【課題】 従来に比べて小型で、素子機能部間で、高い周波数の信号を高精度に伝送することができる集積型半導体装置を提供する。
【解決手段】 サファイア単結晶基板１０と、サファイア単結晶基板１０の一方主面１０Ａに第１素子機能部２２を備え、他方主面１０Ｂに第２素子機能部３２を備え、第１素子機能部２２が光を発光し、第２素子機能部３２がサファイア単結晶基板１０を透過した光を受光することで、高い周波数の信号を精度良く伝送する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光装置に関する。
【解決手段】本発明は、互いに対向する第１及び第２面とを有し、上記第１及び第２面を夫々提供する第１及び第２導電型半導体層とその間に形成された活性層を有し、分離溝によって第１及び第２領域に分割された半導体積層体と、上記第１領域の第２面から上記活性層を経て上記第１導電型半導体層の一領域に連結された少なくとも一つのコンタクトホールと、上記半導体積層体の第２面上に形成され、上記少なくとも一つのコンタクトホールを介して、上記第１領域の第１導電型半導体層に連結され、上記第２領域の第２導電型半導体層に連結された第１電極と、上記第１領域の第２面上に形成され、上記第１領域の第２導電型半導体層に連結された第２電極と、上記第２電極と上記第２領域の第１導電型半導体層とを連結する電極連結部と、を含む半導体発光装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】高出力化を図る発光素子アレイを提供する。
【解決手段】発光素子アレイは、ゲートに一定の電位が印加されたときアノードとカソード間で導通することが可能な３端子構造のシフト部サイリスタT1〜T6と、シフト部サイリスタT1〜T6から分離するように形成された発光ダイオードL1〜L6と、シフト部サイリスタT1〜T6のゲート間を結合する結合ダイオードD0〜D6とを有する。発光ダイオードＬ１〜Ｌ６のアノードは、対応するシフト部サイリスタT1〜T6のゲートに短絡され、発光ダイオードのカソードは、外部からの発光信号ラインΦＩ１またはΦＩ２に接続される。点弧されたシフト部サイリスタに接続された発光ダイオードは、発光信号ラインΦＩ１またはΦＩ２から供給される信号に応じて発光または非発光する。 （もっと読む）

【課題】高出力化を図る発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、半導体基板と、半導体基板上に形成された島Sn-1、Sn、Sn+1、Sn+2と、当該島内に積層されたｐｎｐｎ構造の半導体層を含む発光部サイリスタLn-1、Ln、Ln+1、Ln+2と、当該島内に積層されたｐｎｐｎ構造の半導体層を含むシフト部サイリスタTn-1、Tn、Tn+1、Tn+2と、当該島内に積層されたｐｎ接合の結合ダイオードの直下に形成された寄生サイリスタPTｎ、PTn+1、PTn+2、PTn+3と、当該島内に形成された電流狭窄層とを有する。電流狭窄層は、酸化領域と非酸化領域とを含み、寄生サイリスタのカソード層の直下には酸化領域が形成される。 （もっと読む）

