【課題】光硬化性樹脂を硬化させることでマイクロレンズをＬＥＤ上に形成する際に、光硬化性樹脂のはみ出しを抑制し、マイクロレンズ成形型の離型性がよい発光素子アレイチップの製造方法等を提供する。
【解決手段】基板と、基板の表面に形成されマイクロレンズ１０３の形状の転写形状を有する複数の孔部２０５と、孔部２０５の外周領域に形成され底部にクロム膜２０３が形成された凹部２０２とを有するマイクロレンズ成形型２００を光硬化性樹脂３０２に押圧することで、孔部２０５および凹部２０２に光硬化性樹脂３０２を収容する工程と、光を照射し、孔部２０５に収容した光硬化性樹脂３０２は硬化させ、凹部２０２に収容した光硬化性樹脂３０２は遮光膜としてのクロム膜２０３により未硬化にする工程と、未硬化の光硬化性樹脂３０２を除去する工程と、を含むことでＬＥＤ１０２にマイクロレンズ１０３を形成することを特徴とする発光素子アレイチップ１００の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は白色発光ダイオードチップおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による白色発光ダイオードチップの製造方法は、絶縁体基板と、該絶縁体基板の上に形成されるバッファー層と、バッファー層の上に形成される第１クラッド層と、第１クラッド層の上面のうちの一部が露出されるように第１クラッド層の上に形成される活性層と、活性層の上に形成される第２クラッド層と、第２クラッド層および第１クラッド層にそれぞれ形成される正極電極および陰極電極とを含む青色発光ダイオードチップにおいて、絶縁体基板を除去する段階と、バッファー層の下と第２クラッド層の上のうちの一つ以上に蛍光体層を形成する段階とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】量子情報処理や量子情報通信に用いるのに好適であって動作評価が可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１は、基板１０と、基板１０の一方の主面上に設けられた第１導電型の第１半導体層１１と、第１半導体層１１上の第１領域に設けられた第１導電型の第２半導体層１２と、第２半導体層１２上に設けられた第２導電型の第３半導体層１４と、第３半導体層１４上に設けられた超伝導の第１電極１５および超伝導の第２電極１６と、第１半導体層１１上の第２領域に設けられた第３電極１７と、第１電極１５が設けられた領域の下方であって第２半導体層１２と第３半導体層１４との間に設けられた半導体量子ドット領域１３と、を備える。第１電極１５のうち半導体量子ドット領域１３の上方部分に貫通孔１８が設けられ、第１電極１５と第２電極１６との間に間隙１９が設けられている。 （もっと読む）

【課題】専用の部品を用いなくても市販の光ファイバコネクタのプラグと接続可能なため汎用性及びコスト性に優れるとともに、高い効率で光ファイバと光結合することができる光モジュールを提供すること。
【解決手段】本発明の光モジュール４１は、モジュール本体４２と光素子８１とを備える。モジュール本体４２は、光ファイバＭＴコネクタのプラグ２１に対し、当該ＭＴコネクタ専用のガイドピン３１と、当該ＭＴコネクタ専用のクランプスプリング３６とを用いて結合可能な形状及び寸法を有する。光素子８１は、モジュール本体４２に設けられ、ガイドピン３１の挿入によりプラグ２１とモジュール本体４２とを結合したときに光軸合わせされる。 （もっと読む）

【課題】太陽エネルギー素子と発光素子を有するモノリシックフォトチップとその製作方法を提供する。
【解決手段】選択領域成長方法により製作される太陽エネルギー素子と発光素子を有するモノリシックフォトチップは、構造が簡単で、小尺寸、及び、低コスト等の長所がある。また、モノリシックフォトチップと充電池を有する太陽電池型照明器は、尺寸が小さく、精巧で、構造が簡単、組み立てが容易、及び、低コストであるという長所がある。よって、本発明の太陽電池型照明器は、レーザーポインター、レーザーサイト、レーザー照準装置、レーザー準位、及び、レーザー測量ツール等のレーザーダイオード応用領域、或いは、装飾ランプ、庭園ランプ、花壇ランプ、広告ランプ、街灯、道路警告ランプ、道路標示ランプ等の発光ダイオード応用領域等、各種領域に幅広く応用できる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、２ＤＰＣスラブ構造に代表される薄膜スラブ構造に対して、信頼性の高い電極製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】光デバイスのコア層となるべき部位を有する第１の基板と光デバイスを集積させるための第２の基板を用意し、コア層上の一部に第１の電極を形成し、第１及び第２の基板の少なくとも一方の基板上面にＳＯＤを塗布し、第１の基板の第１の電極が形成された側と第２の基板とを接合し、接合した第１の基板と第２の基板とを加熱し、コア層及び第１の電極を残して第１の基板を除去し、コア層上の一部に第２の電極を形成し、コア層にエッチングにより複数の溝又は貫通孔を有する構造を形成し、エッチングにより第１の電極の一部を露出し、第１及び第２の電極に接続する電極配線を形成する、光デバイスの製造方法である。 （もっと読む）

