薄膜層１２０の少なくとも一部領域、及び、上記半導体薄膜１２０に接続する第１導電側電極１３１、第１導電側配線１３２、第２導電側電極１４１、第２導電側配線１４２等の導電部材の少なくとも一部を覆う被覆層１７０を備える。 （もっと読む）

【課題】スペックルノイズを低減できる新規な発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００は、第１クラッド層１０６と、第１クラッド層１０６の上方に形成された活性層１０８と、活性層１０８の上方に形成された第２クラッド層１１０と、を含み、活性層１０８のうちの少なくとも一部は、複数の利得領域１８０を構成し、複数の利得領域１８０の各々は、平面的に見て、活性層１０８の第１側面１０７から第１側面１０７に平行な活性層１０８の第２側面１０９まで、第１側面１０７の垂線に対して傾いた方向に向かって設けられ、複数の利得領域１８０は、１つ以上の第１利得領域１８１と、第１利得領域１８１と面積が異なる１つ以上の第２利得領域１８２と、によって構成されている。 （もっと読む）

【課題】出射される光の強度を、効率よく制御することができる発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１００は、第１クラッド層と、その上方に積層された活性層１０８と、第２クラッド層と、第１クラッド層に電気的に接続された第１電極と、第２クラッド層に電気的に接続された第２電極と、を含み、活性層１０８のうちの少なくとも一部は、第１利得部分１８１と、第１利得部分１８１と接続部分１９０を介して分離した第２利得部分１８２と、を有する利得領域１８０を構成し、第２利得部分１８２は、光を出射する出射端面を有し、第１電極および第２電極の少なくとも一方は、第１部分と、第１部分と電気的に分離された第２部分と、からなり、第１部分は、第１利得部分１８１に電流を注入する電極であり、第２部分は、第２利得部分１８２に電流を注入する電極である。 （もっと読む）

【課題】発光層から裏面に向かう光を有効に反射させることで光取り出し効率を向上させ、かつ、発光層からの熱の放熱性を向上させることにより、高光出力性能を有することができる半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板の上面の側に、下側クラッド層、発光層、上側クラッド層および第１電極層を有し、前記支持基板の下面の側に第２電極層を有する半導体発光素子において、前記支持基板と前記下側クラッド層との間に、光反射層と、該光反射層の上に設けられ、高熱伝導率を有する光透過層とを具えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ｎ型窒化物半導体に対する良好なオーム性接触と、実装性に優れる良好なＡｕ表面を有するｎ電極を備えた窒化物半導体発光装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体に接する側から順に、窒化アルミニウムからなる厚さが１nm以上、５nm未満の範囲である第一層と、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｍｏ及びＰｔから選ばれる1以上の金属からなる第二層と、Ａｕからなる第三層とを有する積層構造で構成され、上記積層膜を形成後、ｎ型窒化物半導体に対してオーミック接続を得るための熱処理を施したｎ電極を用いる。 （もっと読む）

【課題】 発光ダイオードなどの発光装置において、半導体発光素子の表面に屈折率傾斜を有する光透過層を設けて、全反射による発光量の損失を低減する。
【解決手段】 サファイア基板２の上にＧａ−Ｎを主体として半導体発光素子１０と電極３，４が設けられている。半導体発光素子１０の表面には、光透過層２０が設けられている。この光透過層２０はＣＶＤ法で形成され、光透過層２０の内部では、半導体発光素子１０に近づくにしたがって、酸素の濃度が減少し、且つ窒素の濃度が上昇している。よって、光透過層２０は、半導体発光素子１０から離れるにしたがって、屈折率が徐々に小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】チップ側面及び裏面における接着剤による光吸収を低減し、光取り出し効率が改善できる発光素子及びその製造方法、発光装置を提供する。
【解決手段】上面と、前記上面に対向する裏面と、前記裏面に略垂直な側面と、を有し、第１の波長帯の光に対する透光性と、導電性と、を有する基板と、前記上面の上に設けられ、前記第１の波長帯の光を放出する発光層を含む積層体と、前記側面のうちの前記裏面に隣接する少なくとも一部と、前記裏面の少なくとも一部と、に設けられた反射層と、を備えたことを特徴とする発光素子及びその製造方法、並びに発光装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】空乏層の厚さを制御して漏洩電流の抑制ができる半導体発光素子及びこれを用いた表示装置を提供すること。
【解決手段】半導体発光素子は、支持用基板に、ｐ側電極層１２、ｐ型コンタクト層１４、ｐ型クラッド層１６、活性層１８、ｎ型クラッド層２０、ｎ型コンタクト２４層、ｎ側電極層２６を有し、ｎ側電極層がｎ型コンタクト層及びｎ型クラッド層上に接触して積層され、ｎ型コンタクト層とオーミック接合を形成し、ｎ型クラッド層とショットキー接合を形成するように構成される。逆バイアス印加時、ｎ型コンタクト層の下方でｎ型クラッド層に空乏層２２が形成され、逆バイアスの増大と共に空乏層が拡大され、漏洩電流が抑制される。ｎ型コンタクト層の直径が２０μｍ以下である。この半導体発光素子が２次元マトリックス状に配列され表示装置が構成され、半導体発光素子が単純マトリックス駆動される。 （もっと読む）