【課題】複数の発光素子が列状に配列された発光素子アレイのそれぞれの発光素子の発光面に設けたレンズにより、効率よく光を取り出すことのできる発光部品等を提供する。
【解決手段】第１アイランド３０１には、発光サイリスタＬ１が設けられている。発光サイリスタＬ１の発光面３１１上には、発光面３１１から遠ざかるにしたがい狭まりながら傾斜するとともに、発光面３１１から遠い側に凸状となった曲面部９２ｂと、曲面部９２ｂの発光面３１１から遠い側に曲面部９２ｂとつながった平面部９２ａとを備えたレンズ９２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】複数の発光素子が列状に配列された発光素子アレイのそれぞれの発光素子の発光面にレンズを設けることにより、効率よく光を取り出すことのできる発光部品等を提供する。
【解決手段】第１アイランド３０１には、発光サイリスタＬ１が設けられている。発光サイリスタＬ１の発光面３１１上には、発光面３１１と交差する方向に開口された開口部９２ａと、開口部９２ａの発光面３１１から遠い側の端に連続し、開口部９２ａから発光面３１１に沿う方向に遠ざかるとともに発光面３１１に近づくとともに、発光面３１１から遠ざかる方向に凸面状である表面（曲面９２ｃ）を有する曲面部９２ｂとを備えたレンズ９２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤと保護ダイオードとが同一基板上に形成され、かつフリップチップ実装に適した構成をもつ発光素子を得る。
【解決手段】ＬＥＤ領域ＸにおいてはＬＥＤが形成され、保護ダイオード領域Ｙにおいては保護ダイオードが形成される。この際、ＬＥＤアノード電極５１ａと保護ダイオードカソード電極５２ｂ、ＬＥＤカソード電極５２ａと保護ダイオードアノード電極５１ｂとは、分離溝Ｚを挟んでそれぞれ対向する。ｐ側電極５１とｎ側電極５２の厚さが同等である場合には、ＬＥＤ領域ＸにおけるＬＥＤアノード電極５１ａ、ＬＥＤカソード電極５２ａ、保護ダイオード領域Ｙにおける保護ダイオードアノード電極５１ｂ、保護ダイオードカソード電極５２ｂの高さは同等となる。 （もっと読む）

【課題】クロック駆動回路の出力端子数の削減により、回路規模を削減する。
【解決手段】発光サイリスタ２１０のカソードがＬレベルにされると、アノード・カソード間には電圧が印加される。一方、走査回路部１００における各走査サイリスタ１１１のゲートと、発光サイリスタ２１０の各ゲートとがそれぞれ接続されているため、走査サイリスタ１１１のゲート・カソード間にも電圧が印加される。この時、走査回路部１００により発光指令されている発光サイリスタ２１０のゲートのみを選択的にＨレベルとすることで、発光指令されている発光サイリスタ２１０がターンオンする。特に、クロック駆動回路６９の３つの出力クロックパルスＣＫ１Ｒ，ＣＫ２Ｒ，ＣＫＣを波形整形回路８０で波形整形した２相のクロックＣＫ１，ＣＫ２により、走査回路部１００を駆動しているので、クロック駆動回路６９の出力端子数を削減できる。 （もっと読む）

【課題】半導体発光機能層の一方の面に２つの電極を形成した構成の発光素子において、高い発光効率かつ面内で均一な発光強度を得る。
【解決手段】発光素子１０においては、（１）ｎ側コンタクト開口（第１の開口部）４２とｐ側コンタクト開口（第２の開口部）４１がそれぞれ、矩形における対向する２辺（上辺、下辺）に平行に延伸した２つの直線に沿って形成されたこと、（２）この２つの直線の間において、この２つの直線と垂直の方向に延伸する透明電極３０間の空隙（透明電極開口部３１）が、複数形成されたこと、によって、遮光面積を増やすことなしに電流の均一化を行い、発光の均一化を実現している。 （もっと読む）

【課題】配線数を抑制しつつ、同一チップ内で複数の発光素子を同時に点灯させる。
【解決手段】発光チップＣは、発光サイリスタＬ１、Ｌ２、Ｌ３、…、転送サイリスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３、…、設定サイリスタＳ１、Ｓ２、Ｓ３、…、設定許可サイリスタＴＥ１、ＴＥ２、消灯サイリスタＴＲ１、ＴＲ２を備え、番号ｎの転送サイリスタＴ_ｎのゲート端子Ｇｔ_ｎが、番号（２ｎ−１）の設定サイリスタＳ_２ｎ−１のゲート端子Ｇｓ_２ｎ−１と番号２ｎの設定サイリスタＳ_２ｎのゲート端子Ｇｓ_２ｎとに、接続抵抗Ｒｘを介して接続されている。設定サイリスタＳのゲート端子Ｇｓは、同じ番号の発光サイリスタＬのゲート端子Ｇｌと接続抵抗Ｒｙを介して接続されている。発光サイリスタＬのゲート端子Ｇｌは、発光サイリスタＬに対応して設けられた接続抵抗Ｒｚを介して電源線７１に接続されている。 （もっと読む）

