【課題】１チップで小型パッケージに組み込まれ、高輝度、多色発光可能な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】基板１０と、基板１０上に配置された第１の半導体発光素子１２と、第１の半導体発光素子１２上に配置された貼り付け電極１４と、貼り付け電極１４上に配置された第２の半導体発光素子１６とを備え、基板１０は発光波長に対して透明であることを特徴とする半導体発光装置。 （もっと読む）

本発明は少なくとも２つの発光半導体素子を備えたデバイスに関する。本発明のデバイスは、相互に隣接する少なくとも２つの発光半導体素子（１０１，１１１）と、各発光半導体素子を少なくとも部分的に包囲し、発光半導体素子から放出された光の波長領域を部分的にまたは完全に変換する変換物質を含む複数の包囲部材（１０２，１１２）と、発光半導体素子および包囲部材のあいだに配置される少なくとも１つの光学減衰素子（１０３）とを有しており、光学減衰素子は、或る発光半導体素子または或る包囲部材から別の発光半導体素子または別の包囲部材への光の入力が低減されるように配置されている。
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【課題】複数色光を発することができ、小型化を実現することができる発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光装置１において、基板２と、基板２上の第１の領域に配設され、緑色光を発する第１の活性層５Ｇ及び第１のクラッド層６Ｇと、基板２上の第１の領域に対して第１の方向に隣接する第２の領域に配設され、青色光を発する第２の活性層５Ｂ及び第２のクラッド層６Ｂと、基板２上の第１の領域及び第２の領域に対して第１の方向と交差する第２の方向に隣接する第３の領域に配設され、第１の活性層５Ｇ及び第２の活性層５Ｂに接続された第３のクラッド層４Ｇ及び４Ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】 発光素子において、発光可能な少なくとも２波長の光の中から実際に発光する波長を選択できるシリコン単結晶の発光素子とその製造方法に関する。
【解決手段】 発光素子１００は、ＰＩＮ構造を備えているシリコン単結晶から形成されている。不純物低濃度層４の区切られた範囲毎に、異なる波長の光を発光する２種類の結晶欠陥１２ａと１２ｂが形成されており、その範囲毎に、ｎ^＋型シリコン層６とｐ⁻型シリコン領域２を介してその範囲のｎ⁻型の不純物低濃度層４を挟む電極対が形成されている。表面電極１８ａに電圧を印加すると結晶欠陥１２ａから光が発光する。表面電極１８ｂに電圧を印加すると結晶欠陥１２ｂから光が発光する。両電極１８ａと１８ｂに同時に電圧を印加すれば、２種類の波長の光を同時に発光させることができる。 （もっと読む）

【課題】 基体の表面に熱特性が異なる領域を部分的に形成することによって窒化ガリウム系化合物半導体に含まれるＩｎの含有量を制御して、１つの発光素子で複数の波長の光を発することができる発光素子、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 発光素子は、基体８と、基体８の表面に部分的に形成された二硼化物層領域１１と、二硼化物層領域１１上に形成された第１の波長の光を発する第１の発光層１４を含む第１の半導体層１２と、基体８の表面の二硼化物層領域１１以外の部位に形成された第２の波長の光を発する第２の発光層１８を含む第２の半導体層１６とを備えており、第１及び第２の半導体層１２，１６はそれぞれ、第１導電型窒化ガリウム系化合物半導体層１３，１７と、窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光層１４，１８と、第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層１５，１９とが順次積層されている。 （もっと読む）

【課題】基板上にナノコラムやナノロッドなどと称されるナノスケールの柱状結晶構造体が形成されて成る化合物半導体素子において、絶縁物を柱状結晶構造体による極微細間隙へ確実かつ均一に充填できるようにする。
【解決手段】先ず、図１（ａ）で示すように、Ｓｉ基板１上にカタリスト材料層となるＮｉ薄膜２を蒸着する。次に、図１（ｂ）で示すように、絶縁膜となる透明なＳｉＯ_２薄膜３を蒸着し、ナノコラム５を成長させるべき配置位置に、成長させるべき直径および間隔でＮｉ薄膜２が露出するまで貫通孔４を穿設しておく。したがって、図１（ｃ）で示すようにＧａＮナノコラム５が成長すると、ＳｉＯ_２をナノコラム５間の極微細間隙へ確実かつ均一に充填することができ、ボイドの発生を抑え、またリーク電流を抑え、信頼性を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】白色証明として最適な高演色性を有する白色発光素子を提供する。
【解決手段】1つの基板材料上に少なくとも2種類以上の半導体発光素子を形成し、各々の半導体発光素子上に、それぞれの素子の発光波長に反応する蛍光体を複数種類塗布し、各々の半導体発光素子を同時に発光させることにより、広範囲な発光波長を有する可視光の発光を実現し高演色性を得る。 （もっと読む）

