【課題】非極性面を主面としたIII族窒化物半導体で構成された装置本体に対してｎ型電極を良好にオーミック接触させることができる構造の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】この発光ダイオードは、ｍ面を主面とするＧａＮ単結晶基板１上にIII族窒化物半導体層２を成長させて構成された素子本体を有している。III族窒化物半導体層２は、ＧａＮ単結晶基板１側から順に、ｎ型コンタクト層２１、発光層としての多重量子井戸層２２、ＧａＮファイナルバリア層２５、ｐ型電子阻止層２３、およびｐ型コンタクト層２４を積層した積層構造を有している。ｎ型コンタクト層２１には、ｎ型電極５が接合されている。ｎ型コンタクト層２１においてｎ型電極５が接合される部分は、このｎ型電極５との間にオーミック接合を形成する接触部２１Ａをなしている。接触部２１Ａには、凹凸微細構造が形成されている。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上し、活性層の発光領域の輝度及び発熱を均一化し、素子間の駆動電圧及び寿命のばらつきを抑制する発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置は、発光層を含む半導体積層構造と、半導体積層構造の一の表面に形成される上部電極と、中心を上部電極の中心に対応させ、上部電極の直下を除く半導体積層構造の他の表面上の領域に上部電極の外周形状と相似形状の部分を少なくとも一部に有して形成される界面電極と、界面電極が形成されている領域を除く半導体積層構造の他の表面上の領域に形成され、発光層が発する光を透過する電流阻止層と、界面電極と電気的に接続し、発光層が発する光のうち、電流阻止層を透過した光を半導体積層構造の一の表面側に反射する反射層と、反射層の半導体積層構造の反対側において、半導体積層構造と電気的に接続する導電性の支持基板とを備える。 （もっと読む）

【課題】出力光強度が使用温度環境の影響を受け難い面発光ダイオードを提供する。
【解決手段】多層膜反射鏡１４は、活性層２２で発光させられる光の中心波長λ_C よりも長波長側に反射波長帯の中心波長λ₁ を有する第１多層膜反射鏡１６、および活性層２２で発光させられる光の中心波長λ_C よりも短波長側に反射波長帯の中心波長λ₂ を有する第２多層膜反射鏡１８から構成されることから、環境温度の低温側或いは高温側への変化によって活性層２２から出力される光の波長シフトが短波長側或いは長波長側へ発生したとしても、多層膜反射鏡１４を構成する第１多層膜反射鏡１６或いは第２多層膜反射鏡１８により十分に反射されるので、光軸上の出力光の強度が低下することが抑制され、出力光強度が使用温度環境の影響を受け難い面発光ダイオード１０が得られる。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上させた発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置は、発光層と、前記発光層の１つの面上に形成され、前記発光層と反対側の表面に複数の突起部を有する第１半導体層と、前記第１半導体層の前記複数の突起部上にそれぞれ形成された複数のキャップ部を有する第２半導体層と、を備え、前記第１半導体層の前記複数の突起部と前記第２半導体層の前記複数のキャップ部は、前記発光層から出力される光の外部取り出し面を形成する。 （もっと読む）

【課題】複数色光を発することができ、小型化を実現することができる発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光装置１において、基板２と、基板２上の第１の領域に配設され、緑色光を発する第１の活性層５Ｇ及び第１のクラッド層６Ｇと、基板２上の第１の領域に対して第１の方向に隣接する第２の領域に配設され、青色光を発する第２の活性層５Ｂ及び第２のクラッド層６Ｂと、基板２上の第１の領域及び第２の領域に対して第１の方向と交差する第２の方向に隣接する第３の領域に配設され、第１の活性層５Ｇ及び第２の活性層５Ｂに接続された第３のクラッド層４Ｇ及び４Ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオード構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層をシリコン基板上に成長させた後、このシリコン基板を窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層にほとんど物理的損傷を与えることなく低コストで容易に剥離することができ、垂直電流注入型発光ダイオードを容易に製造することができる発光ダイオードの製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型Ｓｉ基板１１の一方の主面に、バッファ層１２を介してｎ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１３、活性層１４およびｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５を成長させて発光ダイオード構造を形成する。ｎ型Ｓｉ基板１１中にリチウムイオンを電気化学的に挿入することによりｎ型Ｓｉ基板１１をバッファ層１２、ｎ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１３、活性層１４およびｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５から剥離する。 （もっと読む）