発光面を有するＬＥＤコンポーネントを備え、ｉ）第１の波長での光を発光することができるＬＥＤと、ｉｉ）発光面を有する、ｐｎ接合内に位置しない第２のポテンシャル井戸を備える再発光半導体構造物とを備えてよく；又は代替的にｐｎ接合内に位置する第１のポテンシャル井戸と、ｐｎ接合内に位置しない第２のポテンシャル井戸とを備えてよく；かつ集束光学要素を更に備える、ＬＥＤコンポーネントを備える、光源が提供される。
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【課題】 少ない駆動用ＩＣで時分割駆動することができる発光素子アレイおよびそれを用いた小型な発光装置ならびにその発光装置を備える画像形成装置を提供する。
【解決手段】 発光ダイオードＤとスイッチ用サイリスタＳＳを並列接続したｎ（ｎは２以上の整数）個スイッチデバイスＳと、前記スイッチ用サイリスタＳＳのゲート電極ｇに個別に接続されるｎ本の信号伝送路ＧＨと、前記ｎ本の信号伝送路ＧＨのうちのいずれか１つとゲート電極ｈが接続される複数の発光用サイリスタＴとを含んで発光素子アレイチップ１を構成する。スイッチデバイスＳのアノードａ，ｃに共通のセレクト信号（ハイレベル）が入力されている発光素子アレイチップ１を発光させることができるので、発光信号（ハイレベル）およびゲート信号（ローレベル）を複数の発光素子アレイチップ１間で共用する時分割駆動が実現できる。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造によりコンパクトな光学素子を提供する。
【解決手段】屈折率が異なる二つの第１薄膜２、第２薄膜３を交互に積層した二つの第１反射領域５、第２反射領域６を有し、この二つの第１反射領域５、第２反射領域６の間に基板１よりも大きな熱膨張係数を有する材料からなる膨張領域４を挟んだ共振器構造を備え、温度を変化させることにより膨張領域４の光学長を変化させて、透過又は反射する波長を可変にする。 （もっと読む）

【課題】駆動素子と被駆動素子とを備えた半導体複合装置では、集積された駆動回路及び被駆動素子であるＬＥＤアレイと接続するための配線を予め半導体基板上に形成し、別途形成された薄膜状のＬＥＤアレイを前述の半導体基板の空き領域に接着するため、接着領域が制限されてしまい、小型化の妨げになるという問題があった。
【解決手段】基板上１０１に形成される多層配線層の上方に、塗布膜２２０を介して半導体薄膜２２１をボンディングする構成をとり、多層配線層の各配線層には、回路動作を担う配線パターン（メタル配線）２３０に加え、動作機能を担わない平坦化のための補正パターン２３２を設け、半導体薄膜２２１をボンディングする下地層である塗布層２２０の表面の平坦化を促進する。 （もっと読む）

【課題】 輝度むらの発生を抑制することができる照明装置および液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 照明装置２１は、相互に直列に接続される複数の発光素子Ｔと、この発光素子Ｔに個別に並列に接続される複数の電流迂回素子Ｕと、前記複数の発光素子Ｔに直列に接続され、定電流を供給する定電流源２５とを含んで構成される。電流迂回素子Ｕは、並列に接続された発光素子Ｔ電流が流れる導通状態から電流が流れない非導通状態に遷移したとき、非導通状態から導通状態に遷移する。 （もっと読む）

【課題】保護素子を備えた発光素子及びその製造方法、特にモノリシック保護回路を有する発光素子を提供する。
【解決手段】カソード及びアノードを有する発光部と、カソード及びアノードを介して発光部に並列接続される抵抗性保護素子１２０と、を備え、抵抗性保護素子１２０の抵抗値Ｒｓは、発光部が有する電流フローに対して順方向の抵抗値Ｒｆと逆方向の抵抗値Ｒｒとの間の値を有する。 （もっと読む）