【課題】過電流を適切に防止することが可能な半導体発光素子アレイを提供すること。
【解決手段】基板１と、基板１に搭載されており、それぞれがｎ型半導体層、活性層、およびｐ型半導体層を有する複数の半導体発光素子２と、を備えた半導体発光素子アレイＡであって、複数の半導体発光素子２に対して直列に接続されたＰＴＣＲ素子３を備えている。 （もっと読む）

【課題】 複数の発光ダイオードとその駆動用のＩＣを一体に備えた発光素子において、出力端子と各発光ダイオードとの間を金線などのワイヤにより接続作業を省略し、発光ダイオードで発光された光をワイヤ等により遮ることがない発光素子を提供すること。
【解決手段】 複数の発光ダイオード２Ｒ、２Ｇ、２Ｂと、これらの発光ダイオードを駆動する駆動用ＩＣ３を一体化した発光素子であって、前記駆動用ＩＣ３は、温度補償回路を備えた電流供給回路を備え、各発光ダイオードのドライバを介して各発光ダイオードに温度補償された駆動電流を供給する。そのような発光素子において、発光ダイオード２Ｒ、２Ｇ、２Ｂは、フリップ接続により駆動用ＩＣ３と接続する。 （もっと読む）

本発明は，励起光102を発光するための第1の活性領域110と，原色光104を発光するための第2の活性領域120と，前記励起光102を混色光106へと十分に変換するための変換素子130とを有する半導体光源100に関している。原色光104及び混色光106は，事前に決められた色温度と共に，所望の色点，特に白色光をもつ光を作り出すために混ぜ合わされる。
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【課題】インコヒーレント性を示し、かつ広帯域なスペクトル形状を示し、従来のSLDと比較してさらに出力の高いスーパールミネッセントダイオードを得る。
【解決手段】スーパールミネッセントダイオード10を、１つの基板11上に、複数の導波路型発光領域16ａ〜16ｄと、一端が基板11に垂直な出射端面12まで延びる１本の導波路13と、複数の導波路型発光領域16ａ〜16ｄの各々の出力光を合波し、導波路13に導く合波器14とを設けてなる構成とする。 （もっと読む）

【課題】 複数の波長の発光素子を集積する場合の制限を除去し、発光効率が高く、また、発光色の制御も容易な半導体発光複合装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の半導体発光複合装置は、第１の半導体積層構造を具え第１の半導体材料からなる第１の半導体素子部と、第２の半導体積層構造を具え第１の半導体材料とは異なる第２の半導体材料からなる第２の半導体素子部と有し、前記第１の半導体素子部は、互いに異なる波長の光を出力する複数の発光領域を有し、前記第２の半導体素子部は、前記第１の半導体素子部の発光領域から出力される光の波長とは異なる波長の光を出力する複数の発光領域または単独の発光領域を有し、前記第１の半導体素子部の発光領域と前記第２の半導体素子部の発光領域は、それぞれ電気的に相互に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

垂直に積層された発光ダイオードを有する発光素子が開示される。この発光素子は、基板上に位置する第１導電型の下部半導体層を有する。この下部半導体層上に第２導電型の半導体層が位置し、前記第２導電型の半導体層上に第１導電型の上部半導体層が位置する。一方、前記第１導電型の下部半導体層と第２導電型の半導体層との間に下部活性層が介在され、前記第２導電型の半導体層と前記第１導電型の上部半導体層との間に上部活性層が介在される。これにより、前記第１導電型の下部半導体層、下部活性層及び第２導電型の半導体層を有する下部発光ダイオードと、前記第２導電型の半導体層、上部活性層及び第１導電型の上部半導体層を有する上部発光ダイオードとが、垂直に積層された発光素子が提供される。したがって、従来の発光素子に比べて、単位面積当たりの光出力が向上し、従来の発光素子と同一の光出力を得るための発光素子のチップ面積を減少させることができる。
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本発明は、可変色の発光装置（１０）に関し、光を放射する発光ダイオード（１２）を備え、このダイオードは、複数の導電層（１４，１６，１８）を備え、それらのうちの少なくともひとつは、ダイオードに広がる側方電流が制限されて、少なくとも２つの独立して電気的にアドレス指定可能なセグメント（３６）を形成し、オプションである数のセグメントを照明する。少なくともひとつの数のセグメントには、波長変換器（３４）が設けられ、関連するセグメントから放射された光の少なくとも一部分を変換して、所定の原色の光を発生するように適合している。また、本発明は、少なくともひとつのそうした発光装置を組み込まれたシステムと、そうした発光装置を制御するための方法に関する。 （もっと読む）

