低ｋ誘電体材料、エッチング停止材料、および／または金属スタック材料を、その上にこれらを有する不良微小電子素子構造から除去する除去組成物およびプロセス。除去組成物はフッ化水素酸を含む。組成物は、これらをその上に有する微小電子素子構造の表面からの材料の少なくとも部分的な除去を、前記構造のリサイクルおよび／または再使用のために、半導体構造に用いられている下位のポリシリコンまたはベアシリコン層に損傷をあたえることなく達成する。
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【課題】熱酸化膜のエッチングを抑制しつつ、ＳｉＯ_２系堆積物およびＣＦ系堆積物を同一工程で選択的に除去することができるエッチング液およびそのようなエッチング液を用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、８６ｗｔ％〜９７．９ｗｔ％のＨ_２ＳＯ_４と、０．１ｗｔ％〜１０ｗｔ％のＨＦと、２ｗｔ％〜４ｗｔ％のＨ_２Ｏとを含む液体に１０ｐｐｍ以上のオゾンを溶解させたエッチング液５を用いたエッチング工程を具備する。 （もっと読む）

【課題】決定された均一な寸法および配置を基板規模で有するナノ規則構造を基板上に作製する方法を提供することである。
【解決手段】ナノ構造を作製する方法であって、埋め込みバリア層(2)と、前記バリア層(2)の上に、結晶性ゾーン(13)内の結晶欠陥および/または応力場(12)のネットワークを備える結晶性膜(5)とを有する基板(100)を設けるステップと、前記結晶欠陥および/または応力場、あるいは前記結晶欠陥間および/または前記応力場間の前記結晶性ゾーン(13)の優先腐食である、前記基板(100)を腐食する1つまたはいくつかのステップであって、前記バリア層(2)を局所的にむき出しにすること、および底面が前記バリア層内に位置するくぼみ(7.1)によって互いに分離され、前記ナノ構造(7、8)をもたらす突起(7)をナノメータ規模で形成することを可能にする腐食ステップとを含む方法。 （もっと読む）

【課題】 厚さが薄く、より均一な表面を有するガラス基板を処理するためのエッチング装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、エッチング液を収容する容器と、容器内に離隔、対向して複数個設置されるローラーと、を含み、離隔、対向するローラー間にガラス基板を挿入してエッチング液とローラーの回転によってエッチングを行い、各ローラーには、スポンジパッド、ブラシ、又は水流発生用部材を備えたパッドが設置され、各ローラーにスポンジパッド又はブラシが設置される場合には、スポンジパッド又はブラシは、ガラス基板と接触するように設置され、各ローラーに水流発生用部材を備えたパッドが設置される場合には、水流発生用部材を備えたパッドは、ガラス基板と接触しないように設置されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の損傷なしに絶縁膜を除去することができ、経済的に基板を再生することができる手段を提供する。
【解決手段】低誘電率材料もしくは保護材料のいずれか一方または両方を含む絶縁材料を除去するための組成物であって、前記組成物は組成物の総質量１００質量％に対して、酸化剤１〜５０質量％と、フッ素化合物０．１〜３５質量％と、残部の水と、を含むことを特徴とする、絶縁材料除去用組成物である。 （もっと読む）

【課題】耐薬品性の結晶材料の化学的ウェットエッチング法に用いるエッチング剤の提供。
【解決手段】クライオライト（Ｎａ_３ＡｌＦ_６）及びテトラフルオロホウ酸カリウム（ＫＢＦ_４）のようなハロゲン塩を含有するエッチング剤を提供する。塩は、支持層のエッチングに十分な量でエッチング剤中に存在し、約２００℃を上回る溶融温度を有し得る。ウェットエッチング法は、多層積層体の酸化アルミニウムを含有する支持層１３０の１以上の表面にクライオライト及び／又はテトラフルオロホウ酸カリウムを含有するエッチング剤を接触させ、次いで支持層１３０の少なくとも一部をエッチングする工程を含む。酸化アルミニウム支持層１３０上での結晶成長によって製造された窒化ガリウムを含有する自立積層体を提供する。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜に与えるダメージが抑制された、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 第１の絶縁層に埋設される、導電材料よりなる配線構造を形成する配線構造形成工程と、前記第１の絶縁層を除去して前記配線構造を露出させる絶縁層除去工程と、
前記配線構造を埋めるように第２の絶縁層を形成する絶縁層埋設工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも1X10^-6の水性酸解離定数を持つ一種以上のカルボン酸成分が、酸化物（二酸化ケイ素もしくはドープした二酸化ケイ素など）のエッチングの間に利用される方法を含む。二種以上のカルボン酸も利用できる。カルボン酸の例としては、トリクロロ酢酸、マレイン酸、クエン酸を含む。 （もっと読む）