【課題】発光領域を十分確保しつつ、光取り出し方向以外の方向への光の出射が低減され、光取り出し面側での光出力が向上し、光取り出し効率に優れるとともに、コストが掛かる工程を必要としないため、安全面で問題なく、低コストで作製することができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第１導電型半導体層と、第２導電型半導体層と、前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層の間に介設された発光層とを有する半導体発光部は、基板に対してほぼ垂直に形成された端部側面を有し、半導体発光部の側面に、その積層方向に積層された少なくとも２層以上の透光性層膜からなる透光性膜を有し、前記透光性膜は、前記光の取り出し方向に対して逆テーパー状に形成された端部側面を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型の窒化物半導体層と、窒化物半導体層の表面を覆っているとともに貫通孔が形成されている絶縁膜と、貫通孔の底面に露出している窒化物半導体層の表面に接している金属膜を備えている窒化物半導体装置の製造方法において、良好なオーミック特性を実現できる製造方法を提供する。
【解決手段】 ｐ型の窒化ガリウム層２の表面に酸化シリコン膜４を形成する。次に、酸化シリコン膜４の一部をエッチングし、窒化ガリウム層２の表面に達する貫通孔６を形成する。次に、窒化ガリウム層２の表面に付着したシリコン８を除去する。次に、窒化ガリウム層２の表面に接する金属膜を形成する。次に、窒化ガリウム層２と酸化シリコン膜４と金属膜を熱処理する。シリコン８を除去する工程と金属膜を形成する工程は、シリコンを含まない雰囲気下で行う。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率が向上された光子結晶発光素子及びその光子結晶発光素子を製造する方法を提供すること。
【解決手段】第１導電型の第１半導体層及び第２導電型の第２半導体層とこれらの間に形成された活性層とを備える発光構造物と、上記第２半導体層上に形成され、上記活性層から放出された光に対して光子バンドギャップを形成することができる大きさと周期を有するように配列された複数のホールを備えることにより、光子結晶構造をなす透明電極層及び上記第１半導体層及び透明電極層に夫々電気的に連結された第１電極及び第２電極を含む光子結晶発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】光出力を低減させずにＬＥＤ発光素子を高速化させるＬＥＤ発光素子を提供する。
【解決手段】活性層１８は、ＧａＡｓ基板１２上にそのＧａＡｓ基板１２の格子定数より大きい格子定数のＧａＩｎＰから成る活性層１８を結晶成長させて、０．４％乃至０．６％の圧縮歪が発生させられているため、従来のＬＥＤ発光素子のように活性層にドーピングしなくても、ＬＥＤ発光素子を高速化できる。そのため、本発明のＬＥＤ発光素子は、光出力を低下させずに高速化させることができる。 （もっと読む）

【課題】高い取り出し効率を有する半導体チップ及び半導体チップの簡易な製造方法を提供する。
【解決手段】放射を発生するために設けられた活性領域２３を有する半導体連続層を有する半導体ボディ２を含んでなる半導体チップ１において、コンタクト部４が半導体ボディ２の上に配置され、注入障壁５がコンタクト部４と活性領域２３の間に形成されることで、コンタクト部４から活性領域２３への電荷キャリアの垂直方向の注入が注入障壁５により減少し、電荷キャリアはコンタクト部４の横に位置する活性領域２３へ大部分が注入される。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子を長時間使用しても、使用環境の影響による劣化を防止できるようにする。半導体発光素子の発光出力を高くする。
【解決手段】活性層７の上方に設けられた半導体層１５の上面に、半導体層１５の上面よりも高い耐湿性を有する保護膜部３０を設けた。保護膜部３０には、半導体層１５に対して接合された半導体層接合面３１ａを有する第一の保護層３１と、上部電極１７に対して接合された電極接合面３２ａ、３２ｂを有する第二の保護層３２とを備えた。また、第一の保護層３１は、半導体層１５に対する接合性が第二の保護層３２よりも高い性質を有し、第二の保護層３２は、上部電極１７に対する接合性が第一の保護層３１よりも高い性質を有するとした。 （もっと読む）

【課題】可視光の発光が可能であり、新規な発光特性を持つＺｎＯ系半導体層を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体層は、ＺｎＯにＳｅまたはＳが添加され、紫外光の発光ピーク波長及び可視光の発光ピーク波長を持つ。 （もっと読む）

【課題】 基体の表面に熱特性が異なる領域を部分的に形成することによって窒化ガリウム系化合物半導体に含まれるＩｎの含有量を制御して、１つの発光素子で複数の波長の光を発することができる発光素子、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 発光素子は、基体８と、基体８の表面に部分的に形成された二硼化物層領域１１と、二硼化物層領域１１上に形成された第１の波長の光を発する第１の発光層１４を含む第１の半導体層１２と、基体８の表面の二硼化物層領域１１以外の部位に形成された第２の波長の光を発する第２の発光層１８を含む第２の半導体層１６とを備えており、第１及び第２の半導体層１２，１６はそれぞれ、第１導電型窒化ガリウム系化合物半導体層１３，１７と、窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光層１４，１８と、第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層１５，１９とが順次積層されている。 （もっと読む）

