【課題】 従来、サファイア基板を用いてＧａＮを成長させる以上、転位の発生は避けられない。マスク層を用いれば転位が横方向に流れるとはいえ、隣接する領域から横方向に成長してきた半導体層とがぶつかるため、転位を完全になくすことはできない。そのため、より転位が少なく形成された半導体層による優れた特性の窒化化合物系の半導体発光素子が望まれていた。
一方、この活性層は半導体層の表面全面に形成されるため、その面積は半導体層の表面面積よりも大きくすることができず、発光面積が限定されてしまう。そのため、より活性層の面積を大きくした半導体発光素子が望まれていた。
【解決手段】 上記課題を解決するために、本願発明は、二段の半導体層で選択横方向成長させることにより転位の少ない半導体層を得る。また、このような半導体層を利用して発光面積の拡大を図る。 （もっと読む）

【課題】
本発明が解決しようとする課題は、球切れせず消費電力が少ない発光ダイオードを使用し、フィラメント電球の器具に適合する固体発光素子電球を提供することである。
【手段】
本発明の固体発光素子電球は固体発光素子から放射される放射光を反射材や反射鏡を使用してフィラメント電球の器具に放射領域に放射光を照射し現状の 各種器具に適合する照射光領域を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】構造を肥大化させることなく、良好な光伝達効率または光量ムラ軽減が可能な光伝達素子を提供する。
【解決手段】基端面を光導入面９ａ、先端面を光導出面９ｂ、側周面９ｃを内向きの反射面とし、前記光導入面９ａから内部に導入した光を前記光導出面９ｂから射出する光伝達素子９であって、前記側周面９ｃに、内部を進む光が外部に漏れないように全反射される角度を限度として傾斜する凹凸面９ｃ１を形成した。 （もっと読む）

本発明は、≧550nm乃至≦750nm、好ましくは≧630nm乃至≦700nmの波長の光を発する少なくとも１つの赤色光発光及び／又は変換層、及び／又は≧400nm乃至≦550nm、好ましくは≧420nm乃至≦500nmの波長の光を発する少なくとも１つの青色光発光層、及び／又は≧530nm乃至≦610nmの波長の光を発する少なくとも１つの緑色及び／又は黄色発光ルミネセンス材料を有し、それによって、前記少なくとも１つの緑色及び／又は黄色発光ルミネセンス材料が、前記少なくとも１つの青色光発光層によって発せられる光を吸収することが出来るLEDであって、前記赤色光発光及び／又は変換層が、半導体材料でできていることを特徴とするLEDに関する。
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本発明は、放射源と、少なくとも１つの蛍光体を含む蛍光材料とを有する照明装置であって、この蛍光体は、前記放射源により放射される光の一部を吸収して、この吸収された光と異なる波長の光を放射しうる蛍光体である照明装置において、前記少なくとも１つの蛍光体は、一般式Ｅａ_xＳｉ_yＮ_2/3x+4/3y：Ｅｕ_zＯ_aＸ_bで表わされる黄色から赤色で発光するユウロピウム（ＩＩ）付活ハロゲノオキソニトリドシリカートであり、式中、１≦ｘ≦２、３≦ｙ≦７、０．００１＜ｚ≦０．０９、０．００５＜ａ≦０．０５、０．０１＜ｂ≦０．３であり、Ｅａはカルシウム、バリウム及びストロンチウムからなる群から選択した少なくとも１種のアルカリ土類金属であり、Ｘはフッ素、塩素、臭素及びヨウ素からなる群から選択した少なくとも１種のハロゲンである照明装置に関するものである。本発明はまた、一般式Ｅａ_xＳｉ_yＮ_2/3x+4/3y：Ｅｕ_zＯ_aＸ_bで表わされる黄色から赤色で発光するユウロピウム（ＩＩ）付活ハロゲノオキソニトリドシリカートであって、式中、１≦ｘ≦２、３≦ｙ≦７、０．００１＜ｚ≦０．０９、０．００５＜ａ≦０．０５、０．０１＜ｂ≦０．３であり、Ｅａはカルシウム、バリウム及びストロンチウムからなる群から選択した少なくとも１種のアルカリ土類金属であり、Ｘはフッ素、塩素、臭素及びヨウ素からなる群から選択した少なくとも１種のハロゲンである当該ユウロピウム（ＩＩ）付活ハロゲノオキソニトリドシリカート及びその製造方法にも関するものである。 （もっと読む）

実装面積の小さい発光装置を提供する。 本発明の発光装置は、電気信号端子を備えてこの電気信号端子に外部から与えられる電気信号によって駆動され発光する発光素子と、電気信号を出力して電気信号端子に印加する発光素子駆動用回路を半導体を用いて形成した発光素子駆動用半導体チップと、を有し、発光素子を発光素子駆動用半導体チップの面上に装着すると共に、発光素子駆動用半導体チップの面上に複数個の発光素子を相互接続する導電経路を備える。 （もっと読む）