【課題】 加工精度を損なうことなく生産性を向上させることができるパターニング方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、半導体装置の製造方法、半導体装置、圧電駆動素子の製造方法及び圧電駆動素子を提供する。
【解決手段】 ビアホール３９を有した第２層間絶縁膜３７上側全面にＩＴＯからなる透明導電膜４２形成し、同透明導電膜４２のエッチング領域Ｅに、塩酸Ｌと反応して水素ガスＰを生成する金属膜４５を、亜鉛ペーストを塗布することによって形成した。そして、金属膜４５を有した素子形成面１４ａを塩酸Ｌ中に浸漬して透明導電膜４２をエッチングし、陽極４０を形成するようにした。 （もっと読む）

【課題】被処理体に存在する少なくとも２層の積層膜に対しウェットエッチングによる除去処理を行う際に、エッチング選択性の問題が生じず、十分なエッチング速度で２層をエッチング除去することができる処理方法を提供すること。
【解決手段】被処理体に存在する第１の膜および第２の膜の少なくとも２層の積層膜に対しウェットエッチングによる除去処理を行うにあたり、第１処理液を被処理体の第１の膜に接触させて第１の膜をエッチングし（ステップ２）、第１の膜が除去されたか否かを判断し（ステップ３）、第１の膜が除去されたと判断された際に、第１処理液を、第１処理液とは状態が異なる第２処理液に切り換え（ステップ４）、第２処理液を第２の膜に接触させて第２の膜をエッチングする（ステップ５）。 （もっと読む）

【課題】 工程を大幅に増加させずに導電層を形成しやすい形状のコンタクトホールの形成、特にウェットエッチング後にドライエッチングをより確実に行うことによってコンタクトホールの形状不良を低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 シリコン基板１上に形成されている層間絶縁膜２上に第１マスク３を形成する第１マスク形成工程と、層間絶縁膜２の途中までエッチングして第１凹部４ａを形成する第１エッチング工程と、第１マスク３を除去する第１マスク除去工程と、第１エッチング工程により形成された第１凹部４ａ内に開口部を有するように第２マスク５を形成する第２マスク形成工程と、層間絶縁膜をシリコン基板１の表面に達するまでエッチングしてコンタクトホール４を形成する第２エッチング工程と、第２マスク５を除去する第２マスク除去工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 インジウム含有ウエハの特性を精度よく測定することができかつ非破壊試験である水銀Ｃ−Ｖ法を適用可能とするために、水銀除去を確実に行なうことのできるインジウム含有ウエハを提供する。
【解決手段】 本発明にかかるインジウム含有ウエハは、表面に付着した水銀を除去する目的で最外表面層に形成された付加的な化合物半導体からなる水銀除去層を有することを特徴とする。ここで、水銀除去層として、化学的水銀除去層または物理的水銀除去層を用いることができる。さらに、２層以上の水銀除去層を設けることもできる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の洗浄またはエッチングに用いる組成物と、それを用いる方法に関する。
【解決手段】組成物は、４級アンモニウムフルオライド、４級ホスホニウムフルオライド、スルホニウムフルオライド、より一般的には−オニオムフルオライド、または１つ以上の炭素含有基によって結合した２つ以上の４級−オニオム基を含む“マルチ”４級−オニオムフルオライドの様な活性剤等のフッ素含有組成物を含み得る。組成物は、無機酸、カルボン酸、ジカルボン酸、スルホン酸、またはこれらを組み合わせたｐＨが約２〜９であるｐＨ調製剤を含み得る。組成物は無水であることができ、アルコール、アミド、エーテル、またはこれらの組み合わせをさらに含み得る。組成物は、エッチング速度、エッチングの選択性、エッチングの均一性および種々の基板上の基準を洗浄することの改善を得ることに有用である。 （もっと読む）