【課題】 熱力学的には許されないとされる組成のＺｎＯ系化合物半導体混晶の結晶成長を可能とし、これにより、室温で紫外〜可視域の広範囲での発光が可能で、熱的に安定でしかも資源的枯渇のおそれの少ない半導体発光素子、半導体発光素子実装体及び半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 六方晶系ＳｉＣ単結晶薄膜からなるｐ型クラッド層１１と、ウルツ鉱構造で、禁制帯幅Ｅｇ＝１．８ｅＶ以上、３．１ｅＶ未満のＺｎＯ系化合物半導体混晶からなり、クラッド層１１とヘテロ接合をなす発光層１２とを備える。発光層１２は、例えば、ｎ型Ｚｎ_1-xＣｄ_xＯ（０≦ｘ≦０．７，特に０．０７＜ｘ≦０．７）である。発光層１２の上にｎ型クラッド層１３と、ｎ型クラッド層１３上にオーミックコンタクト層１４を備え、ダブルヘテロ構造を構成している。 （もっと読む）

【課題】
本発明の課題は、通電電流を大きくすることなく発光出力の大きい半導体装置の提供を目的とする。また、この半導体装置を備えるプリントヘッド、及び、このプリントヘッドを備える画像形成装置の提供を目的とする。
【解決手段】
本発明の半導体装置によれば、半導体薄膜の各層の電圧降下を考慮して電圧を印加することで直列に接続したｐｎ接合から略同等の発光が得られる。すなわち、１つのｐｎ接合から構成される半導体装置とは異なり、概略全てのｐｎ接合の発光強度の和となり、発光強度を大幅に増加させることができる。 （もっと読む）

【課題】 小型化かつカラーフィルタを介したときの色再現性を高めることが可能なバックライト用の光源モジュール提供する。
【解決手段】 表示装置のバックライトユニットに用いられる光源モジュールであって、
２つのピーク波長をもって発光する第１の発光素子と、上記２つのピーク波長とは異なるピーク波長をもって発光する第２の発光素子とを備える。 （もっと読む）

【課題】 波長のみでなく、発光強度も所望の割合で組み合わせることができる安価な植物育成用光源として適した半導体発光素子を提供することにある。
【解決手段】 中心波長及び光出力が互いに異なる複数の発光ダイオード、例えば青色ＬＥＤ、赤色ＬＥＤ及び近赤外光ＬＥＤの３種類を１チップ内に形成した構成とする。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶性を有し、チップ構造の微細化も可能にし、さらに発光効率の向上、光取り出し効率を改善して輝度の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板３０上に該基板３０の主面に対して傾斜した傾斜結晶面（例えばＳ面）を有する結晶層を形成し、傾斜結晶面に平行な面内に延在する第１導電型層３３、活性層３４、及び第２導電型層３５を結晶層に形成する。そして、傾斜結晶面に平行な面内に延在する一方の電極を形成し、活性層３５、第２導電型層が一部除去された基板側の結晶層の結晶面に、一方の電極と電気的に分離して他方の電極を形成する。 （もっと読む）

色光源装置が提供される。装置は、フォトニック結晶構造の欠陥により規定される活性領域に対応する光源を含み、フォトニック結晶構造は周期的な構造に基づく。装置は、導波路、第１の電極及び第２の電極を更に含む。第１の電極と第２の電極との間の電気特性を変更することにより活性領域の放射発生を誘導し、放射は、導波路に少なくとも部分的に結合され且つ導波路により導かれる。
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