発光ダイオード（ＬＥＤ）は、前記ＬＥＤをサブマウントに取り付ける前に、前記ＬＥＤ又は前記サブマウントの何れかに堆積されるアンダーフィル層を使用して作製される。前記ＬＥＤを前記サブマウントに取り付ける前における前記アンダーフィル層の堆積は、より均一でボイドがない支持体を提供し、改善された熱特性を可能にするためのアンダーフィル材料の選択肢を増大させる。前記アンダーフィル層は、前記ＬＥＤを前記サブマウントに取り付ける前における前記成長基板の取り除きの間の薄く脆いＬＥＤ層のための支持体として使用されることができる。更に、前記アンダーフィル層は、前記ＬＥＤ及び／又はサブマウントの接触領域のみが露出するように、パターンニングされる及び／又は研磨されて戻されることができる。前記アンダーフィルのパターニングは、更に、当該デバイスを単離するのを助けるガイドとして使用されることもできる。
（もっと読む）

【課題】転位密度を低減できるＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶基板、および半導体デバイスを提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶基板２０の製造方法は、準備工程と、成長工程と、除去工程とを備え、除去された側の面２０ａの転位密度が除去された側の面２０ａと反対側の面２０ｂの転位密度よりも低いことを特徴としている。準備工程では、下地基板１１を準備する。成長工程では、下地基板１１上にＩＩＩ族窒化物結晶１２を液相法により成長させて、下地基板１１とＩＩＩ族窒化物結晶１２とを有する被成長基板１０を得る。除去工程では、下地基板１１側から少なくとも下地基板１１とＩＩＩ族窒化物結晶１２との界面を越える位置まで被成長基板１０を除去する。 （もっと読む）

【課題】１回のリフトオフ工程によって、下層が上層によって被覆された積層構造体から成る電極構造を形成する方法を提供する。
【解決手段】本発明の電極構造の形成方法は、（Ａ）化合物半導体層１３上に、上端部径がＲ_T、下端部径がＲ_B（Ｒ_B＞Ｒ_T）である開口部３１を有するマスク材料層３０を形成した後、（Ｂ）堆積時に堆積させるべき材料が直進性を有するＰＶＤ法に基づき、開口部３１の底部に露出した化合物半導体層１３の部分に、導電材料から成る第１の材料層２２Ａを堆積させ、次いで、（Ｃ）堆積時に堆積させるべき材料が非直進性を有する気相成長法に基づき、開口部３１の底部に堆積した第１の材料層２２Ａの上、及び、開口部３１の底部に露出した化合物半導体層１３の部分に、第２の材料層２２Ｂを堆積させ、その後、（Ｄ）マスク材料層３１を除去する各工程を具備する。 （もっと読む）

【課題】再現性よく低いコンタクト抵抗を得られるオーミック電極を容易に製造できるＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体の製造方法およびＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体の製造方法は、準備工程と、成長工程と、電極形成工程とを備え、内部を真空に維持したチャンバ１５０内で、成長工程と電極形成工程とを連続して実施する。準備工程では、基板を準備する。成長工程では、基板上に、窒素元素を含むＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなる半導体層を成長させる。電極形成工程では、半導体層に接触するようにオーミック電極を蒸着により形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化チタンにニオブ等を添加し、導電性が良い範囲において屈折率を調整する。
【解決手段】III族窒化物系化合物半導体発光素子１００は、サファイア基板１０、図示しない窒化アルミニウム（ＡｌＮ）から成るバッファ層、ｎコンタクト層１１、ｎクラッド層１２、発光波長４７０ｎｍの多重量子井戸層１３、ｐクラッド層１４、ｐコンタクト層１５が形成されている。酸化ニオブチタンから成る、凹凸２０ｓを有する透光性電極２０が、ｎコンタクト層１１上には電極３０が形成されている。電極２０上の一部には、電極パッド２５が形成されている。透光性電極２０は、酸化チタンに３％のニオブを添加して形成したので、波長４７０ｎｍに対する屈折率がｐコンタクト層１５とほぼ同等となり、ｐコンタクト層１５と透光性電極２０との界面での全反射がほぼ回避できる。また、凹凸２０ｓにより、光取り出し率が３０％向上した。 （もっと読む）

【課題】発光出力を維持しながら順方向電圧を低くすることができ、信頼性に優れる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１と、金属密着層２と、光反射性を有する金属材料の多層膜からなる反射金属層３と、ＳｉＯ_２膜４と、ＳｉＯ_２膜４の所定の位置に設けられるオーミックコンタクト接合部５と、ＭｇドープのＧａＰ層６ＡとＺｎドープの６Ｂとを含むＧａＰ層６と、ｐ型ＧａＩｎＰ介在層７と、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層８と、アンドープ多重量子井戸活性層９と、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０と、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰウィンドウ層１１と、ｎ型ＧａＡｓコンタクト層１２と、第１電極１３と、Ｓｉ基板１の外部接続側に設けられる第２電極１４とを備え、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層８、アンドープ多重量子井戸活性層９、およびｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０からなる発光部とオーミックコンタクト接合部５とを３００ｎｍ以上離れて設けた構成とした。 （もっと読む）