【課題】ｐ側ＧａＮ層と電極との接触抵抗を下げることができる窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】成長用基板であるサファイア基板１上に選択成長用マスク１１が形成され、ＡｌＮバッファ層２上には、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮ層４、活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層されており、ｐ型ＧａＮ層６上には混合ドープＧａＮ層６ａが形成される。混合ドープＧａＮ層６ａは、ＧａＮに、ｐ型不純物とｎ型不純物とが同時にドーピングされており、その濃度はいずれも１×１０^１９ｃｍ^−３以上である。また、混合ドープＧａＮ層６ａの膜厚は２５ｎｍ以下に形成される。 （もっと読む）

【課題】発光に必要な電圧を低下することのできる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ＬＥＤは、キャリアが注入されることにより発光する発光層と、発光層の一方の主面側に形成されたフォトニック結晶層８とを備えている。フォトニック結晶層８は、Ｓｉを含む複数の格子点８１と、母層８２とを有している。母層８２は、平面的に見て複数の格子点８１の各々を取り囲んでおり、かつＧａＮを含んでいる。複数の格子点８１のうち一つの格子点８１ａと、格子点８１ａに最も近い格子点８１ｂとの間隔は１３０ｎｍ以上１０μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】主表面上に少なくとも１層の３種類以上の元素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させても高い特性を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体デバイスが得られるＧａＡｓ半導体基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ半導体基板１０は、主表面１０ｍが（１００）面１０ａに対して６〜１６°の傾斜角θを有し、主表面１０ｍにおける塩素原子濃度が１×１０¹³ｃｍ^-2以下である。また、ＧａＡｓ半導体基板１０の製造方法は、ＧａＡｓ半導体ウエハを研磨する研磨工程と、研磨されたＧａＡｓ半導体ウエハを洗浄する１次洗浄工程と、１次洗浄後のＧａＡｓ半導体ウエハの厚さおよび主表面１０ｍの粗さを検査する検査工程と、検査後のＧａＡｓ半導体ウエハを塩酸以外の酸およびアルカリのいずれかにより洗浄する２次洗浄工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】逆耐圧の高い発光装置及び逆耐圧の高い発光装置を歩留りよく形成できる発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置は、機械的に加工された加工側面を有する導電性の支持基板と、エッチングで形成されたエッチング側面を有し、少なくとも発光層を含んで支持基板上に設けられる化合物半導体層とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系半導体部材の新規な加工技術を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体素子の製造方法は、（ａ）ウルツァイト構造を持ち、一方の面が＋Ｃ面でその反対側の面が−Ｃ面であるＺｎＯ系半導体基板と、ＺｎＯ系半導体基板の＋Ｃ面の上方にエピタキシャル成長され、第１の導電型を有する第１のＺｎＯ系半導体層と、第１の半導体層の上方にエピタキシャル成長され、第１の導電型と反対の第２の導電型を有する第２のＺｎＯ系半導体層とを含むＺｎＯ系半導体ウエハを準備する工程と、（ｂ）ＺｎＯ系半導体ウエハを酸性エッチング液でウエットエッチングすることにより、ＺｎＯ系半導体基板の−Ｃ面をエッチングする工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、放熱性に優れるとともに、チップ化する際に分割を容易に行うことができる発光ダイオードおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にｎ型半導体層２１と、発光層２２と、ｐ型半導体層２３とおよび複数の反射性ｐ型オーミック電極３０を形成する工程と、前記反射性ｐ型オーミック電極３０の上にへき開性基板６０を形成する工程と、光取り出し面２０ａを露出させる工程と、前記光取り出し面２０ａにｎ型オーミック電極１０を形成する工程と、前記へき開性基板６０のうち前記反射性ｐ型オーミック電極３０と対応する部分に凹部を設ける工程と、シード層７３を形成する工程と、前記シード層７３にメッキ層７０を形成する工程と、前記へき開性基板６０のうち凹部を区画する周辺部６３をへき開する工程と、を具備してなることを特徴とする発光ダイオード１００の製造方法により、上記課題を解決できる。 （もっと読む）