【課題】 Ａｇのマイグレーションによるリークを抑制する。
【解決手段】 半導体素子は、第１導電型の第１の半導体層と、該第１の半導体層の上に形成される活性層と、該活性層の上に形成される第２導電型の第２の半導体層とを含む半導体積層構造と、前記第１の半導体層又は前記第２の半導体層の一方に接して形成される配線電極層と、前記第１の半導体層又は前記第２の半導体層の前記配線電極層が形成されていない他方に接して形成されるＡｇを含む反射電極層と、前記反射電極層を覆って形成される透明導電膜からなる第１キャップ層と、該第１キャップ層を覆って形成され、金属、合金又は金属窒化物からなる第２キャップ層との積層を少なくとも２セット以上含むキャップ層と、共晶層を介して前記キャップ層と結合する支持基板とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体膜に対するコンタクト層として機能するＩＴＯ膜を有する半導体発光装置において、ＩＴＯ膜と半導体膜との接触の増大を抑制することができる半導体発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体発光装置１は、発光層を含む半導体膜２０と、半導体膜上に設けられたＩＴＯ膜３０と、ＩＴＯ膜３０の上面の一部および側面を覆う酸素吸着性を有する酸素吸着部８０と、ＩＴＯ膜３０の上面に設けられた光反射性を有する反射電極４０と、ＩＴＯ膜３０、酸素吸着部８０および反射電極４０からなる積層体を覆うキャップ層５０と、キャップ層５０上に接合層６１を介して接合された支持基板６０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】複数の発光素子から生じた光を１つの発光素子から取り出すことができる発光装置を提供する。
【解決手段】基体と、前記基体上に設けられた端面発光型素子と、前記端面発光型素子の光出射端面内を起点とし該光出射端面に略垂直な軸と交わるように、前記基体上に設けられた発光ダイオード素子と、を備え、前記端面発光型素子は、前記発光ダイオード素子の上面よりも上に発光領域を有する発光装置である。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム金属層にヒロックが形成されても、薄膜半導体発光素子と有機絶縁層との分子間力により直接接合可能とする。
【解決手段】基板２１と、薄膜半導体発光素子３００と、該薄膜半導体発光素子との間で分子間力で直接接合可能な平滑面Ｓおよび厚みを有する有機絶縁層１３と、該有機絶縁層の前記基板側に積層されたアルミニウム金属層１１とを備えた半導体発光装置１であって、前記有機絶縁層の基板側表面と前記アルミニウム金属層の基板反対側表面との間に無機絶縁層１２を形成し、前記アルミニウム金属層の基板反対側表面に形成されたヒロックＨを前記無機絶縁層で覆う。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、パッド電極の下に信頼性の高い電流ブロック構造を備える半導体発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置は、第１導電型の第１の半導体層と、前記第１導電型とは異なる導電型の第２導電型の第２の半導体層と、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との間に設けられた発光層と、前記第２の半導体層の前記発光層とは反対側の表面に設けられた導電性酸化物を含む第１の層と、前記第１の層の一部に接触し、前記導電性酸化物を還元する材料を含んだ第１の電極と、前記第１の電極の表面を覆う第１の部分と、前記第１の層に接触する第２の部分と、を有する第２の電極と、前記第１の半導体層に電気的に接続された第３の電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】製造コストを削減でき、より均一に発光できる半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、発光部１７と、透光部６０と、波長変換部（蛍光体層７０）と、第１導電部３１と、第２導電部３２と、封止部５０と、を備えた半導体発光装置が提供される。発光部は、第１主面Ｍ１と第１主面とは反対側の第２主面Ｍ２とを有する半導体積層体１０と、第２主面上に設けられた第１電極１４及び第２電極１５と、を有する。透光部は、第１主面上に設けられる。波長変換部は、透光部の第２主面とは反対側の第３主面Ｍ３と、透光部の側面Ｍ４と、を覆う。第１、第２導電部は、第２主面上に設けられ第１、第２電極にそれぞれ電気的に接続される。封止部は、第１、第２導電部の側面を覆う。 （もっと読む）