【課題】面発光する発光体の輝度ムラを低減すること。
【解決手段】発光体１は、第１の半導体層４Ａと第２の半導体層４Ｂとで構成され、前記第１の半導体層４Ａと前記第２の半導体層４Ｂとは互いに異なる組成、かつ、連続した層であり、前記第１の半導体層４Ａと前記第２の半導体層４Ｂとは接合し、さらに、前記第１の半導体層４Ａと前記第２の半導体層４Ｂとの接合面と対向する両面は電極と接合しており、かつ、前記第１の半導体層と前記電極との接合間に、面方向に対して所定間隔で配置され、かつ導体６Ａ２で充填された複数の孔を有する絶縁体層５Ａが含まれているとともに、前記複数の孔中の前記導体はそれぞれ前記電極と接合している。 （もっと読む）

【課題】本構成を有しない場合と比較して、キャリアの発光再結合の確率が向上された発光サイリスタ、光源ヘッド、及び画像形成装置を提供する。
【解決手段】本実施の形態の発光サイリスタ１００では、ｐ型ＡｌＧａＡｓ系のアノード層１０６とｎ型ＡｌＧａＡｓ系のカソード層１１２との間に積層されたゲート層１０８を、ｐ型ＡｌＧａＡｓ系のアノード層１０６側から順に、バンドギャップが小さいｎ型ＡｌＧａＡｓ系のトラップ層１０８Ａ２、バンドギャップが大きいｐ型ＡｌＧａＡｓ系のＤＢＲゲート層１０８Ｂ１、及びバンドギャップが小さいｐ型ＡｌＧａＡｓ系の発光層１０８Ｂ０が積層されるように構成している。 （もっと読む）

【課題】高速化が図れる発光チップ等を提供する。
【解決手段】発光チップＣａ１（Ｃ）は、基板８０上に列状に配列された発光サイリスタＬ１、Ｌ２、Ｌ３、…からなる発光サイリスタ列、転送サイリスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３、…からなる転送サイリスタ列および設定サイリスタＳ１、Ｓ２、Ｓ３、…からなる設定サイリスタ列を備えている。そして、転送サイリスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３、…をそれぞれ番号順に２つをペアにしてそれぞれの間に結合ダイオードＤ１、Ｄ２、Ｄ３、…、転送サイリスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３、…と設定サイリスタＳ１、Ｓ２、Ｓ３、…との間に接続抵抗Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３、…、設定サイリスタＳ１、Ｓ２、Ｓ３、…と発光サイリスタＬ１、Ｌ２、Ｌ３、…との間に接続抵抗Ｒｙ１、Ｒｙ２、Ｒｙ３、…を備えている。さらに、電源線抵抗Ｒｚ１、Ｒｚ２、Ｒｚ３、…を備えている。 （もっと読む）

【課題】面発光する発光体の薄型化、排熱の効率化、輝度ムラの低減のうち、少なくとも１つを実現すること。
【解決手段】発光体１は、第１の半導体層４Ａと第２の半導体層４Ｂとで構成され、第２の半導体層４Ｂは、同一組成かつ連続した層であり、第１の半導体層４Ａは、連続した絶縁物の層４Ｉに、第２の半導体層４Ｂとは異なる組成で構成された複数の半導体領域４Ｓが、それぞれ別個独立して等間隔で配置された構造を持つ半導体・絶縁体複合層であり、第１の半導体層４Ａと前記第２の半導体層４Ｂとは接合し、前記接合部近傍に発光部２が形成され、さらに、第１の半導体層４Ａと第２の半導体層４Ｂとの接合面とは異なる面はそれぞれ第１電極５Ａと第２電極５Ｂが接合している。 （もっと読む）

【課題】複数の発光面が列状に配列された発光素子アレイを有する発光部品において、光を効率よく取り出すためのレンズを設置する台座による応力の発生を抑制する。
【解決手段】発光サイリスタＬ１、Ｌ２、Ｌ３…上（基板８０の反対側）には、円筒（丸筒）状の台座（ペデスタル）９１を介して、球状のレンズ９２がそれぞれ設けられている。台座９１は、発光サイリスタＬ１の発光面３１１の周辺部に設けられている。それぞれのレンズ９２は発光サイリスタＬ１、Ｌ２、Ｌ３、…のそれぞれの発光面３１１から空隙（空気層）９３を介して設けられている。 （もっと読む）