半導体発光デバイスは、面を有する基板と、その面上にあり、光学素子をその中に含む可撓性被膜と、基板と可撓性被膜の間にあり、光学素子を通して光を放出するように構成された半導体発光素子とを含んでいる。面は空洞をその中に有することができ、半導体発光素子は空洞内にあってよい。可撓性被膜は空洞を越えて面上に延び、光学素子は空洞の上を覆う。

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本発明は、可変出力色を有する発光デバイス（２）に関する。より詳細には、本発明は、他の色又は色温度を生成するために光源（４）の前に配置されることができる色変換セル（１０）を提供する。典型的には、光源は、電力効率が良いが狭く固定したスペクトルで発光するダイオード（ＬＥＤ）である。セルに含まれる蛍光色素の光ルミネセンスによって、新しい色が生成される。セルの色変換は電気的に制御可能であり、好適には、蛍光色素の配向、密度又は分布を制御することによって、又は、セルの光のパス長を制御することによって、制御可能である。 （もっと読む）

半導体発光デバイスをパッケージングする方法は、発光デバイスを備える空洞中に第１の量の封入材料を分配することを含む。空洞中の第１の量の封入材料は、選択された形状を有する硬化された上面を形成するように処理される。処理された第１の量の封入材料の上面に、発光変換要素が提供される。発光変換要素は、波長変換材料を含み、空洞の中心領域において、空洞の側壁に近い領域よりも大きい厚さを有する。
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【課題】光活性シートを作成する方法。
【解決手段】 導電性表面を有する底部基板が提供される。ホットメルト接着剤シートが提供される。ＬＥＤダイなどの光活性半導体要素が、ホットメルト接着剤シートにおいて埋め込まれる。ＬＥＤダイは、それぞれ、上部電極および底部電極を有する。透明導電層を有する上部透明基板が提供される。埋め込まれたＬＥＤダイを有するホットメルト接着剤シートは、積層体を形成するために、導電性表面と透明導電層との間に挿入される。積層体は、ホットメルト接着剤シートを溶融し、上部基板を電気的に絶縁して、底部基板に結合するために、加熱圧力ローラ・システムを通って進行する。ホットメルト・シートが柔らかくなるにつれ、ＬＥＤダイは分断され、それにより、上部電極は、上部基板の透明導電層と電気接触し、底部電極は、底部基板の導電性表面と電気接触する。それにより、各ＬＥＤダイのｐ側およびｎ側は、上部導電層および底部導電性表面と自動的に接続される。各ＬＥＤダイは、可撓性ホットメルト接着剤シート層の基板間において封入されて固定される。底部基板、ホットメルト接着剤（埋め込まれたＬＥＤダイを有する）、および上部基板は、材料のロールとして提供することができる。ロールは、連続ロール製作プロセスにおいて共にされ、ライティング材料の可撓性シートとなる。 （もっと読む）

式(Ba,Sr,Ca)SiO₄:Euを有する蛍光体組成物、及び半導体光源及び上記蛍光体を含む発光デバイス。(Ba,Sr,Ca)SiO₄:Eu及び1種以上の追加の蛍光体の混合物、及びそれを組み込んでいる発光デバイスも開示される。好ましい混合物は、(Sr,Ba,Ca)₂SiO₄:Eu及び(Sr,Mg,Ca,Ba,Zn)₂P₂O₇:Eu,Mn;(Ca,Sr,Ba,Mg)₅(PO₄)₃(Cl,F,OH):Eu,Mn;(Sr,Ba,Ca)MgAl₁₀O₁₇:Eu,Mn;及びMg₄FGeO₆:Mn⁴⁺の少なくとも1種;及び一般式(Y,Gd,La,Lu,T,Pr,Sm)₃(Al,Ga,In)₅O₁₂:Ceを有する1種以上のガーネット蛍光体を含む。
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【課題】蛍光体を発光ダイオード（ＬＥＤ）素子に層状化し、効率的な発光素子を生成して非線形効果を最小化する方法を提供する。
【解決手段】ＬＥＤと１つ又はそれよりも多くの蛍光体を含み、各蛍光体に対して（入射ＬＥＤ光束）×（蛍光体の励起断面積）×（蛍光体材料の減衰期間）の積として定義される性能指数（ＦＯＭ）が０．３よりも小さいＬＥＤランプ。そのような構成は、駆動電流のある一定の範囲にわたってルーメン出力及び色安定性の改善した発光素子を提供する。 （もっと読む）