【課題】低コストで大量生産が可能であり、半導体発光素子と同程度に小型化することも可能な光半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１主面と、前記第１主面の反対面である第２主面と、前記第２主面上に形成された第１電極及び第２電極とを有する発光層と、前記第１主面上に設けられ、透光性を有する透光層と、前記第１電極上に設けられた第１金属ポストと、前記第２電極上に設けられた第２金属ポストと、前記第２主面上に設けられ、前記第１金属ポストの端部及び前記第２金属ポストの端部を露出させて前記第１金属ポスト及び前記第２金属ポストを封止するとともに、前記発光層の側面を覆う封止層と、を備えたことを特徴とする光半導体装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】発光側のｎ型窒化ガリウム層の表面及び反射側のｐ型窒化ガリウム層の表面に微細な光散乱構造である表面凹凸を形成することで、光放出効率を増加させ、外部量子効率の改善効果を極大化する垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子を提供する。
【解決手段】ｎ型電極１０６と、前記ｎ型電極の下面に形成されているｎ型窒化ガリウム層１０２と、前記ｎ型窒化ガリウム層の下面に形成された活性層１０３と、前記活性層の下面に形成され、前記活性層と接していない表面に所定形状の第１表面凹凸構造３００ｂを有するｐ型窒化ガリウム層１０４と、前記第１表面凹凸構造を有するｐ型窒化ガリウム層の下面に形成されたｐ型反射電極１０７と、前記ｐ型反射電極の下面に形成された構造支持層と、を備える。前記ｎ型窒化ガリウム層は前記ｎ型電極１０６と接する側の面に所定形状の第２表面凹凸構造３００ａを形成してもよい。 （もっと読む）

【課題】光−電気変換の量子効率が高く、受光素子及び発光素子として、優れた実用性が得られる鉄シリサイド半導体薄膜を有する光半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、スパッタ法、蒸着法又はレーザアブレーション法により粒径が１０乃至１００ｎｍの微細多結晶からなる第１のβ−ＦｅＳｉ_２層２を初期層として形成する。次いで、化学気相成長法又は気相エピタキシ法により初期層の結晶粒の横方向成長を促進しつつ第１のβ−ＦｅＳｉ_２層２上に粒径が１０乃至１００μｍの第２のβ−ＦｅＳｉ_２層３を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光素子及びこれを備えた発光素子パッケージを提供するためのものである。
【解決手段】本発明に従う発光素子は、第１導電型半導体層、第１導電型半導体層の下に活性層、及び活性層の下に第２導電型半導体層を含む発光構造層と、第２導電型半導体層の下に伝導層と、伝導層の下に接合層と、接合層の下に支持部材と、第１導電型半導体層に連結された接触電極と、支持部材の第１領域に配置され、接触電極と第１リード電極とを連結する第１電極と、支持部材の第２領域に配置され、伝導層及び接合層のうちの少なくとも１つに連結された第２電極と、支持部材の下に配置され、第１電極に連結された第１リード電極と、支持部材の下に配置され、第２電極に連結された第２リード電極と、接触電極と発光構造層との間に配置された第１絶縁層と、を含む。 （もっと読む）