【課題】サブマウントワイヤレス接続により、省スペース化・薄型パッケージ化の容易な半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に配置された第１半導体層１２と、第１半導体層１２上に配置された活性層１３と、活性層１３上に配置された第２半導体層１４と、第２半導体層１４上に配置された透明電極１５と、透明電極１５・第２半導体層１４・活性層１３および第１半導体層１２の一部を除去して得られた第１半導体層１２面上に配置された第１電極層２００と、透明電極１５上に配置された第２電極層１００と、実装基体３２Ｉ上に配置されたカソード電極パターン３０Ｋと、実装基体３２Ｉ上に配置されたアノード電極パターン３０Ａとを備え、実装基体３２Ｉ上において、第２電極層１００を、アノード電極パターン３０Ａ上に載置し、第１電極層２００を、カソード電極パターン３０Ｋ上に載置する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ｐｎｐｎ構造を利用した論理演算回路等を提供する。
【解決手段】（ａ）は第１のＮＯＴ回路３００の断面構造を、（ｂ）は第１のＮＯＴ回路３００の等価回路を示す。第１のＮＯＴ回路３００は、ｐ型の第１半導体層２０１と、ｎ型の第２半導体層２０２と、ｐ型の第３半導体層２０３とが、それぞれエミッタ領域と、ベース領域と、コレクタ領域として働くｐｎｐトランジスタ（Ｑ１）と、ｎ型の第２半導体層２０２と、ｐ型の第３半導体層２０３と、ｎ型の第４半導体層２０４とが、それぞれエミッタ領域と、ベース領域と、コレクタ領域として働くｎｐｎトランジスタ（Ｑ２）とが組み合わされた回路である。なお、ｐｎｐトランジスタ（Ｑ１）とｎｐｎトランジスタ（Ｑ２）とは縦に積層されている。
【選択図】図９
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【課題】高信頼性を有する半導体発光素子、発光装置、照明装置及び表示装置を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１００は、基板１上に発光用のｎ型半導体層１１２、活性層（不図示）及びｐ型半導体層１１３を積層した第１発光用半導体層、発光用のｎ型半導体層１２２、活性層（不図示）及びｐ型半導体層１２３を積層した第２発光用半導体層を形成してある。また、半導体発光素子１００は、保護用のｎ型半導体層２１２、活性層（不図示）及びｐ型半導体層２１３を積層した第１保護用半導体層、保護用のｎ型半導体層２２２、活性層（不図示）及びｐ型半導体層２２３を積層した第２保護用半導体層を形成してある。 （もっと読む）

【課題】発光素子アレイチップを駆動させるための信号に外乱が混入した場合でも、損傷が生じにくい発光素子アレイチップ等を提供する。
【解決手段】主走査方向に列状に配される発光サイリスタＬ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、…と、発光サイリスタＬ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、…を駆動する信号を入出力するためのボンディングパッド８２と、発光サイリスタＬ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、…とボンディングパッド８２とを接続する配線部と、配線部に接続し、配線部に入力する外乱から配線部および発光サイリスタＬ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、…を保護するための保護素子１１３と、を備えることを特徴とする発光素子アレイチップＣ１。 （もっと読む）

【課題】外部に保護素子を設けることなく静電気や過電圧から保護することができる半導体発光素子、発光装置、照明装置、表示装置、信号灯器及び道路情報装置を提供する。
【解決手段】基板１上に発光素子用のｎ型半導体層２、活性層及びｐ型半導体層３を積層した半導体層を形成してある。発光素子１００の表面には、適長離隔させた第１のボンディング電極８１、第２のボンディング電極８２を設けてある。第１のボンディング電極８１の下方には、発光素子用のｎ型半導体層２から分離して保護素子用のｎ型半導体層１２を形成してある。保護素子用のｎ型半導体層１２には、活性層及びｐ型半導体層１３を積層してある。ｎ型半導体層１２、活性層及びｐ型半導体層１３により保護素子用の半導体層が形成される。 （もっと読む）