【課題】 封止樹脂の経時変化が発生せず、信頼性が高く、低コストで量産性のある表面実装型電子部品、その製造方法およびそのような表面実装型電子部品を搭載した光学電子機器を提供する。
【解決手段】 表面実装型電子部品１は、表面実装用に構成された基板２、基板２の表面にダイボンディングおよびワイヤボンディングされて実装された半導体チップ３、半導体チップ３の端子を基板２に形成された配線パターン２ｐに接続するワイヤ４、基板２および半導体チップ３をエポキシ樹脂で樹脂封止して半導体チップ３およびワイヤ４を周囲環境から保護する樹脂封止部５により構成される。樹脂封止部５は、光電効果素子部３ｓの表面を除いて形成されている。 （もっと読む）

【課題】ヘッドアップディスプレイのためのイメージ表示生成器であって、イメージを集合的に画定または形成すべく光を発するために個々に選択的に活性化可能な複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）からなるイメージ表示生成器を提供することである。
【解決手段】集積回路基板上の絶縁層上に導電性ラインを製ヘッドアップディスプレイにおいて用いるためのイメージ表示生成器は、ガラスシートの一面上に蒸着された半導体層上に形成された発光素子からなるアレイを含み、該シートにおいて、複数のレンズが、それぞれのＬＥＤまたはＶＣＳＥＬと整列された各々のレンズと反対側の面上に形成される。透明な絶縁材料の層は、半導体層を覆って配置され、かつ、反射性材料によって被覆される。ＬＥＤにより発せられた光は、それぞれのレンズ上に直接的に入射し、かつ、反射性材料によりレンズ上で間接的に反射される。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の電極パッドを利用してプロービングを行う場合、電極パッドが酸化している場合、酸化膜を破って低接触抵抗とするためにプローブ針の針圧を高くする必要があった。この場合、それだけ針先端のパッド上での移動量が大きくなり、その分だけパッド面積を大きくする必要があった。そのため、半導体素子形成領域外に、面積の大きな電極パッドを設ける必要があり、それだけ半導体素子チップのチップ幅が大きくなって、チップ幅の縮小（チップシュリンク）が困難になるという課題があった。
【解決手段】 半導体装置１０のＳｉ基板１１上に設けた入力電極パッド１４，１５及び出力電極パッド１６を、貴金属等の酸化しにくい被覆層１７で覆うように形成する。 （もっと読む）

複数の発光セルを有する発光装置が開示される。発光装置は、サファイア基板より熱伝導率が高い熱伝導性基板、例えばＳｉＣ基板を含む。熱伝導性基板の上部に複数の発光セルが直列接続される。一方、熱伝導性基板と発光セルとの間に半絶縁性バッファ層が介在する。半絶縁性バッファ層は、例えばＡｌＮまたは半絶縁性ＧａＮであることができる。サファイア基板より熱伝導率が高い熱伝導性基板を採用することによって、従来のサファイア基板に比べて熱放出性能を改善することができ、高電圧交流電源下で駆動される発光装置の最大光出力を増加させることができる。また、半絶縁性バッファ層を採用して熱伝導性基板を介した漏洩電流基板を通じた漏洩電流及び発光セル間の漏洩電流増加を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】整合型発光ダイオードの製造方法を適用することである。
【解決手段】整合型発光ダイオードの製造方法は、基板上に回路を設けるステップａと一つまたは一つ以上の発光ダイオードチップを前記基板上に設置し、該発光ダイオードチップのＰ側、Ｎ側電極が前記基板上の回路と揃うようにするステップｂと前記発光ダイオードチップのＰ側、Ｎ側電極を直接前記基板の回路上に接合、導通、固定するステップｃとを含み、前記一つ以上の発光ダイオードチップのＰ側、Ｎ側電極は直列、並列方式によりきちんと整えられ、前記基板の回路上に接合、導通、固定される。 （もっと読む）

色光源装置が提供される。装置は、フォトニック結晶構造の欠陥により規定される活性領域に対応する光源を含み、フォトニック結晶構造は周期的な構造に基づく。装置は、導波路、第１の電極及び第２の電極を更に含む。第１の電極と第２の電極との間の電気特性を変更することにより活性領域の放射発生を誘導し、放射は、導波路に少なくとも部分的に結合され且つ導波路により導かれる。
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モノリシック集積光ネットワークデバイスは、シリコン基板に形成され、光子を放出するようにアバランシェ状態にバイアス可能なバイポーラトランジスタ、及びバイポーラトランジスタによって発生された光子に対する光導波路として機能するようにバイポーラトランジスタとモノリシックに集積されたフォトニック・バンドギャップ（ＰＢＧ）構造を有する。
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