デバイスは、ｎ型領域（２２）とｐ型領域（２６）との間に配置された発光層（２４）を有する半導体構造を含む。該半導体構造は、ｎコンタクト領域（２３）及びｐコンタクト領域（２５）を含む。ｎコンタクト領域（２３）の断面は、発光層（２４）及びｐ型領域（２６）の部分が除去されてｎ型領域（２２）が露出された複数の第１の領域（２８）を有する。複数の第１の領域（２８）は、発光層（２４）及びｐ型領域（２６）が当該デバイス内に残存する複数の第２の領域（２７）によって離隔される。当該デバイスは更に、ｐコンタクト領域（２５）内で半導体構造上に形成された第１の金属コンタクト（４０）と、ｎコンタクト領域（２３）内で半導体構造上に形成された第２の金属コンタクト（３８）とを含む。第２の金属コンタクト（３８）は、ｎコンタクト領域（２３）の第２の領域（２７）のうちの少なくとも１つと電気的に接触する。
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薄膜ＬＥＤは、絶縁基板と、絶縁基板上の電極と、電極上のエピタキシャル構造とを備える。
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発光ダイオード（LED）がウェーハ規模で製造される。製造方法は、切り離されたLEDをキャリヤ・ウェーハ又は伸縮性フィルム上に載置するステップと、LED間に隙間をつくるためにLEDの間隔を拡げるステップと、反射コーティングをLED上及びLED間の隙間に付加するステップと、LED間の隙間にある反射コーティングを、多少の反射コーティングがLEDの横方向の側面上に残留するよう破壊又は分離するステップと、を含む。LEDの横方向の側面上にある反射コーティングの部分が、エッジ発光を制御するのを助けることができる。
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長方形のＬＥＤダイが、サブマウントウェハ上に取り付けられている。第１の型は、一般に前記サブマウントウェハ上の前記ＬＥＤダイの位置に対応している長方形の窪みを有する。前記窪みは、シリコーンを充填され、硬化された場合、各ＬＥＤ上の透明な第１のレンズを形成する。前記ウェハが、前記型と正確に位置合わせされており、前記第１のレンズの上面は、全て前記ウェハ上の前記ＬＥＤの如何なるｘ、ｙ及びｚの位置合わせ不良にもかかわらず単一の基準平面内にある。第２の型は、前記透明な第１のレンズ上に正確に規定された蛍光体層を形成するように蛍光体注入されたシリコーンを充填された長方形の窪みを有しており、これらの前記内外の表面は、前記ＬＥＤの如何なる位置合わせ不良からも完全に独立している。第３の型は、外側のシリコーンレンズを形成している。得られるＰＣ―ＬＥＤは、サブマウントウェハ内のＰＣ―ＬＥＤからＰＣ−ＬＥＤまで及びウェハからウェハまでの高い色度均一性と、広い視野角上にわたる高い色均一性とを有している。
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基板（４）の表面には、基板のないＬＥＤの少なくとも１つの積層体（１）が配置されている。複数のコンタクト面が基板（４）の上面に接する側面（１４）に存在している。各ＬＥＤ端子は複数の接続線路（１０，２０）を介して各コンタクト面に接続されている。複数のコンタクト面は特に基板の垂直な稜に設けられたはんだ付け用フィレット（５）の導体層（６）によって形成することができる。また、当該のＬＥＤモジュールの製造方法では、上面に複数のＬＥＤチップを備えたウェハに複数のスルーコンタクトを形成し、ウェハが分割され後、メタライゼーションを有するはんだ付け用フィレットが基板の稜に形成されるようにする。
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【課題】半導体素子から発生する熱を効率的に放散して温度上昇を防止し、特性と信頼性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ等の半導体素子を構成する半導体薄膜１０を直接、高熱伝導特性を有する絶縁膜２上に接合すると共に、半導体薄膜１０の電極と導電性の基板１とをｎ側接続パッド２４によって電気的に接続する構造にしている。そのため、半導体素子から発生する熱が効率的に基板１へ伝導し、半導体素子の温度上昇を防止することができる。しかも、温度上昇を防止することができるので、半導体素子の特性や寿命が劣化することを防止することができ、優れた動作特性を示すと共に、信頼性が高い半導体装置が得られる。 （もっと読む）

本発明のオプトエレクトロニクス半導体チップは、活性領域（１０）を含む半導体ボディ（１）と、鏡面層（２）と、半導体ボディと鏡面層とのあいだに配置され、半導体ボディと鏡面層とのあいだの距離（Ｄ）を定める複数のコンタクト点（３）とを有しており、半導体ボディと鏡面層とのあいだに中空室（４）が形成され、この少なくとも１つの中空室に気体（４０）が封入される。
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【課題】低速信号を送信する可視光ＬＥＤと高速信号を送信するＶＣＳＥＬを集積した２波長発光デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明に係る発光デバイスは、面発光レーザと、前記面発光レーザと一体化された発光ダイオードとを備え、前記面発光レーザから出射される光と、前記発光ダイオードから出射される光とが互いに異なる波長を有するものである。これにより、前記面発光レーザからの信号と、前記発光ダイオードからの信号のクロストークを防止することができる。 （もっと読む）

当該装置は、ｎ型領域４４、４９とｐ型領域４６との間に配された発光層４８を有する半導体構造を含んでいる。前記半導体構造は、窓層４０と光指向構造４４との間に配されている。前記光指向構造は、前記窓層に向かって光を指向するように構成されており、適切な光指向構造の例は、多孔性半導体層及びフォトニック結晶を含む。ｎ型コンタクト５８、６４は、前記ｎ型領域に対する電気的に接続されており、ｐ型コンタクト６０、６２は前記ｐ型領域に電気的に接続されている。ｐ型コンタクトは、前記半導体構造内に形成される開口５４内に配されている。
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本発明は、オプトエレクトロニクス部品を製造する方法に関する。本方法によると、第１の熱膨張係数を有するエピタキシャル成長基板（１０）を形成する。この基板に多層緩衝積層体（１１）を堆積させる。第１の熱膨張係数とは異なる第２の熱膨張係数を有する積層体（２）を、エピタキシャル成長させる。この積層体は、電磁放射を放出するのに適している活性層をさらに備えている。次いで、エピタキシャル成長させた積層体（２）にキャリア基板（１５）を貼り付ける。エピタキシャル成長基板（１０）を除去し、電磁放射の取り出しを増大させるため多層緩衝積層体（１１）を構造化する（１７）。次いで、エピタキシャル成長させた積層体（２）との接続を形成する。 （もっと読む）