本発明は、放射線源と、該放射線源から放射される光の一部を吸収して、吸収された光とは異なる波長の光を放射することが可能な、少なくとも一つの蛍光体を含む蛍光材料とを有する照明システムであって、前記少なくとも一つの蛍光体は、一般式が(RE_1-z)_2-aEA_aSi₄N_6+aC_1-a：Ce_zの黄色赤色放射性のセリウム活性化炭化物系窒化珪素であり、ここで0≦a＜1、0＜z≦0.2で、EAは、カルシウム、ストロンチウムおよびバリウムの群から選定される少なくとも一つのアルカリ土類金属であり、REは、イットリウム、ガドリニウムおよびルテチウムの群から選定される少なくとも一つの希土類金属であることを特徴とする照明システムに関する。また本発明は、一般式が(RE_1-z)_2-aEA_aSi₄N_6+aC_1-a：Ce_zの赤乃至黄色放射性のセリウム活性化炭化物系窒化珪素であり、ここで0≦a＜1、0＜z≦0.2で、EAは、カルシウム、ストロンチウムおよびバリウムの群から選定される少なくとも一つのアルカリ土類金属であり、REは、イットリウム、ガドリニウムおよびルテチウムの群から選定される少なくとも一つの希土類金属である。
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本発明は、光学活性構成部品が少なくとも部分的に内部に埋め込まれる回路基板、ならびに光学活性構成部品を回路基板内に埋め込む方法に関する。少なくとも部分的に回路基板内に埋め込まれる構成部品は、構成部品の光学活性領域が回路基板の平面と本質的に直角であるように、回路基板内の光信号と光学活性接触をする。
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生産物はプレーナ形にコンタクト形成されている光電素子を備えた基板を有している。
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基板および電気的活性領域を有する電子デバイス用に有用な封入アセンブリが記載され、封入アセンブリは、バリヤーシートおよび前記シートから伸張するバリヤー構造体を含んでなり、バリヤー構造体は、電子デバイス上で使用されるとき、電子デバイスを実質的に密封するように構成される。いくつかの実施形態では、バリヤー構造体は、封入アセンブリを電子デバイスに接合するために、接着剤と共に使用されるように設計される。場合によりゲッタリング材料を使用できる。

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変換粒子を含むコーティング材料（７０）でＬＥＤ（５５）をコーティングすることに特に適合された、複数の半導体デバイス（５５）をコーティングする方法および装置（５０）。本発明による方法の１つは、形成空洞（６８）を有するモールドを設けることを含む。複数の半導体デバイス（５５）がモールド形成空洞（６８）内に取り付けられ、硬化可能コーティング材料（７０）がモールドに注入または他の方法で導入されてモールド形成空洞（６８）が充填され、半導体デバイス（５５）が少なくとも部分的に覆われる。コーティング材料（７０）は、半導体デバイス（５５）が硬化したコーティング材料に少なくとも部分的に埋め込まれるように硬化される。半導体デバイスが埋め込まれた硬化したコーティング材料（７０）が形成空洞（６８）から取り出される。半導体デバイス（５５）が、硬化したコーティング材料（７０）の層によってそれぞれが少なくとも部分的に覆われているように分離される。複数の半導体デバイスをコーティングするための本発明による装置（５０）の一実施形態は、半導体デバイス（５５）を保持するように構成された形成空洞（６８）を有するモル（ｍｏｌ）ハウジング（５１）を備える。形成空洞（６８）は、硬化可能コーティング材料（７０）を形成空洞（６８）に注入して、形成空洞（６８）を充填し、半導体デバイス（５５）を少なくとも部分的に覆うことができるようにも構成されている。

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透明のプラスチックおよび燐光体添加剤を含む溶融液体を鋳型に充填し、この溶融液体を凝固させて、燐光体が内部に分散した透過型光学要素を作製することによって、透過型光学要素が製造される。したがって、別に燐光体被覆または燐光体含有封入剤を使用する必要がない。透過型光学要素は、燐光体が内部に分散されている透明のプラスチックから作製されたシェルを含む。燐光体はシェルの中に均一および／または不均一に分散され得る。

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【課題】 所定方向に指向性を有すると共に、反射による輝度アップを図ることで、小型の携帯電話機に備えるカメラのフラッシュ光源として搭載可能なＬＥＤランプを提供することである。
【解決手段】 電極パターンが形成された回路基板２２と、この回路基板２２上に載置され、内周面がテーパ状の凹部３２を有する反射枠体３１と、前記凹部３２の中央部に実装される発光体２７と、この発光体２７の上に位置する空気層と、この空気層を介して前記反射枠体３１の上に設けられるレンズ体４４とを備えると共に、前記反射枠体３１に前記空気層から外部に通じる空気孔４５を設けた。 （